專利名稱：：電子封裝及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電子封裝、電子封裝組件及其制作方法。
背景技術(shù)：
：包括多個(gè)芯片的電子封裝不是新鮮事物。電子封裝可以被分成不同種類。例如，現(xiàn)有技術(shù)里的一些電子封裝被分為(包括但不限于)(i)引線鍵合(WB)晶片堆疊，(ii)封裝堆疊(PoP)，和(iii)硅通孔(TSV)。盡管這些不同種類的電子封裝在某些方面具備優(yōu)勢，但經(jīng)常在其它方面存在缺陷。例如，盡管WB晶片堆疊被認(rèn)為結(jié)構(gòu)上概念相對簡單，而且是一種成熟技術(shù)，但是其信號性能(由于需要使用大量的外部引線連接)、尺寸大小和可測試性通常不能令人滿意。而且，WB晶片堆疊經(jīng)常產(chǎn)生大封裝，這在小型電子設(shè)備環(huán)境里是不允許的。PoP可能具有更好的可測試性，但其電性能和尺寸大小同樣無法令人滿意。基于現(xiàn)有技術(shù)里TSV的晶片疊層封裝具有較好的電性能和尺寸大小，但由于制造復(fù)雜它們具有較差的可測試性和較高的制造成本。本發(fā)明提供一種三維電子封裝，其能夠克服上述一些問題，或至少能夠提供一種可選方案給公眾。發(fā)明概述依照本發(fā)明的第一方面，提供一種電子封裝，包括至少第一模塊和設(shè)置在第一模塊頂部上的第二模塊，這些模塊組合在一起形成一個(gè)模塊堆疊，其中第一和第二模塊被粘附在一起，至少一個(gè)模塊包括一個(gè)具有至少一個(gè)金屬層的基板層、至少一個(gè)晶片和一個(gè)模壓在晶片上方的塑料封裝模壓化合物層，在至少一個(gè)模塊里晶片通過金屬層被鍵合到基板層上，多個(gè)通常垂直形成的通道充當(dāng)通孔以連接金屬層，并被設(shè)置靠近在至少一個(gè)模塊里或模塊堆疊里的晶片組，一些或所有通道的內(nèi)表面被涂敷一導(dǎo)電材料層或被填滿一種導(dǎo)電材料以便進(jìn)行電連接，由此，晶片被電連接在一起，以及一個(gè)充當(dāng)媒介的裝置，以便提供電、機(jī)械和熱連接，進(jìn)行外部通信聯(lián)系并被連接到通道。盡管第一和第二模塊被粘附在一起，這通常意味著它們也是被機(jī)械和電連接在一起。所述的電子封裝相對簡單，但可以產(chǎn)生更可靠的性能。優(yōu)選地，提供的第—模塊有一個(gè)下表面，其被連接到第一模塊的上表面，下表面大致平坦且無凹陷。無凹陷使得制造起來相對比較容易，成本低廉且可以預(yù)測。在一些實(shí)施例里，盡管一個(gè)模塊里的晶片和其上方或其下方的另一個(gè)模塊里的晶片可以在尺寸和形狀方面有一個(gè)類似的物理特征，但它們不一定要有相同的特征，更具體地，不同類型、功能和大小的晶片可以被疊層在一起。例如，在一些模塊里的邏輯芯片可以被設(shè)置在其下的另一個(gè)模塊上的存儲器芯片上方。在一些實(shí)施例里，一個(gè)或多個(gè)通道可以延伸穿過模塊堆疊的高度。一個(gè)或多個(gè)通道可以是一個(gè)圓柱形、三棱柱或矩形棱柱的形狀以適合具體的需要。優(yōu)選地，通道可以通過機(jī)械鉆孔或激光鉆孔形成。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例里，其中3—些或所有通道的內(nèi)表面被涂敷所述導(dǎo)電材料層是，導(dǎo)電材料層通過一個(gè)單一電鍍步驟被涂敷在通道的內(nèi)表面上?；蛘撸恍┗蛩型ǖ揽梢员煌耆顫M一種導(dǎo)電材料。又或者，在一些或所有通道被填充導(dǎo)電材料層的步驟之后，再被填充一種非導(dǎo)電材料。媒介可以是一種鍵合焊盤。媒介可以被設(shè)置在電子封裝的底表面上。依照本發(fā)明的第二方面，提供一種電子封裝組件，包括多個(gè)電子封裝，至少一個(gè)電子封裝是如上所述的電子封裝。