專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
相關(guān)申請的交叉參考本申請基于2002年4月30日在先申請的日本專利申請2002-127841號，并主張其優(yōu)先權(quán)，該在先中請的全部內(nèi)容作為參考引入本申請。
就槽式隔離技術(shù)而言，在硅襯底這樣的半導(dǎo)體襯底上用選擇性蝕刻法形成槽(或溝)，并以硅氧化物等絕緣體埋入其中。例如，首先，在半導(dǎo)體襯底上形成硅氮化物層或硅氧化物層等的掩模材料層。其次，對該掩模材料層進行構(gòu)圖。接著，使用構(gòu)圖過的掩模材料層作為蝕刻掩模，通過蝕刻半導(dǎo)體襯底的表面區(qū)，在半導(dǎo)體襯底上形成槽。而后，在半導(dǎo)體襯底上，例如用CVD(chemical vapor Deposition化學(xué)氣相淀積)法或溶液涂布(solution coating)法形成硅氧化物層等的絕緣層，并以絕緣體埋入槽內(nèi)。進而，通過干式蝕刻法、CMP(Chemical Mechanical Polishing化學(xué)機械拋光)法等的技術(shù)使其絕緣層側(cè)表面平坦化。這樣一來，就形成隔離區(qū)。
但是，在功率MOSFET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這樣的半導(dǎo)體器件中，有時形成巨大的槽。例如，有時形成寬度在3μm～15μm范圍內(nèi)而且深度在20～70μm范圍內(nèi)的巨大槽。
在槽的尺寸比較小的場合，可用CVD法埋入槽內(nèi)。然而，難以用CVD法埋入巨大的槽內(nèi)。
用溶液涂布法，例如，通過在半導(dǎo)體襯底上旋涂有機溶劑里溶解硅醇而成的溶液，即SOG(Spin On Glass旋涂玻璃)，烘焙該涂膜，以SOG層方式埋入槽內(nèi)。溶液涂布法與CVD法比較，適合于用絕緣體埋入更大的槽內(nèi)。但是，SOG粘性低，為了形成埋入巨大槽內(nèi)的絕緣層，必須多次重復(fù)涂布。另外，例如，即使可以埋入巨大的槽內(nèi)，在激活退火等熱處理時，也容易出現(xiàn)發(fā)生裂紋等缺陷的問題。
另外，在美國專利第4544576號中記載有，用含有玻璃粒子的懸浮液，埋入硅襯底的槽內(nèi)，然后，加熱到足夠高的溫度而使粒子熔融形成連續(xù)玻璃層。如果采用該方法，可以認為可埋入巨大的槽內(nèi)。但是，該方法為了抑制發(fā)生缺陷，必須使用與硅襯底具有幾乎相等的熱膨脹系數(shù)的玻璃。即，從絕緣性等觀點看，很難選擇隔離區(qū)內(nèi)所用的材料。
按照本發(fā)明的第2方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且具備第1和第2絕緣粒子，上述第2絕緣粒子的平均直徑比上述第1粒子的平均直徑要小的粒狀絕緣層。
按照本發(fā)明的第3方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且具備絕緣粒子和將上述絕緣粒子之間相互結(jié)合的絕緣粘合劑的粒狀絕緣層，上述絕緣粒子和上述絕緣粘合劑形成有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的第4方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且包括第1和第2的粒狀絕緣層的粒狀絕緣層，上述第1粒狀絕緣層具備第1絕緣粒子而無粘合劑，上述第2粒狀絕緣層被覆上述第1粒狀絕緣層上面的同時具備第2絕緣粒子和絕緣粘合劑。
具體實施例方式
以下，邊參照附圖邊說明本發(fā)明的方案。另外，各圖中，對于具有同樣或類似功能的構(gòu)成要素，給予同一參照標(biāo)號，并省略重復(fù)說明。


圖1是示意性地表示本發(fā)明第1實施方案的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖2是示意性地表示圖1的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體襯底的平面圖。
圖1中所示的半導(dǎo)體器件1包括縱向型功率MOSFET。該半導(dǎo)體器件1具備半導(dǎo)體襯底2。如圖2所示，該半導(dǎo)體襯底2的一個主面上，形成有元件區(qū)2a和元件隔離區(qū)2b。這些元件隔離區(qū)2b相當(dāng)于圖1中所示半導(dǎo)體襯底的槽3或埋入其中的絕緣層4。并且，各槽3的寬度例如在3μm～15μm范圍內(nèi)，深度例如在20μm～70μm范圍內(nèi)。
半導(dǎo)體襯底2的上面，設(shè)置有源極電極5作為共同電極。另一方面，半導(dǎo)體襯底2的下面，設(shè)置有漏極電極6作為共同電極。即，圖1的半導(dǎo)體器件1，在半導(dǎo)體襯底2的厚度方向，這里為縱向方向流動漏電流。
半導(dǎo)體襯底2具備用作高濃度漏極區(qū)23的第1導(dǎo)電型，這里為n+型的第1半導(dǎo)體層21，和低于第1半導(dǎo)體層21雜質(zhì)濃度的第1導(dǎo)電型，這里為n-型的第2半導(dǎo)體層22。第1半導(dǎo)體層21例如是硅襯底，第2半導(dǎo)體層22例如是用外延生長法等形成于第1半導(dǎo)體層21上的硅層。
該半導(dǎo)體襯底2上設(shè)置有槽3，并以絕緣層4埋入這些槽3內(nèi)。在與絕緣層4側(cè)面鄰接的半導(dǎo)體襯底2表面區(qū)，形成有第1導(dǎo)電型，這里是n型的雜質(zhì)擴散區(qū)25。并且，在與半導(dǎo)體襯底2的雜質(zhì)擴散區(qū)25鄰接的區(qū)域，形成有第2導(dǎo)電型，這里是p型的雜質(zhì)擴散區(qū)26。這些雜質(zhì)擴散區(qū)25、26，例如，在用絕緣層4埋入槽3之前從槽3的側(cè)壁向半導(dǎo)體襯底2注入雜質(zhì)，而后，通過在半導(dǎo)體襯底2中擴散雜質(zhì)，并使之激活來得到。
