專利名稱：電子組裝體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種電子裝置(electronic device)，且特別是有關于一種電子組裝體(electronic assembly)。
背景技術：
在半導體產(chǎn)業(yè)中，集成電路(integrated circuits, IC)的生產(chǎn)，主要可分為三個階段集成電路設計(IC design)、集成電路的制作(ICprocess)及集成電路的封裝(IC package)。在集成電路的制作中，芯片(chip)是經(jīng)由制作晶圓(wafer)、形成集成電路以及切割晶圓(wafersawing)等步驟而完成。晶圓具有一主動面(active surface)，其泛指晶圓的具有主動組件(active element)的表面。當晶圓內(nèi)部的集成電路完成之后， 晶圓的主動面更配置有多個接墊(pad)，并且晶圓的主動面更由一保護層(passivation layer)所覆蓋。保護層暴露出各個接墊，以使最終由晶圓切割所形成的芯片，可經(jīng)由這些接墊而向外電性連接于一承載器(carrier)。承載器例如為一導線架(Ieadframe)或一基板(substrate)，而芯片可以打線接合(wire bonding)或覆晶接合(flip-chip bonding) 的方式連接至承載器上，使得芯片的這些接墊可電性連接于承載器，以構成一芯片封裝體 (chip package)0現(xiàn)有技術中，制作完成的芯片封裝體再通過表面黏著技術(surfacemoimt technology)而電性連接至一電路板上，以構成一電子組裝體。當芯片封裝體運作時，芯片所產(chǎn)生的熱可通過電路板而傳遞至外界環(huán)境。然而，現(xiàn)有的電路板內(nèi)的絕緣層的材質(zhì)的導熱系數(shù)較低，所以整體而言，現(xiàn)有的電路板的導熱效果較差，使得現(xiàn)有的電子組裝體的散熱
；能(heat-dissipating efficiency)罾差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子組裝體，其兩基板的絕緣層的導熱系數(shù)不同。本發(fā)明提出一種電子組裝體，包括一第一基板(substrate)與一電子模塊 (electronic module)。第一基板包括一第一導體層(conductivelayer)與一第一絕緣層 (insulating layer)。第一導體層配置于第一絕緣層上。電子模塊包括一第二基板與一電子組件(electronic element)。第二基板配置于第一基板上且包括一第二導體層與一第二絕緣層。第二導體層配置于第二絕緣層上。第二絕緣層的導熱系數(shù)(coefficient of thermalconductivity)大于第一絕緣層的導熱系數(shù)。電子組件導熱性地連接至第二基板且電性連接至第一基板。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二絕緣層的熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion)小于第一絕緣層的熱膨脹系數(shù)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二絕緣層的崩潰電壓(breakdownvoltage)高于第一絕緣層的崩潰電壓。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二絕緣層的耐電磁波干擾特性優(yōu)于第一絕緣層的耐電磁波干擾特性。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二絕緣層的耐靜電放電特性優(yōu)于第一絕緣層的耐靜電放電特性。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二絕緣層的耐無線射頻(radiofrequency)干擾特性優(yōu)于第一絕緣層的耐無線射頻干擾特性。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二絕緣層的材質(zhì)包括陶瓷(ceramic)、鉆石、石墨及碳-碳復合材料的至少其中之一。此外，陶瓷包括氧化鋁、氧化鋯、氧化硅、氧化鈦、氮化鋁、氮化硅、碳化硅及玻璃的至少其中之一。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一基板可具有可撓性。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子組裝體更包括一散熱裝置。第二基板包括兩第二導體層，分別配置于第二絕緣層的相對兩側上。第二基板位于電子組件與第一基板之間。第一基板包括兩第一導體層，分別配置于第一絕緣層的相對兩側上。第一基板位于第二基板與散熱裝置之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子組裝體更包括一散熱裝置。電子模塊更包括一第三基板，第三基板位于電子組件與第一基板之間。電子組件通過第三基板而電性連接至第一基板。第二基板包括兩第二導體層，分別配置于第二絕緣層的相對兩側上。