專利名稱：低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是與晶片構(gòu)裝有關(guān)，更詳細(xì)地說(shuō)是指一種低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝。
而一般公知的晶片構(gòu)裝1，如

圖1所示，具有一載體2，該載體2形成有一開口向上的容室2a；一集成電路晶片3，是由一黏著物4涂布于其一端面上，而可黏貼于該載體2的容室2a底部2b，并由多數(shù)的焊線5將其電性傳導(dǎo)于該載體2上，而可由該載體2與外界連接，而將該晶片3的電性導(dǎo)通于外界，該載體2上更罩設(shè)有一封蓋6，用以封閉該容室2a，使該晶片3可不受外力的破壞或污染。
由于該載體2與該晶片3是分別由兩種完全不同的材質(zhì)所制成，該載體2一般是為塑膠或玻璃纖維(熱膨脹系數(shù)為19×10-6)，而該晶片3則是為硅合金(熱膨脹系數(shù)為4×10-6)；由于此兩種不同的材質(zhì)，將使得該載體2的熱膨脹系數(shù)約為該晶片3的四倍之多，使該構(gòu)裝1在進(jìn)行模壓或運(yùn)作的同時(shí)，該載體2與該晶片3極易遭受周遭環(huán)境溫度改變的影響，會(huì)有類似Bimetal現(xiàn)象而產(chǎn)生物理變化，致接合的兩者發(fā)生撓曲或變形的情形，并會(huì)使得其應(yīng)力集中在兩者的黏接處，且由于該晶片3是將其一端面完全黏貼于該載體2上，使得黏接處的長(zhǎng)度或面積大增，進(jìn)而使其黏接處的應(yīng)力亦隨之增加(如圖2所示)，將使得該載體2在發(fā)生撓曲的同時(shí)，會(huì)有牽動(dòng)或壓迫該晶片3發(fā)生撓曲或破裂的情事產(chǎn)生。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，可減低晶片所遭受的應(yīng)力，而減少晶片損壞。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所提供一種低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，主要包含有一載體；一晶片單元，是由一黏著物的涂布，而以其一端面具有一局部貼接處貼接于該載體上，且該黏著物是自該晶片的中心點(diǎn)向外于四周涂布或形成左右對(duì)稱，并以不涂布至該晶片單元的周緣為原則；多數(shù)的焊線，是用以將該晶片單元電性導(dǎo)通于該載體；一罩體，是罩設(shè)于該載體上，用以封閉該晶片單元，以避免該晶片單元受外力的破壞或雜物的污染。
其中該晶片單元是為一集成電路晶片，更具有一載板，與該晶片黏接而置設(shè)于該載體上。
其中該黏著物是自該晶片單元一端面的中心點(diǎn)處，向四周涂布延伸至足以將該晶片單元固定及平衡于該載體上的最小寬度。
其中該黏著物是自該晶片單元一端面的中心點(diǎn)處，向外延伸一預(yù)定漲離的位置上往內(nèi)涂布，具其涂布的位置未超出于該晶片罩元的周緣，且也并未往內(nèi)涂布至該晶片單元的中心點(diǎn)。
其中該罩體是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔，該通孔是對(duì)應(yīng)該晶片單元的位置，且該通孔中至少封設(shè)固定有一鏡片。
其中更具有一墊片，該墊片是置設(shè)于該晶片單元與該載體之間，且位于該黏著物的周邊，而可用以支撐或增加該晶片罩元與該載體閑的結(jié)合強(qiáng)度。
其中該載體更設(shè)有一缺槽，是供該黏著物置入，而可使該晶片單元端面上未涂布黏著物的處略與該載體接觸。
為能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的實(shí)際構(gòu)造及特點(diǎn)，茲列舉以下實(shí)施例并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明。
圖3是本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的剖視圖；圖4是本實(shí)用新型第二較佳實(shí)施例的剖視圖；圖5是本實(shí)用新型第三較佳實(shí)施例的剖視圖；圖6是本實(shí)用新型第四較佳實(shí)施例的剖視圖；圖7是本實(shí)用新型第五較佳實(shí)施例的剖視圖。
在此需特別說(shuō)明的是，該黏著物32于該晶片31與該載體20底部231間的黏結(jié)面積，是由該晶片31一端面的中心點(diǎn)，向四周延伸至足可將該晶片31固定及平衡于該載體20上的最小面積為原則，且是在不涂布至該晶片31的周緣下，使該晶片31可由該黏著物32而與該載體20黏結(jié)固定；由于該晶片31與載體20間的黏結(jié)面積及長(zhǎng)度縮減，而可使該載體20在發(fā)生撓曲變形時(shí)，對(duì)該晶片31所產(chǎn)生的應(yīng)力相對(duì)縮減至最小，使該晶片31受該載體20撓曲而破壞的情形大幅減少，并且由于該晶片31與該載體20黏著時(shí)，該黏著物32是位于該底部231的缺槽232中，使該晶片31黏結(jié)的端面上未涂布黏著物32之處，可略與該底部231接觸，以增加黏接的兩者間的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，以避免于該晶片31上打線時(shí)發(fā)生偏斜崩裂的情事。
