專利名稱：線圈零件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及共態(tài)扼流線圈及其制造方法以及共態(tài)扼流線圈陣列，特別是涉及用于抑制共態(tài)電流的過濾器及其制造方法，由于該共態(tài)電流而在平衡傳送方式下產(chǎn)生電磁妨害。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)下，作為芯片型的共態(tài)扼流線圈，層疊型的線圈已被公知。該零件之構(gòu)造為交替地層疊有在鐵氧體等的磁性體薄片表面上形成線圈導(dǎo)體圖形從而形成第1線圈的第1線圈用磁性薄片以及同樣的第2線圈用磁性薄片。
又，作為使用薄膜加工方法的線圈，如特開平8-203737號(hào)公報(bào)(以下，稱為專利文獻(xiàn)1)所示的共態(tài)扼流線圈已被公知。該零件的構(gòu)造為在磁性基板上用薄膜加工方法來引出并形成電極，其后，依次使用薄膜加工方法來形成絕緣層、第1線圈導(dǎo)體、絕緣層、第2線圈導(dǎo)體、絕緣層，用磁性基板夾住其上表面。
又，在由薄膜加工方法所形成的共態(tài)扼流線圈中，有的如特開平11-54326號(hào)公報(bào)(以下，稱為專利文獻(xiàn)2)所示，為了改善線圈相互間的磁耦合度及增加線圈阻抗，對(duì)于上述薄膜加工方法的絕緣層的中央部及外周部進(jìn)行蝕刻(顯像)，用在絕緣性材料中混合了磁粉的樹脂來粘接上側(cè)的磁性基板，從而形成閉合磁路構(gòu)造。
又，在由薄膜加工方法所形成的共態(tài)扼流線圈中，有的如特開2003-133135號(hào)公報(bào)(以下，稱為專利文獻(xiàn)3)所示，形成如下構(gòu)造通過將配置于第1磁性體基板上的絕緣層與線圈圖形重疊，在具有于絕緣體中配置了線圈的構(gòu)造的層疊體中的未配置線圈圖形的部分上，形成至少一個(gè)從上表面一側(cè)到達(dá)第1磁性基板的凹部，以覆蓋層疊體的方式配置的磁性層的一部分進(jìn)入凹部，并且經(jīng)由非磁性的粘接層將第2(上側(cè)的)磁性體基板接合在磁性層上。
在由上述的專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3的薄膜加工方法所形成的共態(tài)扼流線圈中，為了使阻抗(特別是公共阻抗)為規(guī)定的值，需要調(diào)整導(dǎo)體的卷數(shù)或長度以及磁性材料的透磁率。
可是，在進(jìn)行導(dǎo)體卷數(shù)的調(diào)整時(shí)，有時(shí)會(huì)受到外部電極的取出位置的制約而難于進(jìn)行。又，對(duì)于導(dǎo)體長度的調(diào)整有時(shí)也會(huì)由于與芯片形狀等的關(guān)系而難于進(jìn)行。又，對(duì)于磁性材料的透磁率進(jìn)行微調(diào)節(jié)是極其困難的。
因此，為了調(diào)整阻抗值就必須分別變更并研究各條件，從時(shí)間及成本上來說都造成了大的負(fù)擔(dān)。
作為該對(duì)策，在本發(fā)明中，在磁性基板上形成阻抗值調(diào)整用絕緣層，通過調(diào)整該絕緣層的厚度而能夠調(diào)整阻抗值。又，該阻抗值調(diào)整用絕緣層通過使用薄膜形成加工方法，能夠得到離散小且精度高的阻抗值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于提供一種共態(tài)扼流線圈及其制造方法以及共態(tài)扼流線圈陣列，其通過使阻抗值調(diào)整用絕緣層的厚度適當(dāng)?shù)刈兓軌蛉菀椎貙?shí)現(xiàn)阻抗值的調(diào)整。
在后述的實(shí)施方式中可知本發(fā)明的其它目的或新的特征。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)技術(shù)方案1的線圈零件，其特征在于，具有阻抗值調(diào)整用絕緣層，成膜在第1磁性基板的主面的整個(gè)面上；線圈圖形及絕緣層，交替地成膜在前述阻抗值調(diào)整用絕緣層上；絕緣層除去部，除去由前述線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域中的一方或兩方的前述絕緣層部分而形成，露出前述阻抗值調(diào)整用絕緣層；含有磁粉的樹脂，設(shè)于最上層的前述絕緣層上及前述絕緣層除去部上；第2磁性基板，經(jīng)由形成于前述含有磁粉的樹脂上的粘接層而進(jìn)行粘接。
本申請(qǐng)技術(shù)方案2的線圈零件，其特征在于，在技術(shù)方案1中，前述阻抗值調(diào)整用絕緣層的厚度為1微米～20微米。
本申請(qǐng)技術(shù)方案3的線圈零件，其特征在于，在技術(shù)方案1或2中，前述阻抗值調(diào)整用絕緣層由聚酰亞胺構(gòu)成。
本申請(qǐng)技術(shù)方案4的線圈零件，其特征在于，在技術(shù)方案1、2或3中，形成有多個(gè)前述線圈圖形。
本申請(qǐng)技術(shù)方案5的線圈零件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在第1磁性基板的主面的整個(gè)面上成膜阻抗值調(diào)整用絕緣層的第1成膜工序；在前述阻抗值調(diào)整用絕緣層上交替地成膜線圈圖形及絕緣層的第2成膜工序；除去由前述阻抗值調(diào)整用絕緣層以外的各絕緣層上被前述線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域中的一方或兩方的絕緣層部分的蝕刻工序；在最上層的絕緣層上涂布含有磁粉的樹脂，并且在前述絕緣層的除去部上也埋入并涂布前述含有磁粉的樹脂的涂布工序；在前述含有磁粉的樹脂固化后研磨該含有磁粉的樹脂面，使其平坦化的研磨工序；在前述含有磁粉的樹脂的平坦化后的面上經(jīng)由粘接劑而粘接第2磁性基板的粘接工序。


圖1是構(gòu)成本發(fā)明的第1實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈的情況下的分解立體圖。
