專利名稱：化合物材料晶片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化合物材料晶片的制造方法。
背景技術(shù)：
由文獻(xiàn)US 2003/0153163，已知有使用SmartCut技術(shù)將材料層從施體基材轉(zhuǎn)移至操作(handle)基材的方法。所述已知方法包括通過粘合第一晶片而形成施體基材的步驟，該層將從所述第一晶片上轉(zhuǎn)移至支撐基材上。根據(jù)US 2003/0153163，由于可以由同一初始第一晶片反復(fù)進(jìn)行多次轉(zhuǎn)移操作，直至第一晶片的全部厚度耗盡，因此形成該施體晶片對于轉(zhuǎn)移昂貴材料層是有利的。
然而，所述已知方法存在下列問題。由于施體基材是由兩個(gè)經(jīng)粘合的晶片構(gòu)成，其厚度，特別是對于最初的幾次轉(zhuǎn)移，通常大于在標(biāo)準(zhǔn)工藝?yán)缬糜谥圃旄补璧慕^緣體晶片的SmartCut技術(shù)工藝中的施體晶片的厚度。因而，在轉(zhuǎn)移工藝中用于操作和支撐施體晶片的設(shè)備必須特別適合于增大的重量和厚度，或者支撐基材需要特別地減小其厚度。然而，這兩種情況都需要非常昂貴的自適應(yīng)步驟。此外，在制造過程中，施體晶片的厚度不斷變化，其變化程度取決于所進(jìn)行的轉(zhuǎn)移的數(shù)目。因此加工設(shè)備和操作設(shè)備需要進(jìn)行特別的設(shè)計(jì)以應(yīng)付變化的條件。因而設(shè)備需要進(jìn)行特別的設(shè)計(jì)并因此變得更加昂貴。

發(fā)明內(nèi)容
因而本發(fā)明的目的是提供化合物材料晶片的制造方法，該方法能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中的問題，以便化合物材料晶片能夠使用標(biāo)準(zhǔn)晶片加工設(shè)備進(jìn)行制造。
該目的通過本發(fā)明所述的化合物材料晶片的制造方法得以實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的方法包括以下步驟a)提供初始施體基材，b)在初始施體基材內(nèi)形成預(yù)定的分離區(qū)，c)將初始施體基材附著在操作基材上，和d)在預(yù)定的分離區(qū)對所述施體基材進(jìn)行拆分，從而將初始施體基材上的層轉(zhuǎn)移至操作基材上以形成化合物材料晶片，其特征在于e)在拆分步驟之后將一個(gè)層沉積在施體基材的殘余部分上以至少部分地恢復(fù)初始施體基材的厚度和f)再次使用具有沉積層的施體基材作為步驟a)中的初始施體基材。
由于并未與附加的支撐基材相粘合，因而本發(fā)明的方法中所使用的施體基材比在現(xiàn)有技術(shù)工藝中所使用的施體基材更薄。此外，由于沉積層的存在，施體基材的厚度變化不大，可以使用標(biāo)準(zhǔn)晶片加工設(shè)備，使得不需要使用耗時(shí)且昂貴的自適應(yīng)性或特殊的操作設(shè)備。因而本發(fā)明的工藝比現(xiàn)有技術(shù)中的工藝實(shí)施起來更便宜。
在再次使用施體基材的殘余部分之前，可以在將要附著至操作基材的施體基材的殘余部分的表面上進(jìn)行額外的修整步驟。該修整例如可以通過拋光進(jìn)行。
在進(jìn)行沉積步驟e)之前，步驟a)～d)優(yōu)選至少重復(fù)兩次，其中在重復(fù)的步驟a)中將施體基材的拆分殘余部分再次用作初始施體基材。由于較少的步驟對應(yīng)于更快的因而更便宜的制造方法，所以重復(fù)實(shí)施該工藝的沉積前的部分有助于進(jìn)一步優(yōu)化該工藝。
優(yōu)選地，重復(fù)步驟a)～d)直至初始施體基材達(dá)到預(yù)定的最小厚度。重復(fù)次數(shù)的上限可以由使基材的性質(zhì)，例如機(jī)械強(qiáng)度，開始下降時(shí)的施體基材的殘余部分的厚度決定，或者與需要特定最小厚度以便能夠適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能的操作設(shè)備的性質(zhì)有關(guān)。由于所述重復(fù)，因此可以進(jìn)一步優(yōu)化整個(gè)工藝，同時(shí)可以保持較高的化合物材料晶片的品質(zhì)和產(chǎn)率。