第二基板位于電子組件與散熱裝置之間。電子組件通過第二基板而導熱性地連接至散熱裝置。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子組裝體更包括一散熱裝置。第二基板包括兩第二導體層，分別配置于第二絕緣層的相對兩側上。第一基板具有一貫穿孔(penetrating hole)，至少部分電子組件位于貫穿孔內(nèi)。第二基板位于電子組件與散熱裝置之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子組裝體更包括一散熱裝置。第二基板包括兩第二導體層，分別配置于第二絕緣層的相對兩側上。第一基板具有一貫穿孔，至少部分散熱裝置位于貫穿孔內(nèi)。第二基板位于電子組件與散熱裝置之間。當本發(fā)明的實施例的電子組裝體運作時，由于第二絕緣層的導熱系數(shù)大于第一絕緣層的導熱系數(shù)，所以電子組件所產(chǎn)生的熱可通過第二基板而傳遞至外界環(huán)境。因此，與現(xiàn)有技術相較，本發(fā)明的實施例的電子組裝體的散熱效能較佳。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖IA繪示本發(fā)明第一組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。圖IB繪示本發(fā)明第一組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。圖IC繪示本發(fā)明第一組實施例的又一種電子組裝體的剖面示意圖。圖2A繪示本發(fā)明第二組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。圖2B繪示本發(fā)明第二組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。圖2C繪示本發(fā)明第二組實施例的又一種電子組裝體的剖面示意圖。圖2D繪示本發(fā)明第二組實施例的再一種電子組裝體的剖面示意圖。圖3A繪示本發(fā)明第三組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。
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圖;3B繪示本發(fā)明第三組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。圖3C繪示本發(fā)明第三組實施例的又一種電子組裝體的剖面示意圖。圖4A繪示本發(fā)明第四組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。圖4B繪示本發(fā)明第四組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的電子裝置其具體實施方式
、結構、特征及其功效，詳細說明如后。[第一組實施例]圖IA繪示本發(fā)明第一組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖1A， 第一組實施例的電子組裝體200包括一第一基板210、多個電子模塊220與多個散熱裝置 230。第一基板210包括兩第一導體層212與一第一絕緣層214且具有多個貫穿孔216。這些第一導體層212分別配置于第一絕緣層214的相對兩側上，且各個第一導體層212的材質(zhì)例如為銅。在本實施例中，第一基板210可具有可撓性，且第一絕緣層214的材質(zhì)例如為環(huán)氧樹脂(印oxy resin)及聚酰亞胺(polyimide，PI)樹脂。此外，本實施例的第一導體層 212的數(shù)目與第一絕緣層214的數(shù)目僅是用以舉例而非限定本發(fā)明。各個電子模塊220包括一第二基板222與一電子組件224。各個第二基板222配置于第一基板210上，且包括兩第二導體層22 與一第二絕緣層222b。這些第二導體層 222a分別配置于對應的第二絕緣層222b的相對兩側上，且各個第二導體層22 的材質(zhì)例如為銅或銀。各個第二絕緣層222b的材質(zhì)包括陶瓷、鉆石、石墨及碳-碳復合材料的至少其中之一。在本實施例中，各個第二絕緣層222b的材質(zhì)包括陶瓷，其包括氧化鋁、氧化鋯、氧化硅、氧化鈦、氮化鋁、氮化硅、碳化硅及玻璃的至少其中之一。例如，各個第二絕緣層222b 的材質(zhì)為重量百分比為96%的氧化鋁與重量百分比為4%的氧化鎂所組成。此外，本實施例的第二導體層22 的數(shù)目與第二絕緣層222b的數(shù)目僅是用以舉例而非限定本發(fā)明。另外，在另一實施例中，第一基板210的第一絕緣層214的材質(zhì)可為氧化鋁，且各個第二基板 222的第二絕緣層222b的材質(zhì)可為氮化鋁。在此必須說明的是，各個第二絕緣層222b的導熱系數(shù)大于第一絕緣層214的導熱系數(shù)。此外，各個第二絕緣層222b的熱膨脹系數(shù)可小于第一絕緣層214的熱膨脹系數(shù)。各個第二絕緣層222b的崩潰電壓可高于第一絕緣層214的崩潰電壓。各個第二絕緣層222b 的耐電磁波干擾特性可優(yōu)于第一絕緣層214的耐電磁波干擾特性。各個第二絕緣層222b 的耐靜電放電特性可優(yōu)于第一絕緣層214的耐靜電放電特性。