圖2是表示前述實(shí)施方式的情況下的制造工序的說明圖。
圖3是構(gòu)成本發(fā)明的第2實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈陣列的情況下的分解立體圖。
圖4是表示與第1磁性基板32的成膜面垂直地切斷本發(fā)明的第3實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈所得的切斷面的概略構(gòu)成的圖。
圖5是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的制造工序的圖。
圖6表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的制造工序中的一個(gè)工序，是表示在絕緣膜35b上形成了線圈導(dǎo)體37、37′的狀態(tài)的圖。
圖7表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的線圈導(dǎo)體37的制造工序，是表示與晶片47的成膜面垂直地切斷圖6所示假想直線A-A′所得的切斷面的圖。
圖8表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的線圈導(dǎo)體37的制造工序，是表示與晶片47的成膜面垂直地切斷圖6所示假想直線A-A′所得的切斷面的圖。
圖9是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的制造工序的圖。
圖10是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的制造工序的圖。
圖11是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所形成的共態(tài)扼流線圈陣列63的制造工序的圖。
圖12是表示集成了2個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的共態(tài)扼流線圈所得的共態(tài)扼流線圈陣列91的圖。圖12A表示共態(tài)扼流線圈陣列91外觀的立體圖，圖12B是表示由圖12A虛線所示的假想線A-A′的切斷面的圖。
圖13是在現(xiàn)有的共態(tài)扼流線圈陣列91的磁性基板93與磁性層15之間形成了鍍敷膜的狀態(tài)的立體圖。
具體實(shí)施例方式
第1實(shí)施方式以下，按照附圖來說明本發(fā)明的線圈零件及其制造方法的第1
圖1及圖2是本發(fā)明的第1實(shí)施方式，圖1是構(gòu)成芯片型共態(tài)扼流線圈的情況下的分解立體圖，圖2是表示制造工序的說明圖。在實(shí)際作業(yè)時(shí)，雖然同時(shí)在基板上制作多個(gè)零件，但是在本實(shí)施方式中，以一個(gè)元件的部分進(jìn)行說明。
如這些圖所示，芯片型共態(tài)扼流線圈由在第1磁性基板1的主面上以阻抗值調(diào)整用絕緣層2、第1引出電極層3、絕緣層4、第1線圈導(dǎo)體層(螺旋狀線圈導(dǎo)體圖形)5、絕緣層6、第2線圈導(dǎo)體層(螺旋狀線圈導(dǎo)體圖形)7、絕緣層8、第2引出電極層9、絕緣層10、磁性層11、粘接層12、第2磁性基板13的順序?qū)盈B并一體化而成。
此時(shí)，阻抗值調(diào)整用絕緣層2形成在前述第1磁性基板1的主面的整個(gè)面上。又，第1引出電極層3與第1線圈導(dǎo)體層5、第2引出電極層9與第2線圈導(dǎo)體層7分別經(jīng)由通孔而電連接。又，各引出電極層的一端與各線圈導(dǎo)體層的一端分別與外部電極(形成于芯片外周表面)連接。
前述磁性層11由涂布含有磁粉的樹脂并使之固化所得，在固化后通過研磨而減少表面的凹凸，在平坦化后的面上經(jīng)由粘接層12而一體地粘接有第2磁性基板13。
前述磁性基板1、13是燒結(jié)鐵氧體、復(fù)合鐵氧體等，阻抗值調(diào)整用絕緣層2、其它絕緣層4、6、8、10是聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂等絕緣性優(yōu)良且加工性好的材料，構(gòu)成磁性層11的含有磁粉的樹脂是在環(huán)氧樹脂等中混入了鐵氧體等的磁粉所得。
上述芯片型共態(tài)扼流線圈的制造順序如下所述。其中，通過真空成膜法(蒸鍍、噴濺等)或鍍敷來形成引出電極層3、9或螺旋狀線圈導(dǎo)體圖形即第1及第2線圈導(dǎo)體層5、7。
在磁性基板1的主面的整個(gè)面上以1微米～20微米的膜厚來形成由絕緣樹脂等構(gòu)成的阻抗值調(diào)整用絕緣層2。作為形成方法，能夠采用旋涂法、浸漬法、噴霧法、印刷法、或薄膜形成加工方法。特別是，通過使用薄膜形成加工方法，能夠成膜離散小且精度高的阻抗值調(diào)整用絕緣層，從而得到離散小且精度高的阻抗值。另外，若阻抗值調(diào)整用絕緣層2的膜厚小于1微米，則難于成膜，并且擔(dān)心阻抗值(特別是公共阻抗值)的調(diào)整效果變差。又，若前述膜厚大于20微米，則產(chǎn)生了阻抗值的降低量增大至所需值以上的問題。
在阻抗值調(diào)整用絕緣層2上使用真空成膜法或鍍敷加工方法對(duì)于金屬進(jìn)行成膜。從導(dǎo)電性、加工性出發(fā)，使用的金屬優(yōu)選地為銅、鋁等。其后，形成圖形來作成引出電極層3。通過使用了光刻的蝕刻法、或使用了光刻的附加法(鍍敷法)來進(jìn)行圖形的加工。
接著，雖然形成由聚酰亞胺等的絕緣樹脂構(gòu)成的絕緣層4的加工方法與阻抗值調(diào)整用絕緣層2相同，但是其后蝕刻(顯像)并除去線圈導(dǎo)體圖形中央、外周區(qū)域。此時(shí)，同時(shí)地形成用于連接引出電極層3與線圈導(dǎo)體層5的接觸孔。
接著，形成螺旋狀線圈導(dǎo)體圖形、即第1線圈導(dǎo)體層5。加工方法與引出電極層3相同。