在半導(dǎo)體襯底2的源極電極5一側(cè)表面區(qū)，形成有第2導(dǎo)電型，這里是p型的基區(qū)27。在這些基區(qū)27內(nèi)，例如用雜質(zhì)擴散法等，形成有第1導(dǎo)電型，這里是n型的源極區(qū)28。
在形成了半導(dǎo)體襯底2的源極區(qū)28的表面上，介以柵絕緣膜7形成有柵極8。各柵極8與夾著襯底2表面之中的至少絕緣層4的一對源極區(qū)28間的部分對置。并且，各元件區(qū)2a中，源極電極5連接到被絕緣層4夾著的一對源極區(qū)28和基區(qū)27。
在本實施方案中，圖1中所示半導(dǎo)體器件1的絕緣層4采用以下的結(jié)構(gòu)。
圖3是示意性地表示本發(fā)明第1實施方案的半導(dǎo)體器件中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖3所示結(jié)構(gòu)中，絕緣層4含有絕緣粒子41，多數(shù)絕緣粒子41沒有互相粘合起來，典型地說，槽3的側(cè)壁和底面也沒有粘合。并且，絕緣粒子41在槽3內(nèi)形成有粒狀絕緣層42。
如果采用這種結(jié)構(gòu)，絕緣粒子41隨半導(dǎo)體襯底2和/或絕緣粒子41的膨脹或收縮可在槽3內(nèi)移動。因此，對半導(dǎo)體襯底2提供激活退火等熱處理的場合，即使發(fā)生半導(dǎo)體襯底2和/或絕緣粒子41的膨脹或收縮，也能防止給半導(dǎo)體襯底2施加很強的應(yīng)力。因此，變成能夠抑制因熱處理而在半導(dǎo)體襯底2上發(fā)生裂紋等缺陷。
另外，即使對很大的槽3而言，也很容易形成粒狀絕緣層42。例如，首先，準(zhǔn)備將絕緣粒子41分散在有機溶劑等的分散溶媒中的懸浮液。其次，在半導(dǎo)體襯底2形成有槽3的表面上涂布該懸浮液。然后，從該涂膜中除去分散溶媒。這樣以來，以絕緣粒子41埋入槽3。即，獲得粒狀絕緣層42。
在該方法中，例如，可用旋涂法等形成涂膜。另外，在該方法中，通過涂布懸浮液而得到涂膜的厚度和粒狀絕緣層42的厚度沒有很大差別。進而，若使用粒徑較大的絕緣粒子41，由于絕緣粒子41變得容易發(fā)生沉降，因而旋涂時，位于槽3內(nèi)涂膜里的絕緣粒子41難以排出槽到3外側(cè)。因此，即使槽3巨大，也很容易例如用一次涂布形成足夠厚度的粒狀絕緣層42。
另外，圖3所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4還包括軟溶性電介質(zhì)層44。該軟溶性電介質(zhì)層44埋入槽3的上部。另外，軟溶性電介質(zhì)層44的熔點或軟化點在絕緣粒子41能夠穩(wěn)定存在的溫度范圍內(nèi)，即在不發(fā)生絕緣粒子41的熔融或絕緣粒子41之間互相粘合的溫度范圍內(nèi)。
如上述一樣，絕緣粒子41不會互相粘合。槽3的側(cè)壁和底面也沒有粘合。因此，不堵塞槽3的開口的話，有時會在制造工藝的任何階段，從槽3放出絕緣粒子41。從槽3放出的絕緣粒子41與灰塵等同，所以，有降低成品率的可能性。
為此，要是在粒狀絕緣層42上設(shè)置軟溶性電介質(zhì)層44的話，就能夠防止從槽3放出絕緣粒子41。另外，軟溶性電介質(zhì)層44，例如，在激活退火等熱處理時能夠軟化或熔融。因此，便沒有起因于軟溶性電介質(zhì)層44的給半導(dǎo)體襯底2施加的很強的應(yīng)力。因此，如果按照圖3的結(jié)構(gòu)，就能夠防止從槽3放出絕緣粒子41，以及能夠抑制因熱處理而在半導(dǎo)體襯底2上發(fā)生裂紋等缺陷。
另外，通過熱處理熔融或軟化的軟溶性電介質(zhì)層44能夠浸透到粒狀絕緣層42中。因此，有時粒狀絕緣層42與軟溶性電介質(zhì)層44部分地重疊起來。
在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，進一步，在槽3的側(cè)壁和底面上設(shè)置有阻擋絕緣層43。一般地說，硅襯底對有機溶劑的濡濕性不高。如果設(shè)置阻擋絕緣層43，就能夠控制槽3的側(cè)壁和底面與有機溶劑有關(guān)的濡濕性。因此，能夠更容易形成粒狀絕緣層42。另外，如果設(shè)置阻擋絕緣層43的話，就能夠抑制從軟溶性電介質(zhì)層44向半導(dǎo)體襯底2擴散雜質(zhì)。
作為本實施方案的例子，進行了以下的試驗。首先，在硅襯底2上，用旋涂法涂布膠體二氧化硅，采用加熱由此得到涂膜的辦法除去涂膜中的分散溶媒。這樣以來，形成由平均直徑為0.3μm二氧化硅粒子41構(gòu)成的粒狀絕緣層42。另外，硅的熱膨脹系數(shù)為4.1×10-6/℃，硅氧化物的熱膨脹系數(shù)約為23×10-6/℃。然后，用CMP法除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41。用該CMP法，削減槽3內(nèi)的粒狀絕緣層42的上部，減少厚度2μm～5μm左右。槽3的上部埋入BPSG(Boron-Phospho SilicateGlass硼磷硅酸鹽玻璃)膜作為軟溶性電介質(zhì)層44。另外，BPSG是在SiO2中添加B2O3和P2O5和/或P2O3組成的材料。對該結(jié)構(gòu)，在氮氣氣氛中，1100℃下施加8小時熱處理。其結(jié)果，粒狀絕緣層42上發(fā)生裂紋，但是硅襯底2的槽3近旁沒有發(fā)生缺陷。另外，形成軟溶性電介質(zhì)層44以后，沒有二氧化硅粒子41向槽3外部擴散。
