專利名稱：沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)的單體化分離(singulation)，特別是 涉及一種可解決制程中會引起沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的引腳剝離、掉落 與毛邊等問題，而能提升制程優(yōu)良率，更可增加引腳電鍍面積的沖裁式無 外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體封裝制造技術(shù)中，先將復(fù)數(shù)個載體單元集成在一基材 以供進(jìn)行封裝制程，是相當(dāng)常見的，且符合經(jīng)濟(jì)效率。當(dāng)大部分的封裝制程 完成之后，方進(jìn)行單體分離，以分離出復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。譬如說，使 用導(dǎo)線架作為基材制作出無外引腳封裝構(gòu)造(leadless IC package)即是如 此，在制程的最后進(jìn)行單體分離。就已知的分離種類，無外引腳封裝構(gòu)造可 進(jìn)一步區(qū)別為沖裁式(punching type)與鋸切式(sawing type)。其中，在沖 裁式無外引腳封裝構(gòu)造中，復(fù)數(shù)個封膠體是個別形成，以沖裁導(dǎo)線架引腳 的方法便可達(dá)到單體分離的效果。而鋸切式則是以一封膠體連續(xù)覆蓋所有 載體單元，必須以高速旋轉(zhuǎn)的鋸切刀同時切斷封膠體與引腳，對于刀具的磨損影響較大，且較為耗時。請參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造在沖裁單離 時的截面示意圖。現(xiàn)有習(xí)知的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，是以一次全裁切 的動作完成單體分離，導(dǎo)線架110固定在一沖裁設(shè)備的載臺ll上，并以沖 裁刀12 —次切斷該導(dǎo)線架110的引腳111，而不會切到預(yù)定形狀的封膠體 130。請配合參閱圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的截面 示意圖?，F(xiàn)有習(xí)知的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造IOO，主要包含該導(dǎo)線架IIO 的一部位、 一晶片120以及一封膠體130。該晶片120，是設(shè)置于該導(dǎo)線架 110并藉由復(fù)數(shù)個焊線121電性連接至該些引腳111。模封形成的該封膠體 130，其是密封該晶片120并結(jié)合該些引腳111，但是該些引腳111的上表面 應(yīng)稍露出，以供沖裁。該些引腳111的下表面亦必須為顯露狀，可供表面 接合。在沖裁之前， 一電鍍層140是先形成于該些引腳111的稍露出上表 面與下表面，以避免引腳111銹化并有助于焊接。然而如圖1所示，在現(xiàn) 有習(xí)知的沖裁過程中，沖裁刀12對該些引腳111的沖切力量會導(dǎo)致引腳111 容易由該封膠體130剝離，甚至有掉落的問題發(fā)生。此外，請參閱圖2所示，在沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造中，在該些引腳111 的沖裁面會存在有毛邊現(xiàn)象，而容易刮傷人體或電子元件。由此可見，上述現(xiàn)有的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法其在方 法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改 進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但 長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般的制造方法及產(chǎn)品又沒 有適切的方法及結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問 題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法，實(shí) 屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一 ，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法存在的缺 陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及其專業(yè)知 識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的沖裁式無外 引腳封裝構(gòu)造及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的沖裁式無外引腳封裝構(gòu) 造及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù) 試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造 方法存在的缺陷，而提供一種新的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，所 