接著，形成由絕緣樹脂構(gòu)成的絕緣層6。加工方法與絕緣層4相同。以下，同樣地，依次形成螺旋狀線圈導(dǎo)體圖形即第2線圈導(dǎo)體層7、絕緣層8(絕緣樹脂)、引出電極層9、絕緣層10(絕緣樹脂)。另外，絕緣層4、6、8、10優(yōu)選地為與聚酰亞胺材質(zhì)相同的絕緣樹脂。又，阻抗值調(diào)整用絕緣層2的材質(zhì)可以與絕緣層4、6、8、10不同。
這樣，通過進(jìn)行以下工序成膜工序，在第1磁性基板上交替地成膜阻抗值調(diào)整用絕緣層以及含有螺旋狀線圈圖形及絕緣層；蝕刻工序，除去由各絕緣層的前述線圈導(dǎo)體圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈導(dǎo)體圖形外周區(qū)域以外的絕緣層部分；能夠如圖2A所示，得到在第1磁性基板上內(nèi)置了線圈導(dǎo)體圖形的層疊體20，在該層疊體20的中央?yún)^(qū)域及外周區(qū)域上殘留阻抗值調(diào)整用絕緣層2，從而形成除去了其它絕緣層的樹脂除去部21(凹部)及樹脂除去部22(切口部)。
接著，在絕緣層10上表面(圖2的層疊體20上表面)上通過圖2B的涂布工序來印刷含有磁粉的樹脂(固化并成為磁性層)11(在樹脂除去部21、22內(nèi)也埋入并涂布)，在其后進(jìn)行固化。
接著，對(duì)于含有磁粉的樹脂11的上表面進(jìn)行研磨，使其從圖2B的具有凹凸的狀態(tài)變?yōu)閳D2C所示的高度，進(jìn)行平坦化工序(減輕凹凸部)。
接著，在圖2C的粘接工序中，在對(duì)于固化后的含有磁粉的樹脂的整個(gè)上表面進(jìn)行研磨并使之平坦化了的磁性層11上涂布粘接劑來設(shè)置粘接層12，粘貼第2磁性基板13。
上述說明為1個(gè)元件部分的圖的說明，實(shí)際上同時(shí)在基板上制作多個(gè)元件。將在該基板上制作的部件切斷為1元件形狀的芯片后，在芯片外表面上形成外部電極，從而完成共態(tài)扼流線圈。
根據(jù)該實(shí)施方式，能夠得到以下的效果。
(1)通過在磁性基板1上形成阻抗值調(diào)整用絕緣層2，能夠進(jìn)行阻抗值(特別是公共阻抗值)的微妙調(diào)整。
(2)又，通過使用薄膜形成加工方法，能夠高精度地形成前述阻抗值調(diào)整用絕緣層2的厚度，能夠作出阻抗值的離散小的零件。
第2實(shí)施方式圖3是本發(fā)明的第2實(shí)施方式，表示制作共態(tài)扼流線圈陣列的例子。在該情況下，在第1磁性基板上2個(gè)并列地形成前述實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈的構(gòu)成。對(duì)于與前述實(shí)施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的符號(hào)，省略其說明。
另外，在上述實(shí)施方式中，雖然除去由阻抗值調(diào)整用絕緣層2以外的各絕緣層的線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域的兩者的絕緣層部分來形成由含有磁粉的樹脂埋入的樹脂除去部，但是也可以除去由前述阻抗值調(diào)整用絕緣層2以外的各絕緣層的線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域的任一方的絕緣層部分來形成由含有磁粉的樹脂埋入的樹脂除去部。
以上，雖然對(duì)于第1及第2實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本實(shí)施方式不限于此，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說自然了解在權(quán)利要求所述的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變形、變更。
如以上說明所述，根據(jù)第1及第2實(shí)施方式，通過使阻抗值調(diào)整用絕緣層的厚度適當(dāng)?shù)刈兓?，能夠容易地?shí)現(xiàn)阻抗值的微調(diào)整。
第3實(shí)施方式本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及用作共態(tài)扼流線圈或轉(zhuǎn)換器等的主要零件的線圈零件及其制造方法。
伴隨著個(gè)人電腦或手機(jī)等電子設(shè)備的小型化，對(duì)于安裝于電子設(shè)備的內(nèi)部電路上的線圈或電容器等的電子零件也進(jìn)一步要求其小型化及部件厚度的薄型化(高度低)。
可是，具有的問題為在鐵氧體磁芯上卷繞了銅線的卷線型的線圈因?yàn)槭艿綐?gòu)造上的制約而難于小型化。于是，開展了對(duì)于可實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化的芯片型線圈零件的研究開發(fā)。作為芯片型的線圈零件，以下線圈零件已被公知；在鐵氧體等的磁性體薄片表面上形成線圈導(dǎo)體圖形并層疊了該磁性薄片的層疊型線圈零件；使用薄膜形成技術(shù)來交替地形成了絕緣膜與金屬薄膜的線圈導(dǎo)體的薄膜型線圈零件。
在專利文獻(xiàn)2中，公開了作為薄膜型的線圈零件的共態(tài)扼流線圈。圖12表示集成了2個(gè)共態(tài)扼流線圈所得的共態(tài)扼流線圈陣列91。圖12A表示共態(tài)扼流線圈陣列91外觀的立體圖，圖12B表示由圖12A虛線所示的假想線A-A′的切斷面。如圖12A及圖12B所示，共態(tài)扼流線圈陣列91具有在對(duì)置配置的鐵氧體基板(磁性基板)93、95之間通過薄膜形成技術(shù)而依次形成了由聚酰亞胺樹脂形成的絕緣膜103a，103b、形成為螺旋狀的金屬薄膜的線圈導(dǎo)體105、107。在共態(tài)扼流線圈陣列91的一方的扼流線圈上，橫截鐵氧體基板93、95的側(cè)面地形成有與線圈導(dǎo)體105、107的端子部連接的4個(gè)電極端子99(99a、99b、99c、99d)。同樣地，在另一個(gè)扼流線圈上橫截鐵氧體基板93、95的側(cè)面地形成有與線圈導(dǎo)體(未圖示)的端子部連接的4個(gè)電極端子101。
在螺旋狀的線圈導(dǎo)體105、107的內(nèi)周一側(cè)形成有在絕緣膜103a、103b、103c上開口從而露出磁性基板93的開口部111。同樣地，在線圈導(dǎo)體105、107的外周一側(cè)形成有在絕緣膜103a、103b、103c上開口從而露出磁性基板93的開口部113。為了改善線圈導(dǎo)體105與線圈導(dǎo)體107相互間的磁耦合度，并且增加公共阻抗來提高阻抗特性，在開口部111、113及絕緣膜103c上形成有在絕緣材料中混入了磁粉的磁性材料的磁性層115。磁性層115具有粘接能力，粘接并固定磁性基板95。因?yàn)榇判詫?15的粘接強(qiáng)度不充分，所以在磁性基板95與磁性層115之間涂布粘接劑來提高線圈零件的強(qiáng)度的共態(tài)扼流線圈也已被公知(參照專利文獻(xiàn)3)。
電極端子99a與電極端子99c分別與線圈導(dǎo)體105的兩端子(未圖示)連接，電極端子99b與電極端子99d分別與線圈導(dǎo)體107的兩端子(未圖示)連接。電極端子99a與電極端子99b在共態(tài)扼流線圈陣列91的一側(cè)面相鄰地配置。電極端子99c與電極端子99d在共態(tài)扼流線圈陣列91的另一側(cè)面相鄰地配置。通過使電流流過電極端子99a、99c及電極端子99b、99d之間從而使線圈導(dǎo)體105、107通電，能夠在含有線圈導(dǎo)體105、107的中心軸的截面中，形成穿過磁性基板93、開口部111的磁性層115、磁性基板95及開口部113的磁性層115的閉合磁路M。
又，雖然省略了圖示，但在特開平7-22242號(hào)公報(bào)中，公開了一種薄膜型線圈零件，因?yàn)槿粼诖判曰迳现苯有纬删€圈導(dǎo)體，則在磁性基板的絕緣性小的情況下阻抗特性會(huì)變差，所以在磁性基板與線圈導(dǎo)體之間形成了Al2O3(氧化鋁)等的絕緣電阻高的絕緣層。
再者，為了使共態(tài)扼流線圈陣列91小型化，則需要減小電極端子99與電極端子101的間隔。進(jìn)而，也需要減小電極端子99a與電極端子99b的間隔d、以及電極端子99c與電極端子99d的間隔d(未圖示)。例如，為了使IC(集成電路)零件的輸入輸出端子的間距一致，電極端子99a、電極端子99b或電極端子99c、電極端子99d的間距為500μm左右。無論電極端子99a、電極端子99b或電極端子99c、電極端子99d的間距是否狹窄，都要求在各電極端子之間具有100MΩ以上的絕緣電阻。
電極端子99、101是在形成于共態(tài)扼流線圈陣列91的側(cè)面的Ni(鎳)的電極膜(未圖示)上由滾鍍形成了Sn(錫)、Ni、Cu(銅)的多層構(gòu)造。在通常的滾鍍中，雖然僅在低電阻的表面上引起分極來形成鍍敷膜，但若在表面上存在微細(xì)的凹凸，則鍍敷液進(jìn)入凹部，由于局部的鍍敷液的濃度液而使表面電位變化，從而在凹部上選擇性地形成鍍敷膜。在圖12所示的共態(tài)扼流線圈陣列91中，雖然由于電極膜(未圖示)以外的表面的絕緣電阻大而僅在電極膜上形成鍍敷膜，但是因?yàn)樵撾姌O膜橫截磁性基板93、95地形成，所以若在磁性基板93與磁性層115之間、或磁性層115與磁性基板95之間具有間隙，則鍍敷膜也從間隙生成。
圖13是在磁性基板93與磁性層115(未圖示)之間形成了鍍敷膜的狀態(tài)的共態(tài)扼流線圈陣列91的立體圖。若在磁性基板93與磁性層115之間形成鍍敷膜，則如圖13所示，電極端子99、101或電極端子99a、電極端子99b或電極端子99c、電極端子99d的各自的間隔變短，端子間電阻降低。特別是，磁性基板93在表面上具有空隙，磁性層115是在聚酰亞胺等的樹脂材料中混入了鐵氧體的磁粉所得的復(fù)合鐵氧體的情況下，磁性基板93與磁性層115的緊貼性降低，因此在磁性基板93與磁性層115之間生成鍍敷膜，這樣就易于產(chǎn)生端子間電阻的降低。例如，若電極端子99a、電極端子99b的間隔d由于鍍敷膜的形成而變?yōu)殚g隔d′(＝d/2)，則電極端子間的電阻值也變?yōu)榇笾?/2。這樣，易于引起電極端子99a、電極端子99b間的絕緣破壞，共態(tài)扼流線圈陣列91的可靠性顯著降低。進(jìn)而，若在磁性基板93與磁性層115之間進(jìn)一步形成鍍敷膜，則最壞的結(jié)果是電極端子99a、電極端子99b之間會(huì)短路。
又，若在磁性基板93上直接形成線圈導(dǎo)體105、在磁性基板95上直接形成線圈導(dǎo)體107，則磁性基板93、95表面的絕緣電阻降低，在線圈導(dǎo)體105、107的間距較窄的情況下，電流經(jīng)由磁性基板93的表面而流過線圈導(dǎo)體105之間，同樣地，電流經(jīng)由磁性基板95的表面而流過線圈導(dǎo)體107之間，這是造成阻抗特性變差的主要原因。又，在由框架鍍敷法于磁性基板93、95上形成間距較窄的線圈導(dǎo)體105、107的情況下，因?yàn)殍F氧體的磁性基板93、95表面上空隙較多，所以難于除去進(jìn)入到空隙中的電極層，殘留于磁性基板93、95上的電極層導(dǎo)致磁性基板93、95表面的絕緣電阻降低，進(jìn)而會(huì)使阻抗特性變差。因此，共態(tài)扼流線圈陣列91在磁性基板93、95與線圈導(dǎo)體105、107之間配置絕緣膜103a、103c來確保絕緣性。其中，絕緣膜103a、103c一般通過涂布樹脂材料而形成。因此，為了充分地確保具有間隙的磁性基板93、95的表面的絕緣性，充分提高共態(tài)扼流線圈陣列91的阻抗特性，需要加厚絕緣膜103a、103c，從而使共態(tài)扼流線圈陣列91變厚，這是阻礙薄型化的主要原因。
本實(shí)施方式的目的在于提供一種小型·薄型的線圈零件，其較少發(fā)生電極端子間的短路，阻抗特性不會(huì)變差且可靠性高。
又，本實(shí)施方式的目的在于提供可制造一種小型·薄型的線圈零件的線圈零件的制造方法，所述線圈零件較少發(fā)生電極端子間的短路，阻抗特性不會(huì)變差且可靠性高。
