專利名稱：影像傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，特別是有關(guān)于一種有
源像素上覆光電導(dǎo)體(Photoconductor on active pixel, POAP)型影像傳感器的 光電二極管層(Photodiode layer)的制造方法。
背景技術(shù)：
有源像素上覆光電導(dǎo)體(Photoconductor on active pixel, POAP)型影像傳 感器(image sensor)(以下簡(jiǎn)稱為POAP型影像傳感器)已廣泛使用于許多應(yīng)用 領(lǐng)域，例如數(shù)字相機(jī)(digital camera)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)(digital video camera)、監(jiān)視 器(monitor)、移動(dòng)電話(mobile phone)等。POAP型影像傳感器是主要利用覆 蓋于有源像素(active pixel)陣列或影像傳感器單元(image sensor cell)陣列上 的光電導(dǎo)體(Photoconductor),其包括光電二極管(Photodiode)，以將入射的影 像光能轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
POAP型影像傳感器可感測(cè)例如可見光、X光(X-ray)、紫外光(ultraviolet, UV)、紅外光(infraredray, IR)等不同波長(zhǎng)的光線，且由于POAP型影像傳感 器是以位于頂部的光電導(dǎo)體將入射的影像光激發(fā)出電子，并電性傳導(dǎo)至其下 的影像感測(cè)電路，具有較公知影像傳感器高的光敏感度(sensitivity)，且具有 優(yōu)異的光吸收性(light collection),因而可具有較高的像素密度(pixel density)。 圖1為公知的POAP型影像傳感器結(jié)構(gòu)10,像素區(qū)(pixel area)中的入射的影 像光是經(jīng)由透明導(dǎo)電層145傳至其下的光電二極管結(jié)構(gòu)135,轉(zhuǎn)換成電子訊 號(hào)傳遞至電極層132,再?gòu)碾姌O層132傳遞至基板11中的有源區(qū)130。
就POAP型影像傳感器而言，必須達(dá)成的性能要件包括高影像畫質(zhì)且具 低串?dāng)_及雜訊，并且能在低環(huán)境光源情況下提供高畫質(zhì)影像。然而，于上述 公知的POAP型影像傳感器結(jié)構(gòu)中，由于不同像素區(qū)(pixel area)中的光電二 極管結(jié)構(gòu)135為一連續(xù)層，入射影像光激發(fā)的電子會(huì)經(jīng)由光電二極管結(jié)構(gòu) 135傳遞至相鄰像素區(qū)(pixel area),例如一入射影像光以大角度射入像素區(qū) (N-l,l)并且其激發(fā)電子傳遞至對(duì)應(yīng)相鄰像素區(qū)(N，l)的有源區(qū)130,因而發(fā)生串?dāng)_(cross talk),造成感測(cè)影像的失真，降低感測(cè)像素的解析度，以及致使 感測(cè)像素的對(duì)應(yīng)色彩變調(diào)，降低影像傳感器的性能表現(xiàn)。尤其當(dāng)相鄰像素區(qū) (N-l, l)與(N, l)的電極層132之間存在有一電壓差時(shí)，更容易造成串?dāng)_。公 知方法可利用降低光電二極管結(jié)構(gòu)135中n型摻雜層N的摻雜物濃度，以增 加其電阻，使射入像素區(qū)(N-1,1)的電子無法傳遞至對(duì)應(yīng)相鄰像素區(qū)(N,1)的有 源區(qū)130,進(jìn)而減少串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生，但由于此方式的n型摻雜層N和電極層 132具有較高的接觸電阻，會(huì)降低影像傳感器的光敏感度，進(jìn)而影響影像傳 感器的性能表現(xiàn)。公知技術(shù)中，串?dāng)_的量測(cè)乃通過一不透明掩模設(shè)置于光感 測(cè)元件陣列上，僅容許光線進(jìn)入其中之一光感測(cè)像素上。量測(cè)由該光感測(cè)像 素鄰近的另 一感測(cè)像素所接收到的感測(cè)信號(hào)，并且將此訊號(hào)除以原傳感器應(yīng) 感測(cè)到的訊號(hào)，此比值稱串?dāng)_(cross talk)。隨著集成度增加，像素的面積縮 小且采用多層介電層結(jié)構(gòu)使整個(gè)影像傳感器的密度增力口，會(huì)使串?dāng)_的現(xiàn)象更 為惡化。
因此，有需要一種低串?dāng)_、高性能的影像傳感器結(jié)構(gòu)，以解決公知技術(shù) 的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，以改善不同 影像傳感器之間的串?dāng)_(cross talk)現(xiàn)象，以提升影像傳感器的性能表現(xiàn)。
