專利名稱：Soi基板的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基板構(gòu)成的背面層的上面形成絕緣層，在該絕緣層的上面形成的半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成回路的SOI基板加工方法。
背景技術(shù)：
近年來，為了獲得提高信號(hào)處理速度的半導(dǎo)體芯片，在半導(dǎo)體基板構(gòu)成的背面層的表面形成絕緣層，在該絕緣層的上面形成的半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成回路的SOI基板達(dá)到實(shí)用化。這種SOI基板，利用使表面上形成氧化膜等的絕緣層的硅等的半導(dǎo)體基板彼此面對(duì)結(jié)合的晶片粘合法，以及將氧原子離子注入到硅等半導(dǎo)體基板內(nèi)，接著通過進(jìn)行熱處理，在內(nèi)部形成氧化膜等的絕緣層的SIMOX法等構(gòu)成。同時(shí)，通過研磨等將一個(gè)半導(dǎo)體基板側(cè)減薄，形成半導(dǎo)體薄膜層，在該半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成回路。這樣，所形成的SOI基板，通過切割成形成回路的各個(gè)區(qū)域，形成各個(gè)半導(dǎo)體芯片。
如上所述構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片，為了具有良好的散熱性及電性能，并且，為了將多個(gè)半導(dǎo)體芯片疊層構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，希望使其厚度盡可能地薄。因此，在將SOI基板分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片之前，將半導(dǎo)體基板構(gòu)成的背面層進(jìn)行磨削，加工成規(guī)定的厚度。
然而，當(dāng)利用磨削砂輪機(jī)械地磨削構(gòu)成SOI基板的半導(dǎo)體基板構(gòu)成的背面層時(shí)，有傷及氧化膜等的絕緣層的危險(xiǎn)，要在絕緣層的前面70μm左右處，停止磨削。因此，存在著不能制造足夠薄的半導(dǎo)體芯片的問題。此外，還存在著在磨削過的背面層上殘留應(yīng)力，在半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生撓曲或者抗折強(qiáng)度降低等問題。
發(fā)明的概述本發(fā)明鑒于上述事實(shí)，其主要技術(shù)課題是，提供一種不會(huì)殘留由磨削引起的應(yīng)力，可以進(jìn)行薄的加工的SOI基板的加工方法。
根據(jù)本發(fā)明，為了解決上述主要課題，提供一種SOI基板加工方法，SOI基板由半導(dǎo)體基板形成的背面層、在該背面層的上面疊層的絕緣層、在該絕緣層的上面疊層的半導(dǎo)體薄膜層、在該半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成的回路構(gòu)成，其特征在于，該方法包括
對(duì)該背面層進(jìn)行化學(xué)腐蝕并將其除去，使該絕緣層露出的腐蝕工序。
此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種SOI基板加工方法，SOI基板由半導(dǎo)體基板形成的背面層、在該背面層的上面疊層的絕緣層、在該絕緣層的上面疊層的半導(dǎo)體薄膜層、在該半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成的回路構(gòu)成，其特征在于，該方法包括磨削該背面層、殘留規(guī)定的厚度的磨削工序，將利用該磨削工序形成規(guī)定厚度的該表面層進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理、將其除去，使該絕緣層露出的腐蝕工序。
在上述磨削工序中殘留的上述背面層的規(guī)定厚度，設(shè)定為100～10μm。此外，上述背面層由硅(Si)形成，上述絕緣層由氧化硅(SiO2)形成。此外，在上述腐蝕工序中的化學(xué)腐蝕處理，用含有氟和硝酸的腐蝕液進(jìn)行。
附圖的簡單說明

圖1是SOI基板的透視圖。
圖2是圖1所示的SOI基板的剖面放大圖。
圖3是表示用于實(shí)施本發(fā)明的腐蝕裝置的一個(gè)例子的簡圖。
圖4是表示用于實(shí)施本發(fā)明的磨削裝置的一個(gè)例子的主要部分的透視圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形式下面，參照附圖，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的SOI基板的加工方法的優(yōu)選實(shí)施形式進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
圖1中表示SOI基板的透視圖，圖2放大地表示表示圖1所示的SOI基板的剖面。
圖中所示的SOI基板10，由硅(Si)基板形成的背面層11，在該背面層11的上面疊層的氧化硅(SiO2)形成的絕緣層12，在該絕緣層12的上面疊層的硅(Si)基板形成的半導(dǎo)體薄膜層13，和形成在該半導(dǎo)體薄膜層13的表面上的回路構(gòu)成。這種SOI基板10，由上述晶片粘合法及SIMOX法等構(gòu)成。構(gòu)成SOI基板10的各層的厚度，背面層11為400μm左右，絕緣層12為0.1～0.5μm左右，半導(dǎo)體薄膜層13及回路14為2～3μm左右。
