專(zhuān)利名稱(chēng)：電子元件和電子電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件(electric element)和電子電路(electronic circuit)，特別是涉及具有在寬頻帶中高頻特性優(yōu)越的噪聲濾波器功能的電子元件和電子電路。
背景技術(shù)：
最近，LSI(Large Scale Integrated Circuit(大規(guī)模集成電路))等的數(shù)字電路技術(shù)，不僅在計(jì)算機(jī)和通信關(guān)聯(lián)設(shè)備中而且也在家庭電子制品和車(chē)載用設(shè)備中使用。
而且，在LSI等中發(fā)生的高頻電流，不限于LSI近旁，而擴(kuò)大到印刷電路基板等的安裝電路基板內(nèi)的廣大范圍中，在信號(hào)配線和接地配線中發(fā)生感應(yīng)耦合，作為電磁波從信號(hào)電纜等泄漏出來(lái)。
在將已有的模擬電路的一部分置換成數(shù)字電路的電路和混載具有模擬輸入輸出的數(shù)字電路等的模擬電路和數(shù)字電路的電路中，從數(shù)字電路到模擬電路的電磁干涉正在成為一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題。
作為它的對(duì)策，使作為高頻電流的發(fā)生源的LSI與供給電源系統(tǒng)高頻分離，即，電源去耦方法是有效的。而且，作為用該電源去耦方法的噪聲濾波器，傳輸線路型噪聲濾波器是眾所周知的(日本特開(kāi)2004-80773號(hào)專(zhuān)利公報(bào))。
該傳輸線路型噪聲濾波器備有第1和第2導(dǎo)電體、電介質(zhì)層、第1和第2陽(yáng)極。而且，各個(gè)第1和第2導(dǎo)電體形成板狀形狀，將電介質(zhì)層配置在第1和第2導(dǎo)電體之間。
第1陽(yáng)極與在第1導(dǎo)電體的長(zhǎng)度方向中的一端連接，第2陽(yáng)極與在第1導(dǎo)電體的長(zhǎng)度方向中的另一端連接。第2導(dǎo)電體作為用于與基準(zhǔn)電位連接的陰極起作用。另外，第1導(dǎo)電體、電介質(zhì)層和第2導(dǎo)電體構(gòu)成電容器。進(jìn)一步，以實(shí)質(zhì)上抑制由在第1導(dǎo)電體中流動(dòng)的電流的直流成分產(chǎn)生溫度上升的方式，設(shè)定第1導(dǎo)電體的厚度。
而且，將傳輸線路型噪聲濾波器連接在直流電源和LSI之間，使來(lái)自直流電源的直流電流經(jīng)過(guò)由第1陽(yáng)極、第1導(dǎo)電體和第2陽(yáng)極構(gòu)成的路徑流到LSI，并且使在LSI中發(fā)生的交流電流衰減。
這樣，傳輸線路型噪聲濾波器是具有電容器的結(jié)構(gòu)，將構(gòu)成電容器的兩個(gè)電極的第1和第2導(dǎo)電體用作傳輸線路的噪聲濾波器。
但是，傳輸線路型噪聲濾波器，具有由(電感/電容)1/2表示的阻抗，不采用減少電感的機(jī)構(gòu)。另外，阻抗隨著頻率升高，從電容支配區(qū)域移動(dòng)到電感支配區(qū)域。結(jié)果，在已有的傳輸線路型噪聲濾波器中，存在著傳輸線路型噪聲濾波器不能夠?qū)崿F(xiàn)比由原來(lái)具有的電感決定的阻抗低的阻抗那樣的問(wèn)題。
此外，當(dāng)通過(guò)使已有的傳輸線路型噪聲濾波器連接在電源和CPU(Central Processing Unit(中央處理器))等的在給定頻率上工作的電負(fù)載電路之間，將傳輸線路型噪聲濾波器用作去耦電路時(shí)，存在著將電負(fù)載電路產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流充分限制(confine，閉じ込める)在電負(fù)載電路近旁是困難的問(wèn)題。即，存在著無(wú)用高頻電流泄漏到其它電路的問(wèn)題。
進(jìn)一步，存在著與電負(fù)載電路的急速起動(dòng)相應(yīng)地，將電源電流急速地供給電負(fù)載電路是困難的那樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明就是為了解決這種問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供通過(guò)減少電感可以減少阻抗的電子元件。
此外，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供可以抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)的電子電路。
進(jìn)一步，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供可以抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)，并且可以實(shí)現(xiàn)電負(fù)載電路急速起動(dòng)的電子電路。
如果根據(jù)本發(fā)明，電子元件配置在電源和通過(guò)來(lái)自上述電源的電流進(jìn)行工作的電負(fù)載電路之間，備有第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層。第1導(dǎo)體層是用于第1電流從電源側(cè)流到電負(fù)載電路側(cè)的導(dǎo)體。第2導(dǎo)體層是用于作為第1電流的返回電流的第2電流從電負(fù)載電路側(cè)流到電源側(cè)的導(dǎo)體。而且，當(dāng)?shù)?和第2電流分別流過(guò)第1和第2導(dǎo)體時(shí)，第1導(dǎo)體具有比自感小的電感。
最好，第1導(dǎo)體由每一個(gè)具有平板形狀的n(n為正整數(shù))個(gè)第1導(dǎo)體層構(gòu)成，第2導(dǎo)體由每一個(gè)具有平板形狀，并且與第1導(dǎo)體層對(duì)置地配置的m(m為正整數(shù))個(gè)第2導(dǎo)體層構(gòu)成。將n個(gè)第1導(dǎo)體層和m個(gè)第2導(dǎo)體層交互地層疊在一起。
最好，電子元件還備有電介質(zhì)。電介質(zhì)層配置在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層之間。n個(gè)第1導(dǎo)體層中的每一個(gè)，流過(guò)構(gòu)成電源電流的第1電流，由與接地電位連接的兩個(gè)第2導(dǎo)體層夾著。
最好，第1電流沿與第2電流相反的方向流動(dòng)。
最好，在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的重疊部分中，當(dāng)令在與第1和第2電流流動(dòng)的方向垂直的方向中的第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為W，在第1和第2電流流動(dòng)的方向中的第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)時(shí)，W≥L成立。
最好，電子元件還備有第1到第4電極。第1電極，在第1電流流過(guò)第1導(dǎo)體層的第1方向中，與n個(gè)第1導(dǎo)體層的一端電連接。第2電極，在第1方向中，與n個(gè)第1導(dǎo)體層的另一端電連接。第3電極，在第2電流流過(guò)第2導(dǎo)體層的第2方向中，與m個(gè)第2導(dǎo)體層的一端電連接。第4電極，在第2方向中，與m個(gè)第2導(dǎo)體層的另一端電連接。
此外，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子元件是具有大致長(zhǎng)方體狀的外形的電子元件，備有多個(gè)第1導(dǎo)體層、多個(gè)第2導(dǎo)體層、多個(gè)電介質(zhì)、和第1到第4電極。多個(gè)第1導(dǎo)體層沿與長(zhǎng)方體狀的底面大致平行的面配置。多個(gè)第2導(dǎo)體層沿與長(zhǎng)方體狀的底面大致平行的面配置。多個(gè)電介質(zhì)，各個(gè)配置在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層之間。第1電極與多個(gè)第1導(dǎo)體層的一端連接。第2電極與多個(gè)第1導(dǎo)體層的另一端連接。第3電極與多個(gè)第2導(dǎo)體層的一端側(cè)連接。第4電極與多個(gè)第2導(dǎo)體層的另一端側(cè)連接。
最好，第1導(dǎo)體層，在從與長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有比第2導(dǎo)體層的尺寸大的尺寸，第2導(dǎo)體層，在從與長(zhǎng)方體的底面、第1側(cè)面和第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有比第1導(dǎo)體層的尺寸大的尺寸。
最好，第1導(dǎo)體層，在從與長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有比第2導(dǎo)體層的尺寸大的尺寸，在從與長(zhǎng)方體的上述底面、第1側(cè)面以及第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有與第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，第2導(dǎo)體層具有與第3和第4電極連接的突出部分。
最好，第1電極在第1側(cè)面上與多個(gè)第1導(dǎo)體層連接，第2電極在第2側(cè)面上與多個(gè)第1導(dǎo)體層連接，第3電極，在第3和第4側(cè)面上，相比第1側(cè)面和第2側(cè)面的中點(diǎn)靠近第1側(cè)面?zhèn)扰c多個(gè)第2導(dǎo)體層連接，第4電極，在第3和第4側(cè)面上，相比中點(diǎn)靠近第2側(cè)面?zhèn)扰c多個(gè)第2導(dǎo)體層連接。
最好，第1導(dǎo)體層，在從與長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有與第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，在從與長(zhǎng)方體的底面、第1側(cè)面和第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有與第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，具有分別向第1和第2側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第2突出部分，第2導(dǎo)體層具有分別向第1和第2側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第4突出部分。
最好，第1電極，在第1側(cè)面上與多個(gè)第1導(dǎo)體層的第1突出部分連接，第2電極，在第2側(cè)面上與多個(gè)第1導(dǎo)體層的第2突出部分連接，第3電極，在第1側(cè)面上與多個(gè)第2導(dǎo)體層的第3突出部分連接，第4電極，在第2側(cè)面上與多個(gè)第2導(dǎo)體層的第4突出部分連接。
最好，第1突出部分，在第2方向中相比第3側(cè)面和第4側(cè)面的中點(diǎn)靠近第3側(cè)面?zhèn)扰渲?，?突出部分，在第2方向中相比中點(diǎn)靠近第4側(cè)面?zhèn)扰渲茫?突出部分，在第2方向中相比中點(diǎn)靠近第4側(cè)面?zhèn)扰渲茫?突出部分，在第2方向中相比中點(diǎn)靠近第3側(cè)面?zhèn)扰渲谩?br> 最好，第1導(dǎo)體層，在從與長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有與第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，在從與長(zhǎng)方體的底面、第1側(cè)面和第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有與第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，具有分別向第3側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第2突出部分，第2導(dǎo)體層具有向第4側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第4突出部分。
最好，第1電極在第3側(cè)面上與多個(gè)第1導(dǎo)體層的第1突出部分連接，第2電極在第3側(cè)面上與多個(gè)第1導(dǎo)體層的第2突出部分連接，第3電極在第4側(cè)面上與多個(gè)第2導(dǎo)體層的第3突出部分連接，第4電極在第4側(cè)面上與多個(gè)第2導(dǎo)體層的第4突出部分連接。
最好，在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的重疊部分中，當(dāng)令在第1方向中的第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為W，在第2方向中的第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)時(shí)，W≥L成立。
最好，在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層的重疊部分中，當(dāng)令在第1方向中的第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為W，在第2方向中的第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)時(shí)，L＞W(wǎng)成立。
最好，第1和第2導(dǎo)體層由將鎳作為主成分的金屬材料構(gòu)成，電介質(zhì)由將BaTiO3作為主成分的陶瓷材料構(gòu)成。
進(jìn)一步，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子電路在電源和電負(fù)載之間備有根據(jù)發(fā)明1到發(fā)明19中任一項(xiàng)所述的電子元件，多個(gè)第1導(dǎo)體層構(gòu)成從電源側(cè)流到負(fù)載側(cè)的第1電流通路，多個(gè)第2導(dǎo)體層構(gòu)成作為第1電流的返回電流的第2電流的通路。
進(jìn)一步，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子電路備有與電源連接的電子元件、和連接在電子元件和電負(fù)載之間的電容器。而且，電子元件由根據(jù)發(fā)明6到發(fā)明18中任一項(xiàng)所述的電子元件構(gòu)成。
最好，電子元件的第1電極與電源的正極連接。電子元件的第2電極與電容器的陽(yáng)極連接。電子元件的第3電極與電容器的陰極連接。電子元件的第4電極與電源的負(fù)極連接。電容器的陽(yáng)極與電負(fù)載的正極連接。電容器的陰極與電子元件的負(fù)極連接。
進(jìn)一步，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子電路備有具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀，與電源連接的第1電子元件、和具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀，與第1電子元件和電負(fù)載連接的第2電子元件，在長(zhǎng)方形的橫方向中的第1電子元件的第1尺寸比在長(zhǎng)方形的縱方向中的第1電子元件的第2尺寸大，在長(zhǎng)方形的橫方向中的第2電子元件的第3尺寸比在長(zhǎng)方形的縱方向中的第2電子元件的第4尺寸小。
在本發(fā)明中，當(dāng)?shù)?和第2電流分別流過(guò)第1和第2導(dǎo)體時(shí)，第1導(dǎo)體，由于第1導(dǎo)體和第2導(dǎo)體之間的互感，具有比自感小的電感。這樣一來(lái)，電子元件，通過(guò)減少第1導(dǎo)體之間的電感，降低阻抗。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠通過(guò)減少電感，降低阻抗。
此外，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子元件備有多個(gè)第1導(dǎo)體層、多個(gè)第2導(dǎo)體層、多個(gè)電介質(zhì)和第1到第4電極。而且，將多個(gè)電介質(zhì)中的各個(gè)配置在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層之間。此外，第1和第2電極與多個(gè)第1導(dǎo)體層的兩端連接，第3和第4電極與多個(gè)第2導(dǎo)體層的兩端連接。結(jié)果，電流以第1電極、多個(gè)第1導(dǎo)體層和第2電極的順序流動(dòng)，該電流的返回電流以第4電極、多個(gè)第2導(dǎo)體層和第3電極的順序流動(dòng)。即，在第1導(dǎo)體層和第2導(dǎo)體層中，流動(dòng)著方向相互相反的電流。結(jié)果，由于與第2導(dǎo)體層之間的互感，第1導(dǎo)體層的電感比自感小。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)減少電感，能夠降低阻抗。
進(jìn)一步，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子電路備有配置在電源和電負(fù)載之間的電子元件。而且，電子元件將在電負(fù)載中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在由電負(fù)載和電子元件構(gòu)成的電路中。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)。
進(jìn)一步，如果根據(jù)本發(fā)明，則電子電路備有與電源連接的電子元件和連接在電子元件和電負(fù)載之間的電容器。而且，電子電路，積蓄從電源供給的電源電流，將該積蓄的電源電流供給電負(fù)載，并且將在電負(fù)載中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在由電負(fù)載和電子元件構(gòu)成的電路中。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)，并且能夠?qū)㈦娫措娏骷彼俚毓┙o電負(fù)載電路。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電子元件的結(jié)構(gòu)的概略2是用于說(shuō)明圖1所示的電介質(zhì)層和導(dǎo)體板的尺寸的3是鄰接的兩個(gè)導(dǎo)體板的平面4A和圖4B是圖1所示的電子元件的剖面5A～5C是用于說(shuō)明圖1所示的電子元件的制造方法的第1步驟圖。
圖6A和圖6B是用于說(shuō)明圖1所示的電子元件的制造方法的第2工程圖。
圖7是用于說(shuō)明圖1所示的電子元件的功能的立體圖。
圖8是用于說(shuō)明由流過(guò)導(dǎo)線的電流生成的磁通量密度的圖。