為達(dá)成發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供一種影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法， 包括提供一基板；于上述基板上形成一影像傳感器電路結(jié)構(gòu)；于上述影像 傳感器電路結(jié)構(gòu)上形成一圖案化電極層，且電性連接至上述影像傳感器電路 結(jié)構(gòu)；順應(yīng)性地于上述圖案化電極層和未被上述圖案化電極層覆蓋的上述影 像傳感器電路結(jié)構(gòu)上依序形成一絕緣層和一第 一摻雜非晶硅層；進(jìn)行一平坦 化步驟，以移除部分上述第一摻雜非晶硅層和上述絕緣層直至上述圖案化電 極層，使剩余的上述第一摻雜非晶硅層和上述絕緣層被上述圖案化電極層分 隔；于上述圖案化電極層上依序形成包括一第二摻雜非晶硅層、 一第一未摻 雜非晶硅層和一第三摻雜非晶硅層的一光電二極管層，上述光電二極管層的 上述第二摻雜非晶硅層覆蓋于上述圖案化電極層、剩余的上述第一摻雜非晶 硅層和上述絕緣層，其中上述第一摻雜非晶硅層和上述第二摻雜非晶硅層具 有相反的導(dǎo)電類型。
為達(dá)成發(fā)明的另一目的，本發(fā)明提供一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，包括 一基 板； 一影像傳感器電路結(jié)構(gòu)，位于上述基板上； 一圖案化電極層，位于上述 影像傳感器電路結(jié)構(gòu)上，且電性連接至上述影像傳感器電路結(jié)構(gòu)； 一絕緣層 和一第 一摻雜非晶硅層，依序位于未被上述圖案化電極層覆蓋的上述影像傳
感器電路結(jié)構(gòu)上，且由上述圖案化電極層所分隔； 一光電二極管層，位于上 述圖案化電極層上，上述光電二極管層包括一下層的第二摻雜非晶硅層、一 中層的第一未摻雜非晶硅層和一上層的第三摻雜非晶硅層，其中上述光電二 極管層的上述第二摻雜非晶硅層被上述第一摻雜非晶硅層分隔而不連續(xù)。
圖1為公知的POAP型影像傳感器結(jié)構(gòu)；
圖2a至2e為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的影像傳感器結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。主要元件符號(hào)說明


10 影像傳感器結(jié)構(gòu)；
130~有源區(qū)；
135 光電二極管結(jié)構(gòu)；
P p型摻雜層；
N n型摻雜層；
110 基板；
210~像素區(qū)；
122 淺溝槽隔離物；
126 層間介電層；
132~介層孔；
140 圖案化電極層；
144、 144a 第一摻雜非晶硅層:
148 第一未摻雜非晶硅層；
300 光電二極管層；
156 擴(kuò)散后第 一摻雜非晶硅層
11~基板；
132~電極層；
145 透明導(dǎo)電層；
1 未摻雜層；
100 影像傳感器結(jié)構(gòu)；
200 影像傳感器電路結(jié)構(gòu);
120 CMOS晶體管；
124~源/漏極區(qū)；
128 4妄觸孔；
1364屬內(nèi)連線；
142、 142a 絕緣層；
146 第二摻雜非晶硅層；
150 第三摻雜非晶硅層；
154 透明導(dǎo)電層；
具體實(shí)施方式
以下利用工藝剖面圖，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的影像傳感器 及其形成方法，在本發(fā)明各實(shí)施例中，相同的符號(hào)表示相同或類似的元件。
請(qǐng)參考圖2a至圖2e，其顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的影像傳感器結(jié)構(gòu)的一 系列工藝剖面圖。請(qǐng)參考圖2a,形成本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的影像傳感器結(jié)構(gòu)主 要的元件包含一基板110,其包括多個(gè)像素區(qū)210，基板110可為硅基板、 絕緣層上覆硅(silicon on insulator, SOI)基板或其他半導(dǎo)體材料基板。多個(gè)淺 溝槽隔離物(shallowtrench isolation, STI)122，形成于基板110中。 一或多個(gè) 影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200，分別形成于每一個(gè)像素區(qū)210中。