在根據(jù)本發(fā)明的第一種實(shí)施形式中，將構(gòu)成上述SOI基板10的由硅(Si)基板形成的背面層11進(jìn)行化學(xué)處理并將其除去。
這里，參照?qǐng)D3對(duì)腐蝕裝置進(jìn)行說明。圖3所示的腐蝕裝置1，具有保持將要腐蝕的SOI基板10的旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2。該旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2可自由旋轉(zhuǎn)地配置，在其上端，具有實(shí)質(zhì)上水平的平坦的圓形支承面2a。在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上，經(jīng)由適當(dāng)?shù)膭?dòng)力傳遞機(jī)構(gòu)(圖中沒有示出)連接有作為驅(qū)動(dòng)源的電動(dòng)機(jī)3。當(dāng)電動(dòng)機(jī)3驅(qū)動(dòng)時(shí)，旋轉(zhuǎn)器平坦2以所需的速度旋轉(zhuǎn)。
與旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2相關(guān)聯(lián)地，配置圖3中簡略地所示的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)4。在搬運(yùn)機(jī)構(gòu)4，可以是能夠?qū)OI基板真空吸附到可動(dòng)臂驅(qū)動(dòng)的通過所需的路徑搬運(yùn)的公知的形式。搬運(yùn)機(jī)構(gòu)4，將一個(gè)SOI基板10運(yùn)入到旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上，當(dāng)后面所述的腐蝕工序和漂洗工序及干燥工序結(jié)束后，將SOI基板10從旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上運(yùn)出到所需的場所。運(yùn)入旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10，在以背面作為表面的狀態(tài)下，即，將其背面層11指向上方的狀態(tài)下，運(yùn)入旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上。SOI基板的表面，即，形成回路14的半導(dǎo)體薄膜層13的表面(參照?qǐng)D1及圖2)上粘可以用具有適當(dāng)?shù)膭傂缘臉渲∧ば纬傻谋Ｗo(hù)構(gòu)件16。從而，保護(hù)構(gòu)件16載置于旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上，SOI基板10的背面層11位于上側(cè)。此外，載置于旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的外徑，稍大于旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2的圓形支承面2a的外徑。
圖中所示的腐蝕裝置1，在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上附設(shè)空氣噴射機(jī)構(gòu)5。該空氣噴射機(jī)構(gòu)5，具有從旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2的下方至周緣，其次沿著保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的下面延伸的流路5a。從壓縮空氣源(圖中未示出)供應(yīng)的空氣，從旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2的周緣沿SOI基板10的下面流動(dòng)，防止施加給SOI基板10的上面的腐蝕液在SOI基板的下面流動(dòng)。在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上，進(jìn)一步附設(shè)將施加到旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的上面的腐蝕液回收用的腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6。該腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6由協(xié)同動(dòng)作形成回收容器的靜止構(gòu)件61及可動(dòng)構(gòu)件62構(gòu)成。靜止構(gòu)件61具有圓筒狀外壁61a，環(huán)狀底壁61b及圓筒狀內(nèi)壁61c。可動(dòng)構(gòu)件62具有圓筒狀的下部和截面為環(huán)形的上部。在向旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的上面施加腐蝕液的期間，可動(dòng)構(gòu)件62定位在圖中實(shí)線表示的上升位置，在SOI基板10的上面成放射狀流動(dòng)的腐蝕液，從限定在靜止構(gòu)件61的內(nèi)壁61c的上端和可動(dòng)構(gòu)件62的上端之間的環(huán)狀入口63流入到腐蝕液回收機(jī)構(gòu)內(nèi)。此外，在向SOI基板10上施加可以是純水的清洗液的漂洗時(shí)，可動(dòng)構(gòu)件62定位在圖中雙點(diǎn)劃線表示的下降位置，關(guān)閉環(huán)狀入口63，防止清洗液流入腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6內(nèi)。
