專利名稱：：硫屬化物膜及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及硫屬化物膜及其制造方法，更詳細地說，涉及適用于相變存儲器等可非揮發(fā)工作的高集成度存儲器的記錄層、在內部不易產生空隙或裂紋等缺陷的硫屬化物膜及其制造方法。本申請基于2007年10月2日在日本申請的日本特愿2007-258563號主張優(yōu)先權，將其內容合并于此。
背景技術：
：近些年在攜帶用電話機、攜帶用信息終端等攜帶用設備中，處理圖像數(shù)據(jù)等大量信息的需求提高。因此，對于搭載在這些攜帶用設備中的存儲元件，對高速、低功耗、大容量且小型的非揮發(fā)性存儲器的要求也提高。其中，利用硫屬化合物的根據(jù)晶態(tài)而電阻值變化的電阻變化型非揮發(fā)性存儲器(電阻變化型存儲元件)，作為高集成化且可非揮發(fā)工作的存儲器受到關注(例如參照專利文獻1等)。此電阻變化型非揮發(fā)性存儲器具有通過用兩個電極夾持構成記錄層的硫屬化物膜的單純的結構，即使在室溫下也可以維持穩(wěn)定的記錄狀態(tài)。因此為超過10年也可充分保持存儲的優(yōu)異的存儲器。然而，現(xiàn)有的電阻變化型非揮發(fā)性存儲器中，若為了高集成化，單純地將元件尺寸微細化，則與鄰接的元件的間隔極其窄，例如若為了使一個元件的記錄層相變，對其上下的電極施加規(guī)定電壓，則來自其下部電極的放熱有可能對鄰接的元件產生不良影響。因此考慮，在基板上成膜熱導率低的絕緣層，在該絕緣層形成小直徑的孔(稱作接觸孔)，向該接觸孔埋入硫屬化合物，由此分離元件的結構。該結構以往是將硫屬化合物通過濺射埋入接觸孔內的方法實現(xiàn)的。專利文獻1日本特開2004-348906號公報然而，如上所述，在通過濺射將硫屬化合物埋入接觸孔內的方法中，通過濺射成膜的特性上，若相對于接觸孔的直徑、孔的深度為2倍左右以上，則硫屬化合物不能完全掩埋接觸孔，而存在在中心部分殘存空隙的問題。如果埋入接觸孔的硫屬化合物產生空隙，則弓丨起電阻增加、導通不良。另外，硫屬化合物，例如，在200°C左右以下是粒徑比較小的結晶狀態(tài)(面心立方晶)，但是超過該溫度時，形成粒徑粗的結晶狀態(tài)(六方晶)。因此，因濺射硫屬化合物暴露于高溫，造成粗?；?。粗?；牧驅倩衔飳τ谛纬山佑|孔的絕緣膜(例如，SiN，SiO2)，粘合性大幅度降低。因此，存在硫屬化合物從接觸孔剝離、接觸孔產生空隙、引起導通不良的問題。
發(fā)明內容本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于，提供內部不易生成空隙或裂紋等缺陷的硫屬化物膜及其制造方法。本發(fā)明為了解決上述課題達成所涉及的目的，采用了以下技術方案。(1)本發(fā)明所涉及的硫屬化物膜，通過濺射在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內成膜，其中，在所述接觸孔的至少底部形成底膜，在該底膜上且在所述接觸孔內埋入由硫屬化合物形成的結晶層。(2)所述底膜優(yōu)選為與所述結晶層相比、由更微細的硫屬化合物形成的微細結晶層。(3)優(yōu)選所述微細結晶層是面心立方晶，所述結晶層是六方晶。(4)相對于所述接觸孔的深度，所述底膜的厚度優(yōu)選為10%20%。(5)所述底膜優(yōu)選通過金屬氧化物形成。(6)所述金屬氧化物優(yōu)選為選自由Ta205、TiO2,Al2O3和V2O5構成的組中的一種或者兩種以上。(7)所述底膜的厚度優(yōu)選為0.Inm2nm。(8)所述硫屬化合物優(yōu)選含有選自由S、Se和Te構成的組中的一種或者兩種以上。(9)所述硫屬化合物進一步優(yōu)選含有30重量％60重量％的Te、10重量％70重量％&Ge、10重量％40重量％&Sb、10重量％70重量％的Se，并且這些Te、Ge、Sb以及Se的含量的總計為100重量％以下。