專利名稱：采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種同時具有低壓器件和耐高壓器件的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的Bipolar (雙極)工藝平臺分類，一般以該工藝平臺制造出來的標(biāo)準(zhǔn)NPN晶體管可承受的最大工作電壓來制定；標(biāo)準(zhǔn)NPN晶體管的最大工作電壓由集電區(qū)(C極)到發(fā)射區(qū)(E極)的耐壓(即CE耐壓)決定，CE耐壓主要由外延厚度及電阻率決定，基區(qū)濃度及結(jié)深也會影響；外延厚度決定了隔離規(guī)則及工藝，而隔離規(guī)則及工藝又決定了版圖面積；所以Bipolar低壓工藝平臺，對應(yīng)外延厚度薄，隔離間距小，版圖面積小，集成度高，如 I.5 u m線寬5V耐壓工藝平臺；Bipolar高壓工藝平臺，對應(yīng)外延厚度厚，隔離間距大,版圖面積大，集成度低，如4 ii m線寬60V耐壓工藝平臺。傳統(tǒng)的Bipolar工藝采用PN結(jié)隔離，工藝平臺耐壓在5 60V之間，耐壓大于60V，考慮到芯片面積和制造難度，一般用其它工藝替代，如介質(zhì)隔離工藝。為了提高設(shè)計電路的市場競爭力，部分專用集成電路會把不同模塊整合到同一芯片上以提高集成度降低封裝成本，但不同模塊之間耐壓往往有所區(qū)別，選擇制造工藝平臺時，需要選擇適合高壓模塊制造工藝平臺。整合的高低壓模塊，一般低壓模塊為控制電路，高壓模塊為輸出輸入電路。如果高低壓模塊耐壓差別大或低壓模塊電路相對多，采用高壓工藝平臺制造原來用低壓工藝平臺制造的低壓模塊，會導(dǎo)致低壓模塊占芯片面積的大幅度增大。為此，高低壓模塊集成到同一芯片上會導(dǎo)致比高低壓分別制造的芯片面積變大，部分抵消了通過整合高低壓模塊提高集成度的有益效果。低壓控制電路模塊工作電壓一般為3 7V，可采用2iim以下線寬5 15V耐壓工藝平臺制造，此類工藝平臺外延厚度2. 5 4 y m之間，可實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)NPN晶體管CE耐壓在7 20V左右，隔離耐壓在30-50V左右，就可以滿足電路要求。為了實現(xiàn)高壓模塊部分高的工作電壓，可以采用三極管或二級管反向串聯(lián)的方式來實現(xiàn)；但考慮隔離耐壓及電路高溫工作可靠性問題，此反向串聯(lián)耐壓不宜超過隔離耐壓的50% ;為此傳統(tǒng)的低壓工藝平臺，為保證電路工作可靠性，可實現(xiàn)反向串聯(lián)耐壓在25V以下。高溫工作可靠性失效表現(xiàn)為，此類電路在高溫高壓工作時，高壓加到隔離PN結(jié)處電場強度很大，會導(dǎo)致熱載流子注入現(xiàn)象，從而引起隔離PN結(jié)漏電偏大，同時芯片內(nèi)部或外部進入可動離子的影響，會惡化漏電問題，導(dǎo)致電路功能失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種同時具有低壓器件和耐高壓器件的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件及其制造方法。本發(fā)明提供一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件包括低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域；所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域均包括半導(dǎo)體襯底和位于其上的外延層；埋層和下隔離區(qū)，所述埋層和下隔離區(qū)位于所述半導(dǎo)體襯底和外延層相接處；上隔離區(qū)，所述上隔離區(qū)位于所述下隔離區(qū)上的外延層中，所述上隔離區(qū)與所述下隔離區(qū)相連；集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)位于所述外延層中，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)中，所述集電區(qū)與所述埋層相連；表面輕摻雜層，所述表面輕摻雜層位于所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面；所述耐高壓器件區(qū)域還包括有輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)位于上隔離區(qū)的上方的外延層中，所述輕摻雜區(qū)與上隔離區(qū)相連并向所述基區(qū)方向延伸。
進一步的，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件還包括第一互連層，位于所述外延層上，包括第一層間介質(zhì)層、第一互連線，所述第一層間介質(zhì)層在所述基區(qū)、集電區(qū)、發(fā)射區(qū)上形成有若干第一接觸孔，第一互連線通過第一接觸孔與所述基區(qū)、集電區(qū)、發(fā)射區(qū)相連；第二互連層，位于所述第一互連層上，包括第二層間介質(zhì)層、第二互連線和鈍化層，在所述第二層間介質(zhì)層上形成有若干第二接觸孔，所述第二互連線通過第二接觸孔與所述第一互連線相連，所述鈍化層位于所述第二互連線上；所述耐高壓器件區(qū)域還包括有地極引線和氮化硅層，所述地極引線通過第一接觸孔與所述輕摻雜區(qū)相連，所述氮化硅層位于所述第一層間介質(zhì)層上；在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)環(huán)繞所述基區(qū)設(shè)置，所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)均由所述第二互連線引出；在所述低壓器件區(qū)域中，所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)由所述第二互連線或第一互連線引出。