各個第二絕緣層222b的耐無線射頻干擾特性可優(yōu)于第一絕緣層214的耐無線射頻干擾特性。各個電子組件2 例如為一芯片(chip)，其導熱性地連接至對應的第二基板222。 各個電子組件224的至少一部分位于對應的貫穿孔216內(nèi)。在本實施例中，例如為芯片的各個電子組件2M通過打線接合(wirebonding)的方式電性連接至對應的第二基板222的這些第二導體層22 的其中之一。此外，各個貫穿孔216內(nèi)可填入一包覆體226，其可包覆電子組件224與這些焊線228。包覆體226的透光性并不限定且形狀也不限定，其功用可為保護這些焊線228以避免受到外界的濕氣、熱量與噪聲(noise)的影響。另外，若各個電子組件2M為一發(fā)光二極管芯片(LED chip)，則包覆體2 具有透光性，且各個貫穿孔216 的外型可因設計需求而有所改變，以達成所需的出光方式與亮度的要求。在另一實施例中，例如為芯片的各個電子組件2 可通過覆晶接合(flip chip bonding)的方式電性連接至對應的第二基板222。此外，在又一實施例中，各個電子組件2M可為一預先封裝完成的芯片封裝體，例如，芯片尺寸封裝體(chip scale package, CSP)、晶圓級芯片尺寸封裝體(wafer-level chip scale package，WLCSP)或堆棧芯片封裝體(stackedchip package)等等。然而，上述并未以圖面繪示。詳言之，就圖IA的相對位置而言，各個電子組件2M是電性連接至對應的第二基板222的上層的第二導體層22 ，其位于對應的第二絕緣層222b的上方。各個第二基板 222的上層的第二導體層22 電性連接至第一基板210的下層的第一導體層212。換言之， 各個電子組件2M是通過對應的這些焊線2 與對應的第二基板222的上層的第二導體層 22 而電性連接至第一基板210的下層的第一導體層212。各個散熱裝置230例如為一散熱座(heat sink)，其配置于對應的第二基板222的下層的第二導體層22 上且具有多個散熱鰭片(fin) 232，使得各個第二基板222位于對應的電子組件224與對應的散熱裝置230之間。在此必須說明的是，這些散熱裝置230的這些散熱鰭片232可被設計與一熱管(heat pipe)(未繪示)相連，例如，熱管穿過這些散熱裝置230的這些散熱鰭片232，使得這些散熱裝置230與熱管構成一散熱模塊。因此，熱可由這些散熱鰭片232傳遞至熱管而迅速傳遞至外界環(huán)境。在另一實施例中，這些散熱裝置230可不通過熱管而直接相連而構成另一散熱模塊。換言之，這些散熱裝置230可以一共享的散熱模塊的型態(tài)呈現(xiàn)。在本實施例中，當電子組裝體200運作時，由于各個第二絕緣層222b的導熱系數(shù)大于第一絕緣層214的導熱系數(shù)，所以各個電子組件2M所產(chǎn)生的熱可通過對應的第二基板222而傳遞至外界環(huán)境。因此，與現(xiàn)有技術相較，本實施例的電子組裝體200的散熱效能較佳。此外，由于各個第二絕緣層222b的熱膨脹系數(shù)可小于第一絕緣層214的熱膨脹系數(shù)，因此，配置于對應的第二基板222上的各個電子組件2M較不易受到對應的第二基板 222的熱膨脹現(xiàn)象的影響而產(chǎn)生損壞。另外，由于各個第二絕緣層222b的崩潰電壓可高于第一絕緣層214的崩潰電壓，各個第二絕緣層222b的耐電磁波干擾特性可優(yōu)于第一絕緣層214的耐電磁波干擾特性，各個第二絕緣層222b的耐靜電放電特性可優(yōu)于第一絕緣層 214的耐靜電放電特性，或者各個第二絕緣層222b的耐無線射頻干擾特性可優(yōu)于第一絕緣層214的耐無線射頻干擾特性，所以第二基板222的電性效能(electrical efficiency) 較優(yōu)于第一基板210的電性效能。因此，整體而言，本實施例的電子組裝體200的電性表現(xiàn) (electricalperformance)較佳。圖IB繪示本發(fā)明第一組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖1B， 電子組裝體200’與電子組裝體200的主要不同之處在于，電子組裝體200’的各個電子組件224’是通過對應的這些焊線228’電性連接至第一基板210’。圖IC繪示本發(fā)明第一組實施例的又一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖1C， 電子組裝體200”與電子組裝體200的主要不同之處在于，電子組裝體200”的各個電子組件224”為一芯片封裝體，且各個電子組件224”的導線架(lead frame) 224a”的這些引腳 (lead) 224b"電性連接至對應的第二基板222”。
