專利名稱：：金屬材料用腐蝕劑組合物及使用該組合物的半導(dǎo)體裝置的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地且高效地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑組合物以及使用該腐蝕劑組合物的半導(dǎo)體裝置的制備方沐
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨著半導(dǎo)體設(shè)備的高集成化、以及門絕緣層的薄型化，在附加門偏置時(shí)，存在插入絕緣層的隧道電流增加、信號(hào)延遲或者驅(qū)動(dòng)力下降的問題。為了抑制隧道電流的增加，采用介電常數(shù)為10以上的絕緣材料來代替介電常數(shù)為3.9的硅氧化物。作為這樣的高介電常數(shù)的絕緣材料，作為候補(bǔ)材料，研究了A1203、HfD2、Y;A和Zr02等稀土類元素氧化物和鑭系元素的氧化物。如果使用該高介電常數(shù)的絕緣材料，即使把門長變得微細(xì)，依照比例準(zhǔn)則，能夠保持門絕緣材料的容量，而且作為門絕緣層的厚度可以為能夠防止隧道電流的厚度。另外，為了抑制信號(hào)延遲的降低或者驅(qū)動(dòng)力的下降，研究了將門電極材料從以往使用的多晶硅變更為金屬材料的方法。通過在門電極材料中使用金屬材料，能夠減小門電阻和源一漏電阻，還能降低半導(dǎo)體裝置的信號(hào)延遲。另外，在多晶硅電極中觀察，沒有發(fā)生門的耗盡，可以提高驅(qū)動(dòng)力。而且，通過將高介電常數(shù)絕緣材料和金屬材料組合，可以得到相乘效果，抑制隧道電流使其降低，并且高水平地維持半導(dǎo)體裝置的性能。制備由該高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氧化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料制成的半導(dǎo)體裝置時(shí)，出現(xiàn)選擇性地腐蝕金屬材料的工序。例如，可以列舉出，只在雙柵極型晶體管的第一門領(lǐng)域裝飾金屬材料的工序,在該工序中，在絕緣材料上堆積高介電常數(shù)絕緣材料和金屬材料，然后，只腐蝕第二門領(lǐng)域的金屬材料的工序。在該腐蝕工序中，使用以往的使用等離子氣體的干腐蝕法時(shí)，不能得到絕緣材料及高介電常數(shù)絕緣材料與金屬材料的選擇比，結(jié)果絕緣材料以及高介電常數(shù)絕緣材料就被腐蝕了，所以難以進(jìn)行精密的加工。更進(jìn)一步,還沒公開過使用濕腐蝕法的金屬材料的腐蝕技術(shù)。因此，希望得到對高介電常數(shù)絕緣材料和硅的氧化膜或氮化膜(以下，略記為氧化膜或氮化膜)等絕緣材料，腐蝕性少地、高效地且選擇性地只腐蝕金屬材料的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的隧道電流的抑制、信號(hào)延遲的降低、驅(qū)動(dòng)力的提高的技術(shù)中不可缺少的，制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、以氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地且高效地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑，提供一種對高介電常數(shù)絕緣材料和由氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料，腐蝕性少地、選擇性地且高效地腐蝕金屬材料的腐蝕劑組合物。本發(fā)明人為了確立選擇性地腐蝕金屬的技術(shù)，解決上述問題，進(jìn)行了全面深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在含有氟化物的水溶液、或者含有無機(jī)酸或有機(jī)酸的任意一者和氟化物的水溶液中，添加作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑后的腐蝕劑組合物，可以利用腐蝕對金屬材料進(jìn)行微細(xì)加工，并且對高介電常數(shù)的絕緣材料和由氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料，該腐蝕劑組合物具有腐蝕性小的極其優(yōu)秀的特性，由此完成本發(fā)明。也就是說，本發(fā)明涉及以下的金屬材料用的腐蝕劑組合物以及使用該組合物的半導(dǎo)體裝置的制備友法。1、一種腐蝕劑組合物，其特征在1P，所述組合物為制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑組合物；所述組合物為含有氟化物、和作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的水溶液。2、一種腐蝕劑組合物，其特征在于，所述組合物為制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑組合物；所述組合物為含有氟化物、作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑、以及無機(jī)酸和/或有機(jī)酸的水溶液。3、根據(jù)上述1所述的腐蝕劑組合物，其中，所述氟化合物的含量為0.001-10質(zhì)量％,作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的含量為0.001-10質(zhì)量％。4、根據(jù)上述2所述的腐蝕劑組合物,其中,所述氟化物的含量為0.001-10質(zhì)量％，無機(jī)酸的含量為50質(zhì)量％以下，作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的含量為0.001-10質(zhì)量％。5、根據(jù)上述2所述的腐蝕劑組合物,其中，所述氟化物的含量為0.001-10質(zhì)量％,有機(jī)酸的含量為15質(zhì)量％以下，作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的含量為0.001-10質(zhì)量％。6、根據(jù)上述1至5中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，其中，所述氟化物為選自氫氟酸、氟化銨、四甲基氟化銨、氟化鈉、以及氟化鉀中的至少一絲7、根據(jù)上述2或4所述的腐蝕劑組合物，其中，所述無機(jī)酸為選自硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、氨基磺酸、亞硝酸、以及酰胺硫酸中的至少一種。8、根據(jù)上述2或5所述的腐蝕劑組合物，其中，所述有機(jī)酸為選自甲酸、草酸、檸檬酸、丙二酸、琥珀酸、乙酸、丙酸、蘋果酸、以及酒石酸中的至少一種。9、根據(jù)上述1至8中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，其中，所述金屬材料力ALCo、Cr、Cu、Fe、Hf、Mo、Nb、M、Pt、Ru、Ta、T"W、或Zr的材料，或者所述這些材料中含有硅原子和/或氮原子的材料。10、根據(jù)上述1至8中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，其中，所述高介電常數(shù)的絕緣材料為A1;A、Ce03、Dy203、Er203、Eu203、Gd203、棚02、H02C)3、La203、L禍、,05、Nd203、Pr203、ScQ3、Sm203、Ta205、1^03、Ti02、Tm203、Y203、YhO"或ZrQz的材料，或者所述這些材料中含有硅原子和/或氮原子的材料。U、一種半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，該方法為使用上述1至8中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，不腐蝕高介電常數(shù)的絕緣材料和由硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料，而選擇性地腐蝕金屬材料。具體實(shí)施例方式本發(fā)明使用的氟化物，可列舉出氫氟酸、氟化銨、酸式氟化銨、氟化鈰、四氟化硅、氟硅酸、氟化氮、氟化磷、偏氟乙烯、三氟化硼、硼氫氟酸、氟硼酸銨、單乙醇胺氫氟酸鹽、甲胺氫氟酸鹽、乙胺氫氟酸鹽、丙胺氫氟酸鹽、四甲基氟化銨、四乙基氟化銨、三乙基甲基氟化銨、三甲基羥乙基氟化銨、四乙氧基氟化銨、甲基三乙氧基氟化銨等的氟化物鹽，或者氟化鋰、氟化鈉、酸式氟化鈉、氟化鉀、酸式氟化鉀、氟硅酸鉀、六氟磷酸鉀、氟化鎂、氟化鈣、氟化鍶、氟化鋇、氟化鋅、氟化鋁、氟化亞錫、氟化鉛、三氟化銻等的金屬氟化物。其中，優(yōu)選的氟化物為氫氟酸、氟化銨、四甲基氟化銨、氟化鈉、以及氟化鉀。本發(fā)明中使用的上述氟化物，nj以單獨(dú)使用，也n]"以兩種以匕組合起來使用。腐蝕劑組合物中的氟化物的濃度優(yōu)選為0.001-10質(zhì)量％。通過使其濃度在0.001質(zhì)量％以上，金屬材料可以得到快的腐蝕速度；通過使其濃度在IO質(zhì)量％以下，可以防止對高介電常數(shù)的絕緣材料和由氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料的腐蝕。作為本發(fā)明中使用的、作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑，例如，可以列舉出甲基二膦酸、氨基三甲撐膦酸、l-羥亞乙基-l,l-二膦酸、乙胺基二甲撐膦酸、十二烷胺基二甲撐膦酸、氰基三甲撐膦酸、乙二胺二甲撐膦酸、乙二胺四甲撐膦酸、己烯二胺四甲撐膦酸、二乙撐三胺五甲撐膦酸、1,2-丙二胺四甲撐膦酸等的分子中含有膦酸基的膦酸類螯合劑；或者這些的銨鹽、有機(jī)胺鹽、堿金屬鹽；或者這些膦酸類螯合劑中，在該分子中含有氮原子的螯合劑被氧化成N-氧化物體的氧化體；或者正磷酸、焦磷酸、偏磷酸、三甲基磷酸、四甲基磷酸、己甲基磷酸、三聚磷酸等的氨烷基磷酸類螯合劑；或者這些的銨鹽、有機(jī)胺鹽、堿金屬鹽；或者這些氨烷基磷酸類螯合劑中，在該分子中含有氮原子的螯合劑被氧化成N-氧化物體的氧化體；或者8-喹啉基次膦酸、2-氨乙基次膦酸等的分子中具有次膦酸基的次膦酸類螯合劑；或者這些的銨鹽、有機(jī)胺鹽、堿金屬鹽；或者這些的次膦酸類螯合劑中，在該分子中含有氮原子的螯合劑被氧化成N-氧化物體的氧化體等。其中，優(yōu)選二膦酸類、氰基甲撐膦酸類、或者五甲撐膦酸類。作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑，可以單獨(dú)使用，也可以兩種以上組合起來使用。作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑，在腐蝕劑組合物中的濃度優(yōu)選為0.001-10質(zhì)量°/。的范圍。通過使其濃度在0.001質(zhì)量％以上，可以得到好的添加效果；通過使其濃度在10質(zhì)量％以下，可以防止腐蝕劑組合物中結(jié)晶的析出。本發(fā)明中使用的無機(jī)酸，可以列舉出硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、次磷酸、碳酸、氨基磺酸、硼酸、膦酸、次膦酸、亞硝酸和酰胺硫酸等，其中，優(yōu)選硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、氨基磺酸、亞硝酸、以及酰胺硫酸。腐蝕劑組合物中的無機(jī)酸的濃度，根據(jù)其在水中的溶解度適宜地決定，優(yōu)選為50質(zhì)量％以下。通過使其濃度在50質(zhì)量y。以下，除了可以腐蝕作為腐蝕對象的金屬材料之外，可以防止不會(huì)因原來的腐蝕而引起損傷的材料被腐蝕。本發(fā)明使用的有機(jī)酸，可以列舉出草酸、琥珀酸、丙二酸、丙酸、乙酸、馬來酸、羥基乙酸、二甘醇酸、酒石酸、衣康酸、丙酮酸、蘋果酸、己二酸、甲酸、苯二甲酸、安息香酸、水楊酸、氨基甲酸、硫氰酸、乳酸、檸檬酸，其中，優(yōu)選草酸、檸檬酸、丙二酸、琥珀豳、乙酸、丙酸、蘋果酸、以及酒腐蝕劑組合物中的有機(jī)酸濃度，根據(jù)其在水中的溶解度適宜地決定，優(yōu)選為15質(zhì)量％以下。通過使其濃度在15質(zhì)量％以下，可以防止腐蝕劑組合物中結(jié)晶的析出。本發(fā)明中使用的上述無機(jī)酸、有機(jī)酸，可以單獨(dú)使用，也可以兩種以上組合起來使用。另外，通過添加上述有機(jī)酸或無機(jī)酸，由硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料不易被腐蝕，可以更有效地腐蝕金屬材料。本發(fā)明的腐蝕劑組合物，也可以用氫氟酸除去金屬材料表層的自然氧化膜。通過用氫氟酸進(jìn)行前處理，可以更有效地腐蝕金屬材料。另外，本發(fā)明的腐蝕劑組合物，被用于將作為腐蝕對象的金屬材料全部腐蝕的工序，但是也可以用于通過使用以往的等離子氣體的干腐蝕法，腐蝕對高介電常數(shù)的絕緣材料和由氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料不會(huì)造成損傷的程度后，除去金屬材料的未腐蝕部分。另外，本發(fā)明的腐蝕劑組合物中，為了達(dá)到提高腐蝕劑組合物的潤濕性、或者抑制薄片處理后附著在薄片上的顆?；蛘呓饘傥酃?、或者抑制對絕緣材料的損傷等的提高腐蝕劑組合物的性能的目的，也可以配合以往使用的添加劑。作為這樣的添加劑，可以列舉出具有表面活性的化合物、水溶性高分子、以及水溶性或水混合性的有機(jī)溶劑等。另外，這些添加劑，只要可溶于本發(fā)明的腐蝕劑組合物就5X以使用，可以單獨(dú)使用，也可以兩種以上組合起來使用。另外，本發(fā)明的腐蝕劑組合物的pH沒有特別的限制，根據(jù)腐蝕條件、使用的半導(dǎo)體材料的種類等來選擇即可。堿性條件下使用時(shí)，例如添加氨、胺、四甲基氫氧化銨等的季銨氫氧化物等即可；酸性條件下使用時(shí)，添加無機(jī)酸、有機(jī)酸等即可?？梢愿鶕?jù)作為腐蝕對象的金屬材料的種類和必要的腐蝕量，來適當(dāng)?shù)貨Q定本發(fā)明的腐蝕劑組合物的使用溫度和使用時(shí)間。適用本發(fā)明的腐蝕劑組合物的金屬材料，含有選自Al、Co、Cr、Qi、Fe、Hf、Mo、Nb、M、Pt、Ru、Ta、H、W、Zr的材料中的至少一種即可，優(yōu)選選自Co、Hf、Ni、Ta、Ti、W。或者也可以適用于這些中含有硅原子或氮原子的材料、或者這些中含有硅原子和氮原子兩者的材料。更進(jìn)一步，也可以適用于上述兩種材料處于混合或處于層壓狀態(tài)的材料。適用本發(fā)明的腐蝕劑組合物的高介電常數(shù)絕緣材料，含有選自A1203、Ce03、Dy203Er203、Eu203、Gd203、H線、Ho203、La203、Lu203、Nb2Os、Nd203、Pr203、Sc03、Sm203、Ta20"Tb203、Ti02、Tm203、Y203、Yb^和Zr02中的至少一種即可，優(yōu)選選自"203、朋A、Ta20s和Zr02。或者也可以使用這些中含有硅元素或氮元素的材料、或者這些中含有硅元素和氮元素兩者的材料。更進(jìn)一歩，也可以適用于將上述材料中兩種材料混合或處于層壓狀態(tài)。實(shí)施例通過實(shí)施例和比較例對本發(fā)明作更具體的說明，但是本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1-14、比較例1-14使用在硅片基板上形成有絕緣材料th-Si02、更進(jìn)一步形成有高介電常數(shù)絕緣材料HfSiON的薄片樣品，進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。其結(jié)果如表l所示。另外，高介電常數(shù)絕緣材料HfSiON的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下。O表示HfSiON幾乎沒被腐蝕(5A/分以下)厶表示一些HfSiON被腐蝕(5-50A/分)X表示HfSiON的腐蝕程度大(50A/分以上)另外，使用在硅片基板上形成有絕緣材料th-Si02的薄片樣品，進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。其結(jié)果也同樣如表1所示。另外，絕緣材料th-Si02的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下。0表示th-Si02幾乎沒被腐蝕(5A/分以下)A表示一些A-Si02被腐蝕(5-50A/分)X表示tii-Si02的腐蝕程度大(50A/分以上)另外，使用在硅片基板上形成有絕緣材料th-Si02、更進(jìn)一步形成有純的金屬材料Ti的薄片樣品，進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。其結(jié)果也同樣如表l所示。另外，純金屬材料Ti的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下。〇表示Ti明顯被腐蝕厶表示一些Ti被腐蝕X表示Ti沒被腐蝕實(shí)施例15-28、比較例15-28對如表2所示組成的腐蝕劑組合物進(jìn)行處理，確認(rèn)高介電常數(shù)絕緣材料HfSiON、絕緣材料th-Si02的腐蝕性能。更進(jìn)-步，使用形成有含硅原子的金屬材料HfSi的薄片樣品，進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。其結(jié)果如表2所示。另外，含硅原子的金屬材料HfSi的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下。O表示HfSi明顯被腐蝕厶表示一些HfSi被腐蝕X表示HfSi沒被腐蝕實(shí)施例29-42、比較例29-42對如表3所示組成的腐蝕劑組合物進(jìn)行處理，確認(rèn)高介電常數(shù)絕緣材料HfSiON、絕緣材料th-Si02的腐蝕性能。更進(jìn)一步，使用形成有含氮原子的金屬材料HfN的薄片樣品，進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。其結(jié)果如表3所示。另外，含氮原子的金屬材料HfN的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下。〇表示HfN明顯被腐蝕厶表示一些HfN被腐蝕X表示HfN沒被腐蝕實(shí)施例43-56、比較例43-56對如表4所示組成的腐蝕劑組合物進(jìn)行處理，確認(rèn)高介電常數(shù)絕緣材料HfSiON、絕緣材料th-Si02的腐蝕性能。更進(jìn)一步，使用形成有含硅原子和氮原子兩者的金屬材料TaSiN的薄片樣品，進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。其結(jié)果如表4所示。另外,含硅原子和氮原子兩者的金屬材料TaSiN的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下。O表示TaSiN明顯被腐蝕A表示一些TaSiN被腐蝕X表示TaSiN沒被腐蝕關(guān)于比較例8、比較例22、比較例36或者比較例50,因?yàn)楦g劑組合物中有結(jié)晶析出，所以不能進(jìn)行腐蝕性能的確認(rèn)。在表l、2、3和4中可以確認(rèn)，通過使用本發(fā)明的腐蝕劑組合物，可以使希望的金屬材料被腐蝕，可以降低高介電常數(shù)絕緣材料和由氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料的腐蝕率。如上所述，使用本發(fā)明的腐蝕劑組合物對高介電常數(shù)絕緣材料或者金屬材料進(jìn)行腐蝕時(shí)，可以抑制附02、HfSiON、Ta205和Zr02等的高介電常數(shù)絕緣材料的腐蝕。因此可以確認(rèn)，對高介電常數(shù)絕緣材料和由氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料腐蝕性小，而選擇性地、高效地腐蝕金屬材料。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>>注其余主要是水<table>complextableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>注其余主要是水表3<table>complextableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>注其余主要是水。<table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>工業(yè)實(shí)用性通過使用本發(fā)明的腐蝕劑組合物腐蝕金屬材料，可以選擇性地腐蝕、只使用用以往的等離子氣體的腐蝕法困難的金屬材料，并且可以抑制相對于高介電常數(shù)的絕緣材料和由氧化物膜或氮化物膜形成的絕緣材料的腐蝕。