進一步的，所述鈍化層包括氮化硅薄膜層。進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)。進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)的寬度大于3 i! m，所述地極引線到所述集電區(qū)的距離小于所述集電區(qū)到所述輕摻雜區(qū)的距離一半。進一步的,所述外延層厚度為2. 5 Ii m 4 Ii m,所述外延層電阻率為I. 0 Q cm 2. 2 Q cm。進一步的，所述半導(dǎo)體襯底、下隔離區(qū)、上隔離區(qū)、輕摻雜區(qū)和基區(qū)的摻雜類型為P型，所述外延層、表面輕摻雜層、埋層、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜類型為N型。進一步的，所述輕摻雜區(qū)的寬度大于上隔離區(qū)的寬度，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度小于上隔離區(qū)的表面濃度。進一步的，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度比所述上隔離區(qū)的表面濃度低兩個數(shù)量級。進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離大于 8 u m0進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)的寬度為0. 5 ii m 2 ii m。進一步的，在所述低壓器件區(qū)域中，所述上隔離區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離為3iim 4 ii m,所述上隔離區(qū)與所述基區(qū)的水平距離為3iim 4iim。進一步的，所述表面輕摻雜層的摻雜濃度高于所述外延層的摻雜濃度。進一步的，所述表面輕摻雜層的濃度比所述外延層的摻雜濃度高一個數(shù)量級。本發(fā)明還提供一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的制造方法，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件包括低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域，所述制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底和外延層相接處形成埋層和下隔離區(qū)，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延層；在所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面形成表面輕摻雜層；在低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的外延層中形成集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)和上隔離區(qū)，所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)位于所述外延層中，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)中，所述集電區(qū)與所述埋層相連，所述上隔離區(qū)位于所述下隔離區(qū)上的外延層中，所述上隔離區(qū)與所述下隔離區(qū)相連，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)環(huán)繞于所述基區(qū)外圍；在所述耐高壓器件區(qū)域的外延層中形成輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)位于上隔離區(qū)上方的外延層中，所述輕摻雜區(qū)與上隔離區(qū)相連并向所述基區(qū)方向延伸。進一步的，在形成輕摻雜區(qū)的步驟之后，Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法還包括在所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的外延層上形成第一互連層，所述第一互連層包括第一層間介質(zhì)層和第一互連線，所述第一層間介質(zhì)層在所述基區(qū)、集電區(qū)以及發(fā)射區(qū)上均形成有若干第一接觸孔，第一互連線通過第一接觸孔與所述基區(qū)、集電區(qū)以及發(fā)射區(qū)相連，并在所述耐高壓器件區(qū)域中形成地極引線和氮化硅層，所述地極引線通過第一接觸孔與所述輕摻雜區(qū)相連，在耐高壓器件區(qū)域中，所述氮化硅層位于所述第一層間介質(zhì)層上，所述第一層間介質(zhì)層在所述上隔離區(qū)上還形成有第一接觸孔，所述第一互連層還包括位于第一層間介質(zhì)層上的氮化硅層；在所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的第一互連層上形成第二互連層，所述第二互連層包括第二層間介質(zhì)層、第二互連線和鈍化層，在所述第二層間介質(zhì)層上形成有若干第二接觸孔，所述第二互連線通過第二接觸孔與所述第一互連線相連，所述鈍化層位于所述第二互連線上，所述耐高壓器件區(qū)域中所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)均由所述第二互連線引出，所述低壓器件區(qū)域中所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)由所述第二互連線或第一互連線引出。進一步的，所述鈍化層包括氮化硅薄膜層。進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)。進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)的寬度大于3 y m，所述地極引線到所述集電區(qū)的距離小于所述集電區(qū)到所述輕摻雜區(qū)的距離一半。進一步的,所述外延層厚度為2. 5 ii m 4 ii m,所述外延層電阻率為I. 0 Q cm 2. 2 Q cm。