(10)本發(fā)明的硫屬化物膜的制造方法，在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內通過濺射形成硫屬化物膜，該制造方法具備如下工序將所述基板的溫度保持在200°C以下，優(yōu)選100°C200°C的同時，在所述接觸孔的至少底部形成底膜的工序；和將所述基板的溫度保持在硫屬化合物的構成元素不揮發(fā)的溫度的同時，在所述底膜上且在所述接觸孔內，通過濺射以及回流(U7口一)來埋入由硫屬化合物形成的結晶層的工序。(11)在埋入所述結晶層的工序中，所述基板的溫度為250°C以上，優(yōu)選300°C以上，更優(yōu)選300°C400°C。(12)本發(fā)明的硫屬化物膜的制造方法，在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內通過濺射形成硫屬化物膜，該制造方法具備如下工序在所述接觸孔的至少底部形成由金屬氧化物形成的底膜的工序；和在所述底膜上且在所述接觸孔內，通過濺射以及回流來埋入由硫屬化合物形成的結晶層的工序。根據(jù)上述(1)記載的硫屬化物膜，因為形成了作為由硫屬化合物形成的結晶層的基底的底膜，所以硫屬化物膜對于接觸孔，結晶層的粘合性提高。在上述(2)或者(5)記載的情況下，通過具有微細的結晶粒子的硫屬化合物或金屬氧化物形成底膜，由此硫屬化物膜與接觸孔的內壁面接觸的面積變大，接觸孔與硫屬化物膜的粘合性大幅度提高。因此，可以切實地防止硫屬化物膜從接觸孔剝離(脫離)、接觸孔產生空隙、引起下部電極與上部電極之間導通不良的不良問題。另外，通過接觸孔與硫屬化物膜的粘合性提高，夾著硫屬化物膜的下部電極與上部電極之間的電阻降低，導電性提高。因此，可以實現(xiàn)具備優(yōu)異的電特性的半導體裝置，例如，電阻變化型非揮發(fā)性存儲器。另外，根據(jù)上述(10)或者(12)記載的硫屬化物膜的制造方法，通過與結晶層相比、結晶粒徑更微細的硫屬化合物或金屬氧化物形成底膜，由此可以增大硫屬化物膜對于接觸孔的內壁面的接觸面積。因此，接觸孔與硫屬化物膜的粘合性大幅度提高。因此，可以制造切實地防止硫屬化物膜從接觸孔剝離(脫離)、接觸孔產生空隙、引起下部電極與上部電極之間導通不良的不良問題的硫屬化物膜。圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的硫屬化物膜的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的第二實施方式所涉及的硫屬化物膜的截面圖。圖3A是表示第一實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖3B是表示第一實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖3C是表示第一實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖3D是表示第一實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖4A是表示第二實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖4B是表示第二實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖4C是表示第二實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。圖4D是表示第二實施方式中的硫屬化物膜的制造方法的截面圖。