根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，步驟e)中的層可以均相外延地進(jìn)行沉積。本發(fā)明的方法對于通常是晶體材料的昂貴的施體基材特別有利。通過將施體基材均相外延地再生長至其初始厚度或超過其初始厚度，由于施體基材能夠再利用的次數(shù)超過了耗盡初始施體基材厚度所必需的次數(shù)，因而該工藝實(shí)際上變得與施體基材的可得性無關(guān)。在本文中，均相外延是指沉積層由與初始施體基材的材料相同的具有相同晶體學(xué)性質(zhì)的材料所構(gòu)成。
優(yōu)選地，在步驟e)中均相外延層可以由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法、混合氣相外延(HVPE)法或分子束外延(MBE)法提供，從而與初始施體基材中的位錯(cuò)密度相比，在均相外延層中實(shí)現(xiàn)改善的位錯(cuò)密度，特別是小于1×107/cm2的位錯(cuò)密度，尤其是小于1×106/cm2的位錯(cuò)密度。在生長過程中位錯(cuò)傾向于停留在特定水平，使得額外生長的材料呈現(xiàn)較低的位錯(cuò)密度。因而，施體基材的品質(zhì)變得更好，從而與由市售標(biāo)準(zhǔn)施體基材得到的轉(zhuǎn)移層相比，所述轉(zhuǎn)移層的品質(zhì)也變得更好。
優(yōu)選地，步驟e)包括在施體基材的殘余部分的與進(jìn)行拆分的表面?zhèn)认鄬Φ谋砻鎮(zhèn)壬咸峁┮粋€(gè)層。當(dāng)使用極性施體基材時(shí)，意味著該基材的兩個(gè)主要表面具有不同的性質(zhì)，通常的情況是外延生長可以在一個(gè)表面上被很好的控制，而對于另一表面卻不是如此。材料化合物晶片的轉(zhuǎn)移層的自由表面應(yīng)當(dāng)對應(yīng)于這樣的表面該表面的極性允許其它外延層的受控生長，因?yàn)樵谥圃煳㈦娮踊蚬怆娮釉倪M(jìn)一步的加工步驟中可能需要所述其他外延層。因此，附著在操作基材表面上的轉(zhuǎn)移層的表面將具有第二極性。所以進(jìn)行拆分的施體基材的殘余部分的表面具有無法良好控制外延生長的極性。因此附加層的沉積優(yōu)選在所述相對側(cè)進(jìn)行，從而可以在該相對側(cè)進(jìn)行受控的均相外延生長，使得沉積層的品質(zhì)良好。
優(yōu)選地，在實(shí)施步驟e)之前，進(jìn)行拆分的表面?zhèn)瓤梢跃哂斜Ｗo(hù)層，特別是使用氧化物和/或氮化物層來作為保護(hù)層。該保護(hù)層有利地可以保護(hù)施體基材的殘余部分免受諸如金屬或顆粒等的污染，特別是在晶片的相對側(cè)上沉積層過程中。這種保護(hù)可以改善或維持化合物材料晶片的品質(zhì)。
有利地，該方法可以包括在再次使用具有該層的施體基材作為初始施體基材之前，除去保護(hù)層的其它步驟。最終除去步驟可以伴有額外的拋光步驟或清潔步驟。因而，當(dāng)將施體基材的保護(hù)性表面?zhèn)雀街诓僮骰纳蠒r(shí)，再次使用的施體基材具有這樣的表面性質(zhì)，使得可以進(jìn)行粘合并且其中在進(jìn)行粘合處表面品質(zhì)很高。
有利地，將在步驟e)中設(shè)置該層的施體基材的殘余部分的表面?zhèn)瓤梢栽诔练e該層之前進(jìn)行拋光和/或清潔。這將改善沉積層的品質(zhì)，當(dāng)沉積層是均相外延層時(shí)這將特別有利，而在制造工藝的后面的階段中將其用作轉(zhuǎn)移層。
該方法對于選自氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、鍺(Ge)、氮化鋁(AlN)或金剛石中的一種的施體基材是特別有利的。這些基材在電子應(yīng)用中非常重要并且很難以合理的價(jià)格獲得良好的品質(zhì)。通過將上述方法用于該類材料，可以獲得比其自身的散裝材料更便宜的具有良好品質(zhì)的材料化合物晶片。
優(yōu)選地，所使用的操作基材是單晶材料或多晶材料，特別是選自砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)、碳化硅(SiC)或氮化鋁(AlN)中的一種。優(yōu)選使用具有與施體基材材料相似的熱膨脹系數(shù)的操作基材，以進(jìn)一步改善材料化合物晶片的品質(zhì)。為了進(jìn)一步降低成本，與單晶材料相比，使用多晶材料是有利的。在更常見的情況中，操作基材也可以由硅(Si)、玻璃或陶瓷材料形成。
根據(jù)另一形式，操作基材可以具有絕緣層，特別是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等絕緣層，或在將附著至施體基材的表面上具有傳導(dǎo)層。該附加層還增加了適用于微電子學(xué)或光電子學(xué)的各種應(yīng)用的不同化合物材料晶片的數(shù)量。
本發(fā)明還涉及至少包括根據(jù)上述方法制造的化合物材料晶片部件的電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)元件。


本發(fā)明的具體實(shí)施方式
將由下列參考附圖的詳細(xì)描述而更加清楚，其中圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式實(shí)施化合物材料晶片的制造方法的步驟的示意圖，圖2a和2b顯示了具有兩種不同類型沉積層的施體基材的示意圖，圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式實(shí)施化合物材料晶片的制造方法的步驟的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1和圖2的化合物材料晶片的新的制造方法的實(shí)施方式是基于SmartCut技術(shù)。然而，任何其它適于制造化合物材料晶片并包含預(yù)定分離區(qū)的工藝也是適用的。
圖1a圖解了初始施體基材1，類似于例如，具有預(yù)定尺寸、特別是由如碳化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、鍺(Ge)、氮化鋁(AlN)或金剛石構(gòu)成的晶片。這些材料在微電子學(xué)和光電子學(xué)應(yīng)用中非常重要，但是難于制造因而比較昂貴。這就是為什么根據(jù)本發(fā)明將初始施體基材1用于把該施體的薄層轉(zhuǎn)移至如圖1b所示的操作基材2上成為材料較便宜的晶片的原因。優(yōu)選操作基材2具有與初始施體基材1的材料相似的熱膨脹系數(shù)。在GaN的情況中，例如，合適的材料可以是砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)、碳化硅(SiC)或氮化鋁(AlN)。對于這些晶片，材料并不必須是單晶的，多晶型晶片也可以使用。
在另一變化形式中，在如圖1d所示的粘合步驟之前，可以將絕緣層，特別是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)絕緣層或傳導(dǎo)層設(shè)置在操作基材2的將與施體基材1進(jìn)行粘合的表面7上。
為了能夠?qū)⑹w基材1的層轉(zhuǎn)移至操作基材2上，必須在初始施體基材1內(nèi)制造預(yù)定的分離區(qū)。采用如圖1c所示的SmartCut技術(shù)，這是通過以預(yù)定劑量和能量注入原子物質(zhì)3(例如氫離子或其它惰性氣體)，使得由所注入的原子物質(zhì)3而在施體基材1中產(chǎn)生預(yù)定的分離區(qū)4而實(shí)現(xiàn)的。預(yù)定的分離區(qū)4基本上與施體基材1的主表面5平行。在該主表面5和預(yù)定分離區(qū)4之間，制造將在下列工序中轉(zhuǎn)移至操作基材2上的層6。
圖1d圖解了該工藝的下一個(gè)步驟，其中包括通過將施體基材1的主表面5粘合到操作基材的一個(gè)主表面7上，而將初始施體基材1附著到操作基材2上。在粘合之前，已經(jīng)這樣制備了待接觸的表面5和7使得它們可以彼此粘合。
然后將施體操作化合物8放入爐(未示出)中并進(jìn)行加熱以使預(yù)定分離區(qū)4脆化，這最終會(huì)導(dǎo)致施體基材1的殘余部分9從由操作基材2和轉(zhuǎn)移層6構(gòu)成的化合物材料晶片10上拆分。除了提供熱能之外，脆化和拆分也可以通過提供任何形式的其它能量，例如機(jī)械能或熱能和機(jī)械能的組合而進(jìn)行。