[第二組實施例]圖2A繪示本發(fā)明第二組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖2A， 第二組實施例的電子組裝體300與第一組實施例的電子組裝體200的主要不同之處在于， 各個散熱裝置330的至少一部分位于第一基板310的對應的貫穿孔316內(nèi)。此外，就圖2A 的相對位置而言，各個電子模塊320的第二基板322的下層的第二導體層32 電性連接至第一基板310的上層的第一導體層312。另外，各個第二基板322可具有多個導電貫孔 (conductive through hole) 322c，其貫穿對應的第二絕緣層32 且電性連接對應的這些第二導體層32加。各個導電貫孔322c可利用銅膏燒結、銀膠燒結、化學電鍍或者濺鍍的方式在貫孔內(nèi)形成導通電路。圖2B繪示本發(fā)明第二組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖2B， 電子組裝體300’與電子組裝體300的主要不同之處在于，電子組裝體300’的各個電子組件324’是通過對應的這些焊線328’電性連接至第一基板310’。圖2C繪示本發(fā)明第二組實施例的又一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖2C， 電子組裝體300”與電子組裝體300的主要不同之處在于，電子組裝體300”的各個電子組件324”為一芯片封裝體，且各個電子組件324”的導線架3Ma”的這些引腳324b”電性連接至對應的第二基板322”。圖2D繪示本發(fā)明第二組實施例的再一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖2D， 電子組裝體300’ ”與電子組裝體300的主要不同之處在于，電子組裝體300’ ”的各個電子組件324，，，為一芯片封裝體，且各個電子組件324，，，的導線架32 ，，，的這些引腳324b，，， 電性連接至第一基板310’”。[第三組實施例]圖3A繪示本發(fā)明第三組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖3A，第三組實施例的電子組裝體400與第一組實施例的電子組裝體200的主要不同之處在于，第一基板410可省略這些貫穿孔216的配置，且散熱裝置430的數(shù)量可只有一個。各個電子模塊420的第二基板422配置于第一基板410上，且各個第二基板422位于對應的電子組件424與第一基板410之間。此外，第一基板410位于各個第二基板422與散熱裝置430 之間。在本實施例中，各個電子組件4M通過對應的這些焊線4 而電性連接至第一基板410的上層的第一導體層412。此外，第一基板410可具有多個導熱貫孔(thermal through hole) 418，其貫穿第一絕緣層414、導熱性地連接的這些第一導體層412且位于這些第二基板422的下方。圖:3B繪示本發(fā)明第三組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖3B， 電子組裝體400’與電子組裝體400的主要不同之處在于，電子組裝體400’的各個電子組件424，是通過對應的這些焊線428，電性連接至對應的第二基板422，。圖3C繪示本發(fā)明第三組實施例的又一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖3C， 電子組裝體400”與電子組裝體400的主要不同之處在于，電子組裝體400”的各個電子組件424”為一芯片封裝體，且各個電子組件424”的導線架424a”的這些引腳424b”電性連接至對應的第二基板422”。[第四組實施例]
圖4A繪示本發(fā)明第四組實施例的一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖4A，第四組實施例的電子組裝體500與第一組實施例的電子組裝體200的主要不同之處在于，各個電子模塊520更包括一第三基板521。各個第三基板521位于對應的電子組件5M與第一基板510之間。例如為芯片各個電子組件5M通過多個凸塊(bump) 5 電性連接至對應的第三基板521。亦即，各個電子組件5M通過覆晶接合的方式電性連接至對應第三基板 521。此外，第三基板521再通過多個焊球(solderball) 523電性連接至第一基板510的上層的第一導體層512。這些焊球523可為球格數(shù)組(ball grid array,BGA)類型的輸出入接口。綜言之，各個電子組件5M通過第三基板521而電性連接至第一基板510。在此必須說明的是，就這些電子模塊520的其中之一而言，例如為芯片的電子組件524、對應的這些凸塊528、對應的這些焊球523與對應的第三基板521可預先形成一芯片封裝體。此外，各個第二基板522位于對應的電子組件5M與對應的散熱裝置530之間。各個電子組件5M通過對應的第二基板522而導熱性地連接至對應的散熱裝置530。各個第二基板522可作為具有較低熱膨脹系數(shù)的對應的電子組件5M與具有較高熱膨脹系數(shù)的對應的散熱裝置530的緩沖中介。圖4B繪示本發(fā)明第四組實施例的另一種電子組裝體的剖面示意圖。請參考圖4B， 電子組裝體500’與電子組裝體500的主要不同之處在于，電子組裝體500’的各個電子組件524，為一芯片封裝體，且各個電子組件524，的導線架52 ，的這些引腳524b，電性連接至第一基板510’。綜上所述，本發(fā)明的實施例的電子組裝體至少具有以下其中之一或其它優(yōu)點一、當本發(fā)明的實施例的電子組裝體運作時，由于第二絕緣層的導熱系數(shù)大于第一絕緣層的導熱系數(shù)，所以電子組件所產(chǎn)生的熱可通過第二基板而傳遞至外界環(huán)境。因此， 與現(xiàn)有技術相較，本發(fā)明的實施例的電子組裝體的散熱效能較佳。