通過以下線圈零件來實(shí)現(xiàn)上述目的，所述線圈零件特征在于，具有第1磁性基板，由磁性材料形成；第1絕緣層，形成于前述第1磁性基板上；第2絕緣層，形成于前述第1絕緣層上；線圈導(dǎo)體，埋入前述第2絕緣層中，形成為螺旋狀；開口部，形成于前述線圈導(dǎo)體的內(nèi)周一側(cè)及外周一側(cè)，露出前述第1絕緣層；磁性層，至少埋入前述開口部而形成；第2磁性基板，固定在前述磁性層上，由磁性材料形成；電極端子，連接在前述線圈導(dǎo)體的端子部上，橫截前述第1及第2磁性基板的側(cè)面地配置。
上述本實(shí)施方式的線圈零件，其特征在于，在前述磁性層與前述第2基板之間還形成有第3絕緣層。
上述本實(shí)施方式的線圈零件，其特征在于，前述第1絕緣層形成在前述電極端子的附近。
上述本實(shí)施方式的線圈零件，其特征在于，前述第1絕緣層由Al2O3形成。
上述本實(shí)施方式的線圈零件，其特征在于，前述線圈導(dǎo)體夾著絕緣膜而形成有多層。
又，通過以下的線圈零件的制造方法來實(shí)現(xiàn)上述目的，所述線圈零件的制造方法其特征在于，在由磁性材料形成的第1磁性基板上形成第1絕緣層，在前述第1絕緣層上形成作為第2絕緣層的一部分的絕緣膜，在前述絕緣膜上螺旋狀地形成導(dǎo)電線的線圈導(dǎo)體，在前述線圈導(dǎo)體上進(jìn)而形成作為第2絕緣層的一部分的絕緣膜，在前述線圈導(dǎo)體的內(nèi)周一側(cè)及外周一側(cè)形成露出第1絕緣層的開口部，形成至少埋入前述開口部的磁性層，在前述磁性層上固定由磁性材料形成的第2磁性基板，形成與前述線圈導(dǎo)體的端子部連接，橫截前述第1及第2磁性基板的側(cè)面地配置的電極端子。
上述本實(shí)施方式的線圈零件的制造方法，其特征在于，在前述磁性層與前述第2磁性基板之間還形成第3絕緣層。
上述本實(shí)施方式的線圈零件的制造方法，其特征在于，通過噴濺法形成前述第1絕緣層。
上述本實(shí)施方式的線圈零件的制造方法，其特征在于，通過框架鍍敷法形成前述線圈導(dǎo)體。
根據(jù)本實(shí)施方式，能夠制造小型·薄型的線圈零件，其較少發(fā)生電極端子間的短路，阻抗特性不會(huì)變差且可靠性高。
使用圖4～圖11來說明本實(shí)施方式的線圈零件及其制造方法。在本實(shí)施方式中，作為線圈零件，以抑制共態(tài)電流的共態(tài)扼流線圈為例進(jìn)行說明，所述共態(tài)電流造成平衡傳送方式中的電磁妨害。圖4表示用圖11E的假想線A-A′切斷圖11E所示的共態(tài)扼流線圈陣列63的一個(gè)共態(tài)扼流線圈所得的截面。如圖4所示，本實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈其特征點(diǎn)在于在磁性材料的第1磁性基板32上形成有第1絕緣層33。在第1絕緣層33上依次層疊有絕緣膜35a，35b、導(dǎo)電線的線圈導(dǎo)體37、絕緣膜35c、線圈導(dǎo)體39、及絕緣膜35d，35e。線圈導(dǎo)體37與線圈導(dǎo)體39夾著絕緣膜35c而對(duì)置。又，線圈導(dǎo)體37、39埋入由絕緣膜35a～35e構(gòu)成的第2絕緣層35中。在線圈導(dǎo)體37、39的內(nèi)周一側(cè)形成有除去第2絕緣層35而露出第1絕緣層33的開口部34。在線圈導(dǎo)體37、39的外周一側(cè)形成有除去第2絕緣層35而露出第1絕緣層33的開口部36。又，埋入開口部34、36而形成磁性層41，在磁性層41上固定有由磁性材料形成的第2磁性基板45。
第1及第2磁性基板32、45由例如鐵氧體的磁性材料形成。第1絕緣層33由例如Al2O3(氧化鋁)等的絕緣材料形成，以便于得到高的表面電阻。第1絕緣層33上的第2絕緣層35的絕緣膜35a、35b、35c、35d、35e分別通過涂布聚酰亞胺樹脂并加工成規(guī)定形狀的圖形而形成。
線圈導(dǎo)體37由在絕緣膜35b上圖形加工成螺旋狀而形成。絕緣膜35c覆蓋線圈導(dǎo)體37地形成在絕緣膜35b上。在絕緣膜35c上形成有與線圈導(dǎo)體37大致圖形加工成同樣的螺旋狀的線圈導(dǎo)體39。
聚酰亞胺樹脂的絕緣膜35d覆蓋線圈導(dǎo)體39地形成在絕緣膜35c上。在絕緣膜35d上形成有聚酰亞胺樹脂的絕緣膜35e。另外，在絕緣膜35a上形成有連接線圈導(dǎo)體37與電極端子(未圖示)的導(dǎo)線端子及導(dǎo)線(都未圖示)。同樣地，在絕緣膜35d上形成有連接線圈導(dǎo)體39與其它電極端子(未圖示)的導(dǎo)線端子及導(dǎo)線(都未圖示)。
磁性層41埋入開口部34、36，并且覆蓋第2絕緣層35地形成。磁性層41由在聚酰亞胺樹脂中混入了鐵氧體的磁粉所得的復(fù)合鐵氧體形成。進(jìn)而，在磁性層41上形成粘接層43，粘接有鐵氧體的第2磁性基板45。
接著，對(duì)于本實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈的動(dòng)作進(jìn)行說明。通過對(duì)于線圈導(dǎo)體37、39通電，在含有線圈導(dǎo)體37、39的中心軸的截面中，形成有依次穿過第1磁性基板32、第1絕緣層33、開口部36的磁性層41、粘接層43、第2磁性基板45、粘接層43、開口部34的磁性層41、及第1絕緣層33的磁路M。因?yàn)榈?絕緣層33及粘接層43雖然非磁性，但都是幾微米左右的薄膜，所以磁力線幾乎不會(huì)從該部分泄漏，磁路M幾乎可以看做是閉合磁路。因此，共態(tài)扼流線圈具有良好的磁耦合度及阻抗特性。又，因?yàn)榫€圈導(dǎo)體39經(jīng)由絕緣膜35c而與線圈導(dǎo)體37鄰接地對(duì)面配置，所以能夠進(jìn)一步提高共態(tài)扼流線圈的磁耦合度及阻抗特性。