上述影像傳感 器電路結(jié)構(gòu)200是包括互補(bǔ)式金氧半晶體管(complementary metal oxide semiconductor transistor, CMOS transistor )(以下簡(jiǎn)稱CMOS晶體管)120，以及 其上的層間介電層126、接觸孔128、金屬內(nèi)連線136和介層孔132，其中上 述接觸孔128、金屬內(nèi)連線136和介層孔132是用以電性連接像素區(qū)210中 的CMOS晶體管120柵極及其源/漏極區(qū)124。層間介電層126可包括二氧 化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃 (BPSG)、含氟的二氧化硅(F-containing Si02)或其他類型的介電常數(shù)(dielectric constant, k)約小于3.9的低介電常數(shù)材料。金屬內(nèi)連線136可包括鋁、鋁合 金、銅、銅合金或其他銅基導(dǎo)電材料。接觸128和介層孔132可為鵠、鋁、 銅或硅化物。接著，于每一個(gè)像素區(qū)210的影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200上形成 一圖案化電極層140，且電性連接至影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200?？衫梦锢?氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)方式，于影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200 上形成一電極層(圖未顯示)。接著利用光刻及蝕刻工藝，以形成圖案化電極 層140。圖案化電極層140可為例如氮化鈦(TiN)、鋁、鋁合金、銅、銅合金 或其他銅基導(dǎo)電材料，其厚度優(yōu)選介于200A至1000A之間，更佳為300A。
請(qǐng)參考圖2b，順應(yīng)性地于圖案化電極層140和未被圖案化電極層140 覆蓋的影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200上依序形成一絕緣層142和一第一摻雜非晶 硅層144。可用例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)、 大氣壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric chemical vapor deposition, APCVD)或其他的沉積方式，順應(yīng)性地于圖案化電才及層140和未 被圖案化電極層140覆蓋的影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200上形成絕緣層142。絕 緣層142可包括例如二氧化硅(Si02)的氧化層(oxide)，其厚度優(yōu)選介于100A
至300A之間，更佳為200A。接著，可用例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積 (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)、 大氣壓化學(xué)氣相沉積 (atmospheric chemical vapor deposition, APCVD)或其4也的;兄積、方式，順應(yīng)'l"生;也 于絕緣層142上形成一第一摻雜非晶硅(amorphous silicon, a-Si)層144。第 一摻雜非晶硅(a-Si)層144的摻雜物濃度(impurity concentration)優(yōu)選介于 4E19 atoms/cm3至4E20 atoms/cm3之間，更佳為3E20 atoms/cm3 ，且第一摻 雜非晶硅(a -Si)層144的厚度優(yōu)選介于200A 600A之間，更佳為400A。
接著，請(qǐng)參考圖2c,進(jìn)行一平坦化步驟，以移除部分第一摻雜非晶硅層 144和絕緣層142直至圖案化電極層140,使剩余的第一摻雜非晶硅層144a 和絕緣層142a被圖案化電極層140分隔。舉例來說，可利用化學(xué)機(jī)械研磨 (chemical mechanical polishing, CMP)方式，以上述的圖案化電極層140做為 研磨停止層(CMP stop layer),移除部分第一摻雜非晶硅層144和絕緣層I42, 使剩余的絕緣層142a和第一摻雜非晶硅層144a與圖案化電極層140等高。 可適當(dāng)?shù)剡x擇化學(xué)機(jī)械研磨工藝的研磨時(shí)間(polish time)、研磨液(slurry)或其 他的工藝參數(shù)，使剩余的第一摻雜非晶硅層144a和絕緣層142a被圖案化電 極層140分隔為一不連續(xù)層。