為了比較，進行了以下的試驗。首先，在硅襯底2上用CVD法形成硅氧化膜。該硅氧化膜，在元件區(qū)2a上要形成為5μm或以上的厚度。其次，用CMP法除去硅氧化膜的位于槽3外側(cè)的部分。對該結(jié)構(gòu)，在氮氣氣氛中，1100℃下施加8小時熱處理。其結(jié)果，硅襯底2的槽3近旁發(fā)生了缺陷。
本實施方案中，作為絕緣粒子41的材料，可以使用例如，二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、硅碳化物之類的碳化物及其混合物等。這些材料大多絕緣性高，耐熱性優(yōu)良，熱膨脹系數(shù)大或與半導(dǎo)體襯底2大體相等。
絕緣粒子41的平均直徑，例如可以是100nm或以上。另外，絕緣粒子41的平均直徑，可以是500nm或以下或槽3開口寬度一半或以下。
作為絕緣粒子41的材料，例如，使用膠體二氧化硅的場合，如果進行高溫?zé)崽幚?，二氧化硅粒子發(fā)生約5％～15％左右的收縮。其收縮率隨二氧化硅粒徑而異。具體地說，粒徑大的二氧化硅收縮率小，粒徑小的二氧化硅收縮率大。通常，平均粒徑在100nm或以上的二氧化硅，收縮率充分地小。但是，多數(shù)場合，難以制造二氧化硅的平均粒徑超過500nm的單分散(monodisperse)膠體二氧化硅。
實際上，使用膠體二氧化硅，對寬度為5μm而且深度為50μm或以上的槽3進行埋入。在使用二氧化硅的平均粒徑為50nm的膠體二氧化硅的場合，埋入工藝的成品率為10％或以下。相對于此，對使用二氧化硅的平均粒徑為150nm和300nm膠體二氧化硅的場合，埋入工藝的成品率全都是90％或以上。
作為絕緣粒子41，可以使用熔點或軟化點比形成粒狀絕緣層42以后進行的熱處理的最高溫度還要高的粒子。例如，作為絕緣粒子41，可以使用熔點或軟化點高于1100℃的材料。典型地說，作為絕緣粒子41，使用在形成粒狀絕緣層42以后進行的熱處理的最高溫度下是穩(wěn)定的，即不發(fā)生熔融或粘合的絕緣粒子。
作為軟溶性電電介質(zhì)層44的材料，使用其熔點或軟化點在絕緣粒子41能穩(wěn)定存在的溫度范圍內(nèi)，即不發(fā)生絕緣粒子41的熔融或絕緣粒子41之間互相粘合的溫度范圍內(nèi)的材料。典型地說，作為軟溶性電介質(zhì)層44的材料，使用其熔點或軟化點比在形成粒狀絕緣層42以后進行的熱處理的最高溫度還低的材料。作為此種材料，例如，可以舉出硅酸鹽玻璃之類的玻璃。作為這種玻璃，例如，可以舉出BPSG、BSG(Boron Silicate Glass硼硅酸鹽玻璃)、PSG(Phospho Silicate Glass磷硅酸鹽玻璃)等之類添加了雜質(zhì)的硅酸鹽玻璃等。
對軟溶性電介質(zhì)層44的厚度沒有特別限制，但是一般，軟溶性電介質(zhì)層44要以構(gòu)成其下層粒狀絕緣層42的絕緣粒子41的粒徑的3倍或以上的厚度來形成。例如，軟溶性電介質(zhì)層44的厚度，可設(shè)為約1μm～4μm的范圍內(nèi)。
作為阻擋絕緣層43的材料，例如，可以舉出硅氧化物、硅氮化物、它們的混合物等。阻擋絕緣層43，例如，可用LP(Low Pressure低壓)CVD法之類的CVD法或熱氧化法來形成。
作為形成粒狀絕緣層42用懸浮液的分散溶媒，例如，可以使用醇類、多元醇類、醚類、酯類、酮類、其混合物等有機溶劑。作為醇類言，例如，可舉出乙醇、異丙醇、環(huán)己醇等。作為多元醇類，例如，可舉出乙二醇、二甘醇、聚丙二醇等。作為醚類，例如，可舉出丙二醇醚這樣的乙二醇醚等。作為酯類，例如，可舉出乙酸乙酯等。作為酮類，例如，可舉出環(huán)己酮或丁內(nèi)酯等。
接著，說明本發(fā)明第2實施方案。第2實施方案，除絕緣層4采用以下的結(jié)構(gòu)外，都與第1實施方案同樣。
圖4是示意性地表示本發(fā)明第2實施方案的半導(dǎo)體器件中可能采用一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4由粒狀絕緣層42構(gòu)成。該粒狀絕緣層42包括平均粒徑較大的第1絕緣粒子41a和平均粒徑較小的第2絕緣粒子41b，將這些第1和第2絕緣粒子41a、41b大致均勻地混合起來。
本實施方案也與第1實施方案同樣，通過熱處理成為能夠抑制半導(dǎo)體襯底2上發(fā)生裂紋等缺陷。另外，本實施方案也與第1實施方案同樣，即使是槽3巨大，粒狀絕緣層42也很容易地形成。進一步，本實施方案中，由于使用平均粒徑不同的第1和第2絕緣粒子41a、41b，有以下特征。
平均粒徑較大的第1絕緣粒子41a，可以容易而且較厚地形成粒狀絕緣層42。但是，如果僅以平均粒徑大的第1絕緣粒子41a形成粒狀絕緣層42的話，很多情況下，就難以獲得平坦性優(yōu)異的粒狀絕緣層42。
在本實施方案中，如上所述，除平均粒徑較大的第1絕緣粒子41a外，還使用平均粒徑較小的第2絕緣粒子41b。平均粒徑較小的第2絕緣粒子41b起提高粒狀絕緣層42平坦性的作用。因此，按照本實施方案，就很容易形成足夠厚而且平坦性優(yōu)異的粒狀絕緣層42。
在本實施方案中，作為第1和第2絕緣粒子41a、41b的材料，例如，可以使用第1實施方案中關(guān)于絕緣粒子41示出的材料。第1絕緣粒子41a的材料和第2絕緣粒子41b的材料也可以是同樣的，或者也可以是不同的。
第1絕緣粒子41a的平均直徑，例如，可以是100nm或以上。另外，第1絕緣粒子41a的平均直徑，也可以是500nm或以下或槽3開口寬度一半或以下。第2絕緣粒子41b的平均直徑，只要比第1絕緣粒子41a的平均直徑小就行，也可以是不足100nm。例如，可以把平均直徑400nm的第1絕緣粒子41a和平均直徑70nm的第2絕緣粒子41b組合起來使用。但是，典型地是將平均直徑在250nm～350nm范圍內(nèi)的第1絕緣粒子41a和平均直徑在125nm～175nm范圍內(nèi)的第2絕緣粒子41b組合起來使用。