接著，使用圖5～圖11對(duì)于本實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈的制造方法進(jìn)行說明。以下，以集成了2個(gè)共態(tài)扼流線圈的共態(tài)扼流線圈陣列63為例進(jìn)行說明。另外，在圖5、圖6、圖9及圖10A～圖10C中，下部表示晶片47，上部表示在晶片47內(nèi)實(shí)際上未切離的各個(gè)芯片的立體圖。另外，對(duì)于與圖4的共態(tài)扼流線圈的構(gòu)成要素起到相同作用·功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，省略其說明。
首先，如圖5A所示，準(zhǔn)備最終會(huì)成為第1磁性基板32的晶片47。接著，如圖5B所示，使用噴濺法在晶片47上成膜Al2O3的第1絕緣膜33。第1絕緣膜33不限于Al2O3，可以是SiO2(氧化硅膜)或AlN(氮化鋁膜)，只要是絕緣電阻高的材料即可。又，第1絕緣層33優(yōu)選地為不受晶片47的空隙影響地致密構(gòu)成，因此，優(yōu)選地通過噴濺法以0.1微米～10微米左右的厚度來形成上述材料。
接著，如圖5C所示，在第1絕緣層33上涂布聚酰亞胺樹脂并進(jìn)行圖形成形，形成開口有開口部34、36的絕緣膜35a。接著，如圖5D所示，在絕緣膜35a上成膜Cu(銅)層(未圖示)并進(jìn)行圖形成形，形成位于元件基板周圍的導(dǎo)線端子49(49a、49b、49c、49d)及導(dǎo)線端子49′(49a′、49b′、49c′、49d′)。同時(shí)，形成與導(dǎo)線端子49a連接的導(dǎo)線50以及與導(dǎo)線端子49′連接的導(dǎo)線50′。
接著，如圖5E所示，在絕緣膜35a上涂布聚酰亞胺樹脂并進(jìn)行圖形成形，形成導(dǎo)線端子49，49′、導(dǎo)線50，50′中位于與導(dǎo)線端子49，49′相反一側(cè)的端子、以及具有使開口部34、36露出的開口的絕緣膜35b。
接著，如圖6所示，在絕緣膜35b上形成有成膜銅層(未圖示)并圖形成形為螺旋狀的線圈導(dǎo)體37、37′。線圈導(dǎo)體37的一端子形成在開口絕緣膜35b且露出的導(dǎo)線端子49c上，另一端子形成在導(dǎo)線50中與導(dǎo)線端子49a相反一側(cè)的端子上。同樣地，線圈導(dǎo)體37′的一端子形成在開口絕緣膜35b且露出的導(dǎo)線端子49c′上，另一端子形成在導(dǎo)線50′中與導(dǎo)線端子49a′相反一側(cè)的端子上。由此，導(dǎo)線端子49a與導(dǎo)線端子49c經(jīng)由線圈導(dǎo)體37及導(dǎo)線50而電連接。同樣地，導(dǎo)線端子49a′與導(dǎo)線端子49c′經(jīng)由線圈導(dǎo)體37′及導(dǎo)線50′而電連接。又，剩余的導(dǎo)線端子49b、49b′、49d、49d′上也形成銅的端子圖形。
使用框架鍍敷法來形成線圈導(dǎo)體37、37′。使用圖7及圖8對(duì)于框架鍍敷法進(jìn)行說明?？蚣苠兎蠓ㄊ鞘褂脤?duì)于抗蝕劑圖形加工而形成的模具(以下，稱為抗蝕劑框架)而使鍍敷膜圖形成形的方法。圖7及圖8是用圖6所示的假想線A-A′與晶片47的表面垂直地切斷的切斷面，表示線圈導(dǎo)體37的制造工序。經(jīng)過圖5A～圖5E的制造工序，在晶片47上依次形成有第1絕緣層33、絕緣膜35a，35b。如圖7A所示，在絕緣膜35b上使用噴濺法或蒸鍍法而成膜電極層69。為了提高與絕緣膜35b的緊貼性，在電極層69的下層上通過例如Cr(鉻)膜或Ti(鈦)膜等而形成粘接層。電極層69雖然只要是有導(dǎo)電線的材料即可，但是如果可能的話，還是希望采用與鍍敷的金屬材料相同的材料。
接著，如圖7B所示，在整個(gè)面上涂布抗蝕劑而形成抗蝕劑層71，根據(jù)需要來進(jìn)行抗蝕劑層71的預(yù)烘焙處理。然后，經(jīng)由畫出了線圈導(dǎo)體37的圖形的掩模73而照射曝光的光，使抗蝕劑層71曝光。
接著，根據(jù)需要進(jìn)行熱處理后，用堿性顯像液使其顯像。作為堿性顯像液，能夠使用例如規(guī)定濃度的四甲基氫化胺氧化物(TMAH)。接著，從顯像工序轉(zhuǎn)移到清洗工序。用清洗液來清洗抗蝕劑層71中的顯像液，使抗蝕劑層71的顯像溶解反應(yīng)停止，如圖7C所示，形成了圖形成形為規(guī)定形狀的抗蝕劑框架74。作為清洗液，例如可使用純水。
若清洗結(jié)束，則甩掉清洗液來使其干燥。也可根據(jù)需要而加熱晶片47來進(jìn)行使清洗液干燥。接著，將晶片47浸漬在電鍍槽中的鍍敷液中，以抗蝕劑框架74為模具來進(jìn)行鍍敷處理，在抗蝕劑框架74之間形成鍍敷膜77(參照?qǐng)D8A)。接著，根據(jù)需要進(jìn)行水洗并干燥后，使用有機(jī)溶劑將抗蝕劑框架74從絕緣膜35b剝離(參照?qǐng)D8B)。接著，以鍍敷膜77為掩模，通過干蝕法(離子銑削或反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)等)或濕蝕法來除去電極層69。這樣，就形成線圈導(dǎo)體37(參照?qǐng)D8C)。
通過框架鍍敷法形成線圈導(dǎo)體37后，接著，如圖9A所示，以覆蓋線圈導(dǎo)體37、37′的方式在絕緣膜35b上涂布聚酰亞胺樹脂并圖形成形，形成具有露出導(dǎo)線端子49、49′及開口部34、36的開口的絕緣膜35c。接著，如圖9B所示，成膜銅層后，使用框架鍍敷法，在絕緣膜35c上形成了圖形成形為螺旋狀的線圈導(dǎo)體39、39′。線圈導(dǎo)體39的一端子形成在開口絕緣膜35c且露出的導(dǎo)線端子49d上。同樣地，線圈導(dǎo)體39′的一端子形成在開口絕緣膜35b且露出的導(dǎo)線端子49d′上。因?yàn)榫€圈導(dǎo)體39、39′通過與圖7及圖8說明的線圈導(dǎo)體37、37′的制造方法相同的框架鍍敷法而形成，所以省略其說明。
接著，如圖9C所示，以覆蓋線圈導(dǎo)體39、39′的方式在絕緣膜35c上涂布聚酰亞胺樹脂并圖形成形，形成具有露出導(dǎo)線端子49、49′、線圈導(dǎo)體39、39′的另一端子及開口部34、36的開口的絕緣膜35d。