二、由于第二絕緣層的熱膨脹系數(shù)可小于第一絕緣層的熱膨脹系數(shù)，因此，在本發(fā)明的實施例中，配置于第二基板上的電子組件較不易受到第二基板的熱膨脹現(xiàn)象的影響而產(chǎn)生損壞。三、由于第二絕緣層的崩潰電壓可高于第一絕緣層的崩潰電壓，第二絕緣層的耐電磁波干擾特性可優(yōu)于第一絕緣層的耐電磁波干擾特性，第二絕緣層的耐靜電放電特性可優(yōu)于第一絕緣層的耐靜電放電特性，或者第二絕緣層的耐無線射頻干擾特性可優(yōu)于第一絕緣層的耐無線射頻干擾特性，所以第二基板的電性效能較優(yōu)于第一基板的電性效能。因此， 整體而言，本發(fā)明的實施例的電子組裝體的電性表現(xiàn)較佳。以上所述，僅是本發(fā)明的實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
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權利要求
1.一種電子組裝體，其特征在于，包括一第一基板，包括一第一導體層與一第一絕緣層，其中該第一導體層配置于該第一絕緣層上；以及一電子模塊，包括一第二基板，配置于該第一基板上且包括一第二導體層與一第二絕緣層，其中該第二導體層配置于該第二絕緣層上，且該第二絕緣層的導熱系數(shù)大于該第一絕緣層的導熱系數(shù)；以及一電子組件，導熱性地連接至該第二基板，且電性連接至該第一基板。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的熱膨脹系數(shù)小于該第一絕緣層的熱膨脹系數(shù)。
3.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的崩潰電壓高于該第一絕緣層的崩潰電壓。
4.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的耐電磁波干擾特性優(yōu)于該第一絕緣層的耐電磁波干擾特性。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的耐靜電放電特性優(yōu)于該第一絕緣層的耐靜電放電特性。
6.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的耐無線射頻干擾特性優(yōu)于該第一絕緣層的耐無線射頻干擾特性。
7.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的材質(zhì)包括陶瓷、鉆石、石墨及碳-碳復合材料的至少其中之一。
8.根據(jù)權利要求7所述的電子組裝體，其特征在于，該第二絕緣層的材質(zhì)包括陶瓷，其包括氧化鋁、氧化鋯、氧化硅、氧化鈦、氮化鋁、氮化硅、碳化硅及玻璃的至少其中之一。
9.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，該第一基板具有可撓性。
10.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，更包括一散熱裝置，其中該第二基板包括兩第二導體層，分別配置于該第二絕緣層的相對兩側上，該第二基板位于該電子組件與該第一基板之間，該第一基板包括兩第一導體層，分別配置于該第一絕緣層的相對兩側上，且該第一基板位于該第二基板與該散熱裝置之間。
11.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，更包括一散熱裝置，其中該電子模塊更包括一第三基板，該第三基板位于該電子組件與該第一基板之間，該電子組件通過該第三基板而電性連接至該第一基板，該第二基板包括兩第二導體層，分別配置于該第二絕緣層的相對兩側上，該第二基板位于該電子組件與該散熱裝置之間，并且該電子組件通過該第二基板而導熱性地連接至該散熱裝置。
12.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，更包括一散熱裝置，其中該第二基板包括兩第二導體層，分別配置于該第二絕緣層的相對兩側上，該第一基板具有一貫穿孔，至少部分該電子組件位于該貫穿孔內(nèi)，且該第二基板位于該電子組件與該散熱裝置之間。
13.根據(jù)權利要求1所述的電子組裝體，其特征在于，更包括一散熱裝置，其中該第二基板包括兩第二導體層，分別配置于該第二絕緣層的相對兩側上，該第一基板具有一貫穿孔，至少部分該散熱裝置位于該貫穿孔內(nèi)，且該第二基板位于該電子組件與該散熱裝置之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子組裝體，包括一第一基板與一電子模塊。第一基板包括一第一導體層與一第一絕緣層。第一導體層配置于第一絕緣層上。電子模塊包括一第二基板與一電子組件。第二基板配置于第一基板上且包括一第二導體層與一第二絕緣層。第二導體層配置于第二絕緣層上。第二絕緣層的導熱系數(shù)大于第一絕緣層的導熱系數(shù)。電子組件導熱性地連接至第二基板且電性連接至第一基板。上述電子組裝體的散熱效能較佳。
文檔編號H01L23/14GK102194802SQ20101012801
公開日2011年9月21日 申請日期2010年3月19日 優(yōu)先權日2010年3月19日
發(fā)明者林總賢, 林智明 申請人:林總賢, 林智明