依照本發(fā)明的第三方面，提供一種制作電子封裝組件或電子封裝的方法，步驟包括(a)在支撐裝置上提供支撐的一個(gè)基板層，(b)鍵合多個(gè)晶片在基板層上，晶片被間隔一個(gè)預(yù)定距離放置在基板層上的預(yù)定位置，(C)模壓一塑料封裝模壓化合物層在晶片上方，從而形成第一模塊，(d)通過重復(fù)步驟(a)到(c)形成第二模塊，但不需要利用支撐裝置或利用支撐裝置后再去除該支撐裝置，(e)以一個(gè)預(yù)定構(gòu)造疊層第二模塊在第一模塊上，并鍵合模塊在一起，形成一個(gè)模塊堆疊，(f)設(shè)置一薄膜在模塊堆疊上以便進(jìn)行圖案化，并圖案化模塊堆疊，(g)在某些位置形成垂直通道穿過模塊堆疊，由此晶片所在的金屬層被連接起來，和(h)涂敷一導(dǎo)電材料層在一些或所有通道的內(nèi)表面或?qū)⒁环N導(dǎo)電材料填滿一些或所有的通道。優(yōu)選地，支撐第一模塊的支撐裝置充當(dāng)一個(gè)托架。適當(dāng)?shù)?，在金屬層上晶片通過內(nèi)鍵合焊盤可被鍵合到基板。優(yōu)選地，可以通過機(jī)械鉆孔或激光鉆孔形成通道。在形成模塊堆疊之后，第一模塊的支撐裝置被去除，露出了充當(dāng)一個(gè)媒介的裝置，其被連接到通道以便提供電、機(jī)械和熱連接并進(jìn)行外部通信。媒介可以是以外鍵合焊盤的形式被設(shè)置在第一模塊的底表面上。優(yōu)選地，可以在圖案化之后提供一個(gè)去除膜的步驟。在一些實(shí)施例里，盡管在第二模塊上的至少一些晶片通常與第一模塊上的晶片垂直對齊，但它們不一定非要如此。在形成電子封裝組件之后，組件可被分割，并形成單個(gè)電子封裝。在一些實(shí)施例里，在步驟(h)，當(dāng)一些或所有通道的內(nèi)表面被涂敷時(shí)，內(nèi)表面可以通過單一電鍍步驟被涂敷。具體地，在內(nèi)表面涂敷導(dǎo)電材料層之后，通道可以被填滿一種非導(dǎo)電材料。或者，在歩驟(h)，一些或所有通道可以僅被填滿一種導(dǎo)電材料，而不作任何涂敷。在一些實(shí)施例里，在每個(gè)模塊里的晶片或不同模塊的晶片沒有相同的特征。現(xiàn)參照附圖并通過范例，將描述本發(fā)明的一些實(shí)施例，其中圖1是顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的三維電子封裝組件的示意圖2是顯示本發(fā)明圖1所示電子封裝組件的一個(gè)電子封裝實(shí)施例的示意圖3a到3g是顯示制作圖1所示電子封裝組件的一系列示意圖；圖4是顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的三維電子封裝組件的示意圖；和圖5是顯示圖4所示電子封裝組件的一個(gè)電子封裝實(shí)施例的示意圖。優(yōu)選實(shí)施例詳述現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)披露了許多不同類型的電子封裝系統(tǒng)。例如，美國專利5,128,831披露了一種由隔片交錯堆疊的模塊封裝。美國專利7,279,786披露了一種層疊封裝系統(tǒng)，其中上基板在其底表面有一個(gè)凹陷，用來容納一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片。美國專利7,317,256披露了一種包括晶片的電子設(shè)備封裝，每個(gè)晶片有硅通孔，兩個(gè)封裝層由焊點(diǎn)連接。美國專利文獻(xiàn)2007/0216004披露了一種芯片嵌入在塑料材料里的半導(dǎo)體設(shè)備。美國專利文獻(xiàn)2008/0169546披露了一種晶圓模封疊層在另一個(gè)頂部的半導(dǎo)體芯片封裝堆層。本發(fā)明提出一種不同的電子封裝，其至少在一些方面具有優(yōu)于現(xiàn)有裝置的優(yōu)勢。為便于清晰地描述，請注意描述過程中電子封裝和電子封裝組件通常具有相同的含義。