接著，請(qǐng)參考圖2d,于圖案化電極層140上形成包括一下層的第二摻雜 非晶硅層146、 一中層的第一未摻雜非晶硅層148和一上層的第三摻雜非晶 硅層150的一光電二極管層(photodiodelayer)300?？捎美绲入x子體增強(qiáng)型 化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、低壓化學(xué) 氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)、 大氣壓化學(xué)氣相 沉積或其他的沉積方式，形成光電二極管層300。在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中， 光電二極管層300為一組合層，其包括第二摻雜非晶硅層146、第一未摻雜 非晶硅層148和第三摻雜非晶硅層150。光電二極管層300的第二摻雜非晶 硅層146是覆蓋于圖案化電極層140、剩余的第一摻雜非晶硅層144a和絕緣 層142a，其中第二摻雜非晶硅層146的摻雜物濃度(impurity concentration) 是優(yōu)選小于第一摻雜非晶硅層144a的摻雜物濃度，更佳介于3E19 atoms/cm3 至3E20 atoms/cm3之間，最佳為2E20 atoms/cm3。第二4參雜非晶硅層146的 厚度可大體上等于剩余的第一摻雜非晶硅層144a的厚度，優(yōu)選介于 50A 200A之間，更佳為100A。其中第一摻雜非晶硅層144a和第二摻雜非
晶硅層146具有相反的導(dǎo)電類型。舉例來說，當(dāng)?shù)谝粨诫s非晶硅層144a的 導(dǎo)電類型為n型時(shí)，第二摻雜非晶硅層146導(dǎo)電類型則為p型，或當(dāng)?shù)谝粨?雜非晶硅層144a的導(dǎo)電類型為p型時(shí)，第二摻雜非晶硅層146導(dǎo)電類型則 為n型。第一未摻雜非晶硅層148的厚度優(yōu)選介于3000A至8000A之間， 更佳為5000A。第三摻雜非晶硅層150和第二摻雜非晶硅層146具有相反的 導(dǎo)電類型。舉例來說，當(dāng)?shù)谌龘诫s非晶硅層150的導(dǎo)電類型為n型時(shí)，第二 摻雜非晶硅層146導(dǎo)電類型則為p型，或當(dāng)?shù)谌龘诫s非晶硅層150的導(dǎo)電類 型為p型時(shí)，第二摻雜非晶硅層146導(dǎo)電類型則為n型。第三摻雜非晶硅層 150的摻雜物濃度優(yōu)選介于2E19 atoms/cm3至2E20 atoms/cm3之間，更佳為 1E20 atoms/cm3，其厚度優(yōu)選介于20A至IOOA之間，更佳為50A。
接著，可用例如真空蒸鍍法(vacuum evaporation)、賊鍍法(sputtering)、 化學(xué)蒸鍍法(chemical vapor deposition)或溶膠-凝膠程序的浸漬涂布法(dip coating)等方式形成一透明導(dǎo)電層154于光電二極管層300上。透明導(dǎo)電層 154可為銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、氧化錫或其他類似的材料。 一般 是經(jīng)由透明導(dǎo)電層154外加一反向偏壓(reverse bias)于光電二極管層300上， 使其可將光電二極管層300感測(cè)到的光激發(fā)出電子并電性傳導(dǎo)至位于像素區(qū) 210中的影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200,以電子訊號(hào)輸出感測(cè)到的影像。
圖2e是顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的擴(kuò)散后第一摻雜非晶硅層156的形成 方式。形成光電二極管層300和透明導(dǎo)電層154之后，由于剩余的第一摻雜 非晶硅層144a中的摻雜物濃度是大于覆蓋其上的第二摻雜非晶硅層146，且 剩余的第一摻雜非晶硅層144a和第二摻雜非晶硅層146具有相反的導(dǎo)電類 型，所以剩余的第一摻雜非晶硅層144a中的摻雜物會(huì)自然地?cái)U(kuò)散至位于其 上的部分的第二摻雜非晶硅層146并反轉(zhuǎn)其導(dǎo)電類型，而形成如圖2e所示 的擴(kuò)散后第一摻雜非晶硅層156。擴(kuò)散后第一摻雜非晶硅層156的導(dǎo)電類型 會(huì)與第一摻雜非晶硅層144相同，且突出于圖案化電極層140。在其他實(shí)施 例中，也可經(jīng)由一熱擴(kuò)散步驟，使剩余的第一摻雜非晶硅層144a中的摻雜 物擴(kuò)散至位于其上的部分的第二摻雜非晶硅層146并反轉(zhuǎn)其導(dǎo)電類型，形成 擴(kuò)散后第一摻雜非晶硅層156。所以，光電二極管層300的該第二摻雜非晶 硅層146會(huì)被擴(kuò)散后第一摻雜非晶硅層156分隔而不連續(xù)。以形成本發(fā)明優(yōu) 選實(shí)施例的影像傳感器結(jié)構(gòu)100。
如上所述的影像傳感器結(jié)構(gòu)100,包括 一基板110; —影像傳感器電