上述構(gòu)裝10于使用時(shí)，可利用錫焊或其它電性連接的方式，將該載體20與組裝有必要電子元件的電路板(圖中未示)連接即可。
請(qǐng)參閱圖4，是本實(shí)用新型第二較佳實(shí)施例所提供的低應(yīng)力晶片構(gòu)裝60，其同樣包含有一載體61、一晶片單元62、一黏著物63、多數(shù)的焊線64及一罩體65；其與上述實(shí)施例的主要差異在于其中，載體61的容室611底部612是布設(shè)有呈預(yù)定數(shù)量及態(tài)樣的電路(圖中未示)，并由該等焊線64與該晶片62呈電性連接；該罩體65，是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔651，該通孔651對(duì)應(yīng)該晶片30的位置，且該通孔651中至少封設(shè)固定有一鏡片652，可使外部的光線由該鏡片652穿透并照射于該晶片62上；其次，該晶片62與該載體61間更設(shè)置有一墊片66，該墊片66是位于該黏著物63的周邊，而可用以支撐或增加該晶片62與該載體61間的連結(jié)關(guān)系強(qiáng)度，且由于該墊片66僅是置于該晶片62與該載體61間，并未與該晶片62呈直接黏結(jié)，而可使該載體61不會(huì)由該墊片66對(duì)該晶片62產(chǎn)生或傳導(dǎo)應(yīng)力。
請(qǐng)參閱圖5，是本實(shí)用新型第三較佳實(shí)施例所提供的低應(yīng)力晶片構(gòu)裝70，其同樣包含有一載體71、一晶片單元72、一黏著物73、多數(shù)的焊線74及一罩體75；其與上述實(shí)施例的主要差異在于該黏著物73是自該晶片72一端面的中心點(diǎn)處于外，向四周延伸預(yù)定距離的位置上涂布，且其涂布的位置是未超出于該晶片72的周緣，并且也不往內(nèi)涂布至晶片72的中心點(diǎn)，使該晶片72端面上形成至少二左右對(duì)稱而互不接觸，并以局部貼接于該載體71上的貼接處，而將該晶片72貼接于該載體71的底部711上；其次，該晶片72與該載體71間更設(shè)置有一墊片76，該墊片76是位于該黏著物73的周邊即是位于該二貼接處的周邊，而可用以支撐或增加該晶片72與該載體71間的連結(jié)關(guān)系強(qiáng)度，且不會(huì)對(duì)該晶片72產(chǎn)生或傳導(dǎo)應(yīng)力。
請(qǐng)參閱圖6，是本實(shí)用新型第四較佳實(shí)施例所提供的低應(yīng)力晶片構(gòu)裝80，其同樣包含有一載體81、一晶片單元82、一黏著物83、多數(shù)的焊線84及一罩體85；其與上述實(shí)施例的主要差異在于其中，該晶片單元82是具有一集成電路晶片821及一載板822；該晶片821是由一黏結(jié)物823以整面涂布的方式與該載板822的一端面黏結(jié)，而該載板822則是以局部涂布的方式由該黏著物83與該載體81的底部811黏結(jié)，且該載體81的底部811形成有一缺槽812，使該黏著物83可位于該嵌槽812之中，且該載板822的熱膨脹系數(shù)是與該晶片821的熱膨脹系數(shù)相近；由上述的結(jié)構(gòu)可知，該載板822與該載體81間是以局部黏著，可使得該載體81對(duì)該載板822產(chǎn)生不良影響的情事大為減少，且由于該載板822的熱膨脹系數(shù)與該晶片821的熱膨脹系數(shù)相近，更可使得與的黏結(jié)的晶片821發(fā)生變形或撓曲的情事縮減，對(duì)該晶片821而言，是具有雙重的保護(hù)效果。
請(qǐng)參閱圖7，是本實(shí)用新型第五較佳實(shí)施例所提供的低應(yīng)力晶片構(gòu)裝90，其同樣包含有一載體91、一晶片罩元92、一黏著物93、多數(shù)的焊線94及一罩體95；其與上述實(shí)施例的主要差異在于該晶片單元92具有二集成電路晶片921、922及一載板923；其中，該二晶片921、922是置設(shè)于該載板923上，并由該等焊線94將該晶片921、922電性連接于該載板923及該載體91的底部911上，使該構(gòu)裝90可同時(shí)具有二晶片921、922的功效，且該載板923與該載體91間是具有二貼接處，是分別正對(duì)于該晶片921、922的下方。
綜上所述，本實(shí)用新型低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，確實(shí)具有縮減對(duì)晶片產(chǎn)生應(yīng)力的功效，實(shí)具其進(jìn)步實(shí)用性，且在使用上的方便。
權(quán)利要求1.一種低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，主要包含有一載體；一晶片單元，是由一黏著物的涂布，而以其一端面具有一局部貼接處貼接于該載體上，且該黏著物是自該晶片的中心點(diǎn)向外于四周涂布，并以不涂布至該晶片單元的周緣為原則；多數(shù)的焊線，是用以將該晶片單元電性導(dǎo)通于該載體；一罩體，是罩設(shè)于該載體上，用以封閉該晶片單元，以避免該晶片單元受外力的破壞或雜物的污染。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該晶片單元是為一集成電路晶片。