也請注意，為便于敘述簡潔，至少以上現(xiàn)有文獻(xiàn)里的內(nèi)容將不會被重復(fù)，相反，在此通過引用被結(jié)合到本文。圖1描述一個(gè)三維結(jié)構(gòu)電子封裝組件1的第一實(shí)施例。在此實(shí)施例里，封裝組件包括三個(gè)模塊2、4、6，它們通常是三層形式。具體地，模塊包括在底部的第一層2a、在中間的第二層4a和在頂部的第三層6a。在每個(gè)模塊里，通常都有一個(gè)基板8(其通常是平面的，充當(dāng)一個(gè)互連層)，和一個(gè)設(shè)置在基板預(yù)定位置上的預(yù)設(shè)金屬層8。也提供一個(gè)預(yù)定數(shù)量行的晶片，其被間隔一個(gè)預(yù)定距離設(shè)置在基板8上，每行有三個(gè)晶片(如第一層上的12、14、16)。晶片通過內(nèi)鍵合焊盤30被鍵合到金屬層10。模塊以這樣的構(gòu)造來設(shè)置，一個(gè)模塊上的晶片設(shè)置在下一個(gè)模塊的晶片上方，使得晶片被對齊(當(dāng)單獨(dú)考慮時(shí))，建立起多個(gè)晶片列。通過"晶片列"，通常是指至少兩個(gè)晶片，一個(gè)模塊里的一個(gè)晶片設(shè)置在下一個(gè)模塊里的另一個(gè)晶片的上方。請注意，盡管圖1顯示每個(gè)列都有相同三個(gè)晶片，但實(shí)踐中不需要是這樣的。在其它實(shí)施例里，一些列可能會比另一些列具有更多晶片，這是有可能的。某些模塊比其他模塊具有更多晶片也是可能的。也請注意，在每個(gè)列里的晶片不一定都有相同的物理格式或構(gòu)造。圖1顯示第二模塊里晶片18、20、22的寬度比第一和第三模塊2、6的更小。實(shí)際上，本發(fā)明電子封裝組件l的設(shè)計(jì)在晶片尺寸方面提供了很大的自由度，模塊組裝成本仍然相對較低。每個(gè)模塊層包括一模壓在晶片上的材料32，從而晶片被密封在模壓材料32和基板8之間。此實(shí)施例里的模壓材料是有機(jī)塑料(organicplastic)。有多個(gè)垂直設(shè)置的通道34、36、38、40、42、44穿過封裝組件。請注意，通道的特定位置使得通道穿過每個(gè)模塊，并連接每個(gè)模塊里的金屬層10。更具體地，在每個(gè)晶片列(如24、18、12)的相對側(cè)上有一對通道(如34、36)。通道可以被看作模通孔(TMV)，由于其圓柱形外形以及穿過相當(dāng)高度的疊層模塊，通孔相對比較容易形成。請注意，盡管圖l僅顯示晶片12、18、24的相對側(cè)上的兩個(gè)通道34、36，實(shí)際上可能有許多這樣的通道圍住晶片12、18、24。但是，為簡潔而清晰地進(jìn)行描述，僅顯示通道34、36。第一模塊2在基板的底表面上還有一個(gè)鍵合焊盤46，此鍵合焊盤是一個(gè)外鍵合焊盤。通道34、36、38、40、42、44的下端實(shí)際上連接到外鍵合焊盤46以便提供電、機(jī)械和熱連接。通道內(nèi)表面被涂敷一層高導(dǎo)電屬性的銅。因此，熱可以通過通道和外鍵合焊盤從晶片散發(fā)到外部環(huán)境。當(dāng)然，電信號沿著通道傳輸?shù)酵怄I合焊盤或從鍵合焊盤傳入。圖2顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的從圖1電子封裝組件分割的一個(gè)電子請注意，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的電子封裝或組件經(jīng)常存在可靠性問題。以上所述的電子封裝和電子封裝組件實(shí)際上比較簡單，研究顯示會發(fā)生最小的可靠性問題。這可能是由于在頂部和底部層之間使用的垂直互連、每層的平坦底表面和沒有使用諸如焊接球用于連接。研究也顯示依照本發(fā)明制作的電子封裝有均衡的良好特性(如功能/可測試性，外觀尺寸，電性能，晶圓面積使用，制造成本和產(chǎn)量)。