路結(jié)構(gòu)200,位于基板110上； 一圖案化電極層140，位于影像傳感器電路 結(jié)構(gòu)200上，且電性連接至影像傳感器電路結(jié)構(gòu)200; —絕緣層142a和一第 一摻雜非晶硅層156，依序位于未被圖案化電極層140覆蓋的影像傳感器電 路結(jié)構(gòu)200上，且由圖案化電極層140所分隔； 一光電二極管層300,位于 圖案化電極層140上，光電二極管層300包括一下層的第二摻雜非晶硅層 146、 一中層的第一未摻雜非晶硅層148.和一上層的第三摻雜非晶硅層150, 其中光電二極管層300的第二摻雜非晶硅層146被第一摻雜非晶硅層156分 隔而不連續(xù)。
本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的影像傳感器結(jié)構(gòu)100,其兩相鄰像素區(qū)210的第二 摻雜非晶硅層146是被擴(kuò)散后第一摻雜非晶硅層156分隔而不連續(xù)，擴(kuò)散后 第一摻雜非晶硅層156是形成一勢(shì)壘(potentialbarrier),即使第二摻雜非晶硅 層146具有較高的摻雜物濃度并且兩相鄰像素區(qū)的電極層的外加電壓具有一 差值，仍不會(huì)有串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生，可同時(shí)具有低串?dāng)_及高性能表現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例影像傳感器結(jié)構(gòu)的第二摻雜非晶硅層為 一不連續(xù)層， 所以不同像素區(qū)中影像傳感器感測(cè)到的影像訊號(hào)并不會(huì)互相干擾，可以改善 不同影像傳感器之間的串?dāng)_(cross talk)現(xiàn)象。因此，可以通過增加第二摻雜 非晶硅層的摻雜物濃度，增加載流子于第二摻雜非晶硅層的傳輸速率。當(dāng)電 壓外加至光電二極管層時(shí)，具有較高摻雜物濃度的第二摻雜非晶硅層會(huì)產(chǎn)生 一較大的耗盡區(qū)(depletionregion),其延伸至中性的第一未摻雜非晶硅層中， 上述較大的耗盡區(qū)會(huì)增加光電二極管層中電子-空穴對(duì)(electron-hole pair)的 產(chǎn)生，并使第二摻雜非晶硅層和圖案化電極層之間具有較低的接觸電阻，以 形成歐姆接觸(ohmic contact),提升影像傳感器的性能表現(xiàn)。另一方面，本 發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例影像傳感器的擴(kuò)散后第 一摻雜非晶硅層是經(jīng)由適當(dāng)?shù)乜刂?化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)工藝的研磨時(shí)間、研磨液 或其他的工藝參數(shù)，且經(jīng)過自然擴(kuò)散以分隔第二摻雜非晶硅層，使其成為一 不連續(xù)層，不須額外的掩模步驟形成，可以大幅地節(jié)省工藝成本。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟悉此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟提供一基板；于該基板上形成一影像傳感器電路結(jié)構(gòu)；于該影像傳感器電路結(jié)構(gòu)上形成一圖案化電極層，且電性連接至該影像傳感器電路結(jié)構(gòu)；順應(yīng)性地于該圖案化電極層和未被該圖案化電極層覆蓋的該影像傳感器電路結(jié)構(gòu)上依序形成一絕緣層和一第一摻雜非晶硅層；進(jìn)行一平坦化步驟，以移除部分該第一摻雜非晶硅層和該絕緣層直至該圖案化電極層，使剩余的該第一摻雜非晶硅層和該絕緣層被該圖案化電極層分隔；以及于該圖案化電極層上依序形成包括一第二摻雜非晶硅層、一第一未摻雜非晶硅層和一第三摻雜非晶硅層的一光電二極管層，該光電二極管層的該第二摻雜非晶硅層覆蓋于該圖案化電極層、剩余的該第一摻雜非晶硅層和該絕緣層，其中該第一摻雜非晶硅層和該第二摻雜非晶硅層有相反的導(dǎo)電類型。
2. 如權(quán)利要求1的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該平坦化步驟是為 化學(xué)機(jī)械研磨CMP。
3. 如權(quán)利要求1的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二摻雜非晶硅 層和該第三摻雜非晶硅層具有相反的導(dǎo)電類型。
4. 如權(quán)利要求1的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一摻雜非晶硅 層的雜質(zhì)濃度大于該第二摻雜非晶硅層的雜質(zhì)濃度。
5. 如權(quán)利要求1的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中剩余的該第一"t參雜 非晶硅層的厚度大體上等于該第二摻雜非晶硅層的厚度。
