專利名稱：混合集成電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種混合集成電路裝置，特別是涉及一種可在由金屬構(gòu)成的電路襯底上整面形成導(dǎo)電圖案的混合集成電路裝置。
背景技術(shù)：
參照?qǐng)D11，說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置的結(jié)構(gòu)。圖11(A)是混合集成電路裝置6的立體圖，圖11(B)是沿圖11(A)的X-X線的剖面圖。
參照?qǐng)D11(A)及圖11(B)，現(xiàn)有的混合集成電路裝置6有如下的結(jié)構(gòu)，其包括長(zhǎng)方形的襯底60；在襯底60的表面設(shè)置的絕緣層61上形成的導(dǎo)電圖案62；導(dǎo)電圖案62上固定的電路元件63；將電路元件63和導(dǎo)電圖案62電連接的金屬細(xì)線65；和導(dǎo)電圖案電連接的導(dǎo)線64。另外，通過由絕緣性樹脂或管殼材料等密封在電路襯底60的表面上形成的混合集成電路，混合集成電路裝置6作為成品完成。
其次，參照?qǐng)D12～圖14，說明制造混合集成電路裝置6的方法。
參照?qǐng)D12說明細(xì)長(zhǎng)地分割大版的金屬襯底66A的工序。于同圖中，圖12(A)是大版的金屬襯底66A的平面圖。圖12(B)是大版的金屬襯底66A的剖面圖。
參照?qǐng)D12(A)說明細(xì)長(zhǎng)地分割大版的金屬襯底66A的方法。在此，大版的金屬襯底66A根據(jù)切割線D4進(jìn)行細(xì)長(zhǎng)地分割。此分割由剪切力剪斷來進(jìn)行。被細(xì)長(zhǎng)分割的金屬襯底也可考慮到其后的粘結(jié)工序等的作業(yè)性，再被分割為兩個(gè)或兩個(gè)以上。在此，細(xì)長(zhǎng)分割的金屬襯底被分割為不同長(zhǎng)度的兩個(gè)金屬襯底66B。
參照?qǐng)D12(B)說明金屬襯底66A的結(jié)構(gòu)。在此，襯底66A是由鋁構(gòu)成的襯底，兩面進(jìn)行了防蝕處理。另外，在形成混合集成電路的面上，為了進(jìn)行金屬襯底66A和導(dǎo)電圖案的絕緣，設(shè)有絕緣層61。而后，絕緣層61上壓裝有作為導(dǎo)電圖案62的銅箔68。
參照?qǐng)D13說明在細(xì)長(zhǎng)分割的金屬襯底66B的表面形成混合集成電路67的工序。此圖中，圖13(A)是形成有多個(gè)混合集成電路67的細(xì)長(zhǎng)金屬襯底66B的平面圖。另外，圖13(B)是圖13(A)的剖面圖。
首先，通過腐蝕蝕刻壓裝在絕緣層61上的銅箔68，形成導(dǎo)電圖案62。在此，細(xì)長(zhǎng)的金屬襯底66B蝕刻導(dǎo)電圖案62形成多個(gè)混合集成電路。另外，為了保護(hù)導(dǎo)電圖案62，也有在導(dǎo)電圖案62上施以樹脂外敷層的情況。
其次，使用焊錫等釬料，在導(dǎo)電圖案62上的規(guī)定部位固裝電路元件63，作為電路元件63，可以全部采用無源元件或有源元件。另外，安裝功率系統(tǒng)元件時(shí)，在導(dǎo)電圖案上固裝的散熱片上安裝元件。
參照?qǐng)D14說明將形成有多個(gè)混合集成電路67的金屬襯底66B分割為一個(gè)個(gè)電路襯底60的方法。表面上形成有混合集成電路67的單個(gè)電路襯底60通過使用壓力機(jī)沖切電路襯底60的局部，由金屬襯底66B分割。在此，壓力機(jī)由形成有混合集成電路67的面沖切金屬襯底66B。因此，在電路襯底60的周端形成不設(shè)導(dǎo)電圖案62和電路元件63的邊緣。
由以上的工序被單個(gè)分離的電路襯底60經(jīng)密封混合集成電路67的工序等，作為成品完成。