權(quán)利要求1、一種腐蝕劑組合物，其特征在于，所述組合物為制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑組合物；所述組合物為含有氟化物、和作為官能基在分子結(jié)構(gòu)含有磷元素的含氧酸的螯合劑的水溶液。2、一種腐蝕劑組合物，其特征在于，所述組合物為制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑組合物；所述組合物為含有氟化物、作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑、以及無機(jī)酸和/或有機(jī)酸的水溶液。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的腐蝕劑組合物，其中，所述氟化物的含量為0.001-10質(zhì)量％,作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的含量為0.001-10質(zhì)量％。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的腐蝕劑組合物，其中，所述氟化物的含量為0.001-10質(zhì)量％，無機(jī)酸的含量為50質(zhì)量％以下，作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的含量為0.001-10質(zhì)量％。5、根據(jù)權(quán)利要求2所述的腐蝕劑組合物，其中，所述氟化物的含量為0.001-10質(zhì)量％,有機(jī)酸的含量為15質(zhì)量％以下，作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的含量為0.001-10質(zhì)量％。6、根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，其中，所述氟化物為選自氫氟酸、氟化銨、四甲基氟化銨、氟化鈉、以及氟化鉀中的至少一種。7、根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的腐蝕劑組合物，其中，所述無機(jī)酸為選自硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、氨基磺酸、亞硝酸、以及酰胺硫酸中的至少一種。8、根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的腐蝕劑組合物，其中，所述有機(jī)酸為選自甲酸、草酸、檸檬酸、丙二酸、琥珀酸、乙酸、丙酸、蘋果酸、以及酒石酸中的至少一種。9、裉據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，其中，所述金屬材料為M、Co、Cr、Cu、Fe、Hf、Mo、Nb、Ni、Pt、Ru、Ta、Ti、W、或Zi"的材料，或者所述這些材料中含有硅原子和/或氮原子的材料。10、根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，其中，所述高介電常數(shù)的絕緣材料為A1203、CeOs、Dy203、Er203、Eu203、Gd203、HfD2、Ho203、La203、Lu203、線05、Pr203、ScO^Sm203、Ta2Os、Tb203、H02、Tm203、Y203、￥^03或Zr02的材料，或者所述這些材料中含有硅原子和/或氮原子的材料。11、一種半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，該方法為使用權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的腐蝕劑組合物，不腐蝕高介電常數(shù)的絕緣材料和由硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料，而選擇性地腐蝕金屬材料。全文摘要提供一種腐蝕劑組合物、以及使用該組合物的半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于，所述組合物為制備包括高介電常數(shù)的絕緣材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的絕緣材料、以及金屬材料的半導(dǎo)體裝置時(shí)，選擇性地腐蝕金屬材料時(shí)使用的腐蝕劑組合物；所述組合物為含有氟化合物、和作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑的水溶液，或者含有氟化物、作為官能基在分子結(jié)構(gòu)中含有磷元素的含氧酸的螯合劑、以及無機(jī)酸和/或有機(jī)酸的水溶液。該組合物能夠選擇性地且高效地腐蝕金屬材料。文檔編號(hào)H01L21/02GK101199043SQ20068002143公開日2008年6月11日申請日期2006年6月22日優(yōu)先權(quán)日2005年6月24日發(fā)明者大戶秀,安部幸次郎,矢口和義申請人:三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社