要解決的技術(shù)問題是使其可以解決現(xiàn)有習(xí)知單程沖裁的制程中會引起沖裁 式無外引腳封裝構(gòu)造的引腳剝離、掉落與毛邊等問題，而能夠提升制程的 優(yōu)良率，更可增加引腳的電鍍面積，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造存在的 缺陷，而提供一種新型的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題 是使其增加電鍍層在引腳的切面面積，以防止不當(dāng)?shù)匿P化，更可解決引腳 切面毛邊的問題，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其包括以下的 步驟提供一導(dǎo)線架，其具有復(fù)數(shù)個載體單元，每一載體單元內(nèi)形成有復(fù) 數(shù)個引腳；設(shè)置復(fù)數(shù)個晶片至該導(dǎo)線架，并使該些晶片電性連接至該些弓1 腳；形成復(fù)數(shù)個封膠體于該些栽體單元，以結(jié)合該些引腳；進(jìn)行一半沖裁步 驟，沿著該些封膠體的外周緣形成復(fù)數(shù)個半凹缺口于該些引腳；進(jìn)行一電鍍 步驟，形成一電鍍層于該些引腳包含該些半凹缺口的外露表面；以及進(jìn)行 一全沖裁步驟，沿著該些半凹缺口切斷該些引腳，而分離成個別的封膠體。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中在相鄰載體單元之間形成有一堵住桿(dam bar),該些封膠體在形成時是顯露該些堵住桿。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中所迷的該些半凹缺 口是形成于該些引腳的上表面。前迷的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中所迷的該些半凹缺 口是形成于該些引腳的下表面。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的該些晶片是 藉由復(fù)數(shù)個焊線以電性連接至該些引腳。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的該些半凹缺 口的深度約為該些引腳的厚度三分之一至二分之一。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的電鍍步驟是 為化學(xué)電鍍或是電解電鍍。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的電鍍層是選 自于錫、錫-鉛、錫-鉍的其中之一。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其包含 一導(dǎo)線架的復(fù)數(shù)個引 腳，每一引腳的外端具有以兩段式?jīng)_裁形成的一第一切面與一第二切面；一 晶片，其設(shè)置于該導(dǎo)線架并與該些引腳電性連接； 一封膠體，其形成于該 導(dǎo)線架上并與該些引腳結(jié)合；以及一電鍍層，其至少形成于該些引腳的該 些第一切面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一切面是與對應(yīng) 引腳的下表面相連接。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一切面是與對應(yīng) 引腳的上表面相連接。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其中所述的每一引腳具有一稍突出 于該封膠體側(cè)邊的上表面。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其中所述的電鍍層亦形成于該些引 腳的突出上表面。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其中所述的晶片是以打線或是覆晶 接合方式電性連接至該些引腳。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造,其中所述的導(dǎo)線架是具有一晶片承 座，以供該晶片的設(shè)置。前述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其中所述的電鍍層是形成于該晶片 ;fc座的下表面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其是由如權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法所制造的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為達(dá) 到上述目的，本發(fā)明揭示了一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法。首 先，提供一具有復(fù)數(shù)個載體單元的導(dǎo)線架，每一載體單元內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個^ 1腳，在相鄰載體單元之間可形成有一堵住桿(dam bar)。再將復(fù)數(shù)個晶片設(shè) 置至該導(dǎo)線架，并以適當(dāng)方式使該些晶片電性連接至該些引腳。