進一步的，所述半導(dǎo)體襯底、下隔離區(qū)、上隔離區(qū)、輕摻雜區(qū)和基區(qū)的摻雜類型為P型，所述外延層、表面輕摻雜層、埋層、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜類型為N型。進一步的，所述輕摻雜區(qū)的寬度大于上隔離區(qū)的寬度，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度小于上隔離區(qū)的表面濃度。進一步的，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度比上隔離區(qū)的表面濃度低兩個數(shù)量級。
進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離大于 8 u m0
進一步的，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)的寬度為0. 5 ii m 2 ii m。進一步的，在所述低壓器件區(qū)域中，所述上隔離區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離為
3ii m 4 ii m,所述上隔離區(qū)與所述基區(qū)的水平距離為3 y m m。進一步的，所述表面輕摻雜層的摻雜濃度高于所述外延層的摻雜濃度。進一步的，所述表面輕摻雜層的濃度比所述外延層的摻雜濃度高一個數(shù)量級。綜上所述，利用本發(fā)明制造出的Bipolar低壓工藝中具有低壓器件和耐高壓器件的器件，在高低壓模塊整合電路設(shè)計中，在常規(guī)Bipolar 15V及以下低壓工藝平臺上，制造出小面積低壓器件的同時，通過整合高低壓工藝流程，制造出Bipolar低壓工藝中一種耐高壓器件的結(jié)構(gòu)，通過對多個所述Bipolar低壓工藝中耐高壓器件反向串聯(lián)，可實現(xiàn)串聯(lián)升壓最高達200V的高壓模塊與低壓模塊的整合，并可實現(xiàn)高壓模塊電壓可達100V的電路功能，同時滿足高溫可靠性要求。


圖I為本發(fā)明一實施例中采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明一實施例中采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的流程示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發(fā)明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。本發(fā)明的核心思想在于，在耐高壓器件區(qū)域中，在環(huán)繞所述集電區(qū)的上隔離區(qū)上形成摻雜濃度低的輕摻雜區(qū)，且所述輕摻雜區(qū)的寬度大于所述上隔離區(qū)的寬度，所述地極引線的寬度大于所述輕摻雜區(qū)的寬度，進一步的所述輕摻雜區(qū)朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)一定寬度，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)一定寬度，從而避免器件在高壓工作中大量電荷聚集于上隔離區(qū)頂角位置，防止電荷聚集引起的擊穿間題，從而提高了器件的性能。同時，所述第一層間介質(zhì)層上的氮化硅層與含氮化硅薄膜層的鈍化層結(jié)合，能夠有效防止可動離子進入高壓器件結(jié)構(gòu)中的強電場區(qū)而造成污染，以保證此高壓器件的高溫高壓可靠性，此外，通過在所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面形成輕摻雜層，從而縮小了低壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)與低壓器件區(qū)域的集電區(qū)和基區(qū)的水平距離，實現(xiàn)低壓器件區(qū)域小面積晶體管制造。圖I為本發(fā)明一實施例中采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合上述核心思想及圖1，本發(fā)明提供一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件包括以下結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體襯底100，外延層114，埋層，下隔離區(qū)，上隔離區(qū)，集電區(qū)，基區(qū)，發(fā)射區(qū)，表面輕摻雜層125，第一互連層，第二互連層，輕摻雜區(qū)105、地極引線112和氮化硅層100。其中，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件分為低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域，所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域均包括半導(dǎo)體襯底100和外延層114，所述外延層114位于所述半導(dǎo)體襯底100上；在所述低壓器件區(qū)域中，具體包括集電區(qū)106a、發(fā)射區(qū)107a、基區(qū)108a、埋層102a、上隔離區(qū)104a以及下隔離區(qū)103a和表面輕摻雜層125 ;所述耐高壓器件區(qū)域中，具體包括集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b、基區(qū)108b、埋層102b、上隔離區(qū)104b、下隔離區(qū)103b和輕摻雜區(qū)105 ;所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域均包括第一互連層和第二互連層，所述第一互連層包括第一介質(zhì)層109、第一接觸孔121和第一互連線113，與高壓器件區(qū)域?qū)?yīng)地極引線112和氮化硅層110 ;所述第二互連層包括第二介質(zhì)層111、第二接觸孔124、第二互連線115和鈍化層116。在本實施例中，所述半導(dǎo)體襯底100選擇P型摻雜的〈111〉晶向硅層，其電阻率范圍在10 Q cm 20 Q cm ;所述外延層114的電阻率范圍I. 35 Q cm I. 65 Q cm,慘雜類型為N型；所述外延層114的厚度范圍3. 6 ii m 4. 4 ii m，所述外延層厚度為2. 5 y m
4u m,所述外延層電阻率為I. 0 Q ^cm 2. 2 Q cm。以便與常規(guī)15V及以下的Bipolar工藝平臺匹配。所述表面輕摻雜層125位于所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層114表面，濃度為1E16 4E16cnT2，所述表面輕摻雜層125的摻雜濃度高于所述外延層114的摻雜濃度，所述表面輕摻雜層125的濃度為所述外延層114的摻雜濃度的10倍以上，即高一個數(shù)量級，其作用是抑制在所述低壓器件區(qū)域中，基區(qū)108a和上隔離區(qū)104a的橫向擴散，增加基區(qū)108a與上隔離區(qū)104a之間的有效距離，實現(xiàn)小面積晶體管制造；同時所述表面輕摻雜層125有利于提高低壓器件雙布一鋁布線寄生場開啟電壓，避免寄生效應(yīng)影響晶體管正常工作。在所述低壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)106a、發(fā)射區(qū)107a和基區(qū)108a位于具有所述表面輕摻雜層125的外延層114中，所述發(fā)射區(qū)107a位于所述基區(qū)108a中；所述集電區(qū)106a和所述發(fā)射區(qū)107a的摻雜類型為N型，所述基區(qū)108a的摻雜類型為P型。在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b和基區(qū)108b位于所述外延層114中，所述發(fā)射區(qū)107b位于所述基區(qū)108b中，所述集電區(qū)106b環(huán)繞于所述基區(qū)108b外圍；所述集電區(qū)106b和所述發(fā)射區(qū)107b的摻雜類型為N型，所述基區(qū)108b的摻雜類型為P型。在所述低壓器件區(qū)域中，所述埋層102a、下隔離區(qū)103a位于與低壓器件區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體襯底100和外延層114相接處，所述集電區(qū)106a與所述埋層102a相連；所述低壓器件區(qū)域的埋層102a的摻雜類型為N型，所述低壓器件區(qū)域的下隔離區(qū)103a的摻雜類型為P型。在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述埋層102b、下隔離區(qū)103b位于與耐高壓器件區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體襯底100和外延層114相接處，所述集電區(qū)106b與所述埋層102b相連，所述集電區(qū)106b環(huán)繞包圍發(fā)射區(qū)107b、基區(qū)108b，可有效防止寄生效應(yīng)；所述埋層102b的摻雜類型為N型，所述上隔離區(qū)103b的摻雜類型為P型。 在所述低壓器件區(qū)域中，所述上隔離區(qū)104a位于所述下隔離區(qū)103a上的外延層114中，所述下隔離區(qū)103a與上隔離區(qū)104a相連；所述上隔離區(qū)104a的摻雜類型為P型。在所述耐高壓器件區(qū)域中，上隔離區(qū)104b位于所述下隔離區(qū)103b上的外延層114中，所述下隔離區(qū)103b與上隔離區(qū)104b相連；所述上隔離區(qū)104b的摻雜類型為P型。
在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)105位于外延層114中的所述上隔離區(qū)104b上方，并與所述上隔離區(qū)104b相連，所述輕摻雜區(qū)105的寬度大于所述上隔離區(qū)104b的寬度；所述輕摻雜區(qū)105的摻雜類型為N型。所述輕摻雜區(qū)105的表面濃度小于耐高壓器件區(qū)域的上隔離區(qū)104b的表面濃度。所述輕摻雜區(qū)105的表面濃度為5E17cnT2 6E17cnT2，所述耐高壓器件區(qū)域的上隔離區(qū)104b的濃度為lE19cm_2 2E19cm_2，實際所述輕摻雜區(qū)105的濃度為所述上隔離區(qū)104b的濃度的百分之一以下，即低兩個數(shù)量級，在Bipolar低壓工藝中耐高壓器件在高溫高壓條件下工作時，有利于減少表面強電場處的熱載流子注入效應(yīng)。所述第一互連層位于所述外延層114上，與低壓器件區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一互連層包括第一層間介質(zhì)層109、第一互連線113，所述第一層間介質(zhì)層109在所述基區(qū)108a、集電區(qū)106a以及發(fā)射區(qū)106a上均形成有若干第一接觸孔121，第一互連線113通過第一接觸孔121與所述基區(qū)108a、集電區(qū)106a以及發(fā)射區(qū)107a相連。與耐高壓器件區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一互連層包括第一層間介質(zhì)層109、氮化硅層110、第一互連線113和地極引線112，所述第一層間介質(zhì)層109在所述輕摻雜區(qū)105、基區(qū)108b、集電區(qū)106b以及發(fā)射區(qū)106b上均形成有若干第一接觸孔121，第一互連線113通過第一接觸孔121與所述基區(qū)108b、集電區(qū)106b以及發(fā)射區(qū)107b相連，所述地極引線112通過第一接觸孔121與所述輕摻雜區(qū)105相連；所述氮化硅層110位于第一層間介質(zhì)層109與第一互連線113和地極引線112之間。其中，所述第一層間介質(zhì)層109的厚度為5000 8000埃，所述氮化硅層110的厚度500 700埃，所述氮化硅層110能夠防止第一互連形成后的工序加工中的可動離子進入高壓器件結(jié)構(gòu)中的強電場區(qū)而造成污染，以保證此高壓器件的高溫高壓可靠性。第一接觸孔121大小為2iim 3iim。第一互連線113和地極引線112的材料為AlSiCu，第一互連線113較佳的厚度為5000 9000埃，地極引線112較佳的厚度為5000 9000埃。上述第一互連層的厚度的選擇能夠滿足Bipolar低壓工藝中耐高壓器件的工作要求。所述第二互連層位于所述第一互連層上，所述第二互連層包括第二層間介質(zhì)層111、第二互連線115和鈍化層116，在所述第二層間介質(zhì)層111上形成有若干第二接觸孔124，與低壓器件區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二互連線115通過第二接觸孔124與部分所述第一互連線113相連，以實現(xiàn)雙層布線減少金屬布線面積；與耐高壓區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二互連線115通過第二接觸孔124與所述第一互連線113相連，以實現(xiàn)所述集電區(qū)106、發(fā)射區(qū)107和基區(qū)108的電性引出。在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b和基區(qū)108b均通過第二互連線115跨過輕摻雜區(qū)105引出，第一互連線113到輕摻雜區(qū)105之間只有第一層間介質(zhì)層109和氮化硅層110阻隔，而第二互連線115到輕摻雜區(qū)105之間增加了第一互連線113及第二層間介質(zhì)層111，所述集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b和基區(qū)108b通過第二互連線115引出，相比于通過第一互連線113引出，能夠進一步減弱所述集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b和基區(qū)108b引線在加高電壓時的引起的外延表面反型導(dǎo)致高壓工作時表面強電場處的電場強度的問題。此外，所述第二互連線115的材料為AlSiCu，第二互連線115的厚度為10000 16000埃。所述鈍化層116包括氮化硅薄膜層，氮化硅薄膜層能夠有效防止外界可動離子進入高壓器件結(jié)構(gòu)中的強電場區(qū)而造成沾污，保證此高壓器件的高溫可靠性。在本實施例中，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)105與所述集電區(qū)106b的水平距離dl大于8iim，較佳的為8iim 15 y m，對應(yīng)可實現(xiàn)由多個所述耐高壓器件反向串聯(lián)升壓達60-200V的高壓模塊，并實現(xiàn)高壓模塊電壓可達30-100V的電路功能。根據(jù)距離與耐壓的對應(yīng)性，具體水平距離大小根據(jù)高壓管不同的耐壓需求并結(jié)合外延條件選擇，在較佳的實施例中，所述輕摻雜區(qū)105與所述集電區(qū)106b的水平距離dl為9 m，可實現(xiàn)由多個所述耐高壓器件反向串聯(lián)升壓最高達80V的高壓模塊與低壓模塊的整合，并可實現(xiàn)高壓模塊電壓可達35V的電路功能，同時滿足高溫可靠性要求以保證擊穿位置發(fā)生在埋層102b左邊與半導(dǎo)體襯底100的交界處，所述輕摻雜區(qū)105朝向所述集電區(qū)106b的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)104b的寬度d2為0. 5 ii m 2 ii m ;能夠保證工藝波動中仍能滿足集電區(qū)106b在上隔離區(qū)104b之外，實現(xiàn)隔離PN結(jié)表面電場強度最高位置由載流子高濃度區(qū)轉(zhuǎn)移到低濃度區(qū)，減少熱載流子注入效應(yīng)；并且，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜 區(qū)的寬度d3大于3 ym，所述地極引線到所述集電區(qū)距離小于所述集電區(qū)到所述輕摻雜區(qū)的距離一半，以保證零電位鋁線場版起到降低表面電場強度為原來一半以上，長度過短無法起到降低電場作用。