圖中所示的腐蝕裝置1，具有將腐蝕液供應(yīng)給保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的腐蝕液供應(yīng)機(jī)構(gòu)7。圖中所示的實(shí)施形式中的腐蝕液供應(yīng)機(jī)構(gòu)7，具有腐蝕液容納容器71。在該腐蝕液容納容器71內(nèi)，容納將要向載置在上述旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的硅形成的SOI基板10的上面施加的腐蝕液72。該腐蝕液72，是包含有硝酸和氫氟酸的水溶液。腐蝕液容納容器71內(nèi)的腐蝕液72，由泵73送出，通過送液管74，供應(yīng)給旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的上面。圖中所示的腐蝕液供應(yīng)機(jī)構(gòu)7，具有將腐蝕液供應(yīng)給保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的旋轉(zhuǎn)中心的腐蝕液供應(yīng)噴嘴75，該腐蝕液供應(yīng)噴嘴75連接到上述送液管74上。此外，腐蝕液供應(yīng)噴嘴75，可以選擇性地定位在位于保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的上方的作用位置(圖3中所示的位置)和離開SOI基板10的上方的非作用位置上。
此外，圖中所示的腐蝕裝置1，具有將回收到上述腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6的回收容器內(nèi)的腐蝕液排出的腐蝕液排出機(jī)構(gòu)8。該腐蝕液排出機(jī)構(gòu)8，由連接到設(shè)于形成腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6的回收容器的環(huán)狀底壁61b上的圖中未示出的排出口上排泄管81，以及收存通過該排泄管81排出的腐蝕液的排泄容器82構(gòu)成。
圖中所示的腐蝕裝置1以上述方式構(gòu)成，下面對(duì)SOI基板10的腐蝕處理進(jìn)行說明。
使腐蝕液供應(yīng)機(jī)構(gòu)7的泵73動(dòng)作，將腐蝕液容納容器71內(nèi)的腐蝕液72通過送液管74從腐蝕液供應(yīng)噴嘴75向保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的上述SOI基板10的背面層11的上面噴射，進(jìn)行腐蝕。當(dāng)將含有硝酸和氫氟酸的腐蝕液72噴射到由硅形成的SOI基板10的背面層11的上面時(shí)，由硅形成的SOI基板10的背面層11的腐蝕，可以表示為在由足夠量的硝酸存在的情況下，腐蝕速度由氫氟酸的濃度和腐蝕液82的溫度決定。從而，為了設(shè)定所需的腐蝕速度，將腐蝕液82的溫度設(shè)定在規(guī)定值，并且在將腐蝕液82中的硝酸含量設(shè)定為過剩的同時(shí)，將氫氟酸的含量設(shè)定成規(guī)定的量是很重要的。例如，當(dāng)利用氫氟酸(50％)和硝酸(70％)以1∶4.5的比例混合的腐蝕液腐蝕硅(Si)時(shí)，以30μm/分鐘的速度進(jìn)行腐蝕。另一方面，利用上述混合比例的腐蝕液腐蝕氧化硅(SiO2)時(shí)，其腐蝕速度為0.5μm/分鐘，氧化硅(SiO2)的腐蝕速度是硅(Si)的腐蝕速度的1/60，非常慢。
在將腐蝕液72供應(yīng)給保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的背面層11的上面，腐蝕背面層11時(shí)，使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2以600rpm左右的速度旋轉(zhuǎn)，據(jù)此，使從腐蝕液供應(yīng)噴嘴75噴射的腐蝕液72在SOI基板10的背面層11的整個(gè)上面上充分均勻地流動(dòng)。附設(shè)在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的空氣噴射機(jī)構(gòu)5，從旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2的周緣沿SOI基板10的下面使空氣流動(dòng)，據(jù)此，防止腐蝕液72與SOI基板10的下面、即表面接觸。腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6的可動(dòng)構(gòu)件62，在圖6中定位在實(shí)線表示的上升位置，使在SOI基板10的上面流動(dòng)的腐蝕液72回收到腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6內(nèi)?；厥盏礁g液回收機(jī)構(gòu)6內(nèi)的腐蝕液72，通過腐蝕液排出機(jī)構(gòu)8的排泄管81排出到排泄容器82內(nèi)。