發(fā)明內(nèi)容
但是，象上述這樣的混合集成電路裝置及其制造方法有以下所示的問題。
第一，因?yàn)橥ㄟ^沖切金屬襯底66B，由金屬襯底66B分離電路襯底60，所以至少由電路襯底60的周端起2mm以內(nèi)的部分成為邊緣。即，電路襯底60的大小，比在電路襯底上形成的導(dǎo)電圖案更大。從而，電路襯底60的周邊部成為死角，即使提高混合集成電路67的集成度，因?yàn)橐纬纱蟮碾娐芬r底60，故有裝置整體成為大型裝置的問題。
第二，因?yàn)樯鲜鱿嗤睦碛?，所以散熱片等電路元?3不能配置在電路襯底的周邊部分。這樣在設(shè)計(jì)導(dǎo)電圖案62時(shí)受到限制，有不能提高混合集成電路的密度的問題。
本發(fā)明是鑒于上述的問題而形成的。從而，本發(fā)明的主要的目的是提供提高了安裝密度及品質(zhì)的混合集成電路。
本發(fā)明第一方面的混合集成電路裝置包括在表面上設(shè)置有絕緣層的金屬襯底、所述絕緣層上設(shè)置的導(dǎo)電圖案、所述導(dǎo)電圖案上安裝的電路元件，所述導(dǎo)電圖案在所述金屬襯底的表面上整面地形成。
本發(fā)明第二方面的混合集成電路裝置中，所述導(dǎo)電圖案在所述金屬襯底的周端附近也形成。
本發(fā)明第三方面的混合集成電路裝置中，所述導(dǎo)電圖案在所述金屬襯底的周端起2mm以內(nèi)的所述金屬襯底表面上也形成。
本發(fā)明第四方面的混合集成電路裝置包括在表面設(shè)置有絕緣層的金屬襯底、所述絕緣層上設(shè)置的導(dǎo)電圖案、所述導(dǎo)電圖案上安裝的電路元件，所述電路元件配置在所述金屬襯底的周邊部分。
本發(fā)明第五方面的混合集成電路裝置中，所述電路元件配置在所述金屬襯底的周邊起2mm以內(nèi)的所述金屬襯底表面。
本發(fā)明第六方面的混合集成電路裝置中，在所述金屬襯底的周邊部分配置表面上固裝有半導(dǎo)體元件的散熱片。
本發(fā)明第七方面的混合集成電路裝置中，所述散熱片配置在所述金屬襯底的周端起2mm以內(nèi)的所述金屬襯底的表面。


圖1是本發(fā)明的混合集成電路裝置的立體圖(A)和剖面圖(B)；圖2是本發(fā)明的混合集成電路裝置的立體圖(A)和剖面圖(B)；圖3是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的流程圖；圖4是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的平面圖(A)、立體圖(B)和放大圖(C)；圖5是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的平面圖(A)、立體圖(B)和放大圖(C)；圖6是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的立體圖(A)和剖面圖(B)；圖7是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖8是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的剖面圖；圖9是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的平面圖；圖10是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置制造方法的立體圖(A)和剖面圖(B)；圖11是現(xiàn)有的混合集成電路裝置的立體圖(A)和剖面圖(B)；
圖12是說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置制造方法的平面圖(A)和剖面圖(B)；圖13是說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置制造方法的平面圖(A)和剖面圖(B)；圖14是說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置制造方法的平面圖。