與通過PoP和TSV制作的傳統(tǒng)封裝相比較，以下表格綜合了這些特性。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表格l:不同類型的電子封裝的特性比較從以上表格，很明顯依照本發(fā)明制作的電子封裝有均衡的良好特性。圖3a到3g是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例里，描述了一種制作如上所述的電子封裝組件l的方法。首先參照圖3a，提供一個(gè)晶圓支架50。在制作封裝時(shí)，使用晶圓支架50能夠可靠地控制封裝。接著，晶圓支架50上被施加一種粘膠52，然后一個(gè)預(yù)制作的互連層54被連接到晶圓支架50上。圖3b描述了多個(gè)晶片56、58、60被鍵合到互連層54的預(yù)定位置上，晶片之間被間隔一個(gè)預(yù)定距離?？梢园l(fā)現(xiàn)，晶片是通過一個(gè)鍵合焊盤或內(nèi)鍵合焊盤62被鍵合到互連層54上。圖3b還描述了通過模塑成型在晶片上施加一模塑成型材料64，從而將晶片密封在晶圓支架上。模塑成型材料64可以通過使用一個(gè)模具來確定密封晶圓的期望形狀。此密封晶片形成了第一層或第一模塊66。接著，類似地，制作第二模塊68和第三模塊70，在它們形成之后，晶圓支架被去除。或者，根本不需要晶圓支架，它們也可以形成，詳情請見圖3c。當(dāng)制成每個(gè)模塊時(shí)，首先執(zhí)行一個(gè)測試過程以確保其滿足預(yù)設(shè)的測試參數(shù)。單獨(dú)測試單個(gè)模塊相對比較容易。同樣請注意，單個(gè)模塊的制作是一個(gè)統(tǒng)一步驟，從而使大規(guī)模制造變得簡單且有成本效益。一旦第一模塊66的晶片已經(jīng)被模塑成型，施加粘膠到第一模塊的頂部上。圖3c描述了第二模塊68被放置在第^莫塊的頂部，并被鍵合到第模塊。去除第二模塊68的晶圓支架后，再被鍵合到第一模塊上。請注意，設(shè)置第一和第二模塊堆疊66、68里的晶片，使得具有多個(gè)晶片列，第二模塊里的每個(gè)晶片在第一模塊里的一個(gè)相應(yīng)晶片上方并垂直對齊。而且，"晶片列"，通常是指至少兩個(gè)晶片，其中一個(gè)模塊里的一個(gè)晶片在其下模塊里的另一個(gè)晶片上方并對齊。但是，這種對齊不是必需的。在其它實(shí)施例里，一個(gè)模塊的晶片可能并不對齊其上方或下方的模塊的晶片。在這個(gè)例子里，將不會看到清晰的晶片列。圖3c還描述了第三模塊70同樣被設(shè)置在第二模塊68的頂部，并被鍵合到第二模塊68。類似地，設(shè)置模塊堆疊66、68、70里的晶片，使得有多個(gè)晶片列，第三模塊里的每個(gè)晶片，在第一和第二模塊里的相應(yīng)晶片上方并垂直對齊。但是，請注意，盡管在此實(shí)施例里每個(gè)晶片列有相同數(shù)目的晶片，但在其它實(shí)施例里不一定需要這樣。例如，在一個(gè)晶片列里可能有三個(gè)晶片，而在另一個(gè)晶片列里可能僅有一個(gè)晶片。此外，在每個(gè)晶片列里的晶片可能有不同的功能。不管在模塊堆疊里的晶片設(shè)置、晶片功能或在模塊堆疊里的晶片列數(shù)目，最終形成的電子封裝有一個(gè)相對優(yōu)選的外觀尺寸。圖3d描述了一旦形成具有三個(gè)晶片列的模塊堆疊，晶圓支架被解除鍵合并被去除。圖3e描述了一層薄膜74被設(shè)3置在第三模塊的頂部，然后光照薄膜以便進(jìn)行圖案化。圖3f描述了然后在第三模塊上的預(yù)定位置鉆孔76、78、80、82、84、86穿過模塊堆疊?？讕缀跏谴怪焙蛨A柱形形狀，并穿過每個(gè)模塊上的金屬層。圖中顯示，每個(gè)晶片列被夾在一對圓柱形孔(如76、78)之間。但是，請注意，在其它實(shí)施例里，孔的數(shù)目可能不同，可能有許多孔圍住晶片列。接著，孔的內(nèi)表面被電鍍銅，以后充當(dāng)一導(dǎo)電涂層，如圖3g所示?？