在上述腐蝕工序中，由于保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的背面層11，由硅(Si)形成，所以，如上所述，以30μm/分鐘的速度被腐蝕。因此，在背面層的厚度如上所述，為400μm時(shí)，腐蝕背面層需要約13.4分鐘。從而，通過腐蝕處理約13.4分鐘，可以除去SOI基板10的背面層11，露出絕緣層12。此外，由于作為絕緣層12的氧化硅(SiO2)的腐蝕速度如上所述為0.5μm/分鐘，所以，即使由于背面層11的腐蝕的偏差，絕緣層12具有局部地早露出來的部分，絕緣層12仍然起著限制層的作用，可以將背面層11完全除去。這樣，由于能夠完全除去絕緣層12，所以，SOI基板10的厚度變成絕緣層12(0.1～0.5μm)和半導(dǎo)體薄膜13及回路14(2～3μm)相加的2.1～3.5μm左右。這樣，由于通過腐蝕處理除去背面層11，所以不會(huì)像磨削那樣殘留應(yīng)力，可以進(jìn)行很薄的加工。
如上所述，在構(gòu)成保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的背面層11的腐蝕工序結(jié)束后，根據(jù)需要，可以將旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10進(jìn)行漂洗，并干燥。漂洗工序可以通過使供應(yīng)腐蝕液72用的供應(yīng)噴嘴75從SOI基板10上的作用位置后退到非作用位置，使噴射可以是純水的清洗液的噴射噴嘴(圖中未示出)位于SOI基板10的上方，通過向SOI基板10的上面噴射清洗液進(jìn)行。這時(shí)，使腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6的可動(dòng)構(gòu)件62下降到圖中雙點(diǎn)劃線表示的下降位置，關(guān)閉腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6的環(huán)狀入口63，防止清洗液進(jìn)入腐蝕液回收機(jī)構(gòu)6。SOI基板10的干燥，可以通過使旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2例如以2000至3000rpm左右的高速旋轉(zhuǎn)，通過所謂的旋轉(zhuǎn)干燥來進(jìn)行。
其次。對(duì)根據(jù)本發(fā)明的SOI基板的加工方法的第二種實(shí)施形式進(jìn)行說明。
在第二種實(shí)施形式中，磨削構(gòu)成SOI基板10的背面層11，使之殘留規(guī)定的厚度(例如，100～10μm)(磨削工序)。即，在如上所述形成回路的半導(dǎo)體薄膜層13的表面(參照?qǐng)D1及圖2)上粘貼保護(hù)構(gòu)件16，將SOI基板10令其背面層11朝上，保持在圖4所示的磨削裝置9的卡緊臺(tái)91上。如果這樣將SOI基板10背面層11朝上保持在卡緊臺(tái)91上的話，將卡緊臺(tái)91例如一面以300rpm旋轉(zhuǎn)，一面使磨削砂輪92例如以6000rpm旋轉(zhuǎn)，通過接觸背面層11將SOI基板10磨削。并且，將背面層11的厚度，磨削到規(guī)定的量，例如70μm。
在上述磨削工序中，如果將SOI基板10的背面層11的厚度，例如磨削到70μm的話，將背面層11實(shí)行上面所述的腐蝕工序，將其腐蝕除去，使絕緣層12露出。這樣，在第二種實(shí)施形式中，由于借助磨削工序和腐蝕工序，將SOI基板10的背面層11除去，所以，與上述的第一種實(shí)施形式中那樣只用腐蝕工序腐蝕除去背面層11的情況相比，可以提高生產(chǎn)率。此外，在第二種實(shí)施形式中，由于在利用磨削工序?qū)OI基板10背面層11的厚度磨削到規(guī)定量，例如70μm后，在腐蝕工序中，通過腐蝕可以將厚度70μm的背面層11全部除去的時(shí)間為140秒鐘的腐蝕，可以將該均勻的厚度殘留的背面層11腐蝕除去，所以，可以將SOI基板10的精加工厚度加工得很均勻。
這里，對(duì)利用上述腐蝕裝置的腐蝕處理特性進(jìn)行說明。供應(yīng)給保持在旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)2上的SOI基板10的背面層11的旋轉(zhuǎn)中心部的腐蝕液，由于和反應(yīng)熱的積累和由于旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的摩擦熱的活性作用，溫度升高，例如，在直徑300mm左右的SOI基板10的中心部，溫度為20℃左右時(shí)，在外周部會(huì)上升到70℃左右。由于該腐蝕液溫度的上升，反應(yīng)速度升高，隨著接近被處理物的外周，腐蝕除去量增大。這樣，由于腐蝕除去量在中心部和中間部及外周部不同，所以，在SOI基板10的直徑大的情況下，當(dāng)利用腐蝕將背面層11(厚度約400μm)全部除去時(shí)，在中心部和中間部及外周部達(dá)到絕緣層12所需的時(shí)間產(chǎn)生很大的差別。其結(jié)果是，在SOI基板10的直徑大的情況下，在絕緣層12對(duì)腐蝕作用能夠起著阻擋層的作用的時(shí)間(2～5秒)內(nèi)，不能將背面層11全部腐蝕除去，不能根據(jù)腐蝕速度進(jìn)行腐蝕量的控制。然而，在第二種實(shí)施形式中，利用磨削工序?qū)OI基板10的背面層磨削將其變薄之后，在腐蝕工序中將該變薄的殘留背面層11腐蝕除去，所以，在中心部和中間部及外周部到達(dá)絕緣層12的所需的時(shí)間不會(huì)產(chǎn)生很大的差異，在絕緣層12對(duì)腐蝕作用能夠起著阻擋層的作用的時(shí)間(2～5秒)內(nèi)，能夠?qū)⒈趁鎸?1全部腐蝕除去，可以根據(jù)腐蝕速度進(jìn)行腐蝕量的控制。