圖9是用于說(shuō)明當(dāng)在兩條導(dǎo)線間發(fā)生磁干涉時(shí)的有效電感的圖。
圖10是表示根據(jù)實(shí)施方式1的其它電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖11是表示圖1所示的電子元件的使用狀態(tài)的概念圖。
圖12是表示圖1所示的電子元件的衰減量特性的頻率依賴性的圖。
圖13是表示圖1所示的電子元件的阻抗的頻率依賴性的圖。
圖14是表示圖1所示的電子元件的阻抗的頻率依賴性的另一個(gè)圖。
圖15是表示圖1所示的電子元件的阻抗的頻率依賴性的又一個(gè)圖。
圖16是表示圖1所示的電子元件的阻抗的頻率依賴性的又一個(gè)圖。
圖17是表示根據(jù)實(shí)施方式2的電子元件的構(gòu)成的概略圖。
圖18A～18E是圖17所示的電介質(zhì)層和導(dǎo)體板的平面圖和電子元件的仰視圖。
圖19是表示根據(jù)實(shí)施方式3的電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖20A～20E是圖19所示的電介質(zhì)層和導(dǎo)體板的平面圖和電子元件的仰視圖。
圖21是表示根據(jù)實(shí)施方式4的電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖22A～22E是圖21所示的電介質(zhì)層和導(dǎo)體板的平面圖和電子元件的仰視圖。
圖23是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第1變形例的概略圖。
圖24是圖23所示的電子元件的平面圖。
圖25是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第2變形例的概略圖。
圖26A和圖26B是圖25所示的電子元件的側(cè)面圖。
圖27是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第3變形例的概略圖。
圖28A和圖28B是圖27所示的電子元件的平面圖和側(cè)面圖。
圖29是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第4變形例的概略圖。
圖30是從圖29所示的C方向看的電子元件的平面圖。
圖31是表示根據(jù)實(shí)施方式5的電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖32是表示根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖33是表示圖32所示的電子元件的使用狀態(tài)的概念圖。
圖34是表示圖32所示的電容器的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖35是表示根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路的結(jié)構(gòu)的其它概略圖。
圖36是圖35所示的電子元件和電容器的剖面圖。
圖37是表示根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路的具體情況的立體圖。
圖38是從圖37所示的A方向看的電子電路的平面圖。
圖39是從圖37所示的B方向看的電子電路的平面圖。
圖40是從圖37所示的C方向看的電子電路的平面圖。
圖41是圖37所示的直線XXXXI-XXXXI中的電子電路的剖面圖。
圖42是表示根據(jù)實(shí)施方式7的電子電路的構(gòu)成的概略圖。
圖43是圖42所示的電子元件的仰視圖。
圖44是配置了圖42所示的電子電路的基板的平面圖。
圖45是表示根據(jù)實(shí)施方式7的其它電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖46是圖45所示的兩個(gè)電子元件的平面圖。
圖47是從圖45所示的A方向看的電子電路的側(cè)面圖。
圖48是圖45所示的電子電路的仰視圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖并對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠稚细郊酉嗤臉?biāo)號(hào)，不重復(fù)它們的說(shuō)明。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電子元件的構(gòu)成的概略圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電子元件100，具有大致長(zhǎng)方體狀的外形，備有電介質(zhì)層1～5、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)面(side)陽(yáng)極電極10A、10B、陽(yáng)極電極10C、10D、側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F。
電介質(zhì)層1～5依次被層疊。各個(gè)導(dǎo)體板11、12、21～23形成平面形狀。而且，將導(dǎo)體板21配置在電介質(zhì)層1、2之間，將導(dǎo)體板11配置在電介質(zhì)層2、3之間。將導(dǎo)體板22配置在電介質(zhì)層3、4之間，將導(dǎo)體板12配置在電介質(zhì)層4、5之間，將導(dǎo)體板23配置在電介質(zhì)層5的一個(gè)主面5A上。結(jié)果，電介質(zhì)層1～5，分別支撐導(dǎo)體板21、11、22、12、23。此外，多個(gè)導(dǎo)體板11、12、21～23沿與長(zhǎng)方體的底面(＝底面100C)大致平行的面配置。
側(cè)面陽(yáng)極電極10A，與導(dǎo)體板11、12的一端連接，形成在電子元件100的側(cè)面100A(由電介質(zhì)層1～4的側(cè)面構(gòu)成的側(cè)面)上。側(cè)面陽(yáng)極電極10B，與導(dǎo)體板11、12的另一端連接，形成在與電子元件100的側(cè)面100A對(duì)置的側(cè)面100B(由電介質(zhì)層1～4的側(cè)面構(gòu)成的側(cè)面)上。結(jié)果，側(cè)面陽(yáng)極電極10B與側(cè)面陽(yáng)極電極10A對(duì)置地配置。
陽(yáng)極電極10C，配置在電子元件100的底面100C上，與側(cè)面陽(yáng)極電極10A連接。陽(yáng)極電極10D，配置在電子元件100的底面100C上，與側(cè)面陽(yáng)極電極10B連接。
側(cè)面陰極電極20A，在導(dǎo)體板21～23的一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，配置在電子元件100的正面100D上。側(cè)面陰極電極20B，在導(dǎo)體板21～23的一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，配置在與電子元件100的正面100D對(duì)置的里面100E上。因此，側(cè)面陰極電極20B與側(cè)面陰極電極20A對(duì)置地配置。
側(cè)面陰極電極20C，在導(dǎo)體板21～23的另一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，配置在電子元件100的正面100D上。側(cè)面陰極電極20D，在導(dǎo)體板21～23的另一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，配置在與電子元件100的正面100D對(duì)置的里面100E上。因此，側(cè)面陰極電極20D與側(cè)面陰極電極20C對(duì)置地配置。
陰極電極20E與側(cè)面陰極電極20A、20B連接，配置在電子元件100的底面100C上。陰極電極20F與側(cè)面陰極電極20C、20D連接，配置在電子元件100的底面100C上。
這樣，電子元件100形成導(dǎo)體板11、12、21～23夾著電介質(zhì)層1～5交互地配置的構(gòu)造，具有兩個(gè)陽(yáng)極電極10C、10D和兩個(gè)陰極電極20E、20F。
各個(gè)電介質(zhì)層1～5，例如，由鈦酸鋇(BaTiO3)構(gòu)成，各個(gè)側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B、陽(yáng)極電極10C、10D、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F，例如，由鎳(Ni)構(gòu)成。
圖2是用于說(shuō)明圖1所示的電介質(zhì)層1、2和導(dǎo)體板11、21的尺寸的圖。參照?qǐng)D2，各個(gè)電介質(zhì)層1、2在電流流過(guò)導(dǎo)體板11、21的方向DR1上具有長(zhǎng)度L1，在與方向DR1正交的方向DR2上具有寬度W1，另外具有厚度D1。例如，將長(zhǎng)度L1設(shè)定為15mm，例如，將寬度W1設(shè)定為13mm，例如，將厚度D1設(shè)定為25μm。
導(dǎo)體板11具有長(zhǎng)度L1和寬度W2。而且，例如，將寬度W2設(shè)定為11mm。此外，導(dǎo)體板21具有長(zhǎng)度L2和寬度W1。而且，例如，將長(zhǎng)度L2設(shè)定為13mm。進(jìn)一步，例如，各個(gè)導(dǎo)體板11、21具有10μm～20μm范圍的膜厚。
各個(gè)電介質(zhì)層3～5具有與圖2所示的電介質(zhì)層1、2相同的長(zhǎng)度L1、相同的寬度W1和相同的厚度D1。此外，導(dǎo)體板12具有與圖2所示的導(dǎo)體板11相同的長(zhǎng)度L1、相同的寬度W2和相同的厚度，各個(gè)導(dǎo)體板22、23具有與圖2所示的導(dǎo)體板21相同的長(zhǎng)度L2、相同的寬度W1和相同的厚度。
這樣，電介質(zhì)層1～5和導(dǎo)體板11、12、21～23具有形成大致長(zhǎng)方形的平面形狀。而且，導(dǎo)體板11、12具有與導(dǎo)體板21～23不同的長(zhǎng)度和不同的寬度。這是為了防止與導(dǎo)體板11、12連接的側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B和與導(dǎo)體板21～23連接的側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D短路。
圖3是鄰接的兩個(gè)導(dǎo)體板的平面圖。參照?qǐng)D3，將導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21投影到1個(gè)平面上，導(dǎo)體板11和21具有重復(fù)部分20。而且，導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21的重復(fù)部分20具有長(zhǎng)度L2和寬度W2。導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板22的重復(fù)部分、導(dǎo)體板12和導(dǎo)體板22的重復(fù)部分和導(dǎo)體板12和導(dǎo)體板23的重復(fù)部分也具有與重復(fù)部分20相同的長(zhǎng)度L2和相同的寬度W2。而且，在本發(fā)明中，當(dāng)電子元件100主要作為噪聲濾波器起作用時(shí)，以L2＞W(wǎng)2的方式，設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2，當(dāng)電子元件100主要作為電容器起作用時(shí)，以W2≥L2的方式，設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2。
圖4A和圖4B是圖1所示的電子元件100的剖面圖。圖4A表示在圖1所示的直線IVA-IVA之間的電子元件100的剖面圖，圖4B表示在圖1所示的直線IVB-IVB之間的電子元件100的剖面圖，參照?qǐng)D4A，導(dǎo)體板21與電介質(zhì)層1、2雙方相接，導(dǎo)體板11與電介質(zhì)層2、3雙方相接。此外，導(dǎo)體板22與電介質(zhì)層3、4雙方相接，導(dǎo)體板12與電介質(zhì)層4、5雙方相接。進(jìn)一步，導(dǎo)體板23與電介質(zhì)層5相接。
側(cè)面陰極電極20C、20D，不與導(dǎo)體板11、12連接，而與導(dǎo)體板21～23連接。此外，將陰極電極20F配置在電介質(zhì)層1的里面1A上，與側(cè)面陰極電極20C、20D連接。
參照?qǐng)D4B，側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B，不與導(dǎo)體板21～23連接，而與導(dǎo)體板11、12連接。此外，將陽(yáng)極電極10C、10D配置在電介質(zhì)層1的里面1A上，分別與側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B連接。
結(jié)果，導(dǎo)體板21/電介質(zhì)層2/導(dǎo)體板11、導(dǎo)體板11/電介質(zhì)層3/導(dǎo)體板22、導(dǎo)體板22/電介質(zhì)層4/導(dǎo)體板12和導(dǎo)體板12/電介質(zhì)層5/導(dǎo)體板23構(gòu)成并聯(lián)連接在陽(yáng)極電極10C、10D和陰極電極20E、20F之間的4個(gè)電容器。
這時(shí)，各電容器的電極面積與鄰接的兩個(gè)導(dǎo)體板的重復(fù)部分20(請(qǐng)參照?qǐng)D3)的面積相等。
這樣，電子元件100備有沿大致長(zhǎng)方體的底面100C配置的多個(gè)導(dǎo)體板11、12、沿大致長(zhǎng)方體的底面100C配置的多個(gè)導(dǎo)體板21～23、各個(gè)配置在與導(dǎo)體板11或12和導(dǎo)體板21～23中的某一個(gè)之間的多個(gè)電介質(zhì)層1～5、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12的一端連接的側(cè)面陽(yáng)極電極10A和陽(yáng)極電極10C、與導(dǎo)體板11、12的另一端連接的側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D、與多個(gè)導(dǎo)體板21～23的一端連接的側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E、與多個(gè)導(dǎo)體板21～23的另一端連接的側(cè)面陰極電極20C、20D和陰極電極20F。而且，側(cè)面陽(yáng)極電極10A在側(cè)面100A上與多個(gè)導(dǎo)體板11、12連接，側(cè)面陽(yáng)極電極10B在與側(cè)面100A對(duì)置的側(cè)面100B上與多個(gè)導(dǎo)體板11、12連接。此外，側(cè)面陰極電極20A在與側(cè)面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D上與多個(gè)導(dǎo)體板21～23連接，側(cè)面陰極電極20C在與側(cè)面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D對(duì)置的里面100E上與多個(gè)導(dǎo)體板21～23連接，側(cè)面陰極電極20C在與側(cè)面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D上與多個(gè)導(dǎo)體板21～23連接，側(cè)面陰極電極20D在與側(cè)面100A、100B和底面100C大致垂直的正面100D對(duì)置的里面100E上與多個(gè)導(dǎo)體板21～23連接。
此外，在電子元件100中，側(cè)面陽(yáng)極電極10A和陽(yáng)極電極10C構(gòu)成“第1電極”，側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D構(gòu)成“第2電極”，側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E構(gòu)成“第3電極”，側(cè)面陰極電極20C、20D和陰極電極20F構(gòu)成“第4電極”。
圖5A～5C和圖6A、6B分別是用于說(shuō)明圖1所示的電子元件100的制造方法的第1和第2步驟圖。參照?qǐng)D5A～5C，在形成具有長(zhǎng)度L1、寬度W1和厚度D1的電介質(zhì)層1(BaTiO3)的印刷電路基板(green sheet)的表面1B上，通過(guò)網(wǎng)印在具有長(zhǎng)度L2和寬度W1的區(qū)域中涂敷Ni涂漿，在電介質(zhì)層1的表面1B上形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板21。
同樣，制作由BaTiO3構(gòu)成的電介質(zhì)層3、5，在該制作成的電介質(zhì)層3、5上分別形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板22、23(參照?qǐng)D5A)。
接著，在形成具有長(zhǎng)度L1、寬度W1和厚度D1的電介質(zhì)層2(BaTiO3)的印刷電路基板的表面2A上，通過(guò)網(wǎng)印在具有長(zhǎng)度L1和寬度W2的區(qū)域中涂敷Ni涂漿，在電介質(zhì)層2的表面2A上，形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板11。
同樣，制作由BaTiO3構(gòu)成的電介質(zhì)層4，在該制作成的電介質(zhì)層4上形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板12(請(qǐng)參照?qǐng)D5B)。
此后，依次地層疊分別形成了導(dǎo)體板21、11、22、12、23的電介質(zhì)層1～5的印刷電路基板(請(qǐng)參照?qǐng)D5C)。因此，交互地層疊與陽(yáng)極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23。
進(jìn)一步，通過(guò)網(wǎng)印將Ni涂漿涂敷在側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B、陽(yáng)極電極10C、10D、側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F上(請(qǐng)參照?qǐng)D6A、6B)。此后，在1350℃的燒結(jié)溫度中燒結(jié)用直到圖6B的步驟制作的元件，完成電子元件100。或者，也可以通過(guò)后焙燒，將熔點(diǎn)比內(nèi)部電極(導(dǎo)體板11、12、21～23)低，電導(dǎo)率比內(nèi)部電極高的材料用于側(cè)面電極(外部電極)。此外，關(guān)于側(cè)面電極(外部電極)，要考慮焊料濕潤(rùn)性等，需要時(shí)在燒結(jié)后用Ni、Au、Su等進(jìn)行電鍍處理。