符號說明11基板12絕緣膜13接觸孔14，24硫屬化物膜14a，24a底膜14b，24b結晶層15下部電極16上部電極具體實施例方式以下，基于附圖對本發(fā)明所涉及的硫屬化物膜的具體實施方式進行說明。本實施方式是為了更好地理解本發(fā)明的思想而進行的具體說明，只要不特別指定，就不限定本發(fā)明。[第一實施方式]圖1是表示具備本發(fā)明的第一實施方式的硫屬化物膜的半導體裝置的截面圖。該半導體裝置10適用作電阻變化型非揮發(fā)性存儲器，具備形成在基板11上的絕緣膜12的接觸孔13和成膜在該接觸孔13內的硫屬化物膜14。另外，該半導體裝置10形成有，一端在接觸孔13的底部13a露出、與硫屬化物膜14相接觸的下部電極15，和形成在硫屬化物膜14的上表面的上部電極16。作為基板11可以舉出例如，硅片等。作為絕緣膜12可以舉出例如，使硅片的表面氧化而成的硅氧化膜或硅氮化物等。硫屬化物膜14由沿著至少包含接觸孔13的底部13a的接觸孔13的里面、以所規(guī)定的厚度形成的底膜14a，和處于該底膜14a上并掩埋接觸孔13的結晶層14b構成。底膜14a和結晶層14b都通過硫屬化合物構成。形成底膜14a的硫屬化合物是通過與結晶層14b相比、由更微細的硫屬化合物形成的微細結晶層構成。例如，結晶層14b由六方晶的硫屬化合物構成，底膜14a由與六方晶相比、結晶粒徑更小的面心立方晶的硫屬化合物構成。具體地說，構成結晶層14b的六方晶的硫屬化合物的平均粒徑為30IOOnm左右，構成底膜14a的面心立方晶的硫屬化合物的平均粒徑為3IOnm左右。結晶結構互不相同的兩層結構的硫屬化物膜14的制造方法后面詳述。底膜14a形成在至少接觸孔13的底部，即面向下部電極15的面上即可，更優(yōu)選也形成在接觸孔13的深度方向的兩側面。相對于接觸孔13的深度D，底膜14a可以形成為10%20%的厚度。例如，接觸孔13的深度D為IOOnm時，底膜14a的厚度tl為1020nmo構成底膜14a和結晶層14b的硫屬化合物，可以含有選自由S、Se和Te構成的組中的一種或者兩種以上。例如，作為硫屬化合物優(yōu)選含有30重量％60重量％的Te、10重量％70重量％&Ge、10重量％40重量％的Sb、10重量％70重量％的Se，并且這些Te、Ge、Sb以及Se的含量的總計為100重量％以下。根據(jù)本實施方式的硫屬化物膜14，作為由結晶粒徑粗的硫屬化合物形成的結晶層14b的基底，形成與結晶層14b相比、由具有更微細的結晶結構的硫屬化合物形成的底膜14a,由此提高了硫屬化物膜14對于接觸孔13的粘合性。像以往那樣，在僅用結晶粒徑粗的硫屬化合物、例如六方晶的硫屬化合物掩埋接觸孔的情況下，由于硫屬化物膜的粒子對于接觸孔的內壁面的接觸面積少，硫屬化物膜有可能從接觸孔剝離(脫離)。與此相對地，本實施方式的硫屬化物膜14通過具有微細結晶粒子的面心立方晶的硫屬化合物形成底膜14a，由此硫屬化物膜14對于接觸孔13的內壁面的接觸面積變大。因此，接觸孔13與硫屬化物膜14的粘合性大幅度提高。特別是，在使用硅氧化膜或硅氮化物作為絕緣膜12的情況下，在與硫屬化物膜的粘合性方面存在問題。但是，通過形成由具有微細結晶粒子的面心立方晶的硫屬化合物形成的底膜14a，可以使硅氧化膜或硅氮化物與硫屬化物膜14的粘合性良好。由此，可以切實地防止硫屬化物膜14從接觸孔13剝離(脫離)，接觸孔13產生空隙，引起下部電極15與上部電極16之間導通不良的不良問題。另外，通過形成與結晶層14b相比更微細的結晶結構的底膜14a，提高粘合性，夾著硫屬化物膜14的下部電極15與上部電極16之間的電阻降低，導電性提高。因此，可以實現(xiàn)具備優(yōu)異的電特性的半導體裝置，例如，電阻變化型非揮發(fā)性存儲器。進一步地，構成硫屬化物膜14的結晶層14b和底膜14a的結晶結構不同，但是都由硫屬化合物形成。因此，彼此的親和性、粘合性提高，盡管是兩層結構，也可以實現(xiàn)牢固地一體化的硫屬化物膜14。