專(zhuān)利名稱(chēng)：覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制程，且特別是有關(guān)于一種可防止 配置于芯片承載器上的芯片傾斜的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制程。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今的資訊社會(huì)中，均追求高速度、高品質(zhì)、多工能性的產(chǎn)品，而就產(chǎn) 品外觀而言，是朝向輕、薄、短、小的趨勢(shì)邁進(jìn)。 一般電子產(chǎn)品均具有芯片及
與芯片連接的基板(例如芯片承載器)，芯片主要可通過(guò)打線接合(wire bonding, WB)技術(shù)、覆晶接合(flip chip， FC)技術(shù)或是巻帶自動(dòng)接合(tape automated bonding, TAB)技術(shù)與基板電性連接。而現(xiàn)有覆晶接合及巻帶自動(dòng)接合封裝技術(shù) 中，芯片的有源表面上主要配置有多個(gè)凸塊，芯片透過(guò)凸塊與基板電性連接， 然后在芯片與基板之間會(huì)填充一封膠體(encapsulant)以保護(hù)凸塊且增加芯片 和基板的接合度。
因芯片是通過(guò)凸塊從基板接收到信號(hào)或傳送信號(hào)到基板，所以凸塊與基板 之間接合的可靠度對(duì)于芯片與基板之間的信號(hào)傳輸品質(zhì)有決定性的影響。 一般 而言，凸塊可視需求而配置于芯片的有源表面的中心區(qū)域或者是周邊區(qū)域。當(dāng) 凸塊需配置于芯片的有源表面的中心區(qū)域時(shí)，凸塊將位于芯片的多個(gè)中心焊墊 上。
圖1繪示現(xiàn)有的具有中心焊墊的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，覆 晶封裝結(jié)構(gòu)100具有一芯片承載器110、 一芯片120、多個(gè)凸塊130 (于圖1中 僅繪示一個(gè)凸塊130做為代表)以及一封膠體140。其中，芯片120配置于芯 片承載器110上。芯片120具有多個(gè)中心焊墊122，這些中心焊墊122配置于 芯片120的有源表面124的一中心區(qū)域F內(nèi)。凸塊130配置于中心焊墊122上， 并電性連接于芯片120以及芯片承載器110之間，也就是說(shuō)凸塊130也是配置 于芯片120的有源表面124的中心區(qū)域F內(nèi)。封膠體140配置于芯片120以及130。
于現(xiàn)有技術(shù)中，封膠體140的材質(zhì)為液態(tài)膠材時(shí)，制作覆晶封裝結(jié)構(gòu)100 的方法為先將芯片120與芯片承載器110接合，之后再以點(diǎn)膠方式涂布于芯片 120周邊，并利用毛細(xì)作用使其流入芯片120與芯片承載器IIO之間。然而， 以此種方法需先將芯片120固定于芯片承載器110后才填入封膠體140，且凸 塊130配置于芯片120的有源表面124的中心區(qū)域F內(nèi)，因此將芯片120與芯 片承載器IIO接合時(shí)容易有傾斜問(wèn)題。此外，封膠體140需透過(guò)毛細(xì)現(xiàn)象填充 于芯片120與芯片承載器IIO之間，因此封膠體140容易因?yàn)椴灰滋顫M(mǎn)芯片120 與芯片承載器IIO之間而產(chǎn)生孔隙且需時(shí)較久。
而后，隨著業(yè)界于材料與制程上的不斷研發(fā)，非導(dǎo)電膠體(Non-conductive paste, NCP)亦可被用做為封膠體140。當(dāng)封膠體140的材質(zhì)為非導(dǎo)電膠體時(shí)， 制作覆晶封裝結(jié)構(gòu)100的方法可以是先在芯片承載器110上涂布封膠體140， 然后再將芯片120配置于芯片承載器IIO上使凸塊130與芯片承載器IIO連接。 然而，此方法容易因封膠體140的表面不平坦而造成芯片120傾斜，且封膠體 140容易溢流并產(chǎn)生孔洞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，可避免現(xiàn)有芯片易于傾斜、非導(dǎo)電膠體容 易溢流及產(chǎn)生氣泡或液態(tài)膠材不易填滿(mǎn)的問(wèn)題。
本發(fā)明另提出一種覆晶封裝制程，可于芯片接合至芯片承載器時(shí)使芯片獲 得支撐而不易傾斜，且可防止非導(dǎo)電膠體溢流。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)包括一芯片承載 器、 一芯片、多個(gè)凸塊、 一非導(dǎo)電膠體(non-conductive paste)以及一擋墻。 芯片承載器具有多個(gè)第一接點(diǎn)。芯片具有一有源表面以及多個(gè)位于有源表面上 的焊墊，其中焊墊配置于有源表面的一中心區(qū)域內(nèi)。凸塊配置于焊墊上以使第 一接點(diǎn)與焊墊電性連接。非導(dǎo)電膠體配置于芯片與芯片承載器之間以包覆凸