具體實(shí)施例方式
說明混合集成電路裝置1的第一實(shí)施方式參照?qǐng)D1說明本發(fā)明的混合集成電路裝置1的結(jié)構(gòu)。圖1(A)是混合集成電路裝置1的立體圖，圖1(B)是圖1(A)的X-X線的剖面圖。
參照?qǐng)D1(A)及圖1(B)，混合集成電路裝置1具有如下結(jié)構(gòu)。即，由金屬構(gòu)成的電路襯底10、在電路襯底10的表面形成的絕緣層11、在絕緣層11上形成的導(dǎo)電圖案12和在導(dǎo)電圖案12上的規(guī)定位置安裝的電路元件13等構(gòu)成混合集成電路裝置1。各構(gòu)成要素在以下詳細(xì)說明。
作為電路襯底10的材料，采用鋁和銅等金屬。另外，作為電路襯底10的材料也可采用合金。在此，采用鋁構(gòu)成的電路襯底10，其兩面進(jìn)行了防蝕處理。電路襯底10的側(cè)面由自上面垂直延伸的垂直部10A和自垂直部10A至下方延伸且向電路襯底10的內(nèi)側(cè)傾斜的傾斜部10B形成。電路襯底10的側(cè)面形成傾斜部10B的理由在于其制造方法。即，電路襯底10通過切分大版的金屬襯底來制造。具體地，首先由金屬襯底的反面形成V型的槽，而后自表面除去形成槽的部位的殘留的厚度部分。該V型槽的部分就形成傾斜部10B。另外，關(guān)于形成電路襯底10的具體的制造方法，在說明混合集成電路裝置的制造方法的實(shí)施形態(tài)中后述。
絕緣層11在電路襯底10的表面上形成，具有絕緣導(dǎo)電圖案12和電路襯底的功能。另外，為了將由電路元件13產(chǎn)生的熱積極地傳送到電路襯底10上，在絕緣層11上高填充氧化鋁。
導(dǎo)電圖案12設(shè)置在絕緣層11的表面，由銅等金屬形成。在此，在電路襯底10的表面整個(gè)面形成導(dǎo)電圖案12。具體的，在電路襯底10的周端起2mm以內(nèi)的周端附近也形成導(dǎo)電圖案12。這樣，一直到電路襯底10的周端附近的表面可形成導(dǎo)電圖案12的理由，在于分割電路襯底10的方法。關(guān)于分割電路襯底10的詳細(xì)的方法后述。在本發(fā)明中，通過切斷金屬襯底，自大版的金屬襯底分割單個(gè)的電路襯底10。在現(xiàn)有的例中，因?yàn)槭峭ㄟ^沖切機(jī)分割電路襯底，所以在電路襯底10的周端附近必須有邊緣，本發(fā)明中，可排除此邊緣，可在電路襯底10的表面整個(gè)區(qū)域全部形成導(dǎo)電圖案12。
電路元件13介由焊錫等釬料安裝在導(dǎo)電圖案12規(guī)定的位置。作為電路元件13，可以全部采用無源元件、有源元件或電路裝置等。另外，安裝功率系統(tǒng)元件時(shí)，在固裝于導(dǎo)電圖案上的散熱片上安裝該元件。在本發(fā)明中，電路元件13可以配置在電路襯底10的任意位置。即，在電路襯底10的周端附近也可以配置電路元件13。具體的，可在電路襯底10的周端起2mm以內(nèi)的電路襯底10的表面配置電路元件。
散熱片13A安裝在導(dǎo)電圖案12的規(guī)定位置，而后在其上面安裝功率系統(tǒng)元件，功率系統(tǒng)元件和導(dǎo)電圖案12由金屬細(xì)線15電連接。在此，散熱片13A可以配置在電路襯底10的任意位置。具體的，散熱片13A也可以配置在電路襯底10的周端起2mm以內(nèi)的周端附近。如上所述，可以在直至電路襯底10的周端附近的表面配置散熱片13A的理由，在于分割電路襯底10的方法。