之后，個別 形成復(fù)數(shù)個封膠體于對應(yīng)的該些載體單元，以結(jié)合該些引腳但顯露該些堵 住桿。在封膠之后，進(jìn)行一半沖裁步驟，沿著該些封膠體的外周緣形成復(fù) 數(shù)個半凹缺口于該些引腳。之后，進(jìn)行一電鍍步驟，形成一電鍍層于該些引 腳包含該些半凹缺口的外露表面。最后，進(jìn)行一全沖裁步驟，沿著該些半凹 缺口切斷該些引腳，而分離成個別的封膠體。本發(fā)明揭示了依上述制程所 制成的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造。在前述的制造方法中，該些半凹缺口是可形成于該些引腳的上表面。在 前述的制造方法中，該些半凹缺口是可形成于該些引腳的下表面。在前述 的制造方法中，該些晶片是可藉由復(fù)數(shù)個焊線以電性連接至該些引腳。在前 述的制造方法中，該些半凹缺口的深度可約為該些引腳的厚度三分之一至 二分之一。在前述的制造方法中，上述的電鍍步驟是為化學(xué)電鍍或是電解 電鍍。在前述的制造方法中，該電鍍層是可選自于錫、錫-鉛、錫-鉍的其 中之一。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法至 少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、 本發(fā)明的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，可以解決現(xiàn)有習(xí)知 單程沖裁的制程中會引起沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的引腳剝離、掉落與毛 邊等問題，而能夠提升制程的優(yōu)良率，更可增加引腳的電鍍面積，從而更 加適于實(shí)用。2、 本發(fā)明的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，可以增加電鍍層在引腳的切面 面積，以防止不當(dāng)?shù)匿P化，更可解決引腳切面毛邊的問題，從而更加適于實(shí)用。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方 法。該沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，基本上是在一導(dǎo)線架上設(shè)置 復(fù)數(shù)個晶片、電性連接并形成復(fù)數(shù)個封膠體。之后，在電鍍步驟之前先進(jìn)行 一半沖裁步驟，沿著該些封膠體的外周緣形成復(fù)數(shù)個半凹缺口于該導(dǎo)線架 的復(fù)數(shù)個引腳。再將一電鍍層形成于該些半凹缺口內(nèi)。最后進(jìn)行一全沖裁 步驟，沿著該些半凹缺口切斷該些引腳，而使該些封膠體分離。藉由電鍍 前的半沖裁步驟可以解決在全沖裁步驟中造成引腳的剝離、掉落與毛邊問 題，并可增加引腳的電鍍面積。本發(fā)明具有上迷諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價值，其不論在制造方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn) 步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利 用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖l是現(xiàn)有習(xí)知沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造在沖裁單離時的截面示意圖。圖2是現(xiàn)有習(xí)知沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖3A至3G是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，一種沖裁式無外引腳封裝 構(gòu)造在制造過程中的截面示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，使用于該沖裁式無外引腳封裝構(gòu) 造的導(dǎo)線架的俯視示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的截 面示意圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實(shí)施例，該沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的側(cè) 面示意圖。圖7A至7C是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種沖裁式無外引腳封 裝構(gòu)造在制造過程的兩沖裁步驟中的截面示意圖。