塊。擋墻配置于芯片與芯片承載器之間，且位于被非導(dǎo)電膠體包覆的凸塊周邊， 而且擋墻與有源表面的部分區(qū)域接觸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，芯片承載器包括一可撓性電路板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可撓性電路板是由聚酰亞胺(Polyimide,PI)、聚 酯類(lèi)化合物(polyethylene terephthalate, PET)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide, PEI)
或紙所制成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可撓性電路板具有多條銅箔引線，且這些第一接 點(diǎn)為這些銅箔引線的端部。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，凸塊包括多個(gè)金凸塊、多個(gè)銅凸塊或多個(gè)錫鉛凸塊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，凸塊包括多個(gè)結(jié)線凸塊或多個(gè)電鍍凸塊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻包括多個(gè)條狀阻擋圖案，且各條狀阻擋圖案 的邊緣與芯片的邊緣切齊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻包括一環(huán)狀阻擋圖案，且環(huán)狀阻擋圖案的外 緣與芯片的邊緣切齊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻的材質(zhì)包括二階段熱固性膠體或防焊材料。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，非導(dǎo)電膠體與擋墻連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，芯片承載器具有多個(gè)第二接點(diǎn)，且第一接點(diǎn)與第 二接點(diǎn)分別位于芯片承載器的二相對(duì)表面上并對(duì)應(yīng)電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，覆晶封裝結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)焊球，且焊球與第二接 點(diǎn)電性連接。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種覆晶封裝制程。首先，提供一芯 片，芯片具有一有源表面以及多個(gè)位于有源表面上的焊墊。接著，于芯片的焊 墊上形成多個(gè)凸塊。然后，于有源表面上形成一擋墻，擋墻避開(kāi)凸塊形成區(qū)域 圍出一區(qū)塊。之后，于區(qū)塊內(nèi)的有源表面上形成一非導(dǎo)電膠體，以包覆凸塊。 然后，令芯片通過(guò)凸塊與一芯片承載器電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻的材質(zhì)包括二階段熱固性膠體，而令芯片與 芯片承載器電性連接的方法可以是先部分固化二階段熱固性膠體，以使二階段 熱固性膠體形成B階膠體。然后，翻轉(zhuǎn)芯片，以使芯片通過(guò)凸塊與芯片承載器 電性連接。之后，固化B階膠體與非導(dǎo)電膠體以使芯片粘著于芯片承載器上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻的材質(zhì)包括防焊材料，而令芯片與芯片承載 器電性連接的方法可以是先翻轉(zhuǎn)芯片，以使芯片通過(guò)凸塊與芯片承載器電性連接。然后，固化非導(dǎo)電膠體，使芯片粘著于芯片承載器上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，覆晶封裝制程還包括于芯片承載器上形成多個(gè)焊 球，其中焊球與芯片分別位于芯片承載器的二相對(duì)表面。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種覆晶封裝制程。首先，提供一芯 片，芯片具有一有源表面以及多個(gè)位于有源表面上的焊墊。接著，于芯片的焊 墊上形成多個(gè)凸塊。然后，于一芯片承載器上形成一擋墻。之后，于擋墻所圍 出的一區(qū)塊內(nèi)的芯片承載器上形成一非導(dǎo)電膠體。然后，令芯片通過(guò)凸塊與芯 片承載器電性連接，以使非導(dǎo)電膠體包覆凸塊，且擋墻位于被非導(dǎo)電膠體包覆 的凸塊周邊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻的材質(zhì)包括二階段熱固性膠體，而令芯片與 芯片承載器電性連接的方法可以是先部分固化二階段熱固性膠體，以使二階段 熱固性膠體形成B階膠體。接著，翻轉(zhuǎn)芯片，以使芯片通過(guò)凸塊與芯片承載器