粒狀絕緣層42可以進一步含有與第1和第2絕緣粒子41a、41b平均直徑不同的一種或以上絕緣粒子。另外，粒狀絕緣層42含有平均直徑不同的多種絕緣粒子，例如，在粒度分布具有二個或以上峰值的場合就可以確定。另外，即使粒度分布只有一個峰值的場合，如果使用材料互相不同的多種絕緣粒子，采用求出每種材料絕緣粒子平均直徑的辦法，往往也能確定粒狀絕緣層42含有平均直徑不同的多種絕緣粒子。
作為本方案的例子，進行了以下的試驗。首先，在硅襯底2上，用旋涂法涂布膠體二氧化硅，采用加熱由此得到的涂膜的辦法除去涂膜中的分散溶媒。這里，混合使用二氧化硅的平均直徑互相不同的二種膠體二氧化硅。這樣以來，形成由平均直徑為0.3μm的二氧化硅粒子41a和由平均直徑為0.15μm的二氧化硅粒子41b構(gòu)成的粒狀絕緣層42。然后，用CMP法，除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41。對該結(jié)構(gòu)，在氮氣氣氛中，1100℃下施加8小時熱處理。其結(jié)果，粒狀絕緣層42上發(fā)生了裂紋，但硅襯底2的槽3近旁沒有發(fā)生缺陷。另外，在本例中所得的粒狀絕緣層42的表面比第1實施方案所得粒狀絕緣層42的表面在平坦性方面優(yōu)異。
其次，說明本發(fā)明第3實施方案。第3實施方案，除不混合第1絕緣粒子41a和第2絕緣粒子41b，層疊第1絕緣粒子41a的粒狀絕緣層和第2絕緣粒子41b的粒狀絕緣層外，都與第2實施方案相同。
圖5是示意性地表示本發(fā)明第3實施方案的半導(dǎo)體器件中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖5所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4由粒狀絕緣層42構(gòu)成。該粒狀絕緣層42包括由第1絕緣粒子41a構(gòu)成的第1粒狀絕緣層42a和由第2絕緣粒子41b構(gòu)成的第2粒狀絕緣層42b。
在本實施方案中，如圖5所示，由平均粒徑較大的第1絕緣粒子41a構(gòu)成第1粒狀絕緣層42a，在其上，設(shè)置由平均直徑較小的第2絕緣粒子41b構(gòu)成的第2粒狀絕緣層42b。若采用這樣的結(jié)構(gòu)，就能夠形成平坦性更加優(yōu)異的粒狀絕緣層42。
另外，也可以由平均粒徑較小的第2絕緣粒子41b構(gòu)成第2粒狀絕緣層42b，在其上，設(shè)置由平均直徑較大的第1絕緣粒子41a構(gòu)成的第1粒狀絕緣層42a。即，也可以把第1粒狀絕緣層42a與第2粒狀絕緣層42b的層疊次序倒過來。但是，這時，不能實現(xiàn)按圖5所示順序?qū)盈B第1粒狀絕緣層42a和第2粒狀絕緣層42b的場合那樣的高平坦性。
粒狀絕緣層42可以進一步含有與第1和第2粒狀絕緣層42a、42b絕緣粒子的平均直徑不同的一層或以上的粒狀絕緣層。這時，典型地，把絕緣粒子平均直徑最小的粒狀絕緣層作為最上層。例如，確定粒狀絕緣層的排列順序，以使越朝向深部絕緣粒子的平均直徑變得越大。
作為本方案的例子，進行了以下的試驗。首先，在硅襯底2上，用旋涂法涂布含有平均直徑較大的膠體二氧化硅，采用加熱由此得到涂膜的辦法除去涂膜中的分散溶媒。這樣以來，形成由平均直徑為0.3μm的二氧化硅粒子41a構(gòu)成的第1絕緣層42a。然后，用CMP法，除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41a。接著，在硅襯底2上，用旋涂法涂布含有平均直徑較小的膠體二氧化硅，采用加熱由此得到涂膜的辦法除去涂膜中的分散溶媒。這樣以來，形成由平均直徑為0.15μm的二氧化硅粒子41b構(gòu)成的第2絕緣層42b。然后，用CMP法，除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41b。對該結(jié)構(gòu)，在氮氣氣氛中，1100℃下施加8小時熱處理。其結(jié)果，粒狀絕緣層42上發(fā)生裂紋，但硅襯底2的槽3近旁沒有發(fā)生缺陷。另外，本例中所得粒狀絕緣層42的表面比第2實施方案所得粒狀絕緣層42的表面在平坦性方面還要優(yōu)良。
接著，說明本發(fā)明第4實施方案。第4實施方案，除對絕緣層4采用以下的結(jié)構(gòu)外，都與第1實施方案同樣。
圖6是示意性地表示本發(fā)明第4實施方案的半導(dǎo)體器件中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖7是放大表示圖6的粒狀絕緣層42的圖。圖6所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4由粒狀絕緣層42構(gòu)成。該粒狀絕緣層42包括由絕緣粒子41和交聯(lián)絕緣粒子的絕緣粘合劑45。即，如圖7所示，絕緣粒子41與絕緣粘合劑45形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
如第1實施方案中說明的那樣，在絕緣粒子41不互相粘合而且槽3的側(cè)壁和底面也沒有粘合的場合，不堵塞槽3的開口的話，有在制造工藝的任何階段，絕緣粒子41從槽3向其外部擴散。本實施方案中，如上所述，通過絕緣粘合劑45使絕緣粒子41之間互相粘合。因此，即使不會堵塞槽3的開口，也能相當(dāng)程度抑制絕緣粒子41從槽3向外部擴散。
進而在本實施方案中，絕緣粒子41與絕緣粘合劑45形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。這樣，粒狀絕緣層42的變形變得容易發(fā)生，因而緩和因溫度變化而發(fā)生的應(yīng)力。另外，加上過剩應(yīng)力的情況下，絕緣粒子41或從絕緣粘合劑45剝離，或者絕緣粘合劑45被切斷，所以應(yīng)力被緩和?？墒?，通常如此的剝離或切斷，因為僅發(fā)生于粒狀絕緣層42的局部，所以幾乎不發(fā)生起源于此的灰塵。因此，與第1實施方案同樣，本實施方案也能夠防止絕緣粒子41從槽3放出，以及能夠抑制因熱處理而在半導(dǎo)體襯底2上發(fā)生裂紋等的缺陷。
另外，在本實施方案中，也與第1實施方案同樣，粒狀絕緣層42即使對槽3是巨大的，也很容易形成。例如，首先，準(zhǔn)備含有絕緣粒子41和絕緣粘合劑45的材料及有機溶劑等的分散溶媒的懸浮液。作為絕緣粘合劑45的材料，例如，可使用SOG等。其次，在半導(dǎo)體襯底2形成了槽3的表面上涂布該懸浮液。然后，對該涂膜提供例如約400℃的熱處理。由此，從涂膜除去分散溶媒的同時，使硅烷醇聚合。這樣以來，用絕緣粒子41和絕緣粘合劑45埋入槽3。即，得到粒狀絕緣層42。
在該方法中，例如，可以用旋涂法等形成涂膜。另外，在該方法中，通過涂布懸浮液而得到的涂膜厚度和粒狀絕緣層42的厚度之間沒有很大差別。進而，若使用粒徑比較大的絕緣粒子41，由于絕緣粒子41變得容易發(fā)生沉降，因而旋涂時，位于槽3內(nèi)涂膜里的絕緣粒子41難以排出槽3外側(cè)。因此，即使是槽3巨大，也很容易，例如用一次涂布形成足夠厚度的粒狀絕緣層42。
另外，絕緣粒子41和絕緣粘合劑45形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的粒狀絕緣層42，例如，可通過在懸浮液中的相對于絕緣粒子41將絕緣粘合劑45的材料的比率設(shè)定為較低的辦法，很容易形成。
作為絕緣粘合劑45的材料，例如，可使用將如以下化學(xué)式表示的這種硅烷醇溶解于有機溶劑形成的無機SOG和有機SOG等SOG。另外，使用于無機SOG和有機SOG中的硅烷醇不僅限于下面化學(xué)式表示的物質(zhì)。例如，在無機SOG和有機SOG中所用的硅烷醇中，也可以將與Si原子鍵合的-OH基和-O-的一部分置換成-H基。另外，對于有機SOG中所用的硅烷醇，也可以將-CH3基置換成-C2H5基等其它烷基。另外，在有機SOG中所用的硅烷醇中，也可以將與Si原子鍵合的-OH基和-O-的一部分置換成-CH3基、或-C2H5基等的烷基。
無機SOG和有機SOG，如以下反應(yīng)式所示，通過不管什么燒成法形成硅氧化物。但是，在使用有機SOG得到的硅氧化物中會殘留碳化氫基。因此，一般地說，無機SOG與有機SOG相比，熱穩(wěn)定性方面較為優(yōu)良。 在本實施方案中，用于形成粒狀絕緣層42的懸浮液中的絕緣粘合劑45的濃度，例如，可以規(guī)定為20體積％～45體積％的范圍內(nèi)。如果絕緣粘合劑45的濃度過低，就難以覆蓋全體粒狀絕緣層42通過絕緣粘合劑45使絕緣粒子41之間互相粘合。另外，如果絕緣粘合劑45的濃度過高，除絕緣粒子41和絕緣粘合劑45難以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)外，粒狀絕緣層42本身也變得容易發(fā)生裂紋。進而，作為絕緣粘合劑45的材料使用例如SOG的情況下，絕緣粘合劑45如果進行高溫?zé)崽幚?，就發(fā)生約5％～約20％的收縮。由于絕緣粘合劑45的一部分與槽3的側(cè)壁和底面粘合，因此如果粒狀絕緣層42中絕緣粘合劑45的濃度過高，高度熱處理時，粒狀絕緣層42往往給半導(dǎo)體襯底2造成過度應(yīng)力。而且，粒狀絕緣層42中絕緣粘合劑45的濃度高的情況下，有時用CMP法，不能完全除去位于槽3外部的絕緣粒子41和絕緣粘合劑45。
作為本實施方案，進行了以下的試驗。首先，在硅襯底2上用旋涂法涂布膠體二氧化硅和無機SOG的混合液，對由此得到的涂膜提供約120℃的熱處理。這里，使用以20體積％、50體積％、80體積％的濃度含有無機SOG的溶液作為前面的混合液。這樣以來，形成由平均直徑為0.3μm的二氧化硅粒子41和絕緣粘合劑45構(gòu)成的粒狀絕緣層42。然后，用CMP法，除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41和絕緣粘合劑45。對此結(jié)構(gòu)，在氮氣氣氛中，1100℃下施加8小時熱處理。
其結(jié)果，以50體積％、80體積％的濃度中含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的場合，硅襯底2的槽3近旁發(fā)生缺陷。相對于此，以20體積％的濃度中含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的場合，雖然粒狀絕緣層42中發(fā)生裂紋，但硅襯底2的槽3近旁不發(fā)生缺陷。
接著，說明本發(fā)明第5實施方案。第5實施方案，除絕緣層4采用以下的結(jié)構(gòu)外，與第1實施方案相同。
圖8是示意性地表示本發(fā)明第5實施方案的半導(dǎo)體器件中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖8所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4由粒狀絕緣層42構(gòu)成。該粒狀絕緣層42包括第1粒狀絕緣層42a和第2粒狀絕緣層42b。
第1粒狀絕緣層42a由第1絕緣粒子41a構(gòu)成，并且不含有粘合劑。另一方面，第2粒狀絕緣層42b含有第2絕緣粒子41b和絕緣粘合劑45。
在本結(jié)構(gòu)中，如上述一樣，絕緣層4具有不含有粘合劑的第1粒狀絕緣層42a。因此，與參照圖6說過的結(jié)構(gòu)相比，能夠更有效地抑制通過熱處理導(dǎo)致的半導(dǎo)體襯底2上發(fā)生裂紋等的缺陷。
另外，在該結(jié)構(gòu)中，在不含有粘合劑的第1粒狀絕緣層42a上面被覆蓋有含有絕緣粘合劑45的第2粒狀絕緣層42b。因此，除難于從第2粒狀絕緣層42b向槽3外部擴散第2絕緣粒子41b外，也難以發(fā)生從第1粒狀絕緣層42a向槽3外部擴散第1絕緣粒子41a。