6. 如權(quán)利要求l的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該光電二極管層是 以化學(xué)氣相沉積CVD方式形成。
7. 如權(quán)利要求1的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中更包括 形成一透明導(dǎo)電層于該光電二極管層上。
8. 如權(quán)利要求7的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該透明導(dǎo)電層為銦 錫氧化物ITO、氧化錫或其他類似的材料。
9. 如權(quán)利要求l的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中剩余的該第一摻雜非晶硅層和該絕緣層與該圖案化電極層等高。
10. 如權(quán)利要求1的影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，更包括 經(jīng)擴(kuò)散后，使該第一摻雜非晶硅層突出于該圖案化電極層，致使該第二摻雜非晶硅層被該第 一摻雜非晶硅層分隔而不連續(xù)。
11. 一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，包括 一基板；一影像傳感器電路結(jié)構(gòu)，位于該基板上；一圖案化電極層，位于該影像傳感器電路結(jié)構(gòu)上，且電性連接至該影像 傳感器電路結(jié)構(gòu)；一絕緣層和一第一摻雜非晶硅層，依序位于未被該圖案化電極層覆蓋的 該影像傳感器電路結(jié)構(gòu)上，且由該圖案化電極層所分隔；以及一光電二極管層，位于該圖案化電極層上，該光電二極管層包括一下層 的第二摻雜非晶硅層、 一中層的第一未摻雜非晶硅層和一上層的第三摻雜非晶硅層，其中該光電二極管層的該第二摻雜非晶硅層被該第 一摻雜非晶硅層分隔而不連續(xù)。
12. 如權(quán)利要求11的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜非晶硅層和該第 二摻雜非晶硅層具有相反的導(dǎo)電類型。
13. 如權(quán)利要求11的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜非晶硅層和該第 三摻雜非晶硅層具有相反的導(dǎo)電類型。
14. 如權(quán)利要求11的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜非晶硅層的雜質(zhì) 濃度大于該第二摻雜非晶硅層的雜質(zhì)濃度。
15. 如權(quán)利要求11的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該圖案化電極層為氮化鈦 TiN、鋁、鋁合金、銅、銅合金或其他銅基導(dǎo)電材料。
16. 如權(quán)利要求11的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中更包括一透明導(dǎo)電層，形成 于該光電二極管層上。
17. 如權(quán)利要求16的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物 ITO、氧化錫或其他類似的材料。
18. 如權(quán)利要求11的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層與該圖案化電極層等高。
19. 如權(quán)利要求ll的影像傳感器結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜非晶硅層突出于該 圖案化電極層，致使該第二摻雜非晶硅層被該第一摻雜非晶硅層分隔而不連續(xù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種影像傳感器結(jié)構(gòu)的制造方法，包括于一基板上依序形成一影像傳感器電路結(jié)構(gòu)和一圖案化電極層；順應(yīng)性地于上述圖案化電極層和未被上述圖案化電極層覆蓋的上述影像傳感器電路結(jié)構(gòu)上依序形成一絕緣層和一第一摻雜非晶硅層；進(jìn)行一平坦化步驟，以移除部分上述第一摻雜非晶硅層和上述絕緣層直至上述圖案化電極層，使剩余的上述第一摻雜非晶硅層和上述絕緣層被上述圖案化電極層分隔；于上述圖案化電極層上形成一光電二極管層，其中剩余的上述第一摻雜非晶硅層和上述光電二極管層之一第二摻雜非晶硅層具有相反的導(dǎo)電類型。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101345213SQ200710128379
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月10日
發(fā)明者莊仁吉, 林世翔 申請(qǐng)人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司