接著，如圖9D所示，在絕緣膜35b上成膜銅層(未圖示)，形成連接導(dǎo)線端子49b與線圈導(dǎo)體39的導(dǎo)線51、連接導(dǎo)線端子49b′與線圈導(dǎo)體39′的導(dǎo)線51′。由此，導(dǎo)線端子49b與導(dǎo)線端子49d經(jīng)由線圈導(dǎo)體39及導(dǎo)線51而電連接。同樣地，導(dǎo)線端子49b′與導(dǎo)線端子49d′經(jīng)由線圈導(dǎo)體39′及導(dǎo)線51′而電連接。又，剩余的導(dǎo)線端子49a、49a′、49c、49c′上也形成銅的端子圖形。
接著，如圖9E所示，以覆蓋導(dǎo)線51、51′的方式在絕緣膜35d上涂布聚酰亞胺樹脂并圖形成形，形成具有露出導(dǎo)線端子49、49′及開口部34、36的開口的絕緣膜35e。
接著，使用絲網(wǎng)印刷法，如圖10A所示，在導(dǎo)線端子49、49′上印刷銀糊劑53。接著，如圖10B所示，在絕緣膜35e上形成在聚酰亞胺樹脂中混入了鐵氧體的磁粉所得的復(fù)合鐵氧體的磁性層41。由此，磁性層41埋入開口部34、36并到達(dá)第1絕緣層33的表面。
接著，如圖10C所示，在磁性層41上涂布粘接劑而形成粘接層43。然后，如圖10D所示，將最終成為第2磁性基板的上蓋用磁性板55固定在粘接層43上。然后，如圖10E所示，切斷晶片47而形成將多個(gè)共態(tài)扼流線圈陣列63一列地配置的桿部件57。
接著，如圖11A所示，在桿部件57的各共態(tài)扼流線圈63的上表面上印刷用于識(shí)別第1及第2基板32、45的標(biāo)識(shí)59。然后，如圖11B所示，在配置于桿部件57的側(cè)面的導(dǎo)線端子49、49′的位置上，通過噴濺法，與第1磁性基板32的基板面幾乎成直角且橫截第1磁性基板32及第2磁性基板45地形成Ni的電極膜61。
接著，如圖11C所示，將桿部件57切斷分離為各個(gè)的共態(tài)扼流線圈陣列63。然后，如圖11D所示，由滾鍍?cè)陔姌O膜61表面上成膜了Sn(錫)、Ni、Cu(銅)的合金導(dǎo)電材料，形成Ni與合金導(dǎo)電材料的2層構(gòu)造的電極端子65。
其后，如圖11E所示，將制造的共態(tài)扼流線圈陣列63臨時(shí)固定在卷軸67上，接著，用未圖示的帶材來覆蓋卷軸67及共態(tài)扼流線圈陣列63，制造結(jié)束。
本實(shí)施方式的共態(tài)扼流線圈陣列63因?yàn)樵诘?磁性基板32上成膜絕緣電阻高的第1絕緣層33，所以能夠提高第1磁性基板32表面的絕緣電阻。因此，在形成電極端子65之際，能夠防止在第1絕緣層33與磁性層41之間形成鍍敷膜。因此，能夠?qū)㈦姌O端子65間的絕緣電阻維持在保證值100MΩ以上，提高共態(tài)扼流線圈陣列63的可靠性。
又，在本實(shí)施方式中，雖然第2磁性基板45與第1磁性基板32具有大致相同的厚度，但是第2磁性基板45的厚度也可以相對(duì)較薄。這樣，能夠使共態(tài)扼流線圈陣列63薄型化。雖然在第1磁性基板32中減少基板厚度也可以使共態(tài)扼流線圈陣列63薄型化，但晶片47的機(jī)械強(qiáng)度變?nèi)酰谥圃鞎r(shí)晶片47可能會(huì)破裂。因此，從提高制造成品率的觀點(diǎn)出發(fā)，希望在變薄的第1磁性基板32上形成第1絕緣層33。由噴濺法成膜在第1磁性基板32上的Al2O3(第1絕緣層33)因?yàn)楸瘸蔀榈?磁性基板32的鐵氧體基板的機(jī)械強(qiáng)度高出很多，所以能夠提高晶片47的機(jī)械強(qiáng)度，防止制造時(shí)的晶片破裂。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)晶片47的大口徑化，即使第1磁性基板32變薄也能夠制造大量的零件強(qiáng)度高的共態(tài)扼流線圈陣列63。另外，即使取代Al2O3而使用SiO2或AlN作為第1絕緣層33，因?yàn)镾iO2或AlN比第1磁性基板32的機(jī)械強(qiáng)度高出很多，所以起到同樣的效果。
進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，因?yàn)槟軌蚴沟?絕緣層33變薄，所以即使第1絕緣層33配置于開口部34、36等也不會(huì)阻礙磁性層41與第1磁性基板32的磁耦合，即使在第1磁性基板32的整個(gè)面上形成第1絕緣層33也不會(huì)使阻抗特性變差。因此，能夠在第1磁性基板32的整個(gè)面上形成第1絕緣層33，省略第1絕緣層33的圖形成形工序。
又，第1絕緣層33以堵住第1磁性基板32表面空隙的方式成膜，成膜后的第1絕緣層33具有非常平坦的表面狀態(tài)。因此，即使沒有成膜于第1絕緣層33上的絕緣膜35a也能夠得到充分的平坦性與表面絕緣性，所以能夠直接在第1絕緣層33上微細(xì)加工線圈導(dǎo)體37、37′。因此，與現(xiàn)有的共態(tài)扼流線圈陣列相比，能夠縮短第1磁性基板32與線圈導(dǎo)體37、37′的距離，能夠謀求共態(tài)扼流線圈陣列63的小型化·薄型化。
又，因?yàn)榈?絕緣層33具有非常平坦的表面狀態(tài)，能夠提高第1絕緣層33與復(fù)合鐵氧體構(gòu)成的磁性層41的緊貼性，防止電極端子的電鍍時(shí)浸入鍍敷液，從而防止電極端子間的短路不良。
進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，雖然在絕緣膜35a上形成導(dǎo)線端子49、49′或?qū)Ь€50等，但是若在第1絕緣層33上直接成膜導(dǎo)線端子49等，則無需增加現(xiàn)有的制造工序，能夠制造可靠性高的小型·薄型的共態(tài)扼流線圈陣列63。
本發(fā)明，不限于上述第3實(shí)施方式，可進(jìn)行種種的變形。
在上述第3實(shí)施方式中，雖然僅在第1磁性基板32上成膜第1絕緣層33，但本發(fā)明不限于此。例如，當(dāng)然也可以使用在與第1磁性基板32對(duì)置的面上與第1磁性基板32同樣地成膜了第3絕緣層的第2磁性基板45。在這種情況下，為了提高第2磁性基板45的粘接性，所以也能夠不使用粘接層43而使用復(fù)合鐵氧體直接粘接磁性層41。
