技術(shù)特征：
1.一種采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，在利用掩膜對MOS器件的源極漏極執(zhí)行離子注入的步驟如下：步驟1：所述的掩膜包含附加掩膜部分（PR3），所述的附加掩膜部分（PR3）設(shè)置在多晶硅柵極（G）上方；步驟2：利用包含附加掩膜部分（PR3）的掩膜執(zhí)行源極（S）和漏極（D）的離子注入；所述的附加掩膜部分（PR3）的一端靠近源極（S）側(cè)，該附加掩膜部分（PR3）覆蓋將要形成的源極（S）與多晶硅柵極（G）的重疊區(qū)，但不影響源極（S）的離子注入；另一端為MOS器件在正常工作時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的源端溝道夾斷點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，在所述的步驟1中，所述的掩膜還包含：源極（S）側(cè)的第一掩膜部分（PR1）和漏極（D）側(cè)的第二掩膜部分（PR2）。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法用于制造N或者P型溝道的MOS器件。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法用于長溝道器件。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，所述的長溝道器件為高壓MOS器件或常壓MOS器件。6.一種采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，在利用掩膜對MOS器件的源極漏極執(zhí)行離子注入的步驟如下：步驟1：所述的掩膜包含附加掩膜部分（PR3），所述的附加掩膜部分（PR3）設(shè)置在多晶硅柵極（G）上方，在對稱結(jié)構(gòu)中，附加掩膜部分（PR3）設(shè)置在多晶硅柵極（G）上的中間位置；步驟2：利用包含附加掩膜部分（PR3）的掩膜執(zhí)行源極（S）和漏極（D）的離子注入。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，在所述的步驟1中，所述的掩膜還包含：源極（S）側(cè)的第一掩膜部分（PR1）和漏極（D）側(cè)的第二掩膜部分（PR2）。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法用于制造N或者P型溝道的MOS器件。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法用于長溝道器件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的采用同一進(jìn)程形成多種閾值電壓MOS器件的方法，其特征在于，所述的長溝道器件為高壓MOS器件或常壓MOS器件。