關(guān)于分割電路襯底10的方法的細(xì)節(jié)后述，在本發(fā)明中，通過切斷金屬襯底，自大版的金屬襯底分割單個(gè)的電路襯底10。在現(xiàn)有例中，因?yàn)椴捎脹_切機(jī)分割電路襯底，所以在電路襯底10的周端附近必須有邊緣。更進(jìn)一步的，由于安裝有功率系統(tǒng)元件的散熱片13在電路元件13中具有最高高度，所以不能配置在電路襯底10的周邊部。本發(fā)明中，可排除該邊緣，在電路襯底10的表面的任何位置都可以配置散熱片13A。對(duì)無源元件和有源元件等其它電路元件13也可以同樣說。
導(dǎo)線14固裝在由導(dǎo)電圖案12構(gòu)成的底座上，有和外部進(jìn)行輸入、輸出的功能。另外，功率系統(tǒng)元件等由正面安裝，通過金屬細(xì)線15和導(dǎo)電圖案12電連接。并且，在導(dǎo)電圖案12中，在不進(jìn)行電連接的位置，可由樹脂等形成外敷層。
參照?qǐng)D2說明由絕緣性樹脂密封的混合集成電路裝置的結(jié)構(gòu)。圖2(A)是混合集成電路裝置1的立體圖，圖2(B)是圖2(A)的X-X線的剖面圖。
參照?qǐng)D2(A)及圖2(B)說明混合集成電路裝置1的結(jié)構(gòu)。同圖顯示的混合集成電路裝置1是樹脂密封圖1所示的混合集成電路裝置1的混合集成電路裝置。因此，絕緣性樹脂16以外的結(jié)構(gòu)是和圖1相同的，在此僅說明絕緣性樹脂16及其附近的結(jié)構(gòu)。
絕緣性樹脂16具有密封由電路襯底10的表面上設(shè)置的電路元件13等構(gòu)成的混合集成電路的功能。作為絕緣性樹脂16的種類，可以采用由注射模進(jìn)行密封的熱塑性樹脂和通過傳遞模進(jìn)行密封的熱硬性樹脂等。
參照?qǐng)D2(B)，如上所述，電路襯底10的側(cè)面有垂直部10AA和傾斜部10B，具體的，電路襯底10的表面和垂直部10AA形成的角度是直角。而且，電路襯底10的反面和傾斜部10BB形成的角度是鈍角。因此，如同圖所示，在露出電路襯底10的反面進(jìn)行樹脂密封時(shí)，形成絕緣性樹脂16旋入傾斜部10B的形式，傾斜部10B和絕緣性樹脂16之間產(chǎn)生錨固效應(yīng)。
根據(jù)如上所述的混合集成電路裝置10的結(jié)構(gòu)，可以取得如下所示的效果。
第一，因?yàn)橹敝岭娐芬r底10的端部附近可以形成導(dǎo)電圖案12，所以在形成和現(xiàn)有例相同的電路時(shí)，可以減小混合集成電路裝置整體的大小。
第二，因?yàn)橹敝岭娐芬r底10的端部附近可以配置電路元件13，所以可以提高設(shè)計(jì)電氣電路的自由度。并且，因?yàn)榭梢蕴岣邎D案的密度，所以形成和現(xiàn)有例相同的電路時(shí)，可以減小混合集成電路裝置整體的大小。
第三，因?yàn)殡娐芬r底10傾斜部10B和絕緣性樹脂16之間發(fā)生錨固效應(yīng)，所以可以防止電路襯底10由絕緣性樹脂16脫離。
下面，說明混合集成電路裝置的制造方法的第二實(shí)施方式。
參照?qǐng)D3～圖10說明混合集成電路裝置的制造方法。首先，參照?qǐng)D3的流程圖說明本實(shí)施方式的整體工序。本實(shí)施方式中，采用如下的工序制造混合集成電路裝置。即，混合集成電路裝置由以下工序制造通過分割大版的金屬襯底而切分為中版的金屬襯底的工序、在中版的金屬襯底的表面上形成多個(gè)混合集成電路的導(dǎo)電圖案的工序、在中版的金屬襯底的未設(shè)置絕緣層的面上形成格子狀槽的工序、在導(dǎo)電圖案上安裝電路元件的裝片工序、進(jìn)行引線焊接的工序和通過切除金屬襯底的槽的殘留厚度部分及絕緣層分離單個(gè)電路襯底的工序等。以下說明上述各工序。
第一工序參照?qǐng)D4本工序是通過分割大版的金屬襯底10A形成中版的金屬襯底10B的工序。