又，在上述第3實(shí)施方式中，雖然在第1磁性基板32的整個(gè)面上成膜第1絕緣層33，但本發(fā)明不限于此。例如，也可以僅在電極膜61及電極端子65附近成膜第1絕緣層33。在這種情況下，在形成電極膜61及電極端子65之際，也能夠防止電極端子之間發(fā)生短路。因此，能夠?qū)㈦姌O端子65間的絕緣電阻維持在保證值100MΩ以上，提高共態(tài)扼流線圈陣列63的可靠性。
又，在上述第3實(shí)施方式中，雖然以共態(tài)扼流線圈陣列63為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。例如，上述第3實(shí)施方式的線圈零件也可用作轉(zhuǎn)換器的主要零件。
權(quán)利要求
1.一種線圈零件，其特征在于，具有阻抗值調(diào)整用絕緣層，成膜在第1磁性基板的主面的整個(gè)面上；線圈圖形及絕緣層，交替地成膜在前述阻抗值調(diào)整用絕緣層上；絕緣層除去部，除去由前述線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域中的一方或兩方的前述絕緣層部分而形成，露出前述阻抗值調(diào)整用絕緣層；含有磁粉的樹脂，設(shè)于最上層的前述絕緣層上及前述絕緣層除去部上；第2磁性基板，經(jīng)由形成于前述含有磁粉的樹脂上的粘接層而進(jìn)行粘接。
2.如權(quán)利要求1所述的線圈零件，其特征在于，前述阻抗值調(diào)整用絕緣層的厚度為1微米～20微米。
3.如權(quán)利要求1或2所述的線圈零件，其特征在于，前述阻抗值調(diào)整用絕緣層由聚酰亞胺構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1、2或3的任一項(xiàng)所述的線圈零件，其特征在于，形成有多個(gè)前述線圈圖形。
5.一種線圈零件的制造方法，其特征在于，包括以下工序在第1磁性基板的主面的整個(gè)面上成膜阻抗值調(diào)整用絕緣層的第1成膜工序；在前述阻抗值調(diào)整用絕緣層上交替地成膜線圈圖形及絕緣層的第2成膜工序；除去前述阻抗值調(diào)整用絕緣層以外的各絕緣層的由前述線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域中的一方或兩方的絕緣層部分的蝕刻工序；在最上層的絕緣層上涂布含有磁粉的樹脂，并且在前述絕緣層的除去部上也埋入并涂布前述含有磁粉的樹脂的涂布工序；在前述含有磁粉的樹脂固化后研磨該含有磁粉的樹脂面，使其平坦化的研磨工序；在前述含有磁粉的樹脂的平坦化后的面上經(jīng)由粘接劑而粘接第2磁性基板的粘接工序。
6.一種線圈零件，其特征在于，具有第1磁性基板，由磁性材料形成；第1絕緣層，形成于前述第1磁性基板上；第2絕緣層，形成于前述第1絕緣層上；線圈導(dǎo)體，埋入前述第2絕緣層中，形成為螺旋狀；開口部，形成于前述線圈導(dǎo)體的內(nèi)周一側(cè)及外周一側(cè)，露出前述第1絕緣層；磁性層，至少埋入前述開口部而形成；第2磁性基板，固定在前述磁性層上，由磁性材料形成；電極端子，連接在前述線圈導(dǎo)體的端子部上，橫截前述第1及第2磁性基板的側(cè)面地配置。
7.如權(quán)利要求6所述的線圈零件，其特征在于，在前述磁性層與前述第2基板之間還形成有第3絕緣層。
8.如權(quán)利要求6或7所述的線圈零件，其特征在于，前述第1絕緣層形成在前述電極端子的附近。
9.如權(quán)利要求6～8的任一項(xiàng)所述的線圈零件，其特征在于，前述第1絕緣層由Al2O3形成。
10.如權(quán)利要求6～9的任一項(xiàng)所述的線圈零件，其特征在于，前述線圈導(dǎo)體夾著絕緣膜而形成有多層。
11.一種線圈零件的制造方法，在由磁性材料形成的第1磁性基板上形成第1絕緣層，在前述第1絕緣層上形成作為第2絕緣層的一部分的絕緣膜，在前述絕緣膜上螺旋狀地形成導(dǎo)電線的線圈導(dǎo)體，在前述線圈導(dǎo)體上進(jìn)而形成作為第2絕緣層的一部分的絕緣膜，在前述線圈導(dǎo)體的內(nèi)周一側(cè)及外周一側(cè)形成露出第1絕緣層的開口部，形成至少埋入前述開口部的磁性層，在前述磁性層上固定由磁性材料形成的第2磁性基板，形成與前述線圈導(dǎo)體的端子部連接，橫截前述第1及第2磁性基板的側(cè)面地配置的電極端子。
12.如權(quán)利要求11所述的線圈零件的制造方法，其特征在于，在前述磁性層與前述第2磁性基板之間還形成第3絕緣層。
13.如權(quán)利要求11或12所述的線圈零件的制造方法，其特征在于，通過噴濺法形成前述第1絕緣層。
14.如權(quán)利要求11～13的任一項(xiàng)所述的線圈零件的制造方法，其特征在于，通過框架鍍敷法形成前述線圈導(dǎo)體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種共態(tài)扼流線圈，通過使阻抗值調(diào)整用絕緣層的厚度適當(dāng)?shù)刈兓軌蛉菀椎貙?shí)現(xiàn)阻抗值的調(diào)整。其構(gòu)成為在第1磁性基板(1)主面的整個(gè)面上成膜阻抗值調(diào)整用絕緣層(2)，進(jìn)而在其上層交替地成膜線圈圖形與絕緣層，除去前述阻抗值調(diào)整用絕緣層(2)以外的各絕緣層的由前述線圈圖形圍成的中央?yún)^(qū)域與前述線圈圖形外周區(qū)域的一方或兩方的絕緣層部分，在最上層的絕緣層(10)上及絕緣層除去部上設(shè)置含有磁粉的樹脂，經(jīng)由粘接層(12)而粘接第2磁性基板(13)。
文檔編號(hào)H01F17/00GK1577648SQ20041005874
公開日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月28日
發(fā)明者吉田誠, 奧澤信之, 伊藤知一, 工藤孝潔, 大友誠, 佐藤玲 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社