專利名稱：鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鋁電解電容器用負(fù)極箔制造方法，尤其指鋁電解電容器負(fù)極箔制造處理過程中對負(fù)極箔的處理方法。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的發(fā)展，鋁電解電容器被廣泛應(yīng)用于電子、儀表、通訊、測量、計算機(jī)、航空航天技術(shù)中，人們對電解電容器的要求更高，負(fù)極箔是制造電解電容器的關(guān)鍵材料之一，不斷提高負(fù)極箔的比容，提高表面質(zhì)量是人們追求的目標(biāo)?，F(xiàn)有的負(fù)極箔制造處理過程中，對負(fù)極箔的處理一般采用腐蝕→中處理→后處理→烘干的工藝過程，國內(nèi)大部分采用從日本長野引進(jìn)的純化學(xué)腐蝕線的鋁箔制造廠就采用這種處理工藝過程?，F(xiàn)有的負(fù)極箔制造處理過程中，對負(fù)極箔的處理也有采用前處理→腐蝕→中處理→后處理→烘干的工藝過程，前處理是對箔進(jìn)行腐蝕前所作的各種物理、化學(xué)的處理，主要作用是除去鋁箔表面的油污、雜質(zhì)及自然氧化膜，改善其表面狀態(tài)，使其表面均勻、活化，以利于腐蝕時形成均勻分布的孔洞，提高鋁箔的比容。腐蝕是指對箔片進(jìn)行電化學(xué)或者化學(xué)的腐蝕處理，使其表面形成高密度均勻分布的且有一定深度的腐蝕蝕坑，從而增大鋁箔的表面積。前述兩種對負(fù)極箔的處理工藝均是在腐蝕工序后就進(jìn)行中處理，它會導(dǎo)致鋁箔的初始比容嚴(yán)重衰減。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種不僅能有效降低鋁箔在中處理過程中的比容衰減，還提高鋁箔的表面光亮度的負(fù)極箔處理方法。
本發(fā)明采用技術(shù)方案是一種鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，包括前處理、腐蝕、中處理、和后處理。在所述腐蝕后先對箔片進(jìn)行燒片處理，然后再進(jìn)行所述中處理和后處理。其具體工藝流程為前處理→腐蝕→燒片→中處理→后處理→烘干。所述燒片處理在熱烘箱中進(jìn)行，處理溫度為300～550℃，時間為30～80秒。經(jīng)過所述燒片處理的鋁箔的表面會形成一層氧化膜，并能把鋁箔上的剛腐蝕出的表面孔洞形貌固化，減少中處理時對負(fù)極箔的表面破壞，從而提高負(fù)極箔的比容和表面質(zhì)量。箔片進(jìn)行所述燒片處理的溫度為380～430℃，時間為45～60秒時效果更佳。
為進(jìn)一步提高燒片處理的效果，提高鋁箔的表面質(zhì)量，在所述箔片進(jìn)行燒片處理前先對箔片進(jìn)行預(yù)備中處理，所述預(yù)備中處理是指對鋁箔進(jìn)行輕微的表面處理，以洗掉鋁箔表面的黑水及水合鋁膜，使稍后進(jìn)行的燒片處理中不會發(fā)生箔片表面銅離子含量過多的情況。所述預(yù)備中處理的處理液采用濃度為0.5～0.9mol/L的HNO3溶液，所述預(yù)備中處理的處理溫度為28～35℃，時間為25～50秒。
本發(fā)明的有益效果是在鋁電解電容器負(fù)極箔腐蝕工序后增加對箔片進(jìn)行燒片處理，會在鋁箔表面形成一層氧化膜，并把鋁箔剛腐蝕出的表面孔洞形貌固化，減少中處理時對負(fù)極箔的表面破壞，提高負(fù)極箔的比容和表面質(zhì)量。
具體實(shí)施例方式
對比例工藝流程是前處理→水洗→腐蝕→水洗→中處理→水洗→后處理→烘干。采用的鋁箔是國產(chǎn)50um的純度≥97％鋁箔，它在中處理前的比容約為1000μF/cm2。前處理采用的前處理液為2％氫氧化鈉溶液，在溫度為50℃時，將鋁箔處理30秒；所述腐蝕采用的腐蝕液組成為游離酸1.5±0.5N，總酸5.5±0.5N，鋁離子4.2±0.7N，氯離子5.5±0.5N，腐蝕溫度98±3℃，時間為15-30秒；所述中處理的條件是中處理液采用濃度為0.5mol/L的HNO3溶液，中處理液的溫度為55℃，時間為60秒；所述后處理采用的后處理液為0.5％的磷酸二氫銨，后處理液的溫度為70±5℃，時間為60秒；所述烘干的溫度為325±25℃，時間為30秒。經(jīng)過上述工藝處理后鋁箔的比容為350～430μF/cm2。
本發(fā)明實(shí)施例一一種鋁電解電容器負(fù)極箔制造處理方法，其工藝流程是前處理→水洗→腐蝕→水洗→燒片→水洗→中處理→水洗→后處理→烘干。采用的鋁箔是國產(chǎn)50um的純度≥97％鋁箔，它在中處理前的比容為1000μF/cm2。該工藝是在原腐蝕工序后增加對箔片進(jìn)行燒片處理，箔片經(jīng)燒片處理后再進(jìn)行中處理、后處理。該工藝的前處理、腐蝕、中處理、后處理、烘干各工序的工藝條件與對比例中前處理、腐蝕、中處理、后處理、烘干各工序相同。燒片處理在熱烘箱中進(jìn)行，其溫度為400℃，時間為60秒。經(jīng)過燒片處理，會在負(fù)極箔表面形成一層氧化膜，并把負(fù)極箔剛腐蝕出的表面孔洞形貌固化，減少中處理時對負(fù)極箔的表面破壞，從而提高負(fù)極箔的比容和表面質(zhì)量。負(fù)極箔經(jīng)過該燒片處理后，再進(jìn)行與對比例相同的中處理，中處理后負(fù)極箔的比容達(dá)到400～600μF/cm2?？梢园l(fā)現(xiàn)，增加燒片處理后負(fù)極箔的比容提高了20％以上。