11:載臺12:沖裁刀21:載臺22:沖裁刀31:載臺32:沖裁刀41:載臺42:沖裁刀51:載臺52:沖裁刀100:沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造110:導(dǎo)線架111:引腳120:晶片121:焊線130:封膠體140:電鍍層200:沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造210:導(dǎo)線架21 OA:載體單元211:引腳211A:上表面2UB:下表面211C:半凹缺口211D:第一切面211E:第二切面212:堵住桿213:晶片承座220:晶片221:焊線230:封膠體231:外周緣240:電鍍層310:導(dǎo)線架311:引腳311A:上表面311B:下表面311C:半凹缺口312:堵住桿320:晶片321:焊線330:封膠體331:外周緣340:電鍍層具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的沖裁式無外引腳封裝 構(gòu)造及其制造方法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳 細(xì)i兌明如后。在本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中，請參閱圖3A至3G所示，是依據(jù)本發(fā) 明的第 一具體實(shí)施例， 一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造在制造過程中的截面示意圖，揭示了一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法。圖4是使用于 該沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架的俯視示意圖，為制程中使用的一導(dǎo) 線架的頂面示意圖。首先，請參閱圖3A及圖4所示，提供一導(dǎo)線架210，該導(dǎo)線架210具有 復(fù)數(shù)個栽體單元210A,每一栽體單元210A內(nèi)形成設(shè)有復(fù)數(shù)個引腳211，且 在相鄰的栽體單元210A之間形成設(shè)有一堵住桿212 (dam bar)，以連接該些 引腳211。在本實(shí)施例中，每一載體單元210A內(nèi)可另形成設(shè)有至少一晶片 承座213。通常該導(dǎo)線架210是為全金屬材質(zhì)，并具有大約0.2毫米(mm)的 厚度。但是該些引腳211不具有現(xiàn)有習(xí)知產(chǎn)品可形成I、 J或海鷗形外引腳 的長度。每一引腳211具有一上表面211A與一下表面211B。請參閱圖3B所示，設(shè)置復(fù)數(shù)個晶片220至該導(dǎo)線架210,可利用已知 的粘晶技術(shù)將該些晶片220的一表面粘貼至該導(dǎo)線架210的該些晶片承座 213。此外，在不同類型的導(dǎo)線架中，其引腳亦可供粘晶之用。為使該些晶片220可電性連接至該些引腳211。請參閱圖3C所示，利用 打線技術(shù)形成復(fù)數(shù)個焊線221,該些晶片220是藉由該些焊線221以電性連 接至該些引腳211的上表面211A。此外，亦可利用內(nèi)引腳接合與覆晶接合 等技術(shù)達(dá)到晶片220與導(dǎo)線架210的電性互連。之后，請參閱圖3D所示，可利用壓模、印刷或點(diǎn)膠方式形成復(fù)數(shù)個封 膠體230于對應(yīng)的該些載體單元210A，以結(jié)合該些引腳211但顯露該些堵 住桿212。換言之，每一栽體單元210A皆可對應(yīng)到一個封膠體230。在本實(shí)施例中，該些封膠體230是為壓模形成，通常該些封膠體230是為絕緣 材料，包含可固化樹脂、無機(jī)填充劑、固化促進(jìn)劑與色料等等。每一封膠 體230除了密封對應(yīng)載體單元210A上的晶片220，更密封該些引腳211的 大部分的上表面211A。但在本實(shí)施例中，該導(dǎo)線架210的堵住桿212、引 腳211的下表面211B、晶片承座213的下表面以及引腳211的些許上表面 211A是不#:該些封膠體230所覆蓋。請參閱圖3E所示，在該些封膠體230形成之后，方進(jìn)行一半沖裁的步 驟。將該導(dǎo)線架210固定在一沖裁設(shè)備的載臺21上。利用復(fù)數(shù)個沖裁刀22 沿著該些封膠體230的外周緣231形成復(fù)數(shù)個半凹缺口 211C于該些引腳 211,值得注意的是，在半沖裁步驟后所形成的該半凹缺口 211C，其形狀并 不限定，可以是凹型或者是U型等其他幾何形狀。在本實(shí)施例中，該些半 凹缺口 211C是形成于該些引腳211的上表面211A。該些半凹缺口 211C的 深度約為該些引腳211的厚度三分之一至二分之一。即是在半沖裁步驟中 不可切斷該些引腳211，以利于電鍍。請參閱圖3F所示，進(jìn)行一電鍍步驟，其是形成一電鍍層240于該些引 腳211包含該些半凹缺口 211C的外露表面。其中，在本實(shí)施例中，該些引 腳211可供電鍍層240形成的外露表面是包含上述顯露在該些封膠體230 之外的堵住桿212、引腳211的下表面211B、晶片承座213的下表面以及 引腳211的些許上表面211A及半凹缺口 211C。此外，該電鍍步驟是可為化 學(xué)電鍍或是電解電鍍等其他方式。而該電鍍層240的材質(zhì)是可以為選自于 錫、錫-鉛、錫-鉍的其中之一。最后，請參閱圖3G所示，進(jìn)行一全沖裁步驟，經(jīng)過封膠與電鍍的導(dǎo)線 架210是固定在另一沖裁設(shè)備的栽臺31上，該載臺31具有沖切槽道以提 供沖裁刀32的全沖裁行程。并利用該些沖裁刀32沿著該些半凹缺口 211C 切斷該些引腳211，而分離成個別的封膠體230。在本實(shí)施例中，該些引腳 211是被該些封膠體230結(jié)合而與該些堵住桿212分離。