首先，參照?qǐng)D4(A)，準(zhǔn)備大版的金屬襯底10A，例如，大版的襯底10A的大小是約為1m的正方形。在此，金屬襯底10A是兩面進(jìn)行了抗蝕處理的鋁襯底。而且，在金屬襯底10A的表面設(shè)有絕緣層。另外，絕緣層的表面上形成有作為導(dǎo)電圖案的銅箔。
其次，參照?qǐng)D4(B)，采用截割鋸31沿切割線D1分割金屬襯底10A。在此，通過使多個(gè)金屬襯底10A重疊，可同時(shí)分割多個(gè)金屬襯底10A。截割鋸31一邊高速旋轉(zhuǎn)，一邊沿切割線D1分割金屬襯底10A。作為分割的方法，在此，是通過沿切割線D1將具有正方形形狀的大版的金屬襯底10A分割為8塊，而形成細(xì)長(zhǎng)的中版的金屬襯底10B。在此，中版的金屬襯底10B的形狀成為長(zhǎng)邊長(zhǎng)度為短邊長(zhǎng)度的兩倍。
參照?qǐng)D4(C)就截割鋸31的刀尖的形狀等進(jìn)行說明。圖4(C)是截割鋸31的刀尖31A附近的放大圖。刀尖31A的端部平坦地形成，嵌入有金剛石。通過使有如此刀尖的截割鋸高速旋轉(zhuǎn)，可以沿著切割線將金屬襯底10A分割。
采用該工序制造的中版的金屬襯底10B進(jìn)行腐蝕蝕刻部分地除去銅箔，形成導(dǎo)電圖案。形成的導(dǎo)電圖案的個(gè)數(shù)雖然根據(jù)金屬襯底10B的大小和混合集成電路的大小而不同，但在一張金屬襯底10B上可以形成數(shù)十個(gè)到數(shù)百個(gè)的混合集成電路的導(dǎo)電圖案。
第二工序參照?qǐng)D5及圖6本工序是在中版金屬襯底10B的不設(shè)置絕緣層的面上形成格子狀槽20的工序。圖5A是前工序分割的中版的金屬襯底10B的平面圖。圖5B是顯示用V截割鋸35在金屬襯底10A上形成槽的狀態(tài)的立體圖。圖5(C)是刀尖35A的放大圖。
參照?qǐng)D5(A)及圖5(B)，高速旋轉(zhuǎn)V截割鋸35沿切割線D2在金屬襯底上形成槽。切割線D2設(shè)成格子狀。而且，切割線D2與在絕緣層11上形成的單個(gè)的導(dǎo)電圖案的分界線對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D5(C)說明V截割鋸35的形狀。V截割鋸35上，設(shè)有多個(gè)具有如同圖所示的形狀的刀尖35A。在此，刀尖35A的形狀與在金屬襯底10A上設(shè)置的槽的形狀對(duì)應(yīng)。在此，有V型的斷面的槽在金屬襯底的反面(未設(shè)絕緣層11的面)形成。因此，刀尖35A的形狀也為V型。刀尖35A上埋入有金剛石。
其次，參照?qǐng)D6(A)及圖6(B)說明形成有槽20的金屬襯底10B的形狀。圖6A是采用截割鋸31形成槽的金屬襯底10B的立體圖，圖6(B)是金屬襯底10B的剖面圖。
參照?qǐng)D6(A)，在金屬襯底10B的沒有設(shè)置絕緣層11的面上，格子狀形成槽20。本實(shí)施形態(tài)中，因?yàn)槭褂镁哂蠽型形狀的刀尖35A的截割鋸35形成槽，所以槽20形成V型的斷面。另外，槽20的中心線與絕緣層11上形成的單個(gè)的導(dǎo)電圖案12的分界線相對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D6(B)說明槽20的形狀等。在此，槽20形成V型的斷面。而且，槽20的深度比金屬襯底10B的厚度淺。從而，本工序中金屬襯底10B不分割為單個(gè)的電路襯底10。即，單個(gè)電路襯底10，由槽20的部分對(duì)應(yīng)的金屬襯底10B的殘留的厚度部分連接。因此，在作為單個(gè)電路襯底10分割前，金屬襯底10B可作為一張片狀襯底處理。另外，在本工序中，在發(fā)生飛邊時(shí)，進(jìn)行高壓洗滌，除去飛邊。
第三工序參照?qǐng)D7～圖9本工序是在導(dǎo)電圖案12上安裝電路元件13，并進(jìn)行電路元件13和導(dǎo)電圖案12的電連接的工序。
參照?qǐng)D7說明在導(dǎo)電圖案12上安裝電路元件13的裝片的工序。圖7是顯示在導(dǎo)電圖案12上安裝有電路元件13的狀態(tài)的剖面圖。電路元件13介由焊錫等釬料安裝在導(dǎo)電圖案12的規(guī)定位置。如前所述，在電路襯底10的周端附近也形成有導(dǎo)電圖案12。因此，電路元件13也可安裝在電路襯底10的周端附近。另外，上面安裝有功率系統(tǒng)元件的散熱片13A和其它的電路元件比較，是具有高度的電路元件。由此，使用壓力機(jī)的現(xiàn)有的混合集成電路裝置的制造方法中，在電路元件13的周端附近不能配置散熱片13A。后述的本發(fā)明中，使用圓切割器一個(gè)個(gè)地分割電路襯底10。因此，可將散熱片13A等具有高度的電路元件13配置在電路元件13的周端附近。
參照?qǐng)D8說明電路元件13和導(dǎo)電圖案12進(jìn)行電連接的引線焊接的工序。圖8是顯示使用金屬細(xì)線15將電路元件13和導(dǎo)電圖案12電連接的狀態(tài)的剖面圖。在此，就一張電路襯底10B上形成的數(shù)十到數(shù)百個(gè)混合集成電路，一并進(jìn)行引線焊接。
參照?qǐng)D9具體地說明在金屬襯底10B上形成的混合集成電路。圖9是在金屬襯底10B上形成的混合集成電路17的一部分的平面圖，實(shí)際上形成更多個(gè)混合集成電路17。另外，將金屬襯底10B分割成單個(gè)的電路襯底10的切割線D3由虛線顯示在同圖上。由同圖可知，形成單個(gè)的混合集成電路的導(dǎo)電圖案12和切割線D2極其接近。由此可知，金屬襯底10B的表面上整面形成導(dǎo)電圖案12。更加的，可知在混合集成電路的周邊部配置有散熱片13A等電路元件13。
上述的說明中，在具有細(xì)長(zhǎng)形狀的襯底10B的表面統(tǒng)一形成混合集成電路。在此，在進(jìn)行裝片和引線焊接的制造裝置具有限制時(shí)，也可由本工序前面的工序?qū)⒔饘僖r底10B分割為所需尺寸。例如，當(dāng)由本工序前面的工序?qū)⒔饘僖r底10B分割為二時(shí)，金屬襯底成為正方形的形狀。
第四工序參照?qǐng)D10本工序是通過切除金屬襯底10B的槽的殘留厚度部分及絕緣層11將金屬襯底10B分割為單個(gè)的電路襯底10的工序。圖10(A)是顯示用圓切割器41將金屬襯底10B分割為單個(gè)的電路襯底10的狀態(tài)的立體圖。圖10(B)是圖10(A)的剖面圖。在此，雖未圖示，但在圖10(A)中，在絕緣層11上形成有多個(gè)的混合集成電路。
參照?qǐng)D10(A)用圓切割器41沿切割線D3壓切金屬襯底10B。由此，金屬襯底10B被分割為單個(gè)電路襯底10。圓切割器41壓切金屬襯底10B的設(shè)有絕緣層11的面上與槽20的中心線對(duì)應(yīng)的部分。在此，槽20具有V型的斷面。從而，切割器41切除槽20最深形成的部分的、金屬襯底10B的殘留的厚度部分和絕緣層11。
參照?qǐng)D10(B)詳細(xì)地說明圓切割器41。圓切割器41具有園板狀的形狀，其周端形成銳角。圓切割器41的中心部固定在支撐部42上，并可以自由旋轉(zhuǎn)。上述的截割鋸利用驅(qū)動(dòng)力高速旋轉(zhuǎn)并切斷金屬襯底10B。在此，圓切割器41沒有驅(qū)動(dòng)力。即，把圓切割器41的局部壓到金屬襯底10B上，沿切割線D3移動(dòng)，來使圓切割器41旋轉(zhuǎn)。原理上說，和切分比薩的工具相同。
下面說明圓切割器41的大小。設(shè)在形成槽20的位置，金屬襯底10B的殘留的厚度和絕緣層11的厚度相加的長(zhǎng)度是d。設(shè)在電路元件13中最高的元件的由頂部到絕緣層11的表面的長(zhǎng)度是h1。此時(shí)，圓切割器41的半徑設(shè)定為比d1和h1相加的長(zhǎng)度長(zhǎng)。通過這樣設(shè)定，可以可靠地自金屬襯底10B分割電路襯底10。與此同時(shí)，支撐圓切割器41的支撐部42的下端與電路元件13接觸，可以防止電路元件13的損壞。
其次，參照?qǐng)D10(B)詳細(xì)說明利用圓切割器41進(jìn)行金屬襯底10B的分割的情況。如上述，本發(fā)明中，散熱片13A等具有高度的電路元件可以配置在電路襯底10的周邊部。由此，如同圖所示，在散熱片13A的位置有時(shí)會(huì)接近切割線D3。這種情況下，設(shè)定支撐部42的位置使支撐部42不接觸散熱片13A。
即，在電路元件13中具有最大高度的元件的，由頂部到絕緣層11的表面的距離為h1時(shí)，設(shè)定從支撐部42的下端到絕緣層11的表面的長(zhǎng)度h2比h1長(zhǎng)。例如，本實(shí)施例中，由散熱片13A上安裝的功率系統(tǒng)元件導(dǎo)出的金屬細(xì)線15的頂部是混合集成電路中最高的部分。此時(shí)支撐部42的下端設(shè)定在比金屬細(xì)線15的頂部高的位置。這樣，設(shè)定支撐部42的下端的位置可以防止金屬細(xì)線15斷線。
在以上的工序方面中，單個(gè)分割的電路襯底10經(jīng)過固定導(dǎo)線的工序和模裝工序等，作為混合集成電路裝置完成。
根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，可以取得如下所述的效果。
第一，因?yàn)橛酶咚傩D(zhuǎn)的截割鋸31分割大版的金屬襯底，所以和用現(xiàn)有剪切的襯底的分割方法比較，飛邊的發(fā)生非常少。因此，在制造工序的中間階段等中，可以防止飛邊使混合集成電路短路而產(chǎn)生不良品。
第二，因?yàn)槭褂媒馗钿?1同時(shí)分割重疊的多張大版的金屬襯底10A，所以可以提高工作效率。
第三，即使截割鋸31磨損時(shí)，截割鋸31的更換是比較簡(jiǎn)單的工作，可以很快地進(jìn)行。從而，與現(xiàn)有剪切的刀的更換比較，可以提高工作的效率。
第四，金屬襯底10B的單個(gè)電路襯底10的分界線對(duì)應(yīng)的部分形成槽。由此，在輸送金屬襯底10B時(shí)，即使金屬襯底10B整體產(chǎn)生撓曲時(shí)，槽20的部分也會(huì)優(yōu)先的折彎。因此，可以防止單個(gè)電路襯底10的平坦性的損壞。
第五，一張金屬襯底10B上可組裝數(shù)十到數(shù)百個(gè)集成電路。因此，腐蝕蝕刻的工序、裝片的工序及引線焊接的工序可一塊進(jìn)行。由此，可以提高生產(chǎn)性。
第六，在將金屬襯底10B分割為單個(gè)電路襯底10的工序中，通過將沒有驅(qū)動(dòng)力的圓切割器41壓在金屬襯底10B上使其旋轉(zhuǎn)來分割金屬襯底10B。因此，因?yàn)閳A切割器41切除槽20的殘留的厚度部分和絕緣層11，所以完全不產(chǎn)生切屑。由此，在制造工序中可以防止混合集成電路短路。
第七，通過將圓切割器41壓在對(duì)應(yīng)于槽20的部分，進(jìn)行金屬襯底10B的分割。從而，可以防止樹脂層11上產(chǎn)生裂縫使裝置的耐壓性降低。另外，可以確保襯底10B的平坦性。
第八，即使園切割器41磨損了，由于圓切割器41的更換是比較簡(jiǎn)單的工作，可在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。由此，可以提高生產(chǎn)率。
第九，本發(fā)明中，使用截割鋸31和圓切割器41切斷金屬襯底，由此分離單個(gè)的電路襯底。如現(xiàn)有的例子所述，使用壓力機(jī)進(jìn)行電路襯底的分離時(shí)，根據(jù)制造的電路襯底的大小，要準(zhǔn)備不同的刀具。本發(fā)明中，即使制造有大小不同的電路襯底的混合集成電路裝置時(shí)，也可以僅變更切割線來對(duì)應(yīng)。