本發(fā)明實(shí)施例二是采用另一種鋁電解電容器負(fù)極箔制造處理方法，工藝流程是前處理→水洗→腐蝕→水洗→預(yù)備中處理→水洗→燒片→水洗→中處理→水洗→后處理→烘干?？梢钥闯觯摴に囀窃谠趯?shí)施例一基礎(chǔ)上，在腐蝕工序后燒片工序前增加對箔片進(jìn)行預(yù)備中處理，箔片經(jīng)預(yù)備中處理和燒片處理后再進(jìn)行中處理、后處理。預(yù)備中處理的處理液采用濃度為0.5mol/L的HNO3溶液，預(yù)備中處理的處理時間為30秒，溫度為30℃。預(yù)備中處理是燒片前對鋁箔進(jìn)行輕微處理，可以洗掉鋁箔表面的黑水及水合鋁膜，使稍后的燒片處理中不會發(fā)生表面銅、氯離子含量過多的情況。燒片處理在熱烘箱中進(jìn)行，其溫度為400℃，時間為60秒。經(jīng)過預(yù)備中處理和燒片處理，負(fù)極箔在中處理后的比容達(dá)500～600μF/cm2。
下表是負(fù)極箔經(jīng)過對比例、實(shí)施例1、實(shí)施例2處理方法后得到的負(fù)極箔比容值。

通過上表對比可以看出，負(fù)極箔經(jīng)過燒片處理后會提高比容。而且，表面質(zhì)量也有較大提高。
權(quán)利要求
1.一種鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，包括腐蝕、中處理、和后處理；其特征是在所述腐蝕后先對箔片進(jìn)行燒片處理，箔片經(jīng)所述燒片處理后再進(jìn)行所述中處理和后處理。
2.一種鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，包括腐蝕、中處理、和后處理；其特征是在所述腐蝕后先對箔片進(jìn)行預(yù)備中處理，然后對箔片進(jìn)行所述燒片處理，箔片經(jīng)所述燒片處理后再進(jìn)行所述中處理和后處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，其特征是箔片進(jìn)行所述燒片處理的處理溫度為300～550℃，時間為30～80秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，其特征是在對箔片進(jìn)行所述燒片處理前，先對箔片進(jìn)行預(yù)備中處理，所述預(yù)備中處理的處理液是濃度為0.5～0.9mol/L的HNO3溶液，所述預(yù)備中處理液的處理溫度為28～35℃，時間為25～50秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，其特征是對箔片進(jìn)行所述燒片處理的溫度為380～430℃，時間為45～60秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，其特征是所述中處理條件為，中處理液采用濃度為0.3～1mol/L的HNO3溶液與1～15wt％磷酸的混合液，中處理液的溫度為30～60℃，時間為30～120秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，其特征是所述中處理條件為，中處理液采用濃度為0.3～1mol/L的HNO3溶液與1～15wt％磷酸的混合液，中處理液的溫度為30～60℃，時間為30～120秒。
全文摘要
本發(fā)明涉及鋁電解電容器負(fù)極箔制造方法，包括腐蝕、中處理和后處理，其特征是在所述腐蝕后先對箔片進(jìn)行燒片處理，箔片經(jīng)所述燒片處理后再進(jìn)行所述中處理和后處理。具體工藝流程為前處理→腐蝕→燒片→中處理→后處理→烘干。燒片處理在熱烘箱中進(jìn)行，其溫度為300～550℃，時間為30～80秒。經(jīng)過燒片處理，會在鋁箔表面形成一層氧化膜，并把鋁箔剛腐蝕出的表面孔洞形貌固化，減少中處理時對負(fù)極箔的表面破壞，從而提高負(fù)極箔的比容和表面質(zhì)量。在腐蝕后對箔片進(jìn)行燒片前可增加預(yù)備中處理，預(yù)備中處理的處理液采用濃度為0.5～0.9mol/L的HNO
文檔編號H01G13/00GK1484260SQ0313982
公開日2004年3月24日 申請日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月9日
發(fā)明者冉亮, 冉 亮 申請人:深圳市東陽光化成箔股份有限公司