本發(fā)明并不局限沖 裁設(shè)備的種類，在半沖裁步驟與全沖裁步驟中使用的沖裁設(shè)備可為相同或 不相同。請參閱圖5所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該沖裁式無外引 腳封裝構(gòu)造的截面示意圖。藉由該全沖裁步驟可得到復(fù)數(shù)個沖裁式無外引 腳封裝構(gòu)造200,利用上述半沖裁步驟實(shí)施在封膠步驟與電鍍步驟之間并在 全沖裁步驟之前，以降低全沖裁步驟時對引腳211和封膠體230結(jié)合處所 造成破壞性的沖切應(yīng)力。故能夠防止該些引腳211由與封膠體230結(jié)合界 面產(chǎn)生裂縫，不會有現(xiàn)有技術(shù)因一次全沖裁造成引腳剝離與引腳掉落的問 題,并進(jìn)一步解決了產(chǎn)生引腳毛邊的問題。并且，請參閱圖6所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的側(cè)面示意圖。原在半凹缺口 211C內(nèi)的電鍍層240可以 增加產(chǎn)品中引腳211沖切側(cè)緣的電鍍面積，而可減少該些引腳211的銹化 以及能夠增加上板時對焊球或錫膏的接合能力。因此，在本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中另揭示了上述包含兩段式?jīng)_裁方 式制成的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造。請參閱圖5及圖6所示，該沖裁式無 外引腳封裝構(gòu)造200，其主要包含一導(dǎo)線架210的復(fù)數(shù)個引腳211、 一晶片 220、 一封月交體230以及一電鍍層240。該每一引腳211，顯露于封膠體外的外端是具有以兩段式?jīng)_裁形成的一 第一切面211D與一第二切面211E,其中該第一切面211D是由前述半沖裁 步驟形成的半凹缺口 211C的一側(cè)壁所構(gòu)成(如圖犯所示)，且被該電鍍層 240所覆蓋(如圖3F所示)。該第二切面211E是為由前述全沖裁步驟所形成 的引腳外露端面。在本實(shí)施例中，該些引腳211的第一切面211D是與對應(yīng) 引腳211的上表面211A相連接。在不同實(shí)施例中，該些引腳211的第一切 面211D亦可與對應(yīng)引腳211的下表面相連接。該晶片220,是設(shè)置于該導(dǎo)線架210的晶片承座213，并以形成復(fù)數(shù)個 焊線221的打線技術(shù)或是覆晶接合方式使該晶片220與該些引腳211電性 連接。該封膠體230，是形成于該導(dǎo)線架210上并與該些引腳211結(jié)合。較佳 地，該些引腳211亦可具有一稍突出于該封膠體230側(cè)邊的上表面211A以 及下表面211B。該電鍍層240，是至少形成于該些引腳211的該些第一切面211D，更可 形成在該些稍突出于該封膠體230側(cè)邊的引腳211的上表面211A與引腳下 表面211B以及該晶片承座213的下表面。請參閱圖7A至7C所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種沖 裁式無外引腳封裝構(gòu)造在制造過程的兩沖裁步驟中的截面示意圖。在本發(fā) 明的第二具體實(shí)施例中，揭示了另 一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方 法。在半沖裁步驟之前的封裝步驟，如導(dǎo)線架提供、粘晶與封膠等等，其是 大致與第一具體實(shí)施例相同，故此不再贅述。之后，進(jìn)行一半沖裁步驟。請參閱圖7A所示，在半沖裁步驟之前，復(fù) 數(shù)個晶片320已設(shè)置于一導(dǎo)線架310，并以復(fù)數(shù)個焊線321電性連接至該導(dǎo) 線架310的復(fù)數(shù)個引腳311。 一封膠體330是形成于該導(dǎo)線架310的對應(yīng)載 體單元，以結(jié)合該些引腳311但顯露該導(dǎo)線架310的復(fù)數(shù)個堵住桿312。在 半沖裁步驟中，該導(dǎo)線架310是可反向固定于一沖裁設(shè)備的栽臺41，并利 用復(fù)數(shù)個沖裁刀42沿著該些封膠體330的外周緣331形成復(fù)數(shù)個半凹缺口 311C于該些引腳311。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)線架310是反向設(shè)置于該栽臺 41，而該些半凹缺口 311C是形成于該些引腳311的下表面311B。請參閱圖7B所示，在半沖裁之后進(jìn)行一電鍍步驟，其是形成一電鍍層 340于該些引腳311包含該些半凹缺口 311C的外露表面，即該些引腳311 的部分上表面311A、下表面311B以及該些半凹缺口 311C。請參閱圖7C所示，進(jìn)行一全沖裁步驟，該導(dǎo)線架310可改為正向放置 于一沖裁設(shè)備的載臺51，并利用復(fù)數(shù)個沖裁刀52沿著該些半凹缺口 311C 切斷該些引腳311，而分離成個別的封膠體330。因此，本發(fā)明的半凹缺口 無論是形成在引腳的上表面或下表面，皆能解決現(xiàn)有習(xí)知單程沖裁的制程 中引起沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的引腳剝離、掉落與毛邊等問題，藉以提 升制程優(yōu)良率，更可增加引腳的電鍍面積。