梢岳斫?，通信連接是建立在模塊和模塊堆疊以及外部環(huán)境之間。這種簡單連接可以獲得更好的電性能?；蛘?，孔可以填滿一種導(dǎo)電材料。又或者，孔可以涂敷一層導(dǎo)電材料，并填滿一種非導(dǎo)電材料。盡管在第一實(shí)施例里的電子封裝組件有三層模塊和三列晶片，但本發(fā)明顯然不受限于此具體構(gòu)造。例如，如圖4所示，一個(gè)具有五層模塊的電子封裝組件同樣是可能的。從大規(guī)模生產(chǎn)的角度來看，電子封裝組件可以被盡可能制成較大尺寸和較多列，因?yàn)橐粋€(gè)組件能夠產(chǎn)生多個(gè)單獨(dú)的三維電子封裝。在依照以上所述方法制作電子封裝組件之后，通過在預(yù)定位置分割組裝，由組件可以形成多個(gè)電子封裝。圖5顯示這樣一個(gè)電子封裝。權(quán)利要求1.一種電子封裝，包括至少第一模塊和設(shè)置在所述第一模塊頂部的第二模塊，這些模塊組合在一起形成一個(gè)模塊堆疊；其中-所述第一和第二模塊被粘附在一起；-至少一個(gè)所述模塊包括一個(gè)具有至少一個(gè)金屬層的基板層、至少一個(gè)晶片和一個(gè)塑料封裝模塑化合物層被模壓在所述晶片上；-在所述至少一個(gè)所述模塊里，所述晶片通過所述金屬層被鍵合到所述基板層上；-多個(gè)垂直形成的通道，充當(dāng)通孔以連接所述金屬層，并在所述至少一個(gè)所述模塊里或所述模塊堆疊里被設(shè)置靠近所述晶片，一些或所有所述通道的內(nèi)表面涂敷一導(dǎo)電材料層或填滿導(dǎo)電材料以便進(jìn)行電連接，由此，所述晶片被電連接到一起；和-充當(dāng)媒介的裝置，用來提供電、機(jī)械和熱連接，進(jìn)行外部通信并被連接到所述通道。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中所述第二模塊的下表面連接到第一模塊上表面，所述下表面大致平坦且沒有凹陷。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中在每個(gè)所述模塊堆疊里的所述晶片有相同的特征或者沒有相同的特征。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，包括至少一個(gè)邏輯芯片和/或一個(gè)存儲芯片。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中一個(gè)或多個(gè)所述通道延伸穿過所述模塊堆疊的高度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中一個(gè)或多個(gè)所述通道有一個(gè)圓柱形、三棱柱或矩形棱柱外形。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中所述通道是通過機(jī)械鉆孔或激光鉆孔形成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中當(dāng)所述通道的所述內(nèi)表面被涂敷所述導(dǎo)電材料層時(shí)，通過單個(gè)電鍍步驟將所述導(dǎo)電材料層涂敷在所述通道的所述內(nèi)表面上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中所述媒介是一個(gè)鍵合焊盤。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中所述媒介被設(shè)置在所述電子封裝的底表面上。11.一種電子封裝組件，包括多個(gè)電子封裝，至少其中一個(gè)是如權(quán)利要求l所述的電子封裝。12.—種制作電子封裝組件或電子封裝的方法，步驟包括(a)在一個(gè)支撐裝置上提供一個(gè)基板層；(b)將多個(gè)晶片鍵合在基板層上，晶片之間間隔一個(gè)預(yù)定距離并分布在基板層的預(yù)定位置上；(c)在晶片上方模壓一層塑料封裝模塑化合物層，形成第一模塊；(d)通過重復(fù)步驟(a)到(c)形成第二模塊，但不需要利用支撐裝置或其后去除支撐裝置；(e)以一個(gè)預(yù)定構(gòu)造疊加第二模塊在第一模塊上，并將模塊鍵合在一起，形成一個(gè)模塊堆疊；(f)設(shè)置一層薄膜在模塊堆疊上用來進(jìn)行圖案化，并圖案化模塊堆疊；(g)在某些位置，形成垂直通道穿過模塊堆疊，由此晶片所在的金屬層連接起來；和(h)涂敷一層導(dǎo)電材料層在一些或所有通道的內(nèi)表面或?qū)⒁环N導(dǎo)電材料填滿所述一些或所有的通道。13.根據(jù)權(quán)利耍求12所述的方法，其中支撐裝置支撐所述第一模塊,并充當(dāng)一個(gè)支架。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中晶片通過內(nèi)鍵合焊盤鍵合到基板的金屬層上。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通道是通過機(jī)械鉆孔或激光鉆孔形成。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在已經(jīng)形成模塊堆疊之后，去除第一模塊的支撐裝置，由此露出充當(dāng)媒介的裝置，該媒介被連接到通道用來提供電、機(jī)械和熱連接并進(jìn)行外部通信。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中媒介是設(shè)置在第一模塊底表面上的外鍵合焊盤。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在圖案化之后薄膜被去除。19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在步驟(e)第二模塊上的至少一些晶片通常與第一模塊上的晶片垂直對齊。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在步驟(h)當(dāng)通道的內(nèi)表面被涂敷時(shí)，內(nèi)表面是通過單一電鍍步驟被涂敷。21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在步驟(h)當(dāng)通道的內(nèi)表面被涂敷時(shí)，還包括一個(gè)步驟將一種非導(dǎo)電材料填滿一些或所有通道。22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在每個(gè)所述模塊里的晶片或不同模塊的晶片有相同的特征或沒有相同的特征。全文摘要本發(fā)明提供一種電子封裝，包括至少第一模塊和設(shè)置在第一模塊頂部的第二模塊，這些模塊組合在一起形成一個(gè)模塊堆疊，其中第一和第二模塊是被粘附在一起，每個(gè)模塊包括一個(gè)具有至少一個(gè)金屬層的基板層、至少一個(gè)晶片和一個(gè)塑料封裝模壓化合物層在所述晶片上，在每個(gè)模塊里晶片通過金屬層被鍵合到所述基板層上，多個(gè)通常垂直形成的通道充當(dāng)通孔以連接金屬層，并在至少一個(gè)模塊里被設(shè)置靠近晶片，一些或所有通道的內(nèi)表面被涂敷導(dǎo)電材料層或填滿導(dǎo)電材料以便進(jìn)行電連接，由此晶片被電連接到一起，以及充當(dāng)一個(gè)媒介的裝置，用來提供電、機(jī)械和熱連接，進(jìn)行外部通信并被連接到通道。文檔編號H01L21/50GK101681903SQ200980000026公開日2010年3月24日申請日期2009年3月30日優(yōu)先權(quán)日2009年3月30日發(fā)明者仲鎮(zhèn)華,史訓(xùn)清,鵬孫,梁志權(quán)申請人:香港應(yīng)用科技研究院有限公司