專利名稱：可減低應力的晶片構裝的制作方法
技術領域：
本實用新型是與晶片構裝有關，更詳而言之是指一種可減低應力的晶片構裝。
惟，該載體2一般是為塑膠、玻璃纖維或陶瓷等材質中的一種所制成，而該晶片3則是由硅元素所制成；由于此兩種材質的不同，將使得該載體2的熱膨脹系數(shù)(19×10-6)遠高于該晶片3的熱膨脹系數(shù)(4×10-6)，使該構裝1在進行模壓或運作的同時，該載體2極易遭受周遭環(huán)境溫度改變的影響，使得整個晶片構裝1產(chǎn)生熱脹冷縮的物理現(xiàn)象，然而該晶片3與該載體2的熱膨脹系數(shù)在相差有四倍的情況下，會有發(fā)生類似Bimetal(雙金屬)撓曲或變形的情形，并進而將其應力導向于該晶片3上，使該晶片3會因所承受的應力過度或受力不均，而有發(fā)生撓曲或破裂的情事。
有鑒于上述的種種缺點，本案創(chuàng)作人乃經(jīng)詳思細索，并累積多年從事晶片構裝制造及研究開發(fā)的經(jīng)驗，終而有本實用新型的產(chǎn)生。
本實用新型的內容亦即本實用新型的主要目的乃在提供一種可減低應力的晶片構裝，是可使該晶片減低所受的應力或使其受力均勻，而減少發(fā)生損壞的情形。
緣此，本實用新型所提供一種可減低應力的晶片構裝，其主要包含有一容置體；一載板，是與該容置體黏結，并使該容置體與該載板間形成有一開口向上的容室；一晶片，是黏著于該載板上，并由多數(shù)的焊線與該容置體電性連接，且該載板與該晶片的熱膨脹系數(shù)是相近；一罩體，該罩體是罩設于該容置體上，并封抵住該容室的開口，以避免該容室中的晶片受外力的破壞或雜物污染。
其中該載板是與該晶片同一材質。
其中該載板是為A1loy 42所制成。
其中該容置體座是可為塑膠、強化塑膠、玻璃懺維或陶瓷等材質所制成。
其中該容置體具有一頂面及一底面，而該容室是自頂面向下凹陷而形成，且該容室形成有一底部；該載板是黏結于該底部上。
其中該容置體的頂面上設有多數(shù)的焊墊，而由該等焊線與該晶片電性連接。
其中該容置體是為中空的框體，而形成有一內壁面；該載板是以其側邊黏著于該內壁面上，該容置體與該載板間形成供該晶片置設的容室。
其中該容置體具有一頂面及一底面，而該容室是自頂面向下凹陷而形成，且該容室形成有一底部，并該底部與該頂面間設有一通貫的開孔；該載板是黏結于該開孔周緣的底部上。
其中該罩體，是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔，該通孔是對應該晶片的位置，且該通孔中至少封設固定有一鏡片。
其中該載板與該底部容置體間的黏結面積，是以可支撐且固定該載板于該容置體上的最小面積，且以不黏結至該載板的側緣為原則。
在此需特別說明的是由于該晶片40是由硅元素所制成，其熱膨脹系數(shù)約為4×10-6，而與該晶片40呈直接黏結的載板30，其材質的熱膨脹系數(shù)與該晶片40的熱膨脹系數(shù)又極為相近，不僅可使得該載板30發(fā)生撓曲或變形的機率大為減低，同時亦可避免該載板30對該晶片40產(chǎn)生過度的應力或應力分布不均的不良的影響，而對該晶片40產(chǎn)生破壞，可使該晶片40受該載板30的撓曲而破壞的情形大幅減低；而且由于該載板30與該容置體20間的黏結面積縮減，可減少該容置體20對該載板30所產(chǎn)生的撓曲或應力較大等的不良影響。
并且由于該容置體20并未與該晶片40呈直接黏接，而可以價格較為低廉的塑膠或陶瓷等材質制成，以減低該構裝10在制造上的成本；上述構裝10于使用時，可利用錫焊或其它電性連接的方式，將該容置體20與組裝有必要電子元件的電路板(圖中未示)連接即可。
請參閱圖3，是本實用新型第二較佳實施例所提供一種可減低應力的晶片構裝70，其同樣包含有一容置體71、一載板72、一晶片73、多數(shù)的焊線74及一罩體75；其與上述實施例的主要差異在于該容置體71更設有一貫穿該容室713底部714至該底面712的開孔715；而該容置體71的頂面711上設有呈預定數(shù)量及態(tài)樣的電路(圖中未示)；該載板72是以其一端面的周緣由一黏結物721而黏著于位在該容室713底部714的開孔715周緣上；其次，該晶片73是黏著于載板72的另一端上，并由該等焊線74將該晶片73分別電性連接于該容置體71底部714及頂面711上的焊墊。
請參閱圖4，是本實用新型第三較佳實施例所提供一種可減低應力的晶片構裝80，其同樣包含有一容置體81、一載板82、一晶片83、多數(shù)的焊線84及一罩體85；其與上述實施例的主要差異在于該容置體81是為一中空的框體，而于其中空部份形成有一內壁面813；該載板82是以其側邊821黏著于該容置體81一端的內壁面813上，使原來的中空部份受該載板82的封合而形成一開口向上的容室814，且該容置體81的頂面811上設有若干的焊墊(圖中未示)，并由該等焊線84先與該晶片83上的焊墊(圖中未示)連接，再以近乎水平延伸的方式與該頂面811上的焊墊連接，且該容置體81的焊墊周緣設有若干貫穿其頂、底面811、812的貫孔815，而可由焊錫或其它連接件置于該等貫孔815中，而將其電性導通于外界的電路板(圖中未示)上。
請參閱圖5是本實用新型第四較佳實施例所提供一種可減低應力的晶片構裝90，其同樣包含有一容置體91、一載板92、一晶片93、多數(shù)的焊線94及一罩體95；其與第上述較佳實施例的主要差異在于該罩體95，是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔951，該通孔951是對應該晶片93的位置，且該通孔951中至少封設固定有一鏡片952，可使外部的光線由該鏡片952穿透并照射于該晶片93上；于使用時則可由焊球、焊錫、錫膏或其它電性連接的方式，將該容置體91電性連接于外界的電路板上即可。
綜上所述，本實用新型可減低應力的晶片構裝，確實具有縮減對晶片產(chǎn)生應力的功效，實具其進步實用性，且在使用上的方便，又，本實用新型于申請前并無相同物品見于刊物或公開使用，是以，本實用新型實已具備專利條件，故依法提出申請。
權利要求1.一種可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其主要包含有一容置體；一載板，是與該容置體黏結，并使該容置體與該載板間形成有一開口向上的容室；一晶片，是黏著于該載板上，并由多數(shù)的焊線與該容置體電性連接，且該載板與該晶片的熱膨脹系數(shù)是相近；一罩體，該罩體是罩設于該容置體上，并封抵住該容室的開口。
2.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該載板是與該晶片同一材質。
3.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該載板是為Alloy 42所制成。
4.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該容置體座是可為塑膠、強化塑膠、玻璃懺維或陶瓷等材質所制成。
5.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該容置體具有一頂面及一底面，而該容室是自頂面向下凹陷而形成，且該容室形成有一底部；該載板是黏結于該底部上。
6.依據(jù)權利要求5所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該容置體的頂面上設有多數(shù)的焊墊，而由該等焊線與該晶片電性連接。
7.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該容置體是為中空的框體，而形成有一內壁面；該載板是以其側邊黏著于該內壁面上，該容置體與該載板間形成供該晶片置設的容室。
8.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該容置體具有一頂面及一底面，而該容室是自頂面向下凹陷而形成，且該容室形成有一底部，并該底部與該頂面間設有一通貫的開孔；該載板是黏結于該開孔周緣的底部上。
9.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該罩體，是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔，該通孔是對應該晶片的位置，且該通孔中至少封設固定有一鏡片。
10.依據(jù)權利要求1所述可減低應力的晶片構裝，其特征在于，其中該載板與該底部容置體間的黏結面積，是以可支撐且固定該載板于該容置體上的最小面積，且以不黏結至該載板的側緣為原則。
專利摘要一種可減低應力的晶片構裝,其主要包含有:一容置體;一載板,是與該容置體黏結,并使該容置體與該載板間形成有一開口向上的容室;一晶片,是黏著于該載板上,并由多數(shù)的焊線與該容置體電性連接,且該載板與該晶片的熱膨脹系數(shù)是相近;一罩體,該罩體是罩設于該容置體上,并封抵住該容室的開口,以避免該容室中的晶片受外力的破壞或雜物污染。
文檔編號H01L21/02GK2507136SQ01267389
公開日2002年8月21日 申請日期2001年10月15日 優(yōu)先權日2001年10月15日
發(fā)明者吳澄郊 申請人:臺灣沛晶股份有限公司