上面，根據(jù)圖示的實(shí)施形式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不僅僅局限于這些實(shí)施形式。在上述實(shí)施形式中，作為在腐蝕工序中，作為化學(xué)腐蝕，列舉了采用腐蝕液進(jìn)行濕法腐蝕的例子，但，本發(fā)明，作為化學(xué)腐蝕，例如也可以采用XeF2、SF6氣體的等離子體腐蝕等的干法腐蝕。
工業(yè)上的可利用性如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的SOI基板的加工方法中，利用硅等半導(dǎo)體構(gòu)件與氧化半導(dǎo)體構(gòu)件形成的絕緣構(gòu)件的腐蝕速度的極大的差異，通過腐蝕處理除去SOI基板的背面層，露出絕緣層，所以，不會(huì)像磨削那樣殘留應(yīng)力，可以進(jìn)行薄的加工。這樣，切割加工過的SOI基板形成的半導(dǎo)體芯片極薄，所以，熱性能和電性能良好。此外，在上下連接半導(dǎo)體芯片構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的情況下，為了形成從回路至背面的電極的銅等的金屬不在半導(dǎo)體內(nèi)擴(kuò)散，有必要在電極周圍形成氧化硅(SiO2)等的絕緣膜，但根據(jù)本發(fā)明加工的SOI基板，由于如上所述，將絕緣層露出，所以，無需再形成絕緣膜。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的SOI基板的加工方法中，由于在通過磨削工序?qū)OI基板的背面層磨削減薄之后，在腐蝕工序中將該減薄的殘留的背面層除去，所以，與只用腐蝕工序除去背面層的情況相比，可以提高生產(chǎn)率。進(jìn)而，如上所述，由于將減薄殘留的背面層腐蝕除去，所以，在中心部和中間部和外周部，達(dá)到絕緣層所需的時(shí)間不產(chǎn)生很大的差異，因此，在絕緣層相對(duì)于腐蝕起著阻擋層的作用的時(shí)間內(nèi)，可以將背面層全部除去，可以根據(jù)腐蝕速度進(jìn)行腐蝕量的控制。
權(quán)利要求
1.一種SOI基板加工方法，SOI基板由半導(dǎo)體基板形成的背面層、在該背面層的上面疊層的絕緣層、在該絕緣層的上面疊層的半導(dǎo)體薄膜層、在該半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成的回路，其特征在于，該方法包括對(duì)該背面層進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理將其除去，使該絕緣層露出的腐蝕工序。
2.一種SOI基板加工方法，SOI基板由半導(dǎo)體基板形成的背面層、在該背面層的上面疊層的絕緣層、在該絕緣層的上面疊層的半導(dǎo)體薄膜層、在該半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成的回路，其特征在于，該方法包括磨削該背面層、殘留規(guī)定厚度的磨削工序，將利用該磨削工序形成規(guī)定厚度的該背面層進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理將其除去，使該絕緣層露出的腐蝕工序。
3.如權(quán)利要求2所述的SOI基板加工方法，在上述磨削工序中殘留的上述背面層的規(guī)定厚度，設(shè)定為100～10μm。
4.如權(quán)利要求1至3中任何一個(gè)所述的SOI基板加工方法，上述背面層由硅(Si)形成，上述絕緣層由氧化硅(SiO2)形成。
5.如權(quán)利要求1至4中任何一個(gè)所述的SOI基板加工方法，在上述腐蝕工序中的化學(xué)腐蝕處理，用含有氟和硝酸的腐蝕液進(jìn)行。
全文摘要
由半導(dǎo)體基板形成的背面層、在該背面層的上面疊層的絕緣層、在該絕緣層的上面疊層半導(dǎo)體薄膜層、在該半導(dǎo)體薄膜層的表面上形成的回路構(gòu)成的SOI基板的加工方法中，包括磨削該背面層、殘留規(guī)定的厚度的磨削工序，以及將利用該磨削工序形成規(guī)定厚度的該背面層進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理、將其除去，使該絕緣層露出的腐蝕工序。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1572027SQ03801310
公開日2005年1月26日 申請(qǐng)日期2003年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月24日
發(fā)明者高橋敏昭, 荒井一尚 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪斯科