專利名稱：降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池結(jié)構(gòu)及制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種降低表面復(fù)合減反 膜電池的工藝。
背景技術(shù)：
晶體硅太陽能工藝開發(fā)中會引入RIE制絨工藝(等離子體反應(yīng)刻蝕)相對于一般 使用的化學(xué)液體腐蝕制絨可以增加其光吸收量，一般制絨后反射率可控制在10%以下，ARC 后反射率可控制在4%以下，但同時(shí)會增加硅片的表面損傷，加劇其表面復(fù)合，從而降低電 池的Voc，Isc等性能。所以工藝中一般要處理好ARC鍍膜前的處理，在對電池片正面做好 其ARC (表面減反射膜)的減反調(diào)節(jié)的同時(shí)做好其表面的鈍化效果。傳統(tǒng)電池工藝制作流程為硅片-RIE制絨-擴(kuò)散-去PSG+刻邊-表面減反膜處 理-絲網(wǎng)印刷_燒結(jié)，一般是直接對硅片進(jìn)行絨面處理以增加廣吸收，這一方法在化學(xué)腐蝕 的理論下，不會對電池表面造成制絨損傷；但RIE制絨是采用干法刻蝕原理，其工藝過程會 在硅片表面造成刻蝕損傷，由于損傷層的存在會造成電池性能的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了解決RIE制絨對硅片表面造成的刻蝕損傷，本 發(fā)明提供一種降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種降低表面復(fù)合減反膜電池的工 藝，其特征是具有如下工藝步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理；b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊 處理；c.再對硅片表面進(jìn)行減反和/或鈍化處理；d.再在減反和/或鈍化處理后的硅片表 面進(jìn)行RIE制絨；e.最后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)制成成品。作為本發(fā)明的另一個(gè)技術(shù)方案，一種降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝，具有如下 工藝步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理；b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊處理；c.再對硅片表面 進(jìn)行鈍化處理；d.再在鈍化處理后的硅片表面進(jìn)行RIE制絨；e.再在制絨后的硅片表面進(jìn) 行減反處理；f.最后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)制成成品。本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝，通過對傳統(tǒng)電池 工藝流程步驟改變，改變了傳統(tǒng)電池的結(jié)構(gòu)，不直接在硅片表面進(jìn)行制絨而是在ARC (表面 減反射膜)層上進(jìn)行制絨，這樣制絨后可達(dá)到同樣的表面限光效果，同時(shí)也不會在硅片表 面造成刻蝕損傷，達(dá)到了提升電池效率的目標(biāo)。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)一步說明。圖1是現(xiàn)有太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。其中=LSiN膜，2. RIE 制絨層，3. ARC 層。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一如圖2所示是本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝， 具有如下工藝步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理；b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊處理；c.再對 硅片表面進(jìn)行減反鈍化膜處理；d.再在減反和/或鈍化處理后的硅片表面進(jìn)行RIE制絨； e.最后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)制成成品。上述實(shí)施例一中的減反鈍化膜采用SiN膜，厚度為Ium;減反膜工藝完成后進(jìn)行 RIE制絨工藝，直接在SiN表面形成RIE制絨層2。在此工藝流程下RIE制絨后的反射率可以達(dá)到以下，達(dá)到最佳光吸收效果。實(shí)施例二降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝，具有如下工藝步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理； b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊處理；c.再對硅片表面進(jìn)行鈍化膜處理；d.再在鈍化處理 后的硅片表面進(jìn)行RIE制絨；e.再在制絨后的硅片表面進(jìn)行減反膜處理；f.最后進(jìn)行絲網(wǎng) 印刷，燒結(jié)制成成品。上述實(shí)施例二中的鈍化膜采用SiO2膜，厚度為Ium;減反膜采用SiN膜，厚度為 SOnm ；此工藝是在SiO2層上進(jìn)行RIE制絨，再用SiN膜進(jìn)行覆蓋，采用SiO2鈍化可以達(dá)到更 好的表面鈍化效果，再加上RIE制絨和SiN膜的表面減反處理，同樣可以達(dá)到以下的表 面反射率，同時(shí)由于采用了 SiO2膜又增加了表面鈍化效果可進(jìn)一步提升電池效率。改變工藝順序后，其制絨結(jié)構(gòu)的位置也改變了，從而保證了其表面的復(fù)合不增加， 同時(shí)應(yīng)用其RIE制備為出來的微結(jié)構(gòu)應(yīng)用在ARC膜上，從而保證電池的光吸收。以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完 全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù) 性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
一種降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝，其特征是具有如下工藝步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理；b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊處理；c.再對硅片表面進(jìn)行減反和/或鈍化處理；d.再在減反和/或鈍化處理后的硅片表面進(jìn)行RIE制絨；e.最后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)制成成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝，其特征是具有如下工藝 步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理；b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊處理；c.再對硅片表面進(jìn)行鈍化處理；d.再在鈍化處理后的硅片表面進(jìn)行RIE制絨； e.再在制絨后的硅片表面進(jìn)行減反處理；f.最后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)制成成品。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽能電池結(jié)構(gòu)及制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種降低表面復(fù)合減反膜電池的工藝，其具有如下工藝步驟a.硅片進(jìn)行擴(kuò)散處理；b.然后對硅片進(jìn)行去PSG和刻邊處理；c.再對硅片表面進(jìn)行減反和/或鈍化處理；d.再在減反和/或鈍化處理后的硅片表面進(jìn)行RIE制絨；e.最后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)制成成品。本發(fā)明通過對傳統(tǒng)電池工藝流程步驟改變，改變了傳統(tǒng)電池的結(jié)構(gòu)，不直接在硅片表面進(jìn)行制絨而是在ARC(表面減反射膜)層上進(jìn)行制絨，這樣制絨后可達(dá)到同樣的表面限光效果，同時(shí)也不會在硅片表面造成刻蝕損傷，達(dá)到了提升電池效率的目標(biāo)。
文檔編號H01L31/18GK101976703SQ20101023825
公開日2011年2月16日 申請日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者吳國強(qiáng), 陳亮 申請人:常州天合光能有限公司