電性連接。然后，固化B階膠體與非導(dǎo)電膠體，使芯片粘著于芯片承載器上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，擋墻的材質(zhì)包括防焊材料，而令芯片與芯片承載 器電性連接的方法可以是先翻轉(zhuǎn)芯片，以使芯片通過(guò)凸塊與芯片承載器電性連 接。然后，固化非導(dǎo)電膠體以使芯片粘著于芯片承載器上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，覆晶封裝制程還包括于芯片承載器上形成多個(gè)焊 球，而且焊球與芯片分別位于芯片承載器的二相對(duì)表面。
綜上所述，本發(fā)明的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的擋墻配置于芯片與芯片承載器之間且 位于凸塊周邊。因此，擋墻可支撐芯片使芯片在芯片承載器上保持平衡，以避 免現(xiàn)有技術(shù)中的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的芯片因非導(dǎo)電膠體表面不平坦而易于傾斜的 問(wèn)題。此外，擋墻還可防止非導(dǎo)電膠體溢流及減少非導(dǎo)電膠體產(chǎn)生氣泡。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)
明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說(shuō)明，其中
圖1繪示現(xiàn)有的具有中心焊墊的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3A至圖3D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的覆晶封裝制程的剖面圖。圖4A至圖4D繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的覆晶封裝制程的剖面圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
100、 200:覆晶封裝結(jié)構(gòu) 110、 210、 350、 430:芯片承載器 120、 220、 310、 410:芯片 122:中心焊墊
124、 222、 312、 412:有源表面 130、 230、 320、 420:凸塊
140:封膠體
240、 340、 450:非導(dǎo)電膠體
212:銅箔引線
212a:第一接點(diǎn)
214:第二接點(diǎn)
224、 314、 414:焊墊
226:邊緣
250、 330、 440:擋墻
260、 360、 460:焊球
322:側(cè)面
324:表面
A:區(qū)域
B、 C:區(qū)塊
F:中心區(qū)域
具體實(shí)施例方式
圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，本實(shí) 施例的覆晶封裝結(jié)構(gòu)200包括一芯片承載器210、 一芯片220、多個(gè)凸塊230 (于圖2中僅繪示一個(gè)凸塊230做為代表)、一非導(dǎo)電膠體240以及一擋墻250。 其中，芯片承載器210具有多個(gè)第一接點(diǎn)212a (于圖2中僅繪示一個(gè)第一接點(diǎn)一接點(diǎn)212a例如是芯片承載器210所 具有的多條銅箔引線212 (于圖2中僅繪示一條銅箔引線212做為代表)的端 部。此外，芯片承載器210例如是一可撓性電路板，而且可撓性電路板例如是 由聚酰亞胺、聚酯類(lèi)化合物、聚醚酰亞胺或紙所制成，也就是說(shuō)，可撓性電路 板除了銅箔引線212以外的部分例如是由聚酰亞胺所制成。
芯片220具有一有源表面222以及多個(gè)位于有源表面222上的焊墊224(于 圖2中僅繪示一個(gè)焊墊224做為代表)。而且，焊墊224配置于有源表面222 的一中心區(qū)域F內(nèi)，亦即本實(shí)施例的焊墊224為中心焊墊。此外，焊墊224可 以排列成單排或多排，而于本實(shí)施例中，焊墊224是以單排的方式排列，但并 非用以限定本發(fā)明。此外，凸塊230配置于芯片220的焊墊224上以使第一接 點(diǎn)212a與焊墊224電性連接。也就是說(shuō)，凸塊230配置于芯片220與芯片承載 器210之間，且電性連接第一接點(diǎn)212a與焊墊224。其中，就凸塊230的材質(zhì) 而言，凸塊230例如是金凸塊、銅凸塊、或錫鉛凸塊、或是以其他適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì) 所形成的凸塊。此外，凸塊230例如是通過(guò)焊線機(jī)(wire bonder)所形成的結(jié) 線凸塊(stud bumps)、通過(guò)電鍍制程所形成的電鍍凸塊(plating bumps)或是 通過(guò)印刷方式所形成的焊料凸塊(solderbumps)。
非導(dǎo)電膠體240配置于芯片220與芯片承載器210之間以包覆凸塊230。 擋墻250配置于芯片220與芯片承載器210之間，并位于被非導(dǎo)電膠體240包 覆的凸塊230周邊，且擋墻250與有源表面222的部分區(qū)域接觸。詳細(xì)而言， 擋墻250圍繞凸塊230與非導(dǎo)電膠體240，且非導(dǎo)電膠體240配置于凸塊230 與擋墻250之間。于本實(shí)施例中，非導(dǎo)電膠體240與擋墻250連接。
承上所述，由于擋墻250配置于芯片220與芯片承載器210之間且位于凸 塊230周邊，因此擋墻250可支撐芯片220，以使芯片220與芯片承載器210 之間的間距(gap)維持固定。換句話(huà)說(shuō)，擋墻250有助于使芯片220在芯片承 載器210上保持平衡，以避免現(xiàn)有的覆晶封裝結(jié)構(gòu)100 (請(qǐng)參照?qǐng)D1)的芯片 120因受封膠體140的表面不平坦影響而易于傾斜的問(wèn)題。而且，擋墻250還 可防止非導(dǎo)電膠體240溢流及減少非導(dǎo)電膠體240產(chǎn)生氣泡的問(wèn)題。此外，由 于擋墻250配置于芯片220與芯片承載器210之間，且擋墻250與有源表面222 的部分區(qū)域接觸，因此擋墻250可提升芯片220與芯片承載器210之間接合的此外，于本實(shí)施例中，擋墻250可以是多個(gè)條狀阻擋圖案，且各條狀阻擋 圖案的邊緣與芯片220的邊緣226切齊。此外，各條狀阻擋圖案也可以是僅位 于芯片220與芯片承載器210之間，或者是芯片220覆蓋各條狀阻擋圖案。另 外，擋墻250也可以是一環(huán)狀阻擋圖案，且環(huán)狀阻擋圖案的外緣與芯片220的 邊緣226切齊。此外，環(huán)狀阻擋圖案也可以是僅位于芯片220與芯片承載器210 之間，或者是芯片220覆蓋環(huán)狀阻擋圖案。
另外，擋墻250的材質(zhì)例如是二階段熱固性膠體(two-stage adhesive)或 防焊材料(solder resist material)。其中，二階段熱固性膠體包括溶劑型二階段 熱固性膠體(solvent type two-stage adhesive)及無(wú)溶劑型二階段熱固性膠體 (non-solvent type two-stage adhesive) 。 二階段熱固性膠體的材質(zhì)包括聚酰亞 胺、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)、或是其他適合的二階段熱固性膠體材料。 此外，防焊材料例如是樹(shù)脂或是其他適合的絕緣材料。
此外，于本實(shí)施例中，芯片承載器210可具有多個(gè)第二接點(diǎn)214，而且第 一接點(diǎn)212a與第二接點(diǎn)214分別位于芯片承載器210的二相對(duì)表面上并對(duì)應(yīng)電 性連接。另外，覆晶封裝結(jié)構(gòu)200還包括多個(gè)焊球260，且焊球260與第二接 點(diǎn)214電性連接。焊球260適于電性連接第二接點(diǎn)214與一電子元件(例如電 路板)。
圖3A至圖3D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的覆晶封裝制程的剖面圖。首先，請(qǐng) 參照?qǐng)D3A，提供一芯片310，芯片310具有一有源表面312以及多個(gè)位于有源 表面上的焊墊314 (于本實(shí)施例中僅繪示一個(gè)焊墊314做為代表)。這些焊墊 314例如是配置于有源表面312的一中心區(qū)域F內(nèi)，這些焊墊314可以排列成 單排或多排，而于本實(shí)施例中，焊墊314是以單排的方式排列，但并非用以限 定本發(fā)明。接著，于芯片310的焊墊314上形成多個(gè)凸塊320 (于本實(shí)施例中 僅繪示一個(gè)凸塊320做為代表)，也就是說(shuō)這些凸塊320也配置于有源表面312 的一中心區(qū)域F內(nèi)。形成凸塊320的方式例如是電鍍、印刷或是打線形成。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，于有源表面312上形成一擋墻330，擋墻330避開(kāi)凸 塊320形成區(qū)域A圍出一區(qū)塊B。也就是說(shuō)，擋墻330圍繞凸塊320且擋墻330 與凸塊320之間有一間距。當(dāng)擋墻330的材質(zhì)為二階段熱固性膠體時(shí)，形成擋墻330的方法包括印刷、涂布(coating)、壓印(printing)、噴霧(spraying)、 旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)或浸沾(dipping)等的方式。當(dāng)擋墻330的材質(zhì)為防 焊材料時(shí)，形成擋墻330的方法包括貼附干膜(dry film)或涂布絕緣材料。 之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，于區(qū)塊B內(nèi)的有源表面312上形成一非導(dǎo)電膠體 (non-conductive paste) 340，以包覆凸塊320。詳細(xì)而言，非導(dǎo)電膠體340包 覆凸塊320的側(cè)面322并暴露出凸塊320的遠(yuǎn)離芯片310的一表面324。形成 非導(dǎo)電膠體340的方法包括涂布。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，令芯片310通過(guò)凸塊 320與一芯片承載器350電性連接。此外，于本實(shí)施例中，還可以在芯片承載 器350上形成多個(gè)焊球360，而且焊球360與芯片310分別位于芯片承載器350 的二相對(duì)表面。
承上所述，由于本實(shí)施例在形成非導(dǎo)電膠體340之前先形成擋墻330，因 此擋墻330可防止非導(dǎo)電膠體340溢流。此外，當(dāng)芯片310通過(guò)凸塊320與芯 片承載器350電性連接時(shí)，擋墻330可支撐芯片310，使芯片310與芯片承載 基板350之間的間距維持固定。因此，擋墻330可使芯片310在芯片承載器350
上保持平衡。
于本實(shí)施例中，當(dāng)擋墻330的材質(zhì)為二階段熱固性膠體時(shí)，令芯片310與 芯片承載器350電性連接的方法可以是如下所述。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，部分固 化(partial cure) 二階段熱固性膠體，以使二階段熱固性膠體形成B階膠體。 也就是說(shuō)，先部分固化二階段熱固性膠體，以使二階段熱固性膠體預(yù)先形成半 固化膠態(tài)，較佳地，二階段熱固性膠體于半固化膠態(tài)時(shí)具有粘性。然后，請(qǐng)參 照?qǐng)D3D，翻轉(zhuǎn)芯片310，以使芯片310通過(guò)凸塊320與芯片承載器350電性連 接。之后，固化(post cure) B階膠體與非導(dǎo)電膠體340以使芯片310粘著于 芯片承載器350上。當(dāng)二階段熱固性膠體經(jīng)部分固化形成具有粘性的半固化膠 態(tài)時(shí)，更有助于使芯片310粘著于芯片承載器350上。
于本實(shí)施例中，當(dāng)擋墻330的材質(zhì)為防焊材料時(shí)，令芯片310與芯片承載 器350電性連接的方法如下所述。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，可先翻轉(zhuǎn)芯片310，以 使芯片310通過(guò)凸塊320與芯片承載器350電性連接。然后，固化非導(dǎo)電膠體 340，使芯片310粘著于芯片承載器350上。
圖4A至圖4D繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的覆晶封裝制程的剖面圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，提供一芯片410，芯片410具有一有源表面412以及多個(gè)位于有 源表面412上的焊墊414 (于本實(shí)施例中僅繪示一個(gè)焊墊414做為代表)。這 些焊墊414例如是配置于有源表面412的一中心區(qū)域F內(nèi)，這些焊墊414可以 排列成單排或多排，而于本實(shí)施例中，焊墊414是以單排的方式排列，但并非 用以限定本發(fā)明。接著，于芯片410的焊墊414上形成多個(gè)凸塊420 (于本實(shí) 施例中僅繪示一個(gè)凸塊420做為代表)，也就是說(shuō)這些凸塊420也配置于有源 表面412的一中心區(qū)域F內(nèi)。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，于一芯片承載器430上形成一擋墻440。當(dāng)擋墻440 的材質(zhì)為二階段熱固性膠體時(shí)，形成擋墻440的方法包括印刷、涂布、壓印 (printing)、噴霧(spraying)、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)或浸沾(dipping) 等的方式。當(dāng)擋墻440的材質(zhì)為防焊材料時(shí)，形成擋墻440的方法包括貼附干 膜或涂布絕緣材料。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，于擋墻440所圍出的一區(qū)塊C內(nèi)的芯片承載器430 上形成一非導(dǎo)電膠體450。形成非導(dǎo)電膠體450的方法包括涂布。然后，請(qǐng)參 照?qǐng)D4D，令芯片410通過(guò)凸塊420而與芯片承載器430電性連接，以使非導(dǎo)電 膠體450包覆凸塊420。而且，擋墻440位于被非導(dǎo)電膠體450包覆的凸塊420 周邊。此外，于本實(shí)施例中，還可以在芯片承載器430上形成多個(gè)焊球460， 而且焊球460與芯片410分別位于芯片承載器430的二相對(duì)表面。
于本實(shí)施例中，當(dāng)擋墻440的材質(zhì)為二階段熱固性膠體時(shí)，使芯片410與 芯片承載器430電性連接方式可為如下所述。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，部分固化二 階段熱固性膠體，以使二階段熱固性膠體形成B階膠體。也就是說(shuō)，先通過(guò)部 分固化二階段熱固性膠體，以使二階段熱固性膠體預(yù)先形成半固化膠態(tài)，較佳 地，二階段熱固性膠體于半固化膠態(tài)時(shí)具有粘性。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4D，翻轉(zhuǎn)芯 片410，以使芯片410通過(guò)凸塊420而與芯片承載器430電性連接。然后，固 化B階膠體與非導(dǎo)電膠體450，以使芯片410粘著于芯片承載器430上。
此外，于本實(shí)施例中，當(dāng)擋墻440的材質(zhì)為防焊材料時(shí)，使芯片410與芯 片承載器430電性連接的方法可為如下所述。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4D，翻轉(zhuǎn)芯片 410，以使芯片410通過(guò)凸塊420而與芯片承載器430電性連接。然后，固化 非導(dǎo)電膠體450以使芯片410粘著于芯片承載器430上。綜上所述，本發(fā)明的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的擋墻配置于芯片與芯片承載器之間且 位于凸塊周邊。因此，擋墻可支撐芯片，以使芯片與芯片承載器之間的間距維 持固定并有助于使芯片在芯片承載器上保持平衡，以避免現(xiàn)有技術(shù)中的覆晶封 裝結(jié)構(gòu)的芯片因非導(dǎo)電膠體表面不平坦而易于傾斜的問(wèn)題。而且，擋墻還可防 止非導(dǎo)電膠體溢流及減少非導(dǎo)電膠體產(chǎn)生氣泡。此外，由于擋墻配置于芯片與 芯片承載器之間，且擋墻與有源表面的部分區(qū)域接觸，因此擋墻還可提升芯片 與芯片承載器之間接合的可靠度。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，包括一芯片承載器，具有多個(gè)第一接點(diǎn)；一芯片，具有一有源表面以及多個(gè)位于該有源表面上的焊墊，其中該些焊墊配置于該有源表面的一中心區(qū)域內(nèi)；多個(gè)凸塊，配置于該些焊墊上，使該些第一接點(diǎn)與該些焊墊電性連接；一非導(dǎo)電膠體，配置于該芯片與該芯片承載器之間以包覆該些凸塊；以及一擋墻，配置于該芯片與該芯片承載器之間，且位于被該非導(dǎo)電膠體包覆的該些凸塊周邊，其中該擋墻與該有源表面的部分區(qū)域接觸。
2. 如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片承載器包括一 可撓性電路板。
3. 如權(quán)利要求2所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該可撓性電路板具有 多條銅箔引線，且該些第一接點(diǎn)為該些銅箔引線的端部。
4. 如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該擋墻包括多個(gè)條狀 阻擋圖案，且各該條狀阻擋圖案的邊緣與該芯片的邊緣切齊。
5. 如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該擋墻包括一環(huán)狀阻 擋圖案，且該環(huán)狀阻擋圖案的外緣與該芯片的邊緣切齊。
6. 如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該擋墻的材質(zhì)包括二 階段熱固性膠體或防焊材料。
7. 如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該非導(dǎo)電膠體與該擋 墻連接。
8. 如權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片承載器具有多 個(gè)第二接點(diǎn)，且該些第一接點(diǎn)與該些第二接點(diǎn)分別位于該芯片承載器的二相對(duì) 表面上并對(duì)應(yīng)電性連接。
9. 一種覆晶封裝制程，包括提供一芯片，該芯片具有一有源表面以及多個(gè)位于該有源表面上的焊墊； 于該芯片的該些焊墊上形成多個(gè)凸塊；于該有源表面上形成一擋墻，該擋墻避開(kāi)該些凸塊形成區(qū)域圍出一區(qū)塊；于該區(qū)塊內(nèi)的該有源表面上形成一非導(dǎo)電膠體，以包覆該些凸塊；以及令該芯片通過(guò)該些凸塊與一芯片承載器電性連接。
10. 如權(quán)利要求9所述的覆晶封裝制程，其特征在于，該擋墻的材質(zhì)包括二階段熱固性膠體，而令該芯片與該芯片承載器電性連接的方法包括部分固化該二階段熱固性膠體，以使該二階段熱固性膠體形成B階膠體； 翻轉(zhuǎn)該芯片，以使該芯片透過(guò)該些凸塊與該芯片承載器電性連接；以及 固化該B階膠體與該非導(dǎo)電膠體，使該芯片粘著于該芯片承載器上。
11. 如權(quán)利要求9所述的覆晶封裝制程，其特征在于，該擋墻的材質(zhì)包括防焊材料，而令該芯片與該芯片承載器電性連接的方法包括翻轉(zhuǎn)該芯片，以使該芯片透過(guò)該些凸塊與該芯片承載器電性連接；以及固化該非導(dǎo)電膠體，使該芯片粘著于該芯片承載器上。
12. —種覆晶封裝制程，包括提供一芯片，該芯片具有一有源表面以及多個(gè)位于該有源表面上的焊墊；于該芯片的該些焊墊上形成多個(gè)凸塊；于一芯片承載器上形成一擋墻；于該擋墻所圍出的一區(qū)塊內(nèi)的該芯片承載器上形成一非導(dǎo)電膠體；以及 令該芯片通過(guò)該些凸塊與該芯片承載器電性連接，以使該非導(dǎo)電膠體包覆 該些凸塊，且該擋墻位于被該非導(dǎo)電膠體包覆的該些凸塊周邊。
13. 如權(quán)利要求12所述的覆晶封裝制程，其特征在于，該擋墻的材質(zhì)包括 二階段熱固性膠體，而令該芯片與該芯片承載器電性連接的方法包括部分固化該二階段熱固性膠體，以使該二階段熱固性膠體形成B階膠體； 翻轉(zhuǎn)該芯片，以使該芯片通過(guò)該些凸塊與該芯片承載器電性連接；以及 固化該B階膠體與該非導(dǎo)電膠體，使該芯片粘著于該芯片承載器上。
14. 如權(quán)利要求12所述的覆晶封裝制程，其特征在于，該擋墻的材質(zhì)包括 防焊材料，而令該芯片與該芯片承載器電性連接的方法包括翻轉(zhuǎn)該芯片，以使該芯片通過(guò)該些凸塊與該芯片承載器電性連接；以及 固化該非導(dǎo)電膠體，使該芯片粘著于該芯片承載器上。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)和封裝制程。覆晶封裝結(jié)構(gòu)包括一芯片承載器、一芯片、多個(gè)凸塊、一非導(dǎo)電膠體以及一擋墻。芯片承載器具有多個(gè)第一接點(diǎn)。芯片具有一有源表面以及多個(gè)位于有源表面上的焊墊，其中這些焊墊配置于芯片的有源表面的一中心區(qū)域內(nèi)。凸塊配置于焊墊上以使第一接點(diǎn)與焊墊電性連接。非導(dǎo)電膠體配置于芯片與芯片承載器之間以包覆凸塊。擋墻配置于芯片與芯片承載器之間，且位于被非導(dǎo)電膠體包覆的凸塊周邊，而且擋墻與有源表面的部分區(qū)域接觸。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101552245SQ20081009212
公開(kāi)日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2008年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月3日
發(fā)明者劉光華 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司