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一導(dǎo)線架，其具有復(fù)數(shù)個載體單元，每一載體單元內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個引腳；設(shè)置復(fù)數(shù)個晶片至該導(dǎo)線架，并使該些晶片電性連接至該些引腳；形成復(fù)數(shù)個封膠體于該些載體單元，以結(jié)合該些引腳；進(jìn)行一半沖裁步驟，沿著該些封膠體的外周緣形成復(fù)數(shù)個半凹缺口于該些引腳；進(jìn)行一電鍍步驟，形成一電鍍層于該些引腳包含該些半凹缺口的外露表面；以及進(jìn)行一全沖裁步驟，沿著該些半凹缺口切斷該些引腳，而分離成個別的封膠體。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于在相鄰栽體單元之間形成有一堵住桿，該些封膠體在形成時是顯露 該些堵住桿。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的該些半凹缺口是形成于該些引腳的上表面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的該些半凹缺口是形成于該些引腳的下表面。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的該些晶片是藉由復(fù)數(shù)個焊線以電性連接至該些引腳。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的該些半凹缺口的深度約為該些引腳的厚度三分之一至二 分之一。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的電鍍步驟是為化學(xué)電鍍或是電解電鍍。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法,其特 征在于其中所述的電鍍層是選自于錫、錫-鉛、錫-鉍的其中之一。
9、 一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其包含 一導(dǎo)線架的復(fù)數(shù)個引腳，每一引腳的外端具有以兩段式?jīng)_裁形成的一第一切面與一第二切面；一晶片，其設(shè)置于該導(dǎo)線架并與該些引腳電性連接； 一封爿史體，其形成于該導(dǎo)線架上并與該些引腳結(jié)合；以及 一電鍍層，其至少形成于該些引腳的該些第一切面。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的該些第一切面是與對應(yīng)引腳的下表面相連接。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的該些第一切面是與對應(yīng)引腳的上表面相連接。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的每一 引腳具有一稍突出于該封膠體側(cè)邊的上表面。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其 中所述的電鍍層亦形成于該些引腳的突出上表面。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的晶片是以打線或是覆晶接合方式電性連接至該些引腳。
15、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其中 所述的導(dǎo)線架具有一晶片承座，以供該晶片的設(shè)置。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造,其特征在于其 中所述的電鍍層是形成于該晶片承座的下表面。
17、 一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于其是由如權(quán)利要求1所 述的> 造。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造及其制造方法。沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的制造方法，包括以下步驟提供一導(dǎo)線架，具有復(fù)數(shù)載體單元，每一載體單元內(nèi)形成有復(fù)數(shù)引腳；設(shè)置復(fù)數(shù)個晶片至導(dǎo)線架，并使該些晶片電性連接至該些引腳；形成復(fù)數(shù)個封膠體于該些載體單元，以結(jié)合該些引腳；進(jìn)行一半沖裁步驟，沿著該些封膠體外周緣形成復(fù)數(shù)半凹缺口于該些引腳；進(jìn)行一電鍍步驟，形成一電鍍層于該些引腳包含該些半凹缺口的外露表面；以及進(jìn)行一全沖裁步驟，沿著該些半凹缺口切斷該些引腳，而分離成個別的封膠體。本發(fā)明可解決現(xiàn)有單程沖裁制程中會引起沖裁式無外引腳封裝構(gòu)造的引腳剝離、掉落與毛邊等問題，而能提升制程優(yōu)良率，更可增加引腳電鍍面積，非常適于實(shí)用。
文檔編號H01L21/60GK101226890SQ20071000363
公開日2008年7月23日 申請日期2007年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月18日
發(fā)明者林鴻村 申請人:南茂科技股份有限公司