在本實施方案中，通常，第2粒狀絕緣層42b相對于粒狀絕緣層42的厚度比很小，例如，第2粒狀絕緣層42b的厚度可以為約1μm～約5μm范圍內(nèi)。因此，在第2粒狀絕緣層42b中，第2絕緣粒子41b和絕緣粘合劑45可以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，或者，也可以不形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
本實施方案中，第1絕緣粒子41a和第2絕緣粒子41b，材料可以相同，或者，也可以是不同的。
另外，本實施方案中，第1絕緣粒子41a和第2絕緣粒子41b，平均直徑可以相同，或者，也可以是不同的。例如，第2絕緣粒子41b的平均直徑可以比第1絕緣粒子41a的平均直徑小。即，在本實施方案中說，也可以進一步組合第3實施方案的技術(shù)。
另外，在本實施方案中，第2粒狀絕緣層42b，可以含有平均直徑較大的絕緣粒子和較小的絕緣粒子作為絕緣粒子41b。同樣，第1粒狀絕緣層42a，也可以含有平均直徑較大的絕緣粒子和較小的絕緣粒子作為絕緣粒子41a。即，在本實施方案中，也可以進一步組合第2實施方案的技術(shù)。
作為本實施方案，進行了以下的試驗。首先，在硅襯底2上用旋涂法涂布膠體二氧化硅，通過加熱由此得到的涂膜，從涂膜除去分散溶媒。然后，用CMP法，除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41a。這樣以來，形成由平均直徑為0.3μm的二氧化硅粒子41a構(gòu)成的第1粒狀絕緣層42a。接著，在硅襯底2上用旋涂法涂布膠體二氧化硅和無機SOG的混合液，對由此得到的涂膜提供一度約120℃的熱處理。然后，用CMP法，除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41b和絕緣粘合劑45。這里，作為第2粒狀絕緣層42b的混合液，使用以20體積％、30體積％、35體積％、45體積％、50體積％的濃度含有無機SOG的溶液。對此結(jié)構(gòu)，在氮氣氣氛中，1100℃下施加8小時熱處理。
其結(jié)果，使用以45體積％、50體積％的濃度含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的場合，用CMP法，難以完全除去附著于槽3外側(cè)的二氧化硅粒子41b和絕緣粘合劑45。相對于此，使用以20體積％、30體積％、35體積％的濃度含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的場合，雖然粒狀絕緣層42上發(fā)生裂紋，但是硅襯底2的槽3近旁不發(fā)生缺陷。另外，在槽3的外側(cè)也沒有殘留二氧化硅粒子41b和絕緣粘合劑45。另外，使用以20體積％、30體積％、35體積％、45體積％的濃度含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的場合，通過粒狀絕緣層42埋入槽3的成品率分別是45％、90％、90％、65％。
接著，用電子顯微鏡觀察熱處理后的粒狀絕緣層42。其結(jié)果，在使用以20體積％、30體積％、35體積％的濃度含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的粒狀絕緣層42中，可以確認，二氧化硅粒子41和絕緣粘合劑45形成了網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。另外，在使用以45體積％、50體積％的濃度含有無機SOG的溶液作為前面的混合液的粒狀絕緣層42中，可以確認，二氧化硅粒子41b和絕緣粘合劑45大體上是連續(xù)相，二氧化硅粒子41b和絕緣粘合劑45沒有形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
可以互相組合以上說明的第1到第5實施方案的技術(shù)，在以下的實施方案中說明這種組合的例子。
首先，說明本發(fā)明的第6實施方案。第6實施方案相當(dāng)于第1和第4
圖9是示意性地表示本發(fā)明的第6實施方案中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖9所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4包括粒狀絕緣層42和軟溶性電介質(zhì)層44。粒狀絕緣層42包括絕緣粒子41和將其交聯(lián)的絕緣粘合劑45。
倘若采用這樣的結(jié)構(gòu)，就能夠達到第1和第4實施方案說明的效果。此外，倘若采用該結(jié)構(gòu)，形成軟溶性電介質(zhì)層44以后，就可以進一步確實防止絕緣粒子41擴散到槽3的外部。
接著，說明本發(fā)明的第7實施方案。第7實施方案相當(dāng)于第2和第4
圖10是示意性地表示本發(fā)明的第7實施方案中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖10所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4由粒狀絕緣層42構(gòu)成。粒狀絕緣層42包括大體均勻混合的第1絕緣粒子41a和第2絕緣粒子41b，以及將其交聯(lián)的絕緣粘合劑45。倘若采用這樣的結(jié)構(gòu)，就能夠達到第2和第4實施方案說明的效果。
接著，說明本發(fā)明的第8實施方案。第8實施方案相當(dāng)于第3和第4