接下來，就圖1表示的第一實施方式的硫屬化物膜，以下敘述其制造方法。在圖1表示的結構的硫屬化物膜的制造中，首先如圖3A所示，在基板11的絕緣層12形成接觸孔13和下部電極15。相對于開口徑W，接觸孔13的深度D例如可以為2倍以上。其次，如圖3B所示，在該接觸孔13形成底膜14a。在形成底膜14a中，在接觸孔13的周圍以規(guī)定的圖案形成抗蝕膜30。然后，將基板11的溫度保持在200°C以下、優(yōu)選100°C200°C，將硫屬化合物升溫至100°C200°C，通過濺射成膜在接觸孔13的里面。硫屬化合物在200°C以下的環(huán)境中，與在后工序形成的形成結晶層的六方晶的硫屬化合物相比，形成結晶粒徑小的面心立方晶。由此，在接觸孔13的里面形成由面心立方晶的硫屬化合物形成的底膜14a。相對于接觸孔13的深度D，底膜14a的的厚度tl形成為10%20%。例如，接觸孔13的深度D為IOOnm時，底膜14a的厚度tl形成為1020nm。接下來，如圖3C所示，在形成在該接觸孔13的底膜14a上、且接觸孔13內，埋入結晶層14b。在形成結晶層14b中，將基板11的溫度保持在250°C以上、優(yōu)選300°C以上、更優(yōu)選300°C400°C，將硫屬化合物升溫至300°C400°C，通過濺射成膜在接觸孔13的里面。硫屬化合物在250°C以上的環(huán)境中呈六方晶，在300°C以上的環(huán)境中呈更完全的六方晶。另外，通過使硫屬化合物為300°C以上、利用濺射成膜的硫屬化合物回流、以覆蓋底膜14a的方式沒有間隙地掩埋接觸孔13。這樣，通過將硫屬化合物回流，例如，即使是接觸孔13的深度D為開口徑W的2倍以上的深孔，結晶層14b也不易生成空隙等微小空間。由此，可以防止因空隙導致的硫屬化物膜14的電阻升高，從而形成具有優(yōu)異導電性的硫屬化物膜14。另外，通過使硫屬化合物為400°C以下，即使在硫屬化合物含有例如Te等揮發(fā)成分的情況下，也可以維持硫屬化物膜14的化學計量組成。如上所述，通過與結晶層14b相比、更微細的結晶粒徑的硫屬化合物形成底膜14a,由此硫屬化物膜14對于接觸孔13的內壁面的接觸面積變大，接觸孔13與硫屬化物膜14的粘合性大幅度提高。由此，可以切實地防止硫屬化物膜14從接觸孔13剝離(脫離)，接觸孔13產生空隙，引起下部電極15與上部電極16之間導通不良的不良問題。此后，如圖3D所示，若形成重疊在硫屬化物膜14上的上部電極16，除去抗蝕膜30，則可以制造具備優(yōu)異電特性的硫屬化物膜14的半導體裝置10，例如，電阻變化型非揮發(fā)性存儲器。[第二實施方式]圖2是表示具備本發(fā)明的第二實施方式所涉及的硫屬化物膜的半導體裝置的截面圖。在該第二實施方式中，對與上述第一實施方式同樣的結構標示同樣的符號，省略詳細的說明。在第二實施方式中，半導體裝置20的成膜在接觸孔13的硫屬化物膜24，由沿著至少包含接觸孔13的底部13a的接觸孔13的里面、以所規(guī)定的厚度形成的底膜24a，和處于該底膜24a上并掩埋接觸孔13的結晶層24b構成。底膜24a由金屬氧化物形成，特別優(yōu)選由選自由Ta205、TiO2,Al2O3和V2O5構成的組中的一種或者兩種以上形成。構成底膜24a的金屬氧化物，更優(yōu)選使用與構成結晶層24b的硫屬化合物相比、結晶粒徑更細的化合物。結晶層24b由例如六方晶的硫屬化合物等硫屬化合物形成。底膜24a形成在至少接觸孔13的底部，即面向下部電極15的面即可，更優(yōu)選也形成在接觸孔13的深度方向的兩側面。底膜24a優(yōu)選形成為至少接觸孔13的底部的厚度t2為0.Inm2nm。由此，即使構成底膜24a的金屬氧化物是絕緣體，通過隧道電流(量子隧道效果)也可以保持硫屬化物膜24與下部電極15之間的導電性。在該硫屬化物膜24中，作為由結晶粒徑粗的硫屬化合物形成的結晶層24b的基底，形成由金屬氧化物形成的底膜24a，由此硫屬化物膜24對于接觸孔13的粘合性提高。象以往那樣，在僅用結晶粒徑粗的硫屬化合物、例如六方晶的硫屬化合物掩埋接觸孔的情況下，硫屬化物膜的粒子對于接觸孔的內壁面的接觸面積少。因此，硫屬化物膜有可能從接觸孔剝離(脫離)。與此相對地，本實施方式的硫屬化物膜24通過用金屬氧化物形成底膜24a，硫屬化物膜24與接觸孔13的內壁面接觸的面積變大。因此，可以切實地防止硫屬化物膜24從接觸孔13剝離(脫離)，接觸孔13產生空隙，引起下部電極15與上部電極16之間導通不良的不良問題。另外，通過形成由金屬氧化物形成的底膜24a提高粘合性，夾著硫屬化物膜24的下部電極15與上部電極16之間的電阻降低，導電性提高。因此，可以實現(xiàn)具備優(yōu)異的電特性的半導體裝置，例如，電阻變化型非揮發(fā)性存儲器。接下來，說明圖2表示的結構的硫屬化物膜的制造方法。首先如圖4A所示，在基板11的絕緣層12形成接觸孔13和下部電極15。相對于開口徑W，接觸孔13的深度D例如可以為2倍以上。其次，如圖4B所示，在該接觸孔13形成底膜24a。在底膜24a的形成中，在接觸孔13的周圍以規(guī)定的圖案形成抗蝕膜30。然后，通過濺射將金屬氧化物，例如，選自由Ta205、Ti02、Al2O3和V2O5構成的組中的一種或者兩種以上成膜在接觸孔13的里面。由此，在接觸孔13的里面形成由金屬氧化物形成的底膜24a。底膜24a可以形成為至少接觸孔13的底部13a的厚度t2為0.Inm2nm。接下來，如圖4C所示，在形成在接觸孔13的底膜24a上、且在接觸孔13內埋入結晶層24b。在形成結晶層24b中，將基板11的溫度保持在250°C以上、優(yōu)選300°C以上、更優(yōu)選300°C400°C，將硫屬化合物升溫至300°C400°C，通過濺射成膜在接觸孔13的里面。通過使硫屬化合物為300°C以上，利用濺射成膜的硫屬化合物回流、以覆蓋底膜24a的方式沒有間隙地掩埋接觸孔13。通過回流，即使是接觸孔13的深度D為開口徑W的2倍以上的深孔，結晶層24b也不易生成空隙等微小空間。由此，可以防止因空隙導致的硫屬化物膜24的電阻升高，形成具有優(yōu)異導電性的硫屬化物膜24。另外，通過使硫屬化合物為400°C以下，即使在硫屬化合物含有例如Te等揮發(fā)成分的情況下，也可以維持硫屬化物膜24的化學計量組成。如上所述，通過用金屬氧化物形成底膜24a，接觸孔13與硫屬化物膜24的粘合性大幅度提高。由此，可以切實地防止硫屬化物膜24從接觸孔13剝離(脫離)，接觸孔13產生空隙，引起下部電極15與上部電極16之間導通不良的不良問題。此后，如圖4D所示，形成重疊在硫屬化物膜24上的上部電極16，除去抗蝕膜30，由此可以制造具備優(yōu)異電特性的硫屬化物膜24的半導體裝置20，例如，電阻變化型非揮發(fā)性存儲器。實施例以下，為了驗證本發(fā)明的效果，將表現(xiàn)硫屬化物膜對于接觸孔的粘合性的膠帶剝離試驗結果以實施例表示。在驗證中，使用尺寸為ImmXIOmmXImm的^二〃★〒一(商品名，住友3M制)。將該膠帶粘貼在含有形成了硫屬化物膜的接觸孔的基板上，對于各樣品，進行100次的剝離試驗。將硫屬化物膜不從接觸孔脫離而殘存的情況以殘存率(％)表示.用于驗證的樣品中，將圖1所示的由結晶粒徑互不相同的硫屬化合物形成的底膜和結晶層的兩層結構的硫屬化物膜作為本發(fā)明的例1。將圖2所示的由金屬氧化物形成的底膜和由硫屬化合物形成的結晶層的兩層結構的硫屬化物膜作為本發(fā)明的例25(作為金屬氧化物，分別使用Ta205、TiO2,A1203、V2O5)。將高溫(400°C)下成膜、由六方晶的硫屬化合物形成的單層的硫屬化物膜作為比較例(以往例)。而且，本發(fā)明例15的底膜的厚度為lnm。在上述條件下進行的驗證結果表示在表1中。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>根據(jù)表1所示的驗證結果，形成底層的本發(fā)明例15的硫屬化物膜的膠帶試驗的殘存率都為95%以上，確認了極高的相對于剝離的耐久性。另一方面，沒有形成底膜的以往例的單層結構的硫屬化物膜的膠帶試驗的殘存率僅停留在78%左右，相對于剝離的耐久性比本發(fā)明例15遜色。產業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，由于作為由結晶粒徑粗的硫屬化合物形成的結晶層的基底，形成底膜，所以提高了硫屬化物膜對于接觸孔的粘合性。權利要求一種硫屬化物膜，通過濺射在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內成膜，其特征在于，在所述接觸孔的至少底部形成底膜，在該底膜上且在所述接觸孔內埋入由硫屬化合物形成的結晶層。2.根據(jù)權利要求1所述的硫屬化物膜，其中，所述底膜是與所述結晶層相比，由更微細的硫屬化合物形成的微細結晶層。3.根據(jù)權利要求2所述的硫屬化物膜，其中，所述微細結晶層是面心立方晶，所述結晶層是六方晶。4.根據(jù)權利要求2所述的硫屬化物膜，其中，相對于所述接觸孔的深度，所述底膜的厚度為10%20%。5.根據(jù)權利要求1所述的硫屬化物膜，其中，所述底膜由金屬氧化物形成。6.根據(jù)權利要求5所述的硫屬化物膜，其中，所述金屬氧化物為選自由Ta205、TiO2,Al2O3和V2O5構成的組中的一種或者兩種以上。7.根據(jù)權利要求5所述的硫屬化物膜，其中，所述底膜的厚度為0.Inm2nm。8.根據(jù)權利要求1所述的硫屬化物膜，其中，所述硫屬化合物含有選自由S、Se和Te構成的組中的一種或者兩種以上。9.根據(jù)權利要求8所述的硫屬化物膜，其中，所述硫屬化合物含有30重量％60重量％的了6、10重量％70重量％&Ge、10重量％40重量％的Sb、10重量％70重量％的Se，并且這些Te、Ge、Sb以及Se的含量的總計為100重量％以下。10.一種硫屬化物膜的制造方法，在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內通過濺射形成硫屬化物膜，其特征在于，該制造方法具備如下工序將所述基板的溫度保持在200°C以下，優(yōu)選100°C200°C的同時，在所述接觸孔的至少底部形成底膜的工序；和將所述基板的溫度保持在硫屬化合物的構成元素不揮發(fā)的溫度的同時，在所述底膜上且在所述接觸孔內，通過濺射以及回流來埋入由硫屬化合物形成的結晶層的工序。11.根據(jù)權利要求10所述的硫屬化物膜的制造方法，其中，在埋入所述結晶層的工序中，所述基板的溫度為250°C以上，優(yōu)選300°C以上，更優(yōu)選300°C400°C。12.—種硫屬化物膜的制造方法，在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內通過濺射形成硫屬化物膜，其特征在于，該制造方法具備如下工序在所述接觸孔的至少底部形成由金屬氧化物形成的底膜的工序；和在所述底膜上且在所述接觸孔內，通過濺射以及回流來埋入由硫屬化合物形成的結晶層的工序。全文摘要本發(fā)明的硫屬化物膜，通過濺射在形成在基板上的絕緣層的接觸孔內成膜，其中，在上述接觸孔的至少底部形成底膜，在該底膜上且在上述接觸孔內埋入由硫屬化合物形成的結晶層。文檔編號H01L27/105GK101809775SQ20088010951公開日2010年8月18日申請日期2008年10月1日優(yōu)先權日2007年10月2日發(fā)明者木村勛,神保武人,菊地真,西岡浩,鄒弘綱申請人:株式會社愛發(fā)科