這兩個(gè)產(chǎn)物，化合物材料晶片10和初始基材的殘余部分9如圖1e和圖1f所示。在進(jìn)一步加工之前，材料化合物晶片10可以接受最終的表面處理，例如拋光和/或清潔。
對于圖1f，現(xiàn)在可以再次使用施體基材的殘余部分9(圖1f)作為初始施體基材1且該工藝可以以圖1a所示的步驟重新開始，或如下文進(jìn)一步所述進(jìn)行層的沉積。最終在再次使用之前，在進(jìn)行拆分的表面11可以通過，例如，在下列圖1c和圖1d所示的注入步驟和粘合步驟之前的拋光進(jìn)行修整。如果假設(shè)各層的轉(zhuǎn)移和修整會(huì)導(dǎo)致除去約5μm的厚度，并且從施體基材1的主體中除去約50μm會(huì)導(dǎo)致基材的脆化(即，達(dá)到無法保證適于應(yīng)用的轉(zhuǎn)移層6的品質(zhì)的程度)，施體基材的殘余部分9的重復(fù)再使用可以進(jìn)行數(shù)次，例如可達(dá)10次。
因而，當(dāng)達(dá)到了施體基材的殘余部分9的最小厚度或?yàn)榇_保工藝的良好機(jī)能而對于操作設(shè)備所必需的最小厚度時(shí)，該方法以圖1g所示的步驟進(jìn)行，即將層12沉積在施體基材的殘余部分9上。沉積層12的厚度13使得可以至少部分恢復(fù)初始施體基材1的厚度，以便該經(jīng)修整的施體基材14能夠如圖1a所示被再次用作初始施體基材1。
根據(jù)一種變化形式，如圖2a所示，沉積層12′由能夠快速沉積在與基材的殘余部分9的進(jìn)行拆分的表面11相對的表面?zhèn)?5上的材料構(gòu)成。因而，根據(jù)該變化形式，重點(diǎn)是能夠使施體基材的殘余部分9快速恢復(fù)至足以再次使用的厚度。因而，沉積層12′的材料并不是必須與初始施體基材9的材料相同。然而，如果選擇層12′的材料使其與施體基材9相同，則可以選擇生長條件以使生長速度得到最優(yōu)化。在該情況中附加層12′的晶體品質(zhì)可能不足以用作后面使用的轉(zhuǎn)移層6。在該情況中，一旦初始施體基材1被完全消耗，則工藝中需要引入新的施體基材晶片1。
根據(jù)如圖2b所示的變化形式，沉積層12″是由與施體基材的殘余部分9相同的材料構(gòu)成，此外，是均相外延生長的，從而層12″的晶體品質(zhì)至少可以與基材殘余部分9的晶體品質(zhì)相當(dāng)。層12″可以沉積在表面11上或表面15上。在該情況中，不需要在工藝中引入新的施體基材1，因?yàn)槌练e層12″稍后可以用作轉(zhuǎn)移層6。使用MOCVD、HVPE或MBE法，甚至可能獲得晶體品質(zhì)比施體基材1的初始品質(zhì)更好的層12″。特別是，當(dāng)初始施體基材的位錯(cuò)密度通常大于1×107/cm2時(shí)，可能會(huì)獲得小于該值的位錯(cuò)密度。
在圖2a的情況中，經(jīng)修整的施體基材14和操作基材2之間的附著將通過表面11進(jìn)行。在圖2b的情況中附著可以通過兩個(gè)表面進(jìn)行。
圖3圖解了本發(fā)明的制造方法的第二實(shí)施方式，其中如圖1g所示的步驟被由圖3a～3c所示的工序所代替。附圖標(biāo)記與圖1中所使用的附圖標(biāo)記相同的的部件和特征與圖1一致，因而不再詳細(xì)解釋，但它們的說明在此引入作為參考。
根據(jù)圖3a中所示的制造步驟，將保護(hù)層30沉積在進(jìn)行拆分的施體基材的殘余部分9的表面11之上，以保護(hù)表面11免受污染或機(jī)械損害。合適的保護(hù)材料包括二氧化氮或氮化硅(SiO2或Si3N4)。
圖3b中所示的步驟中，將層12沉積在施體基材的殘余部分9的相對表面?zhèn)?5上。該步驟與對第一實(shí)施方式的圖1g的描繪和敘述相同。
圖3c中所示的下列步驟包括除去保護(hù)層30。然后將包含施體基材的殘余部分9和沉積層12的經(jīng)修整的施體基材14再次用作初始施體基材1。最終保護(hù)層30的除去可以與表面11的額外的拋光步驟和/或清潔步驟一起進(jìn)行。
根據(jù)另一變化形式，在層12生長后，附加層16的表面16可以具有其它保護(hù)膜以在如圖1a～1f中所示的工序中保護(hù)經(jīng)修整的施體基材14的該表面。