圖11是示意性地表示本發(fā)明的第8實施方案中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖11所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4包括第1粒狀絕緣層42a和第2粒狀絕緣層42b。第1粒狀絕緣層42a含有平均直徑較大的第1絕緣粒子41a和將其交聯(lián)的絕緣粘合劑45。另一方面，第2粒狀絕緣層42b含有平均直徑較小的第2絕緣粒子41b和將其交聯(lián)的絕緣粘合劑45。倘若采用這樣的結(jié)構(gòu)，就能夠達到第3和第4實施方案中說明的效果。另外，在本實施方案中，第1粒狀絕緣層42a的絕緣粘合劑45和第2粒狀絕緣層42b的絕緣粘合劑45，材料可以相同，或者也可以是不同的。
接著，說明本發(fā)明的第9實施方案。第9實施方案相當(dāng)于第1和第5
圖12是示意性地表示本發(fā)明的第9實施方案中可能采用的一例結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖12所示的結(jié)構(gòu)中，絕緣層4包括第1粒狀絕緣層42a、第2粒狀絕緣層42b和軟溶性電介質(zhì)層44。第1粒狀絕緣層42a由絕緣粒子41a構(gòu)成。另一方面，第2粒狀絕緣層42b含有絕緣粒子41b和絕緣粘合劑45。
倘若采用這樣的結(jié)構(gòu)，就能夠達到第1和第5實施方案中說明的效果。另外，在本實施方案中，在軟溶性電介質(zhì)層44與第1粒狀絕緣層42a之間，介在有包括絕緣粒子41b和絕緣粘合劑45的第2粒狀絕緣層42b。在第2粒狀絕緣層42b含有絕緣粒子41b和絕緣粘合劑45的場合，與第2粒狀絕緣層42b不含有絕緣粘合劑45的場合相比，通過熱處理熔融或軟化的軟溶性電介質(zhì)層44難以浸透到第2粒狀絕緣層42b中。因此，在該結(jié)構(gòu)中，可抑制熔融或軟化的軟溶性電介質(zhì)層44向第1粒狀絕緣層42a中浸透。從緩和熱應(yīng)力的觀點看，優(yōu)選盡可能限度地減小軟溶性電介質(zhì)層44與絕緣粒子41a等的接觸面積。因此，倘若采用本結(jié)構(gòu)，例如，即使多次進行熱處理，也沒有明顯喪失抑制半導(dǎo)體襯底2上發(fā)生裂紋等缺陷的效果。
另外，圖12所示結(jié)構(gòu)，以覆蓋絕緣層9被覆軟溶性電介質(zhì)層44。覆蓋絕緣層9的熔點或軟化點比軟溶性電介質(zhì)層44要高。典型地說，覆蓋絕緣層9的熔點或軟化點，比形成粒狀絕緣層42以后進行的熱處理的最高溫度還要高。
在該結(jié)構(gòu)中，軟溶性電介質(zhì)層44將阻擋絕緣層43和覆蓋絕緣層9包圍起來。因此，能夠抑制軟溶性電介質(zhì)層44中的元素向半導(dǎo)體襯底2等中擴散。
覆蓋絕緣層9的材料只要熔點或軟化點滿足前面的條件，就沒有特別限制。作為覆蓋絕緣層9的材料，可以舉出例如，硅氧化物等氧化物、硅氮化物等氮化物、以及其混合物等。
另外，圖12所示結(jié)構(gòu)中，將阻擋絕緣層43制成與覆蓋絕緣層9大體相同形狀的圖形。這種結(jié)構(gòu)，例如，在用于覆蓋絕緣層9形成圖形的蝕刻時，阻擋絕緣層43也可以同時進行蝕刻，或者通過進行利用覆蓋絕緣層9作為掩模的蝕刻而獲得。
第6到第9實施方案相當(dāng)于第1～第3實施方案的至少一種技術(shù)與第4或第5實施方案的技術(shù)的組合，然而對第1到第5實施方案的技術(shù)還有其它的組合。例如，也可以組合第1實施方案的技術(shù)和第2或第3方案的技術(shù)。另外，圖12所示結(jié)構(gòu)中，也可以省略覆蓋絕緣層9和軟溶性電介質(zhì)層44的至少一方。進而，第9實施方案中說過的覆蓋絕緣層9，也可以使用于其它實施方案的半導(dǎo)體器件中。
另外，在第1到第9實施方案中，應(yīng)用于圖1所示半導(dǎo)體器件的槽式隔離技術(shù)，也可以應(yīng)用于其他結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中。上述模式隔離技術(shù)也適用于具備例如與圖1所示結(jié)構(gòu)不同的MOSFET的半導(dǎo)體器件?；蛘?，前面的槽式隔離技術(shù)，也可以應(yīng)用于具備例如，雙極晶體管的半導(dǎo)體器件等。
另外的優(yōu)點和改進，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將是顯而易見。因此，本發(fā)明概括起來說并不限于這里表示和描述的具體細節(jié)和表現(xiàn)的各實施方案。因此，在不脫離由附屬的權(quán)利要求書及其等同物所限定的本發(fā)明總構(gòu)思的精神或范圍內(nèi)，應(yīng)該能夠進行各種各樣的修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征是具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且具備絕緣粒子的粒狀絕緣層；以及被覆上述粒狀絕緣層上面的軟溶性電介質(zhì)層，上述絕緣粒子在上述軟溶性電介質(zhì)層的熔點或軟化點是穩(wěn)定的。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述軟溶性電介質(zhì)層含有攙雜了雜質(zhì)的硅酸鹽玻璃。
3.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述槽的側(cè)壁和底面上還具備阻擋絕緣層。
4.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述軟溶性電介質(zhì)層而且具有比上述軟溶性電介質(zhì)層的上述熔點或上述軟化點要高的熔點或軟化點的覆蓋絕緣層。
5.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述粒狀絕緣層還具備絕緣粘合劑。