第十，本發(fā)明中，在一張金屬襯底10B上矩陣狀組入多個(gè)混合集成電路。而且因?yàn)楦骰旌霞呻娐分g極其接近，所以金屬襯底10B的幾乎整個(gè)面成為電路襯底10。而后，可以減少材料的廢棄損失。
本發(fā)明可以取得如下所示的效果。
第一，因?yàn)榭梢栽谥敝岭娐芬r底10的端部附近形成導(dǎo)電圖案，所以形成和現(xiàn)有例子相同的電路時(shí)，可減小混合集成電路裝置整體的大小。
第二，因?yàn)榭梢栽谥敝岭娐芬r底10的端部附近配置電路元件13，所以可以提高設(shè)計(jì)電氣電路的自由度。另外，因?yàn)榭梢蕴岣邎D案的密度，所以形成和現(xiàn)有例子相同的電路時(shí)，可減小混合集成電路裝置整體的大小。
權(quán)利要求
1.一種混合集成電路裝置，其包括在表面設(shè)有絕緣層且由金屬形成的電路襯底和所述絕緣層上設(shè)置的導(dǎo)電圖案以及在所述導(dǎo)電圖案上安裝的電路元件，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案在所述電路襯底的表面上整面形成。
2.如權(quán)利要求1所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案在所述電路襯底的周端附近也形成。
3.如權(quán)利要求2所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案在自所述電路襯底的周端起2mm以內(nèi)的所述電路襯底的表面上也形成。
4.一種混合集成電路裝置，其包括表面設(shè)有絕緣層且由金屬形成的電路襯底和所述絕緣層上設(shè)置的導(dǎo)電圖案以及在所述導(dǎo)電圖案上安裝的電路元件，其特征在于，在所述電路襯底的周邊配置所述導(dǎo)電圖案。
5.如權(quán)利要求4所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述電路元件配置在所述電路襯底的周端起2mm以內(nèi)的所述電路襯底的表面。
6.如權(quán)利要求4所述的混合集成電路裝置，其特征在于，在所述電路襯底的周邊配置表面上固裝有半導(dǎo)體元件的散熱片。
7.如權(quán)利要求6所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述散熱片配置在自所述電路襯底的周端起2mm以內(nèi)的所述電路襯底的表面上。
全文摘要
一種混合集成電路裝置，進(jìn)行混合集成電路裝置1的小型化。在表面設(shè)有絕緣層11的電路襯底10的表面形成導(dǎo)電圖案12。導(dǎo)電圖案12形成在電路襯底的整個(gè)面上。具體地說，在自電路襯底10的周端起2mm以內(nèi)的部分也形成有導(dǎo)電圖案12?？蓪⑸崞?3A等具有高度的電路元件13配置在電路襯底10的周端附近。這樣，通過構(gòu)成混合集成電路裝置1可提高混合集成電路的集成度。因此，在構(gòu)成與現(xiàn)有技術(shù)同等的電路時(shí)，可減小混合集成電路裝置整體的大小。
文檔編號(hào)H01L23/36GK1453859SQ0312326
公開日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2003年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月24日
發(fā)明者水谷雅彥, 高草木貞道, 根津元一, 茂木一利 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社