下面，將用包含經(jīng)轉(zhuǎn)移的GaN層的化合物晶片的例子對本發(fā)明的制造方法的應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)描述。下文中不再進(jìn)行解釋的各種變化形式在任何時(shí)候都仍然適用，因而以參考的方式引入。
提供作為初始施體基材1的GaN晶片，提供作為操作基材的具有相同直徑的GaAs晶片作為操作基材2。
GaN晶片，在其六方晶系結(jié)構(gòu)中，具有極性的主表面，即一個(gè)表面存在Ga原子(下述的Ga表面)，而另一個(gè)表面存在N原子(下述的N表面)。為了轉(zhuǎn)移GaN層，通常需要將Ga表面作為自由表面，因而GaN晶片的N表面與操作基材2粘合。
在開始轉(zhuǎn)移過程之前，對GaN施體基材1的N表面進(jìn)行拋光以除去通常延伸超過2μm～4μm的缺陷層。這些缺陷層是由曾用于GaN晶片的初始形成的緩沖層產(chǎn)生的。這可以通過拋光來完成。然而其它GaN基材并不存在這些不便，如WO 03/017357中所披露的基材。
預(yù)定分離區(qū)4通過劑量約為1×1015at/cm2～1×1018at/cm2和能量約為20keV～200keV的H離子的離子注入而獲得(如圖1c中所示的工藝步驟)。采用5×1016at/cm2的劑量和60keV的能量，預(yù)定分離區(qū)的深度距表面約為幾百納米。在注入之前，可以沉積保護(hù)層(SiO2或Si3N4)以避免GaN層受污染和/或形成有助于粘合到操作基材2的層。
根據(jù)步驟1d，將GaN基材1與操作基材GaAs 2粘合。為了完成粘合，將要彼此接觸的代表N表面的表面5和表面7必須在原子尺度上是平整的。這可以通過對GaN基材的N表面進(jìn)行適當(dāng)?shù)膾伖鈦韺?shí)現(xiàn)，使得對于采用5μm×5μm的尺寸的掃描可以得到低于0.3nm RMS(均方根值)的粗糙度。
然后將施體操作化合物8放入爐中在約200℃～500℃的溫度下進(jìn)行約1小時(shí)～6小時(shí)的熱處理以弱化預(yù)定分離區(qū)直至發(fā)生拆分。另外，可以采用機(jī)械能，如引入葉片，或采用熱能和機(jī)械能的組合。
在由初始GaN施體基材1進(jìn)行例如2～5次轉(zhuǎn)移操作之后，將GaN施體基材的殘余部分9引入外延反應(yīng)器中，在此用MOCVD、HVPE或MBE法將GaN的層12以外延的形式沉積在Ga表面15上。生長溫度約為700℃～1100℃。取決于應(yīng)用，沉積層12可以另外進(jìn)行摻雜。沉積的總厚度可以高達(dá)幾百納米，理想地是選擇該厚度以恢復(fù)初始GaN施體基材1的初始厚度。取決于生長條件，可以獲得位錯(cuò)密度比起始基材更好或更差的GaN層。
取決于目前所需要的表面，當(dāng)然可以適當(dāng)?shù)靥峁?除去Ga表面或N表面的保護(hù)層。除了Ga表面的修整之外，可以用適當(dāng)?shù)腃MP和/或清潔步驟來進(jìn)行外延準(zhǔn)備步驟。
一旦沉積了GaN層12，則可以進(jìn)行重復(fù)上述步驟的SmartCut循環(huán)。
權(quán)利要求
1.一種化合物材料晶片的制造方法，該方法包括以下步驟a)提供初始施體基材(1)，b)在所述初始施體基材(1)內(nèi)形成預(yù)定的分離區(qū)(4)，c)將所述初始施體基材(1)附著在操作基材(2)上，和d)在所述預(yù)定分離區(qū)(4)對所述施體基材(1)進(jìn)行拆分，從而將所述初始施體基材(1)上的層(6)轉(zhuǎn)移至所述操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)，和其特征在于e)在拆分步驟之后將層(12)沉積在所述施體基材的殘余部分(9)上以至少部分地恢復(fù)所述初始施體基材(1)的厚度，和f)再次使用具有沉積層(12)的所述施體基材(1)作為步驟a)中的初始施體基材(1)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，該方法包括在實(shí)施步驟e)之前，步驟a)～d)至少重復(fù)兩次，其中在重復(fù)的步驟a)中將所述施體基材的拆分殘余部分再次用作初始施體基材(1)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中重復(fù)步驟a)～d)，直至所述初始施體基材(1)達(dá)到預(yù)定的最小厚度。