6.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述粒狀絕緣層的上面低于上述半導(dǎo)體襯底的上面。
7.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述絕緣粒子的平均直徑在100nm～500nm范圍內(nèi)或100nm到上述槽的開口寬度一半的范圍內(nèi)。
8.一種半導(dǎo)體器件，其特征是具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且具備第1和第2絕緣粒子，上述第2絕緣粒子的平均直徑比上述第1絕緣粒子的平均直徑要小的粒狀絕緣層。
9.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述槽的側(cè)壁和底面上還具備阻擋絕緣層。
10.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述第1絕緣粒子形成第1粒狀絕緣層，上述第2絕緣粒子形成被覆上述第1絕緣層上面的第2粒狀絕緣層。
11.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述第1和第2絕緣粒子是混合的。
12.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述粒狀絕緣層上面的軟溶性電介質(zhì)層，上述第1和第2絕緣粒子在上述軟溶性電介質(zhì)層的熔點或軟化點是穩(wěn)定的。
13.按照權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述軟溶性電介質(zhì)層的上面而且具有比上述軟溶性電介質(zhì)層的上述熔點或軟化點要高的熔點或軟化點的覆蓋絕緣層。
14.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述粒狀絕緣層還具備絕緣粘合劑。
15.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述絕緣粒子的平均直徑在100nm～500nm范圍內(nèi)或100nm到上述槽的開口寬度一半的范圍內(nèi)。
16.一種半導(dǎo)體器件，其特征是具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且具備絕緣粒子和將絕緣粒子間相互結(jié)合的絕緣粘合劑的粒狀絕緣層，上述絕緣粒子和上述絕緣粘合劑形成有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
17.按照權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述槽的側(cè)壁和底面上還具備阻擋絕緣層。
18.按照權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述粒狀絕緣層上面的軟溶性電介質(zhì)層，上述絕緣粒子在上述軟溶性電介質(zhì)層的熔點或軟化點是穩(wěn)定的。
19.按照權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述軟溶性電介質(zhì)層的上面而且具有比上述軟溶性電介質(zhì)層的上述熔點或上述軟化點要高的熔點或軟化點的覆蓋絕緣層。
20.按照權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述絕緣粒子的平均直徑在100nm～500nm范圍內(nèi)或100nm到上述槽的開口寬度一半的范圍內(nèi)。
21.一種半導(dǎo)體器件，其特征是具備具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入上述槽的至少下部而且包括第1和第2粒狀絕緣層的粒狀絕緣層，上述第1粒狀絕緣層具備第1絕緣粒子而無粘合劑，上述第2粒狀絕緣層被覆上述第1粒狀絕緣層上面的同時具備第2絕緣粒子和絕緣粘合劑。
22.按照權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述槽的側(cè)壁和底面上還具備阻擋絕緣層。
23.按照權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述第2粒狀絕緣層上面的軟溶性電介質(zhì)層，上述第1和第2絕緣粒子在上述軟溶性電介質(zhì)層的熔點或軟化點是穩(wěn)定的。
24.按照權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其特征是還具備被覆上述軟溶性電介質(zhì)層的上面而且具有比上述軟溶性電介質(zhì)層的上述熔點或上述軟化點要高的熔點或軟化點的覆蓋絕緣層。
25.按照權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其特征是上述第1和第2絕緣粒子的平均直徑在100nm～500nm范圍內(nèi)或100nm到上述槽的開口寬度一半的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括具有槽的半導(dǎo)體襯底；埋入槽的下部而且含有絕緣粒子的粒狀絕緣層；以及被覆粒狀絕緣層上面的軟溶性電介質(zhì)層，絕緣粒子在軟溶性電介質(zhì)層的熔點或軟化點是穩(wěn)定的。
文檔編號H01L29/06GK1455446SQ03122458
公開日2003年11月12日 申請日期2003年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月30日
發(fā)明者奧村秀樹, 小林仁, 土谷政信, 大澤明彥, 相田聰, 上月繁雄, 泉沢優(yōu) 申請人:株式會社東芝