此外，在電子元件100的制作中，也存在著通過(guò)不使用印刷電路基板，印刷電介質(zhì)涂漿使之干燥，在其上印刷導(dǎo)體，進(jìn)一步，印刷電介質(zhì)涂漿，進(jìn)行相同的步驟，實(shí)施層疊的方法。
圖7是用于說(shuō)明圖1所示的電子元件100的功能的立體圖。參照?qǐng)D7，當(dāng)在電子元件100中流過(guò)直流電流時(shí)，使陰極電極20E、20F與接地電位連接，以流過(guò)導(dǎo)體板11、12的直流電流與流過(guò)導(dǎo)體板21～23的直流電流方向相反的方式，使直流電流流過(guò)電子元件100。
例如，以直流電流從陽(yáng)極電極10C向陽(yáng)極電極10D的方向流動(dòng)的方式使直流電流流過(guò)電子元件100。通過(guò)這樣做，直流電流，從陽(yáng)極電極10C經(jīng)過(guò)側(cè)面陽(yáng)極電極10A流到導(dǎo)體板11、12，沿箭頭30的方向流過(guò)導(dǎo)體板11、12，進(jìn)一步，經(jīng)過(guò)側(cè)面陽(yáng)極電極10B流到陽(yáng)極電極10D。
此外，流過(guò)導(dǎo)體板11、12的電流的返回(return)電流，從陰極電極20F經(jīng)過(guò)側(cè)面陰極電極20C、20D流到導(dǎo)體板21～23，沿作為與箭頭30相反的方向的箭頭40的方向流過(guò)導(dǎo)體板21～23，進(jìn)一步，經(jīng)過(guò)側(cè)面陰極電極20A、20B流到陰極電極20E。
通過(guò)這樣做，流過(guò)導(dǎo)體板11、12的直流電流I1和流過(guò)導(dǎo)體板21～23的直流電流I2成為大小相等，方向相反的電流。
圖8是用于說(shuō)明由流過(guò)導(dǎo)線的電流生成的磁通量密度的圖。此外，圖9是用于說(shuō)明當(dāng)在兩條導(dǎo)線間發(fā)生磁干涉時(shí)的有效電感的圖。
參照?qǐng)D8，當(dāng)在無(wú)限長(zhǎng)的直線導(dǎo)線中流過(guò)電流I時(shí)，在處于離開(kāi)導(dǎo)線距離a的位置上的點(diǎn)P上生成的磁通量密度B由公式1表示。
B=μ0I2πr]]>其中，μ0是真空導(dǎo)磁率。
此外，當(dāng)圖8所示導(dǎo)線為兩根，發(fā)生相互磁干涉時(shí)，當(dāng)令兩根導(dǎo)線的自感分別為L(zhǎng)11，L22，耦合系數(shù)為k(0＜k＜1)，兩根導(dǎo)線的互感為L(zhǎng)12時(shí)，互感L12由下列公式2表示。
L12=k·L11·L22]]>這里，當(dāng)L11＝L22時(shí)，互感為L(zhǎng)12由下列公式3表示。
L12＝k·L11參照?qǐng)D9，由讀出線C將導(dǎo)線A和導(dǎo)線B連接起來(lái)，當(dāng)假定大小相等，方向相反的電流流過(guò)導(dǎo)線A、B時(shí)，導(dǎo)線A的有效電感L11effective由下列公式4表示。
L11effective＝L11-L12這樣，當(dāng)在兩根導(dǎo)線A、B之間發(fā)生磁干涉時(shí)，導(dǎo)線A的有效電感L11effective由于與導(dǎo)線B之間的互感L12，比導(dǎo)線A的自感L11小。這是因?yàn)榱鬟^(guò)導(dǎo)線A的電流I生成的磁通量φA的方向與流過(guò)導(dǎo)線B的電流-I生成的磁通量φB的方向相反，流過(guò)導(dǎo)線A的電流I生成的有效磁通量密度減小的緣故。
在電子元件100中，如上所述，因?yàn)閷?dǎo)體板11配置在從導(dǎo)體板21、22離開(kāi)5μm的位置上，將導(dǎo)體板12配置在從導(dǎo)體板22、23離開(kāi)25μm的位置上，所以在導(dǎo)體板11與導(dǎo)體板21、22之間和導(dǎo)體板12與導(dǎo)體板22、23之間發(fā)生磁干涉，因?yàn)榱鬟^(guò)導(dǎo)體板11、12的直流電流I1與流過(guò)導(dǎo)體板21～23的直流電流I2大小相等，方向相反，所以導(dǎo)體板11、12的有效電感，由于導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間的互感，而變得比導(dǎo)體板11、12的自感小。
結(jié)果，電子元件100中的全部有效電感L變小。
在電子元件100中，如上所述，因?yàn)樾纬刹⒙?lián)連接的4個(gè)電容器，所以，與形成1個(gè)電容器的情形比較，有效電容C增大。
所以，在電子元件100中，在電容支配的低頻區(qū)域中，由于有效電容C增大，電子元件100的阻抗下降，在電容支配的高頻區(qū)域中，由于有效電感L下降，阻抗下降。
結(jié)果，電子元件100，在寬廣的頻率區(qū)域中，具有相對(duì)低的阻抗。
圖10是表示根據(jù)實(shí)施方式1的其它電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。根據(jù)實(shí)施方式1的電子元件也可以是圖10所示的電子元件101。參照?qǐng)D10，電子元件101，除去圖1所示的電子元件100的導(dǎo)體板23，用陽(yáng)極電極120代替?zhèn)让骊?yáng)極電極10A和陽(yáng)極電極10C，用陽(yáng)極電極130代替?zhèn)让骊?yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D，其它與電子元件100相同。
陽(yáng)極電極120，由鎳(Ni)構(gòu)成，設(shè)置在電子元件100的側(cè)面100A和底面100C、正面100D、里面100E及上面100F的一部分上。更具體地說(shuō)，陽(yáng)極電極120由側(cè)面陽(yáng)極電極121和帶狀電極122～125構(gòu)成。側(cè)面陽(yáng)極電極121配置在電子元件100的側(cè)面100A的整個(gè)面上。此外，帶狀電極122，在電子元件100的底面100C中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的一端側(cè)。進(jìn)一步，帶狀電極123，在電子元件100的正面100D中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的一端側(cè)。進(jìn)一步，帶狀電極124，在電子元件100的上面100F中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的一端側(cè)。進(jìn)一步，帶狀電極125，在電子元件100的里面100E中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的一端側(cè)。而且，側(cè)面陽(yáng)極電極121與導(dǎo)體板11、12的一端連接。
陽(yáng)極電極130，由鎳(Ni)構(gòu)成，設(shè)置在電子元件100的側(cè)面100B和底面100C、正面100D、里面100E及上面100F的一部分上。更具體地說(shuō)，陽(yáng)極電極130由側(cè)面陽(yáng)極電極131和帶狀電極132～135構(gòu)成。側(cè)面陽(yáng)極電極131配置在電子元件100的側(cè)面100B的整個(gè)面上。此外，帶狀電極132，在電子元件100的底面100C中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的另一端側(cè)。進(jìn)一步，帶狀電極133，在電子元件100的正面100D中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的另一端側(cè)。進(jìn)一步，帶狀電極134，在電子元件100的上面100F中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的另一端側(cè)。進(jìn)一步，帶狀電極135，在電子元件100的里面100E中，配置在導(dǎo)體板11、12、21、22的另一端側(cè)。而且，側(cè)面陽(yáng)極電極131與導(dǎo)體板11、12的另一端連接。
圖11是表示圖1所示的電子元件100的使用狀態(tài)的概念圖。參照?qǐng)D11，電子元件100連接在電源90和CPU(Central Processing Unit(中央處理器))110之間。而且，電子元件100的陰極電極20E、20F與接地電位連接。電源90具有正極端子91和負(fù)極端子92。CPU110具有正極端子111和負(fù)極端子112。
讀出線121，一端與電源90的正極端子91連接，另一端與電子元件100的陽(yáng)極電極10C連接。讀出線122，一端與電源90的負(fù)極端子92連接，另一端與電子元件100的陰極電極20E連接。
讀出線123，一端與電子元件100的陽(yáng)極電極10D連接，另一端與CPU110的正極端子111連接。讀出線124，一端與電子元件100的陰極電極20F連接，另一端與CPU110的負(fù)極端子112連接。
通過(guò)這樣做，從電源90的正極端子91輸出的直流電流I，經(jīng)過(guò)讀出線121流過(guò)電子元件100的陽(yáng)極電極10C，以側(cè)面陽(yáng)極電極10A、導(dǎo)體板11、12、側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D的順序流過(guò)電子元件100內(nèi)。而且，直流電流I，從陽(yáng)極電極10D經(jīng)過(guò)讀出線123和正極端子111流入到CPU110。
因此，將直流電流I作為電源電流供給CPU110。而且，CPU110，由直流電流I驅(qū)動(dòng)，從負(fù)極端子112輸出與直流電流I相同大小的返回電流Ir。
通過(guò)這樣做，返回電流Ir，經(jīng)過(guò)讀出線124流到電子元件100的陰極電極20F，以側(cè)面陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21～23、側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E的順序流過(guò)電子元件100內(nèi)。而且，返回電流Ir，從陰極電極20E經(jīng)過(guò)讀出線122和負(fù)極端子92流到電源90中。
結(jié)果，在電子元件100中，因?yàn)橹绷麟娏鱅從電源90側(cè)經(jīng)過(guò)導(dǎo)體板11、12流到CPU110側(cè)，返回電流Ir經(jīng)過(guò)導(dǎo)體板21～23從CPU110側(cè)流到電源90側(cè)，所以電子元件100的有效電感L如上所述減小。此外，因?yàn)殡娮釉?00包含并聯(lián)連接的4個(gè)電容器，所以電子元件100的有效電容C增大。
所以電子元件100的阻抗減小。
而且，CPU110，由從電源90經(jīng)過(guò)電子元件100供給的直流電流I驅(qū)動(dòng)，產(chǎn)生無(wú)用高頻電流。該無(wú)用高頻電流，經(jīng)過(guò)讀出線123、124泄漏到電子元件100中，但是因?yàn)殡娮釉?00，如上所述，具有低阻抗，所以無(wú)用高頻電流流過(guò)由電子元件100和CPU110構(gòu)成的電路，能夠抑制無(wú)用高頻電流從電子元件100泄漏到電源90側(cè)。
CPU110的工作頻率，具有移動(dòng)到高頻側(cè)的傾向，也假定在約1GHz進(jìn)行工作。在這樣高的工作頻率的區(qū)域中，電子元件100的阻抗主要由有效電感L決定，因?yàn)橛行щ姼蠰如上所述減小，所以電子元件100起著將在高工作頻率工作的CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110近旁的噪聲濾波器的作用。
圖12是表示圖1所示的電子元件100的衰減量特性S21的頻率依賴性的圖。在圖12中，橫軸表示頻率，縱軸表示衰減量特性S21。此外，圖12所示的衰減量特性S21是設(shè)定5個(gè)與側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B連接的導(dǎo)體板，設(shè)定6個(gè)與側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D連接的導(dǎo)體板時(shí)的仿真結(jié)果。此外，衰減量特性S21是表示當(dāng)將CPU110側(cè)作為輸入側(cè)，將電源90側(cè)作為輸出側(cè)時(shí)，從CPU110輸入到電子元件100的高頻電流在電子元件100中衰減到什么程度的特性。
參照?qǐng)D12，衰減量特性S21，隨著頻率增高而降低，在1000MHz(＝1GHz)的頻率上，衰減到-150dB以下。即，在電子元件100中，隨著頻率增高，衰減量增大。特別是，即便頻率高達(dá)100MHz以上，衰減量也不小，并隨著頻率增高而增大。
所以，電子元件100，隨著圖11所示的CPU110的工作頻率增高，由于有效電感L降低，阻抗降低，作為將CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110近旁的噪聲濾波器的作用提高了。
圖13是表示圖1所示的電子元件100的阻抗的頻率依賴性的圖。在圖13中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。此外，圖13中的阻抗是將電子元件100作為4端子元件(兩個(gè)陽(yáng)極和兩個(gè)陰極)，由下列公式從衰減量特性S21變換過(guò)來(lái)的阻抗。 其中，Z0是特性阻抗。
參照?qǐng)D13，阻抗隨著頻率增高而降低，在數(shù)百M(fèi)Hz以上的頻率上，降低到10-3(Ω)以下。而且，阻抗在1000MHz(＝1GHz)的頻率上，變得比10-6(Ω)小。
已有的噪聲濾波器，在數(shù)百M(fèi)Hz以上的頻率上，不降低到10-3(Ω)以下，但是根據(jù)本發(fā)明的電子元件100，在數(shù)百M(fèi)Hz以上的頻域上，從10-3(Ω)大幅度降低。
圖14是表示圖1所示的電子元件100的阻抗的頻率依賴性的另一個(gè)圖。在圖14中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。此外，圖14中的阻抗是對(duì)陽(yáng)極、陰極的導(dǎo)體板數(shù)分別為1個(gè)，陽(yáng)極導(dǎo)體板的長(zhǎng)度和寬度之比的變化如何影響到元件特性進(jìn)行仿真的阻抗。所以，能夠顯現(xiàn)出電感成分大，自共振頻率為100MHz數(shù)量級(jí)。
圖13中的阻抗是當(dāng)陽(yáng)極、陰極的導(dǎo)體板數(shù)分別為陽(yáng)極5個(gè)、陰極6個(gè)，大小為15mm×13mm時(shí)進(jìn)行仿真得到的結(jié)果。因此，由于互感增大，有效阻抗降低，圖13所示的阻抗變小。
此外，在圖14中，將圖3所示的長(zhǎng)度L2固定在10mm，改變寬度W2，仿真阻抗。而且，曲線k1～k5，分別表示寬度W2為4mm、6mm、8mm、10mm和12mm的情形。
從圖14所示的結(jié)果，通過(guò)使長(zhǎng)度L2一定，增大寬度W2，阻抗在頻率的全部區(qū)域降低。而且，在W2≥L2的曲線k4、k5中，在0.2GHz以上的高頻率區(qū)域中得到0.3Ω以下的阻抗。
所以，在本發(fā)明中，以成為W2≥L2的方式設(shè)定重復(fù)部分20的長(zhǎng)度L2和寬度W2。而且，隨著CPU110的工作頻率相對(duì)增高，將W2/L2設(shè)定在相對(duì)大的值。因此，高頻區(qū)域中的電子元件100的阻抗降低。
圖15是表示圖1所示的電子元件100的阻抗的頻率依賴性的又一個(gè)圖。在圖15中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。此外，圖15中的阻抗是將電子元件100作為4端子元件(兩個(gè)陽(yáng)極和兩個(gè)陰極)，由公式(5)從衰減量特性S21變換過(guò)來(lái)的阻抗。此外，曲線k6～k8是表示當(dāng)L2＞W(wǎng)2時(shí)的電子元件100的阻抗(＝Z21)的頻率依賴性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。更具體地說(shuō)，曲線k6是表示L2＝12mm，W2＝10mm時(shí)的電子元件100的阻抗(＝Z21)的頻率依賴性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，曲線k7是表示L2＝12mm，W2＝8mm時(shí)的電子元件100的阻抗(＝Z21)的頻率依賴性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，曲線k8是表示L2＝12mm，W2＝5mm時(shí)的電子元件100的阻抗(＝Z21)的頻率依賴性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
從圖15所示的結(jié)果，電子元件100的阻抗(＝Z21)，在107(Hz)以上的頻率區(qū)域中隨著長(zhǎng)度L2變得比寬度W2大而降低。即，電子元件100，在圖11所示的使用狀態(tài)中，隨著長(zhǎng)度L2變得比寬度W2大作為噪聲濾波器，性能提高了。所以，當(dāng)將電子元件100用作噪聲濾波器時(shí)，設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2。
圖16是表示圖1所示的電子元件100的阻抗的頻率依賴性的又一個(gè)圖。在圖16中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。此外，圖16中的阻抗是將電子元件100作為4端子元件(兩個(gè)陽(yáng)極和兩個(gè)陰極)，由公式(5)從反射特性S22變換過(guò)來(lái)的阻抗。
曲線k9是表示W(wǎng)2≥L2時(shí)的電子元件100的阻抗(＝Z22)的頻率依賴性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，曲線k10是表示L2＞W(wǎng)2時(shí)的電子元件100的阻抗(＝Z22)的頻率依賴性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
參照?qǐng)D16，電子元件100的阻抗(＝Z22)，在4×106(Hz)以下的頻率區(qū)域中，即便設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系為W2≥L2和L2＞W(wǎng)2中的某一個(gè)，也大致相同，但是在4×106(Hz)以上的頻率區(qū)域中，通過(guò)設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系為W2≥L2而降低。即，電子元件100，在圖11所示的使用狀態(tài)中，設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系為W2≥L2，從CPU110供給電子元件100的電流被電子元件100反射的程度變小。所以，當(dāng)將電子元件100用作電容器時(shí)，設(shè)定長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系為W2≥L2。
此外，圖10所示的電子元件101也用于圖11所示的使用狀態(tài)中，具有圖15和圖16所示的阻抗的頻率依賴性。
如上所述，電子元件100、101，連接在電源90和CPU110之間，作為將CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110的近旁的噪聲濾波器或?qū)㈦娫措娏鞴┙oCPU110的電容器起作用。而且，當(dāng)將電子元件100連接在電源90和CPU110之間時(shí)，連接導(dǎo)體板11、12、21～23作為傳輸線路。即，用與陽(yáng)極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23構(gòu)成的電容器沒(méi)有經(jīng)過(guò)端子與傳輸線路連接，而連接導(dǎo)體板11、12、21～23作為傳輸線路的一部分。所以，導(dǎo)體板11、12是用于使從電源90輸出的直流電流I從電源90側(cè)流到CPU110側(cè)的導(dǎo)體，導(dǎo)體板21～23是用于使返回電流Ir從CPU110側(cè)流到電源90側(cè)的導(dǎo)體。
結(jié)果，能夠極力排除等效串聯(lián)電感。
此外，在電子元件100、101中，通過(guò)使在與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板11、12中流動(dòng)的電流和在與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23中流動(dòng)的電流方向相反地進(jìn)行設(shè)定，在導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間發(fā)生磁干涉，由于導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間的互感，使導(dǎo)體板11、12的自感減小。而且，因此，使電子元件100的有效電感減小，使電子元件100、101的阻抗降低。
這樣，在本發(fā)明中，將構(gòu)成電容器的電極的導(dǎo)體板11、12、21～23作為傳輸線路的一部分進(jìn)行連接作為第1特征，將通過(guò)在與陽(yáng)極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23中流過(guò)方向相反的電流，在導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間產(chǎn)生磁干涉，使導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自感小，因此減小電子元件100、101的阻抗作為第2特征，將由與接地電位連接的兩個(gè)導(dǎo)體板(導(dǎo)體板21、22或?qū)w板22、23)夾住各個(gè)流過(guò)構(gòu)成電源電流的直流電流的導(dǎo)體板11、12作為第3特征。
該第2特征是通過(guò)采用使來(lái)自CPU110的返回電流Ir流過(guò)配置在電子元件100、101內(nèi)部的導(dǎo)體板21～23的構(gòu)成來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
而且，根據(jù)第1特征能夠極力排除等效串聯(lián)電感，根據(jù)第2特征能夠?qū)o(wú)用高頻電流限制在CPU110的近旁。此外，根據(jù)第3特征能夠抑制電子元件100、101的噪聲逸出到外部，并且能夠抑制電子元件100、101受到來(lái)自外部的噪聲的影響。
在上述中，說(shuō)明了電介質(zhì)層1～5全部由相同的電介質(zhì)材料(BaTiO3)構(gòu)成的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，電介質(zhì)層1～5也可以由相互不同的電介質(zhì)材料構(gòu)成，也可以由2類(lèi)電介質(zhì)材料構(gòu)成，一般，可以由1類(lèi)以上的電介質(zhì)材料構(gòu)成。這時(shí)，構(gòu)成電介質(zhì)層1～5的各電介質(zhì)材料，最好，具有3000以上的相對(duì)介電常數(shù)。
而且，作為BaTiO3以外的電介質(zhì)材料，能夠用Ba(Ti，Sn)O3、Bi4Ti3O12、(Ba，Sr，Ca)TiO3、(Ba，Ca)(Zr，Ti)O3、(Ba，Sr，Ca)(Zr，Ti)O3、SrTiO3、CaTiO3、PbTiO3、Pb(Zn，Nb)O3、Pb(Fe，W)O3、Pb(Fe，Nb)O3、Pb(Mg，Nb)O3、Pb(Ni，W)O3、Pb(Mg，W)O3、Pb(Zr，Ti)O3、Pb(Li，F(xiàn)e，W)O3、Pb5Ge3O11和CaZrO3等。
此外，在上述中，說(shuō)明了陽(yáng)極電極10C、10D、120、130、側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F由鎳(Ni)構(gòu)成的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，陽(yáng)極電極10C、10D、120、130、側(cè)面陽(yáng)極電極10A、10B、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F也可以由銀(Ag)、鈀(Pd)、銀鈀合金(Ag-Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、銅(Cu)、銣(Rb)和鎢(W)中的某一個(gè)構(gòu)成。
進(jìn)一步，在上述中，說(shuō)明了電子元件100、101備有電介質(zhì)層1～5的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，電子元件100、101也可以不備有電介質(zhì)層1～5。這是因?yàn)榧幢銢](méi)有電介質(zhì)層1～5，也在導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間發(fā)生磁干涉，由于上述機(jī)構(gòu)電子元件100、101的阻抗降低的緣故。
進(jìn)一步，在上述中，說(shuō)明了與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)為兩個(gè)(導(dǎo)體板11、12)，與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)為3個(gè)(導(dǎo)體板21～23)的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，電子元件100、101也可以備有與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的n(n為正整數(shù))個(gè)導(dǎo)體板、和與陰極電極20E、20F連接的m(m為正整數(shù))個(gè)導(dǎo)體板。這時(shí)，電子元件100、101備有j(j＝m+n)個(gè)電介質(zhì)層。這是因?yàn)槿绻麄溆兄辽?個(gè)與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板，則能夠發(fā)生磁干涉，能夠減小有效電感的緣故。
而且，在本發(fā)明中，隨著流過(guò)電子元件100、101的電流增加，增加與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)、和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)。這是因?yàn)楫?dāng)與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板由多個(gè)導(dǎo)體板構(gòu)成時(shí)，因?yàn)槭苟鄠€(gè)導(dǎo)體板在兩個(gè)陽(yáng)極電極(10C、10D或120、130)之間或兩個(gè)陰極電極(20E、20F)之間并聯(lián)連接，所以如果增加與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)，則能夠增加流過(guò)電子元件100、101的電流的緣故。
此外，在本發(fā)明中，當(dāng)電子元件100、101的阻抗相對(duì)降低時(shí)，增加與陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)。這是因?yàn)槿绻黾优c陽(yáng)極電極10C、10D、120、130連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個(gè)數(shù)，則能夠增加并聯(lián)連接的電容的個(gè)數(shù)，電子元件100、101的有效電容增大，阻抗降低的緣故。
進(jìn)一步，在上述中，說(shuō)明了導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23平行地配置的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，也可以導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23的間隔對(duì)長(zhǎng)度方向DR1變化的方式配置導(dǎo)體板11、12、21～23。
進(jìn)一步，在上述中，說(shuō)明了電子元件100、101與CPU110連接的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，如果電子元件100、101是在預(yù)定頻率上工作的電負(fù)載電路，則與那種電負(fù)載電路連接都可以。
進(jìn)一步，在上述中，說(shuō)明了將電子元件100、101用作將CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110近旁的噪聲濾波器的情形，但是在本發(fā)明中，不限于此，電子元件100也可以作為電容使用。電子元件100、101，如上所述，因?yàn)榘⒙?lián)連接的4個(gè)電容器，所以也可以作為電容器使用。
而且，更具體地說(shuō)，可以將電子元件100、101用于筆記本電腦、CD-RW/DVD裝置、游戲機(jī)、信息家電、數(shù)碼相機(jī)、汽車(chē)電子裝備用及汽車(chē)用數(shù)字設(shè)備、MPU周邊電路和DC/DC變換器等。
所以，作為電容器可以用于筆記本電腦和CD-RW/DVD裝置等中，但是在根據(jù)本發(fā)明的電子元件100、101中包含著具有在電源90和CPU110之間使用，將CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110近旁的噪聲濾波器功能的電子元件。
如上所述，如果根據(jù)實(shí)施方式1，則因?yàn)殡娮釉?00備有多個(gè)導(dǎo)體板11、12、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12交互地配置的多個(gè)導(dǎo)體板21～23、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12的一端連接的側(cè)面陽(yáng)極電極10A和陽(yáng)極電極10C、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12的另一端連接的側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D、與多個(gè)導(dǎo)體板21～23的一端連接的側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E、和與多個(gè)導(dǎo)體板21～23的另一端連接的側(cè)面陰極電極20C、20D和陰極電極20F，所以在導(dǎo)體板11、12中，以陽(yáng)極電極10C和側(cè)面陽(yáng)極電極10A→導(dǎo)體板11、12→側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D的順序流過(guò)電流，在導(dǎo)體板21～23中，以陰極電極20F和側(cè)面陰極電極20C、20D→導(dǎo)體板21～23→側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E的順序流過(guò)返回電流。結(jié)果，由于由返回電流流過(guò)導(dǎo)體板21～23產(chǎn)生的導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間的互感，使導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自感小。
此外，因?yàn)殡娮釉?01備有多個(gè)導(dǎo)體板11、12、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12交互地配置的多個(gè)導(dǎo)體板21～23、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12的一端連接的陽(yáng)極電極120、與多個(gè)導(dǎo)體板11、12的另一端連接的陽(yáng)極電極130、與多個(gè)導(dǎo)體板21～23的一端連接的側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E、和與多個(gè)導(dǎo)體板21～23的另一端連接的側(cè)面陰極電極20C、20D和陰極電極20F，所以在導(dǎo)體板11、12中，以陽(yáng)極電極120→導(dǎo)體板11、12→陽(yáng)極電極130的順序流過(guò)電流，在導(dǎo)體板21～23中，以陰極電極20F和側(cè)面陰極電極20C、20D→導(dǎo)體板21～23→側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E的順序流過(guò)返回電流。結(jié)果，由于由返回電流流過(guò)導(dǎo)體板21～23產(chǎn)生的導(dǎo)體板11、12和導(dǎo)體板21～23之間的互感，使導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自感小。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠通過(guò)減少電感，降低阻抗。
圖17是表示根據(jù)實(shí)施方式2的電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照?qǐng)D17，根據(jù)實(shí)施方式2的電子元件200，分別用導(dǎo)體板201、202代替圖10所示的電子元件101的導(dǎo)體板21、22，其它與電子元件101相同。
導(dǎo)體板201、202由鎳(Ni)構(gòu)成。而且，將導(dǎo)體板201配置在電介質(zhì)層1的一個(gè)主面上，將導(dǎo)體板202配置在電介質(zhì)層3的一個(gè)主面上。此外，使導(dǎo)體板201、202，在電子元件200的正面100D和里面100E中，與側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D連接。
圖18A～18E是圖17所示的電介質(zhì)層1、2和導(dǎo)體板11、201的平面圖和電子元件200的仰視圖。圖18A表示電介質(zhì)層1的平面圖，圖18B表示導(dǎo)體板11的平面圖，圖18C表示電介質(zhì)層2的平面圖，圖18D表示導(dǎo)體板201的平面圖，圖18E表示電子元件200的仰視圖。
電介質(zhì)層1、2，如上所述，具有長(zhǎng)度L1和寬度W1(請(qǐng)參照?qǐng)D18A、18C)。此外，導(dǎo)體板11，如上所述，具有長(zhǎng)度L1和寬度W2(請(qǐng)參照?qǐng)D18B)。此外，電介質(zhì)層3～5具有與電介質(zhì)層1、2相同的平面形狀，導(dǎo)體板12具有與導(dǎo)體板11相同的平面形狀。
導(dǎo)體板201具有長(zhǎng)度L2和寬度W2。而且，長(zhǎng)度L2比長(zhǎng)度L1短，寬度W2比寬度W1窄。而且，導(dǎo)體板201具有突出部分201A、201B、201C、201D。突出部分201A、201B配置在相比導(dǎo)體板201長(zhǎng)度方向上的中點(diǎn)靠近一端201E側(cè)，突出部分201C、201D配置在相比導(dǎo)體板201長(zhǎng)度方向上的中點(diǎn)靠近另一端201F側(cè)。設(shè)置突出部分201A、201B、201C、201D的結(jié)果，導(dǎo)體板201在突出部分201A、201B的部分和突出部分201C、201D的部分中具有寬度W1。結(jié)果，突出部分201A與側(cè)面陰極電極20A連接，突出部分201B與側(cè)面陰極電極20B連接，突出部分201C與側(cè)面陰極電極20C連接，突出部分201D與側(cè)面陰極電極20D連接。此外，圖17所示的導(dǎo)體板202也具有與圖18D所示的導(dǎo)體板201相同的平面形狀。
在電子元件200的底面上，將陽(yáng)極電極120(帶狀電極122)配置在電子元件200的一端，將陽(yáng)極電極130(帶狀電極132)配置在電子元件200的另一端。而且，將陰極電極20E配置在陽(yáng)極電極120、130之間相比陽(yáng)極電極120和130之間的中點(diǎn)靠近陽(yáng)極電極120側(cè)，將陰極電極20F配置在陽(yáng)極電極120、130之間相比陽(yáng)極電極120和陽(yáng)極電極130之間的中點(diǎn)靠近陽(yáng)極電極130側(cè)(請(qǐng)參照?qǐng)D18E)。
導(dǎo)體板11、12、201、202和電介質(zhì)層1～5具有圖18所示的平面形狀，結(jié)果，在電子元件200中，陽(yáng)極電極120，在電子元件200的側(cè)面100A中與導(dǎo)體板11、12連接，陽(yáng)極電極130，在與電子元件200的側(cè)面100A對(duì)置的側(cè)面100B中與導(dǎo)體板11、12連接，側(cè)面陰極電極20A、20C，在與電子元件200的側(cè)面100A、100B大致垂直的正面100D中，與導(dǎo)體板201、202連接，側(cè)面陰極電極20B、20D，在與電子元件200的側(cè)面100A、100B大致垂直的里面100E中，與導(dǎo)體板201、202連接。
圖17所示的電子元件200具有與上述圖15和圖16所示的阻抗的頻率依賴性。所以當(dāng)電子元件200，作為噪聲濾波器使用時(shí)，將長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2，作為電容器使用時(shí)，將長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為W2≥L2。
其它與實(shí)施方式1相同。
圖19是表示根據(jù)實(shí)施方式3的電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照?qǐng)D19，根據(jù)實(shí)施方式3的電子元件300，用導(dǎo)體板301、302代替圖10所示的電子元件101的導(dǎo)體板11、12，用導(dǎo)體板311、312代替導(dǎo)體板21、22，用陽(yáng)極電極320代替?zhèn)让骊?yáng)極電極10A和陽(yáng)極電極10C，用陽(yáng)極電極330代替?zhèn)让骊?yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D，用陰極電極340代替?zhèn)让骊帢O電極20A、20B和陰極電極20E，用陰極電極350代替?zhèn)让骊帢O電極20C、20D和陰極電極20F，其它與電子元件101相同。
將導(dǎo)體板301配置在電介質(zhì)層2的一個(gè)主面上，將導(dǎo)體板302配置在電介質(zhì)層4的一個(gè)主面上。此外，將導(dǎo)體板311配置在電介質(zhì)層1的一個(gè)主面上，將導(dǎo)體板312配置在電介質(zhì)層3的一個(gè)主面上。而且，各個(gè)導(dǎo)體板301、302、311、312由鎳(Ni)構(gòu)成。
將陽(yáng)極電極320配置在電子元件300的側(cè)面100A、底面100C、里面100E和上面100F的一部分上，與導(dǎo)體板301、302的一端連接。更具體地說(shuō)，陽(yáng)極電極320由側(cè)面陽(yáng)極電極321和帶狀電極322～324構(gòu)成。而且，將側(cè)面陽(yáng)極電極321配置在電子元件300的側(cè)面100A中，與導(dǎo)體板301、302的一端連接。將帶狀電極322配置在電子元件300的底面100C中，將帶狀電極323配置在電子元件300的里面100E中，將帶狀電極324配置在電子元件300的上面100F中。
將陽(yáng)極電極330配置在電子元件300的側(cè)面100B、底面100C、正面100D和上面100F的一部分上，與導(dǎo)體板301、302的另一端連接。更具體地說(shuō)，陽(yáng)極電極330由側(cè)面陽(yáng)極電極331和帶狀電極332～334構(gòu)成。而且，將側(cè)面陽(yáng)極電極331配置在電子元件300的側(cè)面100B中，與導(dǎo)體板301、302的另一端連接。將帶狀電極332配置在電子元件300的底面100C中，將帶狀電極333配置在電子元件300的正面100D中，將帶狀電極334配置在電子元件300的上面100F中。
將陰極電極340配置在電子元件300的側(cè)面100A、底面100C、正面100D和上面100F的一部分上，與導(dǎo)體板311、312的一端連接。更具體地說(shuō)，陰極電極340由側(cè)面陰極電極341和帶狀電極342～344構(gòu)成。而且，將側(cè)面陰極電極341配置在電子元件300的側(cè)面100A中，與導(dǎo)體板311、312的一端連接。將帶狀電極342配置在電子元件300的底面100C中，將帶狀電極343配置在電子元件300的正面100D中，將帶狀電極344配置在電子元件300的上面100F中。
將陰極電極350配置在電子元件300的側(cè)面100B、底面100C、里面100E和上面100F的一部分上，與導(dǎo)體板311、312的另一端連接。更具體地說(shuō)，陰極電極350由側(cè)面陰極電極351和帶狀電極352～354構(gòu)成。而且，將側(cè)面陰極電極351配置在電子元件300的側(cè)面100B中，與導(dǎo)體板311、312的另一端連接。將帶狀電極352配置在電子元件300的底面100C中，將帶狀電極353配置在電子元件300的里面100E中，將帶狀電極354配置在電子元件300的上面100F中。
圖20A～20E是圖19所示的電介質(zhì)層1、2和導(dǎo)體板301、311的平面圖和電子元件300的仰視圖。圖20A表示電介質(zhì)層1的平面圖，圖20B表示導(dǎo)體板301的平面圖，圖20C表示電介質(zhì)層2的平面圖，圖20D表示導(dǎo)體板311的平面圖，圖20E表示電子元件300的仰視圖。
電介質(zhì)層1、2，如上所述，具有長(zhǎng)度L1和寬度W1(請(qǐng)參照?qǐng)D20A、20C)。此外，電介質(zhì)層3～5具有與電介質(zhì)層1、2相同的平面形狀和相同的尺寸。
導(dǎo)體板301具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀。而且，導(dǎo)體板301，在長(zhǎng)方形的橫方向具有長(zhǎng)度L2，在長(zhǎng)方形的縱方向具有寬度W2。而且，長(zhǎng)度L2比長(zhǎng)度L1短，寬度W2比寬度W1窄。進(jìn)一步，導(dǎo)體板301具有兩個(gè)突出部分301A、301B。兩個(gè)突出部分301A、301B設(shè)置在長(zhǎng)方形的兩條對(duì)角線中，一條對(duì)角線的兩端部(請(qǐng)參照?qǐng)D20B)。結(jié)果，突出部分301A與陽(yáng)極電極320的側(cè)面陽(yáng)極電極321連接，突出部分301B與陽(yáng)極電極330的側(cè)面陽(yáng)極電極331連接。此外，導(dǎo)體板302具有與導(dǎo)體板301相同的平面形狀和相同的尺寸。
導(dǎo)體板311具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀。而且，導(dǎo)體板311，在長(zhǎng)方形的橫方向具有長(zhǎng)度L2，在長(zhǎng)方形的縱方向具有寬度W2。進(jìn)一步，導(dǎo)體板311具有兩個(gè)突出部分311A、311B。兩個(gè)突出部分311A、311B設(shè)置在長(zhǎng)方形的兩條對(duì)角線中另一條對(duì)角線的兩端部(請(qǐng)參照?qǐng)D20D)。結(jié)果，突出部分311A與陽(yáng)極電極340的側(cè)面陽(yáng)極電極341連接，突出部分311B與陽(yáng)極電極350的側(cè)面陽(yáng)極電極351連接。此外，導(dǎo)體板312具有與導(dǎo)體板311相同的平面形狀和相同的尺寸。
在電子元件300的底面上，將陽(yáng)極電極320(帶狀電極322)、陽(yáng)極電極330(帶狀電極332)、陰極電極340(帶狀電極342)和陰極電極350(帶狀電極352)配置在電子元件300的底面100C的四個(gè)角上。而且，將兩個(gè)陽(yáng)極電極320、330配置在長(zhǎng)方形的兩條對(duì)角線中一條對(duì)角線的兩端，將兩個(gè)陰極電極340、350配置在長(zhǎng)方形的兩條對(duì)角線中另一條對(duì)角線的兩端(請(qǐng)參照?qǐng)D20E)。
導(dǎo)體板301、302、311、312和電介質(zhì)層1～5具有圖20所示的平面形狀，結(jié)果，在電子元件300中，陽(yáng)極電極320在電子元件300的側(cè)面100A中與導(dǎo)體板301、302連接，陽(yáng)極電極330在與電子元件300的側(cè)面100A對(duì)置的側(cè)面100B中與導(dǎo)體板301、302連接，陰極電極340在電子元件300的側(cè)面100A中與導(dǎo)體板311、312連接，陰極電極350在電子元件300的側(cè)面100B中與導(dǎo)體板311、312連接。
圖19所示的電子元件300具有上述圖15和圖16所示的阻抗的頻率依賴性。所以當(dāng)電子元件300，作為噪聲濾波器使用時(shí)，將長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2，作為電容使用時(shí)，將長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為W2≥L2。
其它與實(shí)施方式1相同。
圖21是表示根據(jù)實(shí)施方式4的電子元件的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照?qǐng)D21，根據(jù)實(shí)施方式4的電子元件400，用導(dǎo)體板401、402代替圖10所示的電子元件101的導(dǎo)體板11、12，用導(dǎo)體板411、412代替導(dǎo)體板21、22，用陽(yáng)極電極420代替?zhèn)让骊?yáng)極電極10A和陽(yáng)極電極10C，用陽(yáng)極電極430代替?zhèn)让骊?yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D，用陰極電極440代替?zhèn)让骊帢O電極20A、20B和陰極電極20E，用陰極電極450代替?zhèn)让骊帢O電極20C、20D和陰極電極20F，其它與電子元件101相同。
將導(dǎo)體板401配置在電介質(zhì)層2的一個(gè)主面上，將導(dǎo)體板402配置在電介質(zhì)層4的一個(gè)主面上。此外，將導(dǎo)體板411配置在電介質(zhì)層1的一個(gè)主面上，將導(dǎo)體板412配置在電介質(zhì)層3的一個(gè)主面上。而且，各個(gè)導(dǎo)體板401、402、411、412由鎳(Ni)構(gòu)成。
將陽(yáng)極電極420配置在電子元件400的正面100D、底面100C和上面100F上，與導(dǎo)體板401、402的一端連接。將陽(yáng)極電極430配置在電子元件400的正面100D、底面100C和上面100F上，與導(dǎo)體板401、402的另一端連接。
將陰極電極440配置在電子元件400的里面100E、底面100C和上面100F上，與導(dǎo)體板411、412的一端連接。將陰極電極450配置在電子元件400的里面100E、底面100C和上面100F上，與導(dǎo)體板411、412的另一端連接。
圖22A～22E是圖21所示的電介質(zhì)層1、2和導(dǎo)體板401、411的平面圖和電子元件400的仰視圖。圖22A表示電介質(zhì)層1的平面圖，圖22B表示導(dǎo)體板401的平面圖，圖22C表示電介質(zhì)層2的平面圖，圖22D表示導(dǎo)體板411的平面圖，圖22E表示電子元件400的仰視圖。
電介質(zhì)層1、2，如上所述，具有長(zhǎng)度L1和寬度W1(請(qǐng)參照?qǐng)D22A、22C)。此外，電介質(zhì)層3～5具有與電介質(zhì)層1、2相同的平面形狀和相同的尺寸。
導(dǎo)體板401具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀。而且，導(dǎo)體板401，在長(zhǎng)方形的橫方向具有長(zhǎng)度L2，在長(zhǎng)方形的縱方向具有寬度W2。而且，長(zhǎng)度L2比長(zhǎng)度L1短，寬度W2比寬度W1窄。進(jìn)一步，導(dǎo)體板401具有兩個(gè)突出部分401A、401B。兩個(gè)突出部分401A、401B沿長(zhǎng)方形的橫方向的兩條邊中的一條邊進(jìn)行設(shè)置。即，兩個(gè)突出部分401A、401B沿同一條邊進(jìn)行設(shè)置(請(qǐng)參照?qǐng)D22B)。結(jié)果，突出部分401A、401B分別與陽(yáng)極電極420、430連接。此外，導(dǎo)體板402具有與導(dǎo)體板401相同的平面形狀和相同的尺寸。
導(dǎo)體板411具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀。而且，導(dǎo)體板411，在長(zhǎng)方形的橫方向具有長(zhǎng)度L2，在長(zhǎng)方形的縱方向具有寬度W2。進(jìn)一步，導(dǎo)體板411具有兩個(gè)突出部分411A、411B。兩個(gè)突出部分411A、411B沿長(zhǎng)方形的橫方向的2條邊中的另一條邊進(jìn)行設(shè)置。即，兩個(gè)突出部分411A、411B沿與設(shè)置導(dǎo)體板401的兩個(gè)突出部分401A、401B的邊對(duì)置的邊進(jìn)行設(shè)置(請(qǐng)參照?qǐng)D22D)。結(jié)果，突出部分411A、411B分別與陽(yáng)極電極440、450連接。此外，導(dǎo)體板412具有與導(dǎo)體板411相同的平面形狀和相同的尺寸。
在電子元件400的底面上，將陽(yáng)極電極420、陽(yáng)極電極430、陰極電極440和陰極電極450配置在電子元件400的底面100C的四個(gè)角上。而且，兩個(gè)陽(yáng)極電極420、430沿長(zhǎng)方形的兩條對(duì)置的邊中的一條邊進(jìn)行配置，兩個(gè)陰極電極440、450沿長(zhǎng)方形的兩條對(duì)置的邊中的另一條邊進(jìn)行配置(請(qǐng)參照?qǐng)D22E)。
導(dǎo)體板401、402、411、412和電介質(zhì)層1～5具有圖22所示的平面形狀，結(jié)果，在電子元件400中，陽(yáng)極電極420、430在電子元件400的正面100D中與導(dǎo)體板401、402連接，陽(yáng)極電極440、450在電子元件400的里面100E中與導(dǎo)體板411、412連接。
圖21所示的電子元件400具有上述圖15和圖16所示的阻抗的頻率依賴性。所以當(dāng)電子元件400，作為噪聲濾波器使用時(shí)，將長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2，作為電容器使用時(shí)，將長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為W2≥L2。
其它與實(shí)施方式1相同。
圖23是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第1變形例的概略圖。參照?qǐng)D23，電子元件500備有導(dǎo)線501～503、511、512、陽(yáng)極電極504、505和陰極電極513、514。
導(dǎo)線501～503大致平行地連接在陽(yáng)極電極504、505之間。導(dǎo)線511、512大致平行地連接在陰極電極513、514之間。而且，將導(dǎo)線511配置在導(dǎo)線501、502之間，將導(dǎo)線512配置在導(dǎo)線502、503之間。結(jié)果，將導(dǎo)線501～503、511、512大致平行地配置在1個(gè)平面內(nèi)。
圖24是圖23所示的電子元件500的平面圖。參照?qǐng)D24，導(dǎo)線501～503具有長(zhǎng)度L3，導(dǎo)線511、512具有長(zhǎng)度L4。將長(zhǎng)度L3，例如，設(shè)定為15mm，將長(zhǎng)度L4，例如，設(shè)定為10mm。
而且，將導(dǎo)線501和導(dǎo)線511之間的間隔設(shè)定為d1。例如，將間隔d1設(shè)定為數(shù)百μm。將導(dǎo)線502和導(dǎo)線502之間的間隔、導(dǎo)線502和導(dǎo)線512之間的間隔和導(dǎo)線503和導(dǎo)線512之間的間隔也設(shè)定為d1。
在導(dǎo)線501～503中，直流電流沿箭頭506的方向流動(dòng)，在導(dǎo)線511、512中，直流電流沿箭頭507的方向流動(dòng)。所以，導(dǎo)線501～503，通過(guò)導(dǎo)線511或512之間的互感而自感減小，具有比自感小的有效電感。結(jié)果，電子元件500的阻抗變小。
圖25是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第2變形例的概略圖。參照?qǐng)D25，電子元件600備有導(dǎo)線601～603、611～613、陽(yáng)極電極604、605和陰極電極614、615。
導(dǎo)線601～603大致平行地連接在陽(yáng)極電極604、605之間。導(dǎo)線611～613大致平行地連接在陰極電極614、615之間。
圖26A和圖26B是圖25所示的電子元件600的側(cè)面圖。圖26A是從圖25所示的A方向看的電子元件600的側(cè)面圖，圖26B是從圖25所示的B方向看的電子元件600的側(cè)面圖。此外，在圖26B中，省略了陽(yáng)極電極604、605和陰極電極614、615。
參照?qǐng)D27，各條導(dǎo)線603、613具有長(zhǎng)度L3。導(dǎo)線611～613以分別與導(dǎo)線601～603對(duì)置的方式進(jìn)行配置。而且，將導(dǎo)線601～603和導(dǎo)線611～613之間的間隔設(shè)定為d2。將間隔d2，例如，設(shè)定為數(shù)百μm。
將導(dǎo)線601、602之間的間隔設(shè)定為d3。而且，將間隔d3，例如，設(shè)定為數(shù)百μm。也將導(dǎo)線602和導(dǎo)線603之間的間隔、導(dǎo)線611和導(dǎo)線612之間的間隔、及導(dǎo)線612和導(dǎo)線613的間隔設(shè)定為d3。
這樣，在電子元件600中，將與陽(yáng)極電極604、605連接的導(dǎo)線601～603配置在與陰極電極614、615連接的導(dǎo)線611～613不同的平面中。
在導(dǎo)線601～603中，直流電流沿箭頭606的方向流動(dòng)，在導(dǎo)線611～613中，直流電流沿箭頭607的方向流動(dòng)。從而，導(dǎo)線601～603，通過(guò)與導(dǎo)線611～613之間的互感而自感減小，有效電感變小。結(jié)果，電子元件600的阻抗變小。
圖27是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第3變形例的概略圖。此外，圖28A和圖28B是圖27所示的電子元件的平面圖和側(cè)面圖。此外，圖28A是從圖27所示的C方向看的平面圖，圖28B是從圖27所示的B方向看的側(cè)面圖。
參照?qǐng)D27和圖28A、28B，電子元件700形成在圖25所示的電子元件600中，使導(dǎo)線601～603和陽(yáng)極電極604、605沿與長(zhǎng)度L3的方向正交的方向移動(dòng)的構(gòu)造。所以當(dāng)將導(dǎo)線601～603和導(dǎo)線611～613投影到1個(gè)平面上時(shí)，分別將導(dǎo)線601、602配置在導(dǎo)線611、612之間和導(dǎo)線612、613之間(請(qǐng)參照?qǐng)D28A)。
在電子元件700中，因?yàn)榱鬟^(guò)導(dǎo)線601～603的直流電流與流過(guò)導(dǎo)線611～613的直流電流方向相反，將導(dǎo)線601、602平面地分別配置在導(dǎo)線611、612之間和導(dǎo)線612、613之間，所以導(dǎo)線601，由于與導(dǎo)線611、612之間的互感而自感減小，導(dǎo)線602，由于與導(dǎo)線612、613之間的互感而有效電感變得比自感小。
所以，在電子元件700中，能夠使有效電感更小，結(jié)果，能夠使阻抗更小。
圖29是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件的第4變形例的概略圖。此外，圖30是從圖29所示的C方向看的電子元件800的平面圖。參照?qǐng)D29和圖30，電子元件800形成在圖25所示的電子元件600中，使導(dǎo)線601～603和陽(yáng)極電極604、605在與包含導(dǎo)線611～613和陰極電極614、615的平面平行的平面內(nèi)只旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度θ(-90度≤θ≤90度)的構(gòu)造。此外，θ是在令圖30的紙面內(nèi)從導(dǎo)線611～613的左端到右端的方向?yàn)?度定義的角度。
在電子元件800中，在導(dǎo)線601～603中，直流電流沿箭頭608的方向流動(dòng)，在導(dǎo)線611～613中，直流電流沿箭頭607的方向流動(dòng)。而且，流過(guò)導(dǎo)線601～603的直流電流與流過(guò)導(dǎo)線611～613的直流電流形成180-θ的角度。這時(shí)，因?yàn)閷⒔嵌?80-θ設(shè)定在90～270度的范圍內(nèi)，所以以由流過(guò)導(dǎo)線601～603的直流電流生成的磁通量，由于流過(guò)導(dǎo)線611～613的直流電流生成的磁通量而減少的方式，在導(dǎo)線601～603和導(dǎo)線611～613之間產(chǎn)生磁干涉。
所以，導(dǎo)線601～603，由于與導(dǎo)線611～613之間的互感而有效電感變得比自感小。結(jié)果，在電子元件800中，有效電感減小，阻抗減小。
這樣，在本發(fā)明中，流過(guò)導(dǎo)線601～603的直流電流和流過(guò)導(dǎo)線611～613的直流電流，當(dāng)投影到1個(gè)平面上時(shí)，以由流過(guò)導(dǎo)線601～603的直流電流生成的磁通量，由于由流過(guò)導(dǎo)線611～613的直流電流生成的磁通量而減少的方式，沿相互交叉的方向流動(dòng)。
電子元件500、600、700、800，代替電子元件100連接在電源90和CPU110之間加以使用。而且，陽(yáng)極電極504或604與讀出線121連接，陽(yáng)極電極505或605與讀出線123連接，陰極電極513或614與讀出線122連接，陰極電極514或615與讀出線124連接。此外，陰極電極513、514或614、615與接地電位連接。
通過(guò)這樣做，在電子元件500、600、700、800中，來(lái)自電源90的直流電流，沿從陽(yáng)極電極504或604到陽(yáng)極電極505或605的方向流動(dòng)，來(lái)自CPU110的返回電流沿從陰極電極514或615到陰極電極513或614的方向流動(dòng)。
結(jié)果，電子元件500、600、700、800，有效電感降低，因此阻抗降低。而且，電子元件500、600、700、800，使CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流流過(guò)在與CPU110之間形成的電路，將無(wú)用高頻電流限制在CPU110的近旁。
此外，電子元件500、600、700、800也可以進(jìn)一步備有覆蓋導(dǎo)線501～503、511、512、601～603、611～613的電介質(zhì)。
此外，電子元件500、600、700、800也可以代替導(dǎo)線501～503、511、512、601～603、611～613而備有平板形狀的導(dǎo)體。
圖31是表示根據(jù)實(shí)施方式5的電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照?qǐng)D31，根據(jù)實(shí)施方式5的電子電路1000備有電源90、電子元件100，CPU110、傳輸線路1120、1130、1140、1150。
電源90包含正極端子91、負(fù)極端子92。電子元件100包含陽(yáng)極電極101、102和陰極電極103、104。CPU110包含正極端子111和負(fù)極端子112。
傳輸線路1120，一端與電源90的正極端子91連接，另一端與電子元件100的陽(yáng)極電極101連接。傳輸線路1130，一端與電子元件100的陽(yáng)極電極102連接，另一端與CPU110的正極端子111連接。
傳輸線路1140，一端與電源90的負(fù)極端子92連接，另一端與電子元件100的陰極電極103連接。傳輸線路1150，一端與電子元件100的陰極電極104連接，另一端與負(fù)極端子112連接。
而且，在電子電路1000中，將電子元件100的導(dǎo)體板11、12、21～23的重復(fù)部分20中的長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2，電子元件100作為噪聲濾波器起作用。
電源90，從正極端子91經(jīng)過(guò)傳輸線路1120將直流電流I供給電子元件100，并且從負(fù)極端子92接受從電子元件100經(jīng)過(guò)傳輸線路1140供給的返回電流Ir。
電子元件100，從陽(yáng)極電極101接受經(jīng)過(guò)傳輸線路1120從電源90供給的直流電流I，從陽(yáng)極電極102經(jīng)過(guò)傳輸線路1130將該接受的直流電流I供給CPU110。此外，電子元件100，從陰極電極104接受經(jīng)過(guò)傳輸線路1150從CPU110供給的返回電流Ir，將該接受的返回電流Ir從陰極電極103經(jīng)過(guò)傳輸線路1140供給電源90。進(jìn)一步，電子元件100用上述方法將經(jīng)過(guò)傳輸線路1130、1150從CPU110傳輸過(guò)來(lái)的無(wú)用高頻電流限制在由電子元件100-傳輸線路1130、1150-CPU110構(gòu)成的電路中，抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源90側(cè)。
CPU110，由從電子元件100供給的直流電流I驅(qū)動(dòng)，以預(yù)定的頻率工作。而且，CPU110經(jīng)過(guò)傳輸線路1150將返回電流Ir供給電子元件100。
這樣，在電子電路1000中，電子元件100將來(lái)自電源90的直流電流供給CPU110，并且將在CPU110中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在由電子元件100-傳輸線路1130、1150-CPU110構(gòu)成的電路中，抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源90側(cè)。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)。
此外，在實(shí)施方式5中，代替電子元件100，也可以用電子元件101、200、300、400、500、600、700、800中的某一個(gè)。
圖32是表示根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照?qǐng)D32，根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路1100，在圖31所示的電子電路1000中追加電容器160和傳輸線路1170、1180，其它與電子電路1000相同。
電容器160包含陽(yáng)極電極161、陰極電極162。在電子電路1100中，傳輸線路1130，其另一端與電容器160的陽(yáng)極電極161連接，傳輸線路1150，其另一端與電容器160的陰極電極162連接。
而且，傳輸線路170，其一端與電容器160的陽(yáng)極電極161連接，另一端與CPU110的正極端子111連接。此外，傳輸線路180，其一端與電容器160的陰極電極162連接，另一端與CPU110的負(fù)極端子112連接。
在電子電路1100中，將電子元件100的導(dǎo)體板11、12、21～23的重復(fù)部分20中的長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2，電子元件100作為噪聲濾波器起作用。
電源90，從正極端子91經(jīng)過(guò)傳輸線路1120將直流電流I供給電子元件100，并且從負(fù)極端子92接受從電子元件100經(jīng)過(guò)傳輸線路1140供給的返回電流Ir。
電子元件100，從陽(yáng)極電極101接受經(jīng)過(guò)傳輸線路1120從電源90供給的直流電流I，從陽(yáng)極電極102經(jīng)過(guò)傳輸線路1130將該接受的直流電流I供給電容器160。此外，電子元件100，從陰極電極104接受經(jīng)過(guò)傳輸線路1150從電容器160供給的返回電流Ir，將該接受的返回電流Ir從陰極電極103經(jīng)過(guò)傳輸線路1140供給電源90。進(jìn)一步，電子元件100用上述方法將經(jīng)過(guò)傳輸線路1130、1150從電容器160傳輸過(guò)來(lái)的無(wú)用高頻電流限制在由電子元件100-傳輸線路1130、1150-電容器160-CPU110構(gòu)成的電路中，抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源90側(cè)。
電容器160，積蓄從電子元件100經(jīng)過(guò)傳輸線路1130供給的直流電流，并且將該積蓄的直流電流經(jīng)過(guò)傳輸線路1170供給CPU110。此外，電容器160將從CPU110經(jīng)過(guò)傳輸線路1180供給的返回電流Ir經(jīng)過(guò)傳輸線路1150供給電子元件100。
CPU110，由從電容器160供給的直流電流I驅(qū)動(dòng)，以預(yù)定的頻率工作。而且，CPU110將返回電流Ir經(jīng)過(guò)傳輸線路1180供給電容器160。
圖33是表示圖32所示的電子元件100的使用狀態(tài)的概念圖。參照?qǐng)D32，電子元件100的陽(yáng)極電極10C與傳輸線路1120連接，陽(yáng)極電極10D與傳輸線路1130連接。此外，電子元件100的陰極電極20E與傳輸線路1140連接，陰極電極20F與傳輸線路1150連接。
通過(guò)這樣做，從電源90的正極端子91輸出的直流電流I經(jīng)過(guò)傳輸線路1120流到電子元件100的陽(yáng)極電極10C，以側(cè)面陽(yáng)極電極10A、導(dǎo)體板11、12、側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D的順序流過(guò)電子元件100內(nèi)。而且，直流電流I從陽(yáng)極電極10D經(jīng)過(guò)傳輸線路1130和正極端子161流入到電容器160。
因此，直流電流I積蓄在電容器160中。而且，電容器160將該積蓄的直流電流I供給CPU110。CPU110由來(lái)自電容器160的直流電流I驅(qū)動(dòng)，輸出與直流電流I相同大小的返回電流Ir。電容器160將來(lái)自CPU110的返回電流Ir經(jīng)過(guò)傳輸線路1150供給電子元件100。
通過(guò)這樣做，返回電流Ir經(jīng)過(guò)傳輸線路1150流到電子元件100的陰極電極20F，以側(cè)面陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21～23、側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E的順序流過(guò)電子元件100內(nèi)。而且，返回電流Ir從陰極電極20E經(jīng)過(guò)傳輸線路1140和負(fù)極端子92流到電源90。
結(jié)果，在電子元件100中，因?yàn)橹绷麟娏鱅從電源90側(cè)經(jīng)導(dǎo)體板11、12流到CPU110側(cè)，返回電流Ir從CPU110側(cè)經(jīng)導(dǎo)體板21～23流到電源90側(cè)，所以電子元件100的有效電感L如上所述地減小。此外，因?yàn)殡娮釉?00包含并聯(lián)的4個(gè)電容器，所以電子元件100的有效電容C增大。從而電子元件100的阻抗減小。
而且，CPU110，由從電源90經(jīng)過(guò)電子元件100供給的直流電流I驅(qū)動(dòng)，發(fā)生無(wú)用高頻電流。該無(wú)用高頻電流，經(jīng)過(guò)傳輸線路1170、1180泄漏到電容器160和電子元件100中，但是因?yàn)殡娮釉?00，如上所述，具有低阻抗，所以無(wú)用高頻電流流過(guò)由電子元件100-傳輸線路1130、1150-電容器160-傳輸線路1170、1180-CPU110構(gòu)成的電路，能夠抑制無(wú)用高頻電流從電子元件100泄漏到電源90側(cè)。
CPU110的工作頻率，具有移動(dòng)到高頻側(cè)的傾向，也假定在約1GHz進(jìn)行工作。在這樣高的工作頻率的區(qū)域中，電子元件100的阻抗主要由有效電感L決定，因?yàn)橛行щ姼蠰如上所述地減小，所以電子元件100將在高的工作頻率工作的CPU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110近旁。即電子元件100能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)。
圖34是表示圖32所示的電容器160的結(jié)構(gòu)的立體圖。參照?qǐng)D34，在陽(yáng)極電極161和陰極電極162上追加電容器160，電容器160備有鉭燒結(jié)體163、電介質(zhì)氧化覆蓋膜164、導(dǎo)電性高分子層165和引出層166。這時(shí)，電容器160是2端子(陽(yáng)極為1個(gè)端子，陰極為1個(gè)端子)元件，但是也可以考慮3端子(陽(yáng)極為1個(gè)端子，陰極為兩個(gè)端子)和4端子(陽(yáng)極為兩個(gè)端子，陰極為兩個(gè)端子)的情形。
電介質(zhì)氧化覆蓋膜164覆蓋鉭燒結(jié)體163的表面。導(dǎo)電性高分子層165由多吡咯(Polypyrrole)構(gòu)成，覆蓋著電介質(zhì)氧化覆蓋膜164。引出層166由碳層和銀涂料層構(gòu)成，覆蓋著導(dǎo)電性高分子層165。這時(shí)，與導(dǎo)電性高分子層165相接地形成碳層，與碳層相接地形成銀涂料層。
而且，陽(yáng)極電極161與鉭燒結(jié)體163連接，陰極電極113與引出層166連接。鉭燒結(jié)體163構(gòu)成電容器的陽(yáng)極，導(dǎo)電性高分子層165構(gòu)成電容器的陰極。
此外，將圖34所示的構(gòu)造的電容器稱(chēng)為POSCAP(Polymerized OrganicSemiconductor Capacitors(聚合體化有機(jī)半導(dǎo)體電容器))，是將鉭燒結(jié)體用于陽(yáng)極，將高導(dǎo)電性的導(dǎo)電性高分子(多吡咯)層用于陰極的芯片型電容器。而且，該電容器，因?yàn)殂g燒結(jié)體是多孔質(zhì)的，所以電容器160(POSCAP)的電容量很大。
電容器160(POSCAP)，用下列方法制作。首先，在鉭燒結(jié)體163的表面上形成數(shù)百埃的電介質(zhì)氧化覆蓋膜164，此后，在電介質(zhì)氧化覆蓋膜164上重合覆蓋多吡咯。因此，形成導(dǎo)電性高分子層165。
接著，在導(dǎo)電性高分子層165(多吡咯層)上設(shè)置碳層和銀涂料層。此后，通過(guò)電阻焊接使陽(yáng)極電極161與鉭燒結(jié)體163連接，通過(guò)銀粘接使陰極電極162與引出層166連接。因此，完成了電容器160的制作。
再次，參照?qǐng)D32，電源90將直流電流I經(jīng)過(guò)傳輸線路1120供給電子元件100，電子元件100，通過(guò)陽(yáng)極電極101(＝10C)、側(cè)面陽(yáng)極電極10A，導(dǎo)體板11、12、側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極102(＝10D)使來(lái)自電源90的直流電流I流到傳輸線路1130，經(jīng)過(guò)傳輸線路1130將直流電流I供給電容器160。
而且，電容器160，積蓄從電源90經(jīng)過(guò)電子元件100供給的直流電流I，并且經(jīng)過(guò)傳輸線路1170將該積蓄了的直流電流I供給CPU110。
CPU110，由電容器160供給的直流電流I驅(qū)動(dòng)，以給定的頻率工作。而且，CPU110，使直流電流I的返回電流Ir經(jīng)過(guò)傳輸線路1180流到電容器160。此外，由于CPU110工作產(chǎn)生無(wú)用高頻電流，該產(chǎn)生了的高頻電流經(jīng)過(guò)傳輸線路1170、1180泄漏到電容器160側(cè)。
電容器160，通過(guò)陰極電極162、引出層166和導(dǎo)電性高分子層165使來(lái)自CPU110的返回電流Ir流到傳輸線路1150，經(jīng)過(guò)傳輸線路1150將返回電流Ir供給電子元件100。
電子元件100，通過(guò)陰極電極104(＝20F)、側(cè)面陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21～23、側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極103(＝20E)使經(jīng)過(guò)傳輸線路1150從電容器160供給的返回電流Ir流到傳輸線路1140，經(jīng)過(guò)傳輸線路1140將返回電流Ir供給電源90。
通過(guò)使直流電流I經(jīng)過(guò)電子元件100的導(dǎo)體板11、12從電源90側(cè)流到CPU110側(cè)，使返回電流Ir經(jīng)過(guò)電子元件100的導(dǎo)體板21～23從CPU110側(cè)流到電源90側(cè)，如上所述，導(dǎo)體板11、12的有效電感，由于導(dǎo)體板21～23之間的互感，而變得比導(dǎo)體板21～23的自感小，結(jié)果，電子元件100的阻抗降低。
這樣一來(lái)，通過(guò)傳輸線路1170、1180-電容器160-傳輸線路1130、1150的路徑，從CPU110泄漏的無(wú)用高頻電流流過(guò)電子元件100內(nèi)，不經(jīng)過(guò)傳輸線路1120、1140泄漏到電源90側(cè)。即，從CPU110泄漏的無(wú)用高頻電流流過(guò)由電子元件100-傳輸線路1130、1150-電容器160-傳輸線路1170、1180-CPU110構(gòu)成的電路，不經(jīng)過(guò)傳輸線路1120、1140泄漏到電源90側(cè)。
這樣，電子元件100能夠?qū)⒃贑PU110中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在CPU110的近旁。此外，電容器160，因?yàn)殛?yáng)極由多孔質(zhì)構(gòu)成，所以具有大的電容量。從而，電容器160，與CPU110的急速起動(dòng)相應(yīng)，將直流電流I急速地供給CPU110。
這樣，在本發(fā)明中，通過(guò)使大電容量的電容器160接近CPU110地進(jìn)行配置，能夠?qū)崿F(xiàn)CPU110的急速起動(dòng)。
圖35是表示根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路的結(jié)構(gòu)的其它概略圖。參照?qǐng)D35，電子電路1100A，用電子元件101A代替圖32所示的電子電路1100的電子元件100，將電容器160配置在電子元件101A上，其它與電子電路1100相同。
圖36是圖35所示的電子元件101A和電容器160的剖面圖。參照?qǐng)D36，電子元件101A，用導(dǎo)體板11A、12A、13A、21A、22A代替電子元件(請(qǐng)參照?qǐng)D4)的導(dǎo)體板11、12、21～23，追加電介質(zhì)層6和陰極電極20G、20H，其它與電子電路1100相同。
各個(gè)導(dǎo)體板11A、12A、13A、21A、22A，由Ni構(gòu)成，具有10μm～20μm范圍的厚度。而且，各個(gè)導(dǎo)體板11A、12A、13A具有與導(dǎo)體板11、12相同的尺寸，各個(gè)導(dǎo)體板21A、22A具有與導(dǎo)體板21～23相同的尺寸。電介質(zhì)層由BaTiO3構(gòu)成，具有與電介質(zhì)層1～5相同的尺寸。
導(dǎo)體板11A與電介質(zhì)層1、2雙方相接地進(jìn)行配置，導(dǎo)體板21A與電介質(zhì)層2、3雙方相接地進(jìn)行配置。導(dǎo)體板12A與電介質(zhì)層3、4雙方相接地進(jìn)行配置，導(dǎo)體板22A與電介質(zhì)層4、5雙方相接地進(jìn)行配置，導(dǎo)體板13A與電介質(zhì)層5、6雙方相接地進(jìn)行配置。電介質(zhì)層6與導(dǎo)體板13A相接地進(jìn)行配置。
側(cè)面陽(yáng)極電極10A與導(dǎo)體板11A、12A、13A的一端連接，側(cè)面陽(yáng)極電極10B與導(dǎo)體板11A、12A、13A的另一端連接。
此外，在圖36中，雖然沒(méi)有圖示，但是側(cè)面陰極電極20A、20B、20C、20D與導(dǎo)體板21A、22A連接。而且，陰極電極20G、20H分別與側(cè)面陰極電極20A、20C連接。
在電容器160中，從電子元件101A的導(dǎo)電板13A側(cè)依次地配置導(dǎo)電性高分子層165、電介質(zhì)氧化覆蓋膜164、鉭燒結(jié)體163、電介質(zhì)氧化覆蓋膜164和導(dǎo)電性高分子層165。此外，省略了電容器160的引出層166。而且，導(dǎo)體167、168，當(dāng)經(jīng)過(guò)引出層166與作為陰極的導(dǎo)電性高分子層165連接，并將電容器160設(shè)置在電子元件101A上時(shí)，分別配置在電子元件101A的陰極電極20G、20H上。因此，電容器160的陰極(導(dǎo)電性高分子層165)與電子元件101A的陰極電極20E、20F連接。所以導(dǎo)體167、168構(gòu)成圖35所示的傳輸線路1150。
在電子元件101A中，從電源90供給的直流電流I，以陽(yáng)極電極10C、側(cè)面陽(yáng)極電極10A、導(dǎo)體板11A、12A、13A、側(cè)面陽(yáng)極電極10B和陽(yáng)極電極10D的順序流動(dòng)。即，直流電流I沿箭頭105的方向流過(guò)導(dǎo)體板11A、12A、13A。
此外，從電容器160供給的返回電流Ir，以陰極電極20F、側(cè)面陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21A、22A、側(cè)面陰極電極20A、20B和陰極電極20E的順序流動(dòng)。即，返回電流Ir沿箭頭106的方向流過(guò)導(dǎo)體板21A、22A。
在電容器160中，從電子元件101A供給的直流電流I沿箭頭105的方向流過(guò)鉭燒結(jié)體163(陽(yáng)極)，從CPU110供給的返回電流Ir沿箭頭106的方向流過(guò)導(dǎo)電性高分子層165(陰極)。
這樣一來(lái)，導(dǎo)體板11A、12A的有效電感，受到由流過(guò)電子元件101A內(nèi)的返回電流Ir產(chǎn)生的互感的影響，變得比自感小，導(dǎo)體板13A的有效電感，受到由流過(guò)電子元件101A內(nèi)的導(dǎo)體板22A的返回電流Ir以及流過(guò)電容器160的導(dǎo)電性高分子層165(陰極)的返回電流Ir產(chǎn)生的互感的影響，變得比自感小，結(jié)果，電子元件101A的阻抗降低。
這樣，電子元件101A，由于由流過(guò)自己內(nèi)部的返回電流Ir產(chǎn)生的互感和由流過(guò)電容器160的返回電流Ir產(chǎn)生的互感，有效電感變小，結(jié)果阻抗降低。
所以，電子元件101A能夠使阻抗下降得比電子元件100低。結(jié)果，電子元件101A能夠?qū)PU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流進(jìn)一步限制在CPU110近旁。即電子元件101A能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源90側(cè)。
如上所述，在電子電路1100A中，將電容器160配置在電子元件101A上，將導(dǎo)體板13A(流過(guò)直流電流I的導(dǎo)體板)配置在最接近電容器160的一側(cè)作為特征。根據(jù)這個(gè)特征，電子元件101A，如上所述，能夠比電子元件100更多地降低阻抗，結(jié)果，能夠?qū)PU110產(chǎn)生的無(wú)用高頻電流進(jìn)一步限制在CPU近旁。此外，通過(guò)將電容器160配置在電子元件101A上，也能夠減小在安裝基板中所占的面積。
此外，在電容器160中，因?yàn)閷⒎祷仉娏鱅r流過(guò)的導(dǎo)電性高分子層165配置在最接近電子元件101A的一側(cè)，所以在電子元件101A中，將流過(guò)直流電流I的導(dǎo)體板13A配置在最接近電容器160的一側(cè)，但是在電容器160中，當(dāng)將流過(guò)直流電流I的電極配置在最接近電子元件101A的一側(cè)時(shí)，在電子元件101A中，將流過(guò)返回電流Ir的導(dǎo)體板22A配置在最接近電容器160的一側(cè)。
即，在電子電路1100A中，以在電子元件101A中流過(guò)最接近電容器160的一側(cè)的直流電流和在電容器160中流過(guò)最接近電子元件101A的一側(cè)的直流電流中的某一方是直流電流I，另一方成為返回電流Ir的方式，決定在電子元件101A中，配置在最接近電容器160的一側(cè)的導(dǎo)體板。即，在電子元件101A中，配置在最接近電容器160的一側(cè)的導(dǎo)體板是流過(guò)與在電容器160中最接近電子元件101A地流過(guò)的電流方向相反的電流的導(dǎo)體板。
此外，在上述中，說(shuō)明了電介質(zhì)層1～6全部由相同的電介質(zhì)材料(BaTiO3)構(gòu)成的情形，但是，在本發(fā)明中，不限于此，電介質(zhì)1～6也可以相互不同的電介質(zhì)材料構(gòu)成，也可以由2類(lèi)電介質(zhì)材料構(gòu)成，一般，可以由1類(lèi)以上的電介質(zhì)材料構(gòu)成。這時(shí)，構(gòu)成電介質(zhì)層1～6的各電介質(zhì)材料，最好，具有3000以上的相對(duì)介電常數(shù)。
而且，作為BaTiO3以外的電介質(zhì)材料，能夠用Ba(Ti，Sn)O3、Bi4Ti3O12、(Ba，Sr，Ca)TiO3、(Ba，Ca)(Zr，Ti)O3、(Ba，Sr，Ca)(Zr，Ti)O3、SrTiO3、CaTiO3、PbTiO3、Pb(Zn，Nb)O3、Pb(Fe，W)O3、Pb(Fe，Nb)O3、Pb(Mg，Nb)O3、Pb(Ni，W)O3、Pb(Mg，W)O3、Pb(Zr，Ti)O3、Pb(Li，F(xiàn)e，W)O3、Pb6Ge3O11和CaZrO3等。
圖37是表示根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路具體情況的立體圖。此外，圖38是從圖37所示的A方向看的電子電路的平面圖。進(jìn)一步，圖39是從圖37所示的B方向看的電子電路的平面圖。進(jìn)一步，圖40是從圖37所示的C方向看的電子電路的平面圖。進(jìn)一步，圖41是圖37所示的直線XXXXI-XXXXI中的電子電路的剖面圖。
參照?qǐng)D37和圖38，電子電路1200備有電子元件1210、電容器1220、銅板1230和樹(shù)脂1240。電子元件1210形成與圖10所示的電子元件101相同的構(gòu)成，具有陽(yáng)極電極1211、1212和陰極電極1213、1214。陽(yáng)極電極1211、1212與銅板1230連接。而且，將電子元件1210配置在電容器1220上。
電容器1220形成與圖34所示的電容器160相同的構(gòu)成，具有陽(yáng)極電極1221。而且，陽(yáng)極電極1221與銅板1230連接。
將電子元件1210的陰極電極1213、1214配置在電子電路1200的正面1200A、底面1200B、里面1200C和上面1200D上。而且，電容器1220的陰極電極(圖中未示出)與電子元件1210的陰極電極1214連接。
樹(shù)脂1240密封電容器1220周?chē)完帢O電極1214的一部分。銅板1230具有“コ”即口字缺一豎形狀的剖面形狀，覆蓋電子元件1210、電容器1220和樹(shù)脂1240。
銅板1230具有切去部分1231、1232，將陰極電極1213、1214的一部分，與銅板1230的切去部分1231、1232對(duì)應(yīng)地配置在電子元件1210的上面(請(qǐng)參照?qǐng)D39)。
在電子電路1200的底面上，將銅板1230配置在電子電路1200的兩端，將陰極電極1213、1214配置在銅板1230的內(nèi)側(cè)(請(qǐng)參照?qǐng)D40)。
陰極電極1214沿電子元件1210形成，在配置電容器1220的區(qū)域中，向電子電路1200的內(nèi)側(cè)彎曲。而且，陰極電極1214通過(guò)該彎曲與電容器1220的陰極電極連接。樹(shù)脂1240密封電子元件1210和電容器1220的間隙、電容器1220的下側(cè)和陰極電極1214的彎曲部分(請(qǐng)參照?qǐng)D41)。
將電子電路1200配置在電源90和CPU110之間，起著與上述的電子電路1100A相同的作用。這時(shí)，電子電路1200的陽(yáng)極電極1211和陰極電極1213與電源90連接，陽(yáng)極電極1212、1221和陰極電極1214與CPU110連接。
因此，電子電路1200，將從電源90供給的電源電流積蓄在電容器1220中，將該積蓄的電源電流供給CPU110，并且抑制在CPU110中發(fā)生的無(wú)用高頻電流泄漏到電源90側(cè)。
如上所述，根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路，因?yàn)閭溆信渲迷陔娫春碗娮釉g的電容器，和配置在電容器和CPU之間、具有低阻抗的電子元件，所以積蓄從電源供給的電源電流，供給CPU，并且將在CPU中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在由電子元件和CPU構(gòu)成的電路中。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)，并且能夠急速地起動(dòng)電負(fù)載電路。
此外，在根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路1100中，代替電子元件100，也可以用電子元件101、200、300、400、500、600、700、800中的某一個(gè)。
此外，在根據(jù)實(shí)施方式6的電子電路1200中，代替電子元件101，也可以用電子元件100、200、300、400、500、600、700、800中的某一個(gè)。
圖42是表示根據(jù)實(shí)施方式7的電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照?qǐng)D42，根據(jù)實(shí)施方式7的電子電路1300由電子元件1310、1320構(gòu)成。各個(gè)電子元件1310、1320形成與圖10所示的電子元件101相同的構(gòu)成。而且，電子元件1310具有陽(yáng)極電極1311、1312和陰極電極1313、1314。此外，電子元件1320具有陽(yáng)極電極1321、1322和陰極電極1323、1324。
在電子元件1310中，導(dǎo)體板11、21和導(dǎo)體板21、22之間的重復(fù)部分20的長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為W2≥L2。此外，在電子元件1320中，導(dǎo)體板11、21和導(dǎo)體板21、22的重復(fù)部分20的長(zhǎng)度L2和寬度W2的關(guān)系設(shè)定為L(zhǎng)2＞W(wǎng)2。所以電子元件1310作為電容器起作用，電子元件1320作為噪聲濾波器起作用。
圖43是圖42所示的電子元件1310、1320的仰視圖。參照?qǐng)D43，將陽(yáng)極電極1311、1312配置在電子元件1310的長(zhǎng)度方向的兩端，將陰極電極1313、1314配置在陽(yáng)極電極1311、1312的內(nèi)側(cè)。更詳細(xì)地說(shuō)，將陰極電極1313，配置在相比兩個(gè)陽(yáng)極電極1311、1312之間的中點(diǎn)靠近陽(yáng)極電極1311側(cè)，將陰極電極1314，配置在相比兩個(gè)陽(yáng)極電極1311、1312之間的中點(diǎn)靠近陽(yáng)極電極1312側(cè)。
此外，將陽(yáng)極電極1321、1322配置在電子元件1320的長(zhǎng)度方向的兩端，將陰極電極1323、1324配置在陽(yáng)極電極1321、1322的內(nèi)側(cè)。更詳細(xì)地說(shuō)，將陰極電極1323配置在相比兩個(gè)陽(yáng)極電極1321、1322之間的中點(diǎn)靠近陽(yáng)極電極1321側(cè)，將陰極電極1324配置在相比兩個(gè)陽(yáng)極電極1321、1322之間的中點(diǎn)靠近陽(yáng)極電極1322側(cè)。
圖44是配置了圖42所示的電子電路1300的基板的平面圖。參照?qǐng)D44，基板1330具有陽(yáng)極部分1331～1333、接地部分1334～1339和切去部分1340～1344。通過(guò)在印刷電路基板上形成的導(dǎo)體中形成切去部分1340～1344，形成陽(yáng)極部分1331～1333和接地部分1334～1339。
陽(yáng)極部分1331～1333，分別形成在切去部分1340、1342、1344中。接地部分1336形成在切去部分1340、1341之間，連接兩個(gè)地(ground)1334、1335。接地部分1337形成在切去部分1341、1342之間，連接兩個(gè)地1334、1335。接地部分1338形成在切去部分1342、1343之間，連接兩個(gè)地1334、1335。接地部分1339形成在切去部分1343、1344之間，連接兩個(gè)地1334、1335。
參照?qǐng)D42到圖44，將電子元件1310的陽(yáng)極電極1311配置在陽(yáng)極部分1331上，將陽(yáng)極電極1312配置在陽(yáng)極部分1332上，將陰極電極1313配置在接地部分1334、1336、1335上，將陰極電極1314配置在接地部分1334、1337、1335上。
此外，將電子元件1320的陽(yáng)極電極1321配置在陽(yáng)極部分1332上，將陽(yáng)極電極1322配置在陽(yáng)極部分1333上，將陰極電極1323配置在接地部分1334、1338、1335上，將陰極電極1324配置在接地部分1334、1339、1335上。
因此，電子元件1310的陽(yáng)極電極1312，經(jīng)過(guò)陽(yáng)極部分1332與電子元件1320的陽(yáng)極電極1321電連接，電子元件1310的陰極電極1313、1314經(jīng)過(guò)接地部分1334、1335與電子元件1320的陽(yáng)極電極1323、1324電連接。
而且，電子電路1300，用于電源90和CPU110之間，陽(yáng)極部分1331側(cè)與電源90連接，陽(yáng)極部分1333側(cè)與CPU110連接。結(jié)果，將作為電容器起作用的電子元件1310配置在電源90側(cè)，將作為噪聲濾波器起作用的電子元件1320配置在CPU110側(cè)。
電子電路1300，當(dāng)從電源90供給電源電流時(shí)，由電子元件1310(＝電容器)積蓄電源電流，經(jīng)過(guò)電子元件1320(＝噪聲濾波器)將該積蓄的電源電流供給CPU110，并且將在CPU110中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在由CPU110和電子元件1320(＝噪聲濾波器)構(gòu)成的電路中。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)，并且能夠急速地起動(dòng)電負(fù)載電路。
此外，在根據(jù)實(shí)施方式7的電子電路1300中，代替電子元件101，也可以用電子元件100、200、300、400、500、600、700、800中的某一個(gè)。
圖45是表示根據(jù)實(shí)施方式7的其它電子電路的結(jié)構(gòu)的概略圖。根據(jù)實(shí)施方式7的電子電路也可以是圖45所示的電子電路1400。參照?qǐng)D45，電子電路1400由電子元件1410、1420、1430構(gòu)成。電子元件1410，具有陽(yáng)極電極1411和陰極電極1412，形成與陽(yáng)極電極1411連接的導(dǎo)體板(圖中未示出)和與陰極電極1412連接的導(dǎo)體板(圖中未示出)相互對(duì)置的構(gòu)造。而且，電子元件1410的兩個(gè)導(dǎo)體板具有長(zhǎng)度L5和寬度W5(＜L5)。這樣，電子元件1410具有由大致長(zhǎng)方形構(gòu)成的平面形狀，作為噪聲濾波器起作用?；?440具有接地部分1441、1443和陽(yáng)極部分1442。
圖46是圖45所示的兩個(gè)電子元件1420、1430的平面圖。參照?qǐng)D46，電子元件1420，具有陽(yáng)極電極1421和陰極電極1422，形成與陽(yáng)極電極1421連接的導(dǎo)體板(圖中未示出)和與陰極電極1422連接的導(dǎo)體板(圖中未示出)相互對(duì)置的結(jié)構(gòu)。而且，電子元件1420的兩個(gè)導(dǎo)體板具有長(zhǎng)度L6和寬度W6(≥L6)。此外，電子元件1430，具有陽(yáng)極電極1431和陰極電極1432，形成與陽(yáng)極電極1431連接的導(dǎo)體板(圖中未示出)和與陰極電極1432連接的導(dǎo)體板(圖中未示出)相互對(duì)置的結(jié)構(gòu)。而且，電子元件1430的兩個(gè)導(dǎo)體板具有與電子元件1420的兩個(gè)導(dǎo)體板相同的尺寸。這樣，各個(gè)電子元件1420、1430具有由大致長(zhǎng)方形構(gòu)成的平面形狀，作為電容器起作用。
當(dāng)將兩個(gè)電子元件1420、1430配置在基板1440上時(shí)，將電子元件1420的陽(yáng)極電極1421和電子元件1430的陽(yáng)極電極1431配置在陽(yáng)極部分1442上，將電子元件1420的陰極電極1422和電子元件1430的陰極電極1432配置在接地部分1443上。而且，在電子元件1420、1430之間，形成空間1450。