4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的方法，其中步驟e)中的層(12)以均相外延的方式沉積。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中在步驟e)中，均相外延層(12)由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法、混合氣相外延法或分子束外延法提供，從而與初始施體基材(1)中的位錯(cuò)密度相比，在所述均相外延層中實(shí)現(xiàn)改善的位錯(cuò)密度，特別是小于1×107/cm2的位錯(cuò)密度，尤其是小于1×106/cm2的位錯(cuò)密度。
6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的方法，其中步驟e)包括在所述施體基材的殘余部分(9)的與進(jìn)行拆分的表面?zhèn)?11)相對的表面?zhèn)?15)上提供層(12)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中包括在步驟e)之前在進(jìn)行拆分的表面?zhèn)?11)上提供保護(hù)層(30)的步驟，特別是用氧化物層和/或氮化物層提供保護(hù)層(30)的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中還包括在再次使用具有層(12)的施體基材(1)作為初始施體基材(1)之前除去所述保護(hù)層(30)的步驟。
9.如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的方法，其中還包括對將在步驟e)中設(shè)置所述層的施體基材的殘余部分(9)的表面?zhèn)?11，15)進(jìn)行拋光和/或清潔的步驟。
10.如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的方法，其中所述施體基材(1)是選自GaN、SiC、Ge、AlN或金剛石中的一種。
11.如權(quán)利要求1～10任一項(xiàng)所述的方法，其中所述操作基材(2)是單晶材料或多晶材料，特別是選自Si、GaAs、ZnO、SiC、AlN中的一種。
12.如權(quán)利要求1～10任一項(xiàng)所述的方法，其中所述操作基材(2)是玻璃材料或陶瓷材料。
13.如權(quán)利要求1～12任一項(xiàng)所述的方法，其中還包括在步驟c)之前在將附著至所述施體基材(1)的所述操作基材(2)的表面(7)上提供絕緣層，特別是SiO2或Si3N4絕緣層，或傳導(dǎo)層的步驟。
14.至少包含根據(jù)權(quán)利要求1～13任一項(xiàng)的方法制造的化合物材料晶片部件的電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括以下步驟的化合物材料晶片的制造方法提供初始施體基材(1)，在初始施體基材(1)內(nèi)形成預(yù)定的分離區(qū)(4)，將初始施體基材(1)附著在操作基材(2)上，和在預(yù)定的分離區(qū)(4)對施體基材(1)進(jìn)行拆分，從而將施體基材(1)的層(6)轉(zhuǎn)移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。為改善該方法的成本效率，該方法還包括在拆分步驟之后將層(12)沉積在施體基材的殘余部分(9)上以至少部分地恢復(fù)所述初始施體基材(1)的厚度和再次使用具有沉積層(12)的施體基材(1)作為步驟a)中的初始施體基材(1)。本發(fā)明還涉及至少包括根據(jù)所述方法制造的化合物材料晶片部件的電子學(xué)、光電子學(xué)或光學(xué)元件。
文檔編號H01L21/20GK1790620SQ200510115630
公開日2006年6月21日 申請日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月9日
發(fā)明者弗雷德里克·杜蓬 申請人:硅絕緣體技術(shù)有限公司