3.依據(jù)權(quán)利要求2所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該晶片單元還具有一載板，與該晶片黏接而置設(shè)于該載體上。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該黏著物是自該晶片單元一端面的中心點(diǎn)處，向四周涂布延伸至足以將該晶片單元固定及平衡于該載體上的最小寬度。
5.依據(jù)權(quán)利要求1所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該黏著物是自該晶片單元一端面的中心點(diǎn)處，向外延伸一預(yù)定漲離的位置上往內(nèi)涂布，具其涂布的位置是未超出于該晶片罩元的周緣，且也并來(lái)往內(nèi)涂布至該晶片單元的中心點(diǎn)。
6.依據(jù)權(quán)利要求1所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該罩體是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔，該通孔是對(duì)應(yīng)該晶片單元的位置，且該通孔中至少封設(shè)固定有一鏡片。
7.依據(jù)權(quán)利要求1所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中更具有一墊片，該墊片是置設(shè)于該晶片單元與該載體之間，且是位于該黏著物的周邊，而可用以支撐或增加該晶片罩元與該載體閑的結(jié)合強(qiáng)度。
8.依據(jù)權(quán)利要求1所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該載體更設(shè)有一缺槽，是供該黏著物置入，而可使該晶片單元端面上未涂布黏著物處略與該載體接觸。
9.一種低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，主要包含有一載體；一晶片單元，是由一黏著物的涂布，而以其一端面具有至少二局部貼接處貼接于該載體上，該各黏著物是以該晶片單元的中心點(diǎn)向外形成左右對(duì)稱，且以不涂布至該晶片單元的周緣為原則；多數(shù)的焊線，用以將該晶片單元電性導(dǎo)通于該載體；一罩體，是罩設(shè)于該載體上，用以封閉該晶片單元，以避免該晶片單元受外力的破壞或雜物的污染。
10.依據(jù)權(quán)利要求9所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該晶片單元是為一集成電路晶片。
11.依據(jù)權(quán)利要求10所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該晶片單元更具有一載板，是與該晶片黏接而置設(shè)于該載體上。
12.依據(jù)權(quán)利要求9所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該黏著物是自該晶片單元一端而的中心點(diǎn)四周于外，延伸一預(yù)定距離的位置上往內(nèi)涂布，而形成有該至少三互不接觸的貼接處，且其涂布的位置是未超出于該晶片單元的周緣，也并未往內(nèi)涂布至該晶片罩元的中心點(diǎn)。
13.依據(jù)權(quán)利要求9所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該罩體是由不透明的塑膠、金屬所制成的板件，其具有一通孔，該通孔是對(duì)應(yīng)該晶片單元的位置，且該通孔中至少封設(shè)固定有一鏡片。
14.依據(jù)權(quán)利要求9所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中更具有一墊片，該墊片是置設(shè)于該晶片單元與該載體之間，且是位于該黏著物的周邊，而可用以支撐或增加該晶片單元與該載體閑的結(jié)合強(qiáng)度。
15.依據(jù)權(quán)利要求9所述低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝，其特征在于，其中該載體更設(shè)有至少二缺槽，是供該黏著物置入，而可使該晶片單元端面上未涂布黏著物的處略與該載體接觸。
專利摘要一種低應(yīng)力的晶片構(gòu)裝,其主要包含有:一載體;一晶片單元,由一黏著物的涂布,而以其一端面具有一局部貼接處貼接于該載體上,且該黏著物是自該晶片的中心點(diǎn)向外于四周涂布,并以不涂布至該晶片單元的周緣為原則;多數(shù)的焊線,用以將該晶片單元電性導(dǎo)通于該載體;一罩體,罩設(shè)于該載體上,用以封閉該晶片單元,以避免該晶片單元受外力的破壞或雜物的污染。
文檔編號(hào)H01L21/50GK2508392SQ0126754
公開日2002年8月28日 申請(qǐng)日期2001年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月12日
發(fā)明者吳澄郊 申請(qǐng)人:臺(tái)灣沛晶股份有限公司