將電子元件1410配置在設(shè)置在基板1440上的兩個(gè)電子元件1420、1430上。這時(shí)，將電子元件1410的陽(yáng)極電極1411配置在電子元件1420的陽(yáng)極電極1421和電子元件1430的陽(yáng)極電極1431上，將電子元件1410的陰極電極1412配置在電子元件1420的陰極電極1422和電子元件1430的陰極電極1432上。因此，使電子元件1410的陽(yáng)極電極1411與電子元件1420的陽(yáng)極電極1421和電子元件1430的陽(yáng)極電極1431連接，使電子元件1410的陰極電極1412與電子元件1420的陰極電極1422和電子元件1430的陰極電極1432連接。
圖47是從圖45所示的A方向看的電子電路1400的側(cè)面圖。此外，圖48是圖45所示的電子電路1400的仰視圖。將電子元件1410載置在電子元件1430上，使電子元件1410的陽(yáng)極電極1411與電子元件1430的陽(yáng)極電極1431連接，使電子元件1410的陰極電極1412與電子元件1430的陰極電極1432連接(請(qǐng)參照?qǐng)D47)。而且，間隔空間1450而配置兩個(gè)電子元件1420、1430(參照?qǐng)D48)。
電子電路1400，用于電源90和CPU110之間，電子元件1420、1430的陽(yáng)極電極1421、1431和陰極電極1422、1432與電源90連接，電子元件1410的陽(yáng)極電極1411和陰極電極1412與CPU110連接。
通過(guò)這樣做，電子電路1400，當(dāng)從電源90供給電源電流時(shí)，由電子元件1420、1430(＝電容器)積蓄電源電流，經(jīng)過(guò)電子元件1410(＝噪聲濾波器)將該積蓄的電源電流供給CPU110，并且將在CPU110中發(fā)生的無(wú)用高頻電流限制在由CPU110和電子元件1410(＝噪聲濾波器)構(gòu)成的電路中。
所以，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠用由2端子構(gòu)成的電子元件1410和由2端子構(gòu)成的電子元件1420、1430抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)，并且能夠急速地起動(dòng)電負(fù)載電路。
此外，在電子電路1400中，也可以沒(méi)有電子元件1420、1430中的某一方。設(shè)置作為電容器起作用的兩個(gè)電子元件1420、1430是為了穩(wěn)定地配置電子元件1410，抑制無(wú)用高頻電流泄漏到電源側(cè)，將電源電流供給電負(fù)載電路的電子電路可以備有電子元件1410和電子元件1420、1430中的某一方。
在本發(fā)明中，導(dǎo)體板11、12構(gòu)成“第1導(dǎo)體”，導(dǎo)體板21～23構(gòu)成“第2導(dǎo)體”。
此外，導(dǎo)線201～203構(gòu)成“第1導(dǎo)體”，導(dǎo)線211、212構(gòu)成“第2導(dǎo)體”。
進(jìn)一步，導(dǎo)線301～303構(gòu)成“第1導(dǎo)體”，導(dǎo)線311～313構(gòu)成“第2導(dǎo)體”。
進(jìn)一步，CPU110構(gòu)成“電負(fù)載電路”。
進(jìn)一步，側(cè)面100A構(gòu)成“第1側(cè)面”，側(cè)面100B構(gòu)成“第2側(cè)面”，正面100D構(gòu)成“第3側(cè)面”，里面100E構(gòu)成“第4側(cè)面”。
進(jìn)一步，在本發(fā)明中，導(dǎo)體板11、12、21～23、201、202、301、302、311、312、401、402、411、412，一般可以由將鎳作為主成分的金屬材料構(gòu)成，電介質(zhì)層1～6，一般可以由將BaTiO3作為主成分的陶瓷材料構(gòu)成。
進(jìn)一步，在本發(fā)明中，各個(gè)導(dǎo)體板11、12、21～23、201、202、301、302、311、312、401、402、411、412與導(dǎo)體層同等。
這次公開(kāi)的實(shí)施方式在所有方面都是例示，不應(yīng)該認(rèn)為具有限制性。本發(fā)明的范圍，不由上述實(shí)施方式的說(shuō)明中而由請(qǐng)求范圍來(lái)表示，包括與請(qǐng)求范圍相同的意義和范圍內(nèi)的全部變更。
權(quán)利要求
1.一種電子元件，配置在電源和通過(guò)來(lái)自上述電源的電流進(jìn)行工作的電負(fù)載電路之間，備有作為用于第1電流從上述電源側(cè)流到上述電負(fù)載電路側(cè)的導(dǎo)體的第1導(dǎo)體；和作為用于作為上述第1電流的返回電流的第2電流從上述電負(fù)載電路側(cè)流到上述電源側(cè)的導(dǎo)體的第2導(dǎo)體，當(dāng)上述第1和第2電流分別流過(guò)上述第1和第2導(dǎo)體時(shí)，上述第1導(dǎo)體具有比自感小的電感。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，上述第1導(dǎo)體由各個(gè)具有平板形狀的n(n為正整數(shù))個(gè)第1導(dǎo)體層構(gòu)成，上述第2導(dǎo)體由各個(gè)具有上述平板形狀，并且與上述第1導(dǎo)體層對(duì)置配置的m(m為正整數(shù))個(gè)第2導(dǎo)體層構(gòu)成；將上述n個(gè)第1導(dǎo)體層和上述m個(gè)第2導(dǎo)體層交互地層疊在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件，其特征在于，還備有配置在上述第1導(dǎo)體層和上述第2導(dǎo)體層之間的電介質(zhì)層，上述n個(gè)第1導(dǎo)體層中的每一個(gè)，流過(guò)構(gòu)成電源電流的上述第1電流，由與接地電位連接的兩個(gè)上述第2導(dǎo)體層夾著。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的電子元件，其特征在于，上述第1電流沿與上述第2電流相反的方向流動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子元件，其特征在于，在上述第1導(dǎo)體層和上述第2導(dǎo)體層的重疊部分中，當(dāng)令在與上述第1和第2電流流動(dòng)的方向垂直的方向中的上述第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為W，在上述第1和第2電流流動(dòng)的方向中的上述第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)時(shí)，W≥L成立。
6.根據(jù)權(quán)利要求2到權(quán)利要求5中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，還備有在上述第1電流流過(guò)上述第1導(dǎo)體層的第1方向中，與上述n個(gè)第1導(dǎo)體層的一端電連接的第1電極；在上述第1方向中，與上述n個(gè)第1導(dǎo)體層的另一端電連接的第2電極；在上述第2電流流過(guò)上述第2導(dǎo)體層的第2方向中，與上述m個(gè)第2導(dǎo)體層的一端電連接的第3電極；和在上述第2方向中，與上述m個(gè)第2導(dǎo)體層的另一端電連接的第4電極。
7.一種電子元件，具有大致長(zhǎng)方體狀的外形，備有沿與上述長(zhǎng)方體狀的底面大致平行的面配置的多個(gè)第1導(dǎo)體層；沿與上述長(zhǎng)方體狀的底面大致平行的面配置的多個(gè)第2導(dǎo)體層；每一個(gè)配置在上述第1導(dǎo)體層和上述第2導(dǎo)體層之間的多個(gè)電介質(zhì)；與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層的一端連接的第1電極；與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層的另一端連接的第2電極；與上述多個(gè)第2導(dǎo)體層的一端側(cè)連接的第3電極；和與上述多個(gè)第2導(dǎo)體層的另一端側(cè)連接的第4電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于，上述第1導(dǎo)體層，在從與上述長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與上述第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有比上述第2導(dǎo)體層的尺寸大的尺寸，上述第2導(dǎo)體層，在從與上述長(zhǎng)方體的上述底面、上述第1側(cè)面和上述第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與上述第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有比上述第1導(dǎo)體層的尺寸大的尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于，上述第1導(dǎo)體層，在從與上述長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與上述第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有比上述第2導(dǎo)體層的尺寸大的尺寸，在從與上述長(zhǎng)方體的上述底面、上述第1側(cè)面和上述第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與上述第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有與上述第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，上述第2導(dǎo)體層具有與上述第3和第4電極連接的突出部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于，上述第1電極在上述第1側(cè)面上與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層連接，上述第2電極在上述第2側(cè)面上與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層連接，上述第3電極，在上述第3和第4側(cè)面上，在相比上述第1側(cè)面和上述第2側(cè)面之間的中點(diǎn)靠近上述第1側(cè)面?zhèn)扰c上述多個(gè)第2導(dǎo)體層連接，上述第4電極，在上述第3和第4側(cè)面上，在相比上述中點(diǎn)靠近上述第2側(cè)面?zhèn)扰c上述多個(gè)第2導(dǎo)體層連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于，上述第1導(dǎo)體層，在從與上述長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與上述第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有與上述第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，在從與上述長(zhǎng)方體的上述底面、上述第1側(cè)面和上述第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與上述第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有與上述第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，具有分別向上述第1和第2側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第2突出部分，上述第2導(dǎo)體層具有分別向上述第1和第2側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第4突出部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子元件，其特征在于，上述第1電極，在上述第1側(cè)面上與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層的上述第1突出部分連接，上述第2電極，在上述第2側(cè)面上與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層的上述第2突出部分連接，上述第3電極，在上述第1側(cè)面上與上述多個(gè)第2導(dǎo)體層的上述第3突出部分連接，和上述第4電極，在上述第2側(cè)面上與上述多個(gè)第2導(dǎo)體層的上述第4突出部分連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子元件，其特征在于，上述第1突出部分，在上述第2方向中相比上述第3側(cè)面和上述第4側(cè)面之間的中點(diǎn)靠近上述第3側(cè)面?zhèn)扰渲茫鲜龅?突出部分，在上述第2方向中相比上述中點(diǎn)靠近上述第4側(cè)面?zhèn)扰渲茫鲜龅?突出部分，在上述第2方向中相比上述中點(diǎn)靠近上述第4側(cè)面?zhèn)扰渲?，上述?突出部分，在上述第2方向中相比上述中點(diǎn)靠近上述第3側(cè)面?zhèn)扰渲谩?br> 14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于，上述第1導(dǎo)體層，在從與上述長(zhǎng)方體的底面大致垂直地配置的第1側(cè)面朝向與上述第1側(cè)面對(duì)置的第2側(cè)面的第1方向中，具有與上述第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，在從與上述長(zhǎng)方體的上述底面、上述第1側(cè)面和上述第2側(cè)面大致垂直地配置的第3側(cè)面朝向與上述第3側(cè)面對(duì)置的第4側(cè)面的第2方向中，具有與上述第2導(dǎo)體層的尺寸大致相同的尺寸，具有分別向上述第3側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第2突出部分，上述第2導(dǎo)體層具有向上述第4側(cè)面?zhèn)韧怀龅牡?和第4突出部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子元件，其特征在于，上述第1電極在上述第3側(cè)面上與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層的上述第1突出部分連接，上述第2電極在上述第3側(cè)面上與上述多個(gè)第1導(dǎo)體層的上述第2突出部分連接，上述第3電極在上述第4側(cè)面上與上述多個(gè)第2導(dǎo)體層的上述第3突出部分連接，上述第4電極在上述第4側(cè)面上與上述多個(gè)第2導(dǎo)體層的上述第4突出部分連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，在上述第1導(dǎo)體層和上述第2導(dǎo)體層之間的重疊部分中，當(dāng)令在上述第1方向中的上述第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為W，在上述第2方向中的上述第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)時(shí)，W≥L成立。
17.根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，在上述第1導(dǎo)體層和上述第2導(dǎo)體層的重疊部分中，當(dāng)令在上述第1方向中的上述第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為W，在上述第2方向中的上述第1和第2導(dǎo)體層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)時(shí)，L＞W(wǎng)成立。
18.根據(jù)權(quán)利要求1到權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的電子元件，其特征在于，上述第1和第2導(dǎo)體層由將鎳作為主成分的金屬材料構(gòu)成，上述電介質(zhì)由將BaTiO3作為主成分的陶瓷材料構(gòu)成。
19.一種電子電路，其特征在于，在電源和電負(fù)載之間備有權(quán)利要求1到權(quán)利要求18中任一項(xiàng)所述的電子元件，上述多個(gè)第1導(dǎo)體層構(gòu)成從上述電源側(cè)流到上述負(fù)載側(cè)的第1電流通路，上述多個(gè)第2導(dǎo)體層構(gòu)成作為上述第1電流的反饋電流的第2電流的通路。
20.一種電子電路，其特征在于，備有與電源連接的電子元件；和連接在上述電子元件和電負(fù)載之間的電容器，上述電子元件由根據(jù)權(quán)利要求6到權(quán)利要求18中任一項(xiàng)所述的電子元件構(gòu)成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子電路，其特征在于，上述電子元件的上述第1電極與上述電源的正極連接，上述電子元件的上述第2電極與上述電容器的陽(yáng)極連接，上述電子元件的上述第3電極與上述電容器的陰極連接，上述電子元件的上述第4電極與上述電源的負(fù)極連接，上述電容器的陽(yáng)極與上述電負(fù)載的正極連接，上述電容器的陰極與上述電子元件的負(fù)極連接。
22.一種電子電路，其特征在于，備有具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀，與電源連接的第1電子元件；和具有大致長(zhǎng)方形的平面形狀，與上述第1電子元件和電負(fù)載連接的第2電子元件，在上述長(zhǎng)方形的橫方向中的上述第1電子元件的第1尺寸比在上述長(zhǎng)方形的縱方向中的上述第1電子元件的第2尺寸大，在上述長(zhǎng)方形的橫方向中的上述第2電子元件的第3尺寸比在上述長(zhǎng)方形的縱方向中的上述第2電子元件的第4尺寸小。
全文摘要
在層疊了的多個(gè)電介質(zhì)層的主面上分別形成多個(gè)導(dǎo)體板。側(cè)面陽(yáng)極電極與正極的導(dǎo)體板連接，側(cè)面陰極電極與陰極的導(dǎo)體板連接。陽(yáng)極電極分別與側(cè)面陽(yáng)極電極連接。陰極電極與側(cè)面陰極電極連接。以正極的導(dǎo)體板的有效電感比自感小的方式，使方向相互相反的直流電流流過(guò)正極的導(dǎo)體板和陰極的導(dǎo)體板。結(jié)果，能夠通過(guò)減小電感，減小阻抗。
文檔編號(hào)H01P1/20GK1925210SQ200610128870
公開(kāi)日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月2日
發(fā)明者二木一也 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社