此外，在所述低壓器件區(qū)域中，所述上隔離區(qū)104a與所述集電區(qū)106a的水平距離d4為3iim 4u m,所述上隔離區(qū)104a與所述基區(qū)108a的水平距離為3 u m 4 u m。所述基區(qū)108a、集電區(qū)106a和發(fā)射區(qū)107a由所述第二互連線115或第一互連線113引出。利用本發(fā)明制造出Bipolar低壓工藝中具有低壓器件和耐高壓器件的器件，在高低壓模塊整合電路設(shè)計中，在15V及以下低壓工藝平臺上，可實現(xiàn)由多個本發(fā)明制造出的耐高壓器件反向串聯(lián)升壓最高達200V的高壓模塊與低壓模塊的整合，并可實現(xiàn)高壓模塊電壓可達100V的電路功能，同時滿足高溫可靠性要求。圖2為本發(fā)明一實施例中采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的制造方法的流程示意圖。如圖2所示，本發(fā)明還提供一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的制造方法，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件包括低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域，所述制造方法包括步驟SOl :提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底和外延層相接處形成埋層和下隔離區(qū)，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延層；步驟S02 :在所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面形成表面輕摻雜層；步驟S03 :在低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的外延層中形成集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)和上隔離區(qū)，所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)位于所述外延層中，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)中，所述集電區(qū)與所述埋層相連，所述上隔離區(qū)位于所述下隔離區(qū)上的外延層中，所述上隔離區(qū)與所述下隔離區(qū)相連，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)環(huán)繞于所述基區(qū)外圍；步驟S04 :在所述耐高壓器件區(qū)域的外延層中形成輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)位于上隔離區(qū)上方的外延層中，所述輕摻雜區(qū)與上隔離區(qū)相連并向所述基區(qū)方向延伸，所述輕摻雜區(qū)的寬度大于上隔離區(qū)的寬度；步驟S05 :在所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的外延層上形成第一互連層，所述第一互連層包括第一層間介質(zhì)層和第一互連線，所述第一層間介質(zhì)層在所述基區(qū)、集電區(qū)以及發(fā)射區(qū)上均形成有若干第一接觸孔，第一互連線通過第一接觸孔與所述基區(qū)、集電區(qū)以及發(fā)射區(qū)相連，并在所述耐高壓器件區(qū)域中形成地極引線和氮化硅層，所述地極引線通過第一接觸孔與所述輕摻雜區(qū)相連，在耐高壓器件區(qū)域中，所述氮化硅層位于所述第一層間介質(zhì)層上，所述第一層間介質(zhì)層在所述上隔離區(qū)上還形成有第一接觸孔，所述第一互連層還包括位于第一層間介質(zhì)層上的氮化硅層；步驟S06 :在耐高壓器件區(qū)域的第一層間介質(zhì)層上形成氮化硅層；步驟S07 :在所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的第一互連層上形成第二互連層，所述第二互連層包括第二層間介質(zhì)層、第二互連線和鈍化層，在所述第二層間介質(zhì)層上形成有若干第二接觸孔，所述第二互連線通過第二接觸孔與所述第一互連線相連，所述鈍化層位于所述第二互連線上，所述耐高壓器件區(qū)域中所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)均由所述 第二互連線引出，所述低壓器件區(qū)域中所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)由所述第二互連線或第一互連線引出，從而可以減小低壓器件區(qū)域的面積，進而提高器件的集成度。結(jié)合核心思想及圖2，并在上述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，以下詳細說明采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的制造方法在所述步驟SOl中，首先提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100劃分為兩類區(qū)域，低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域，分別在后續(xù)形成低壓器件和耐高壓器件；首先在所述半導(dǎo)體襯底100中分別同時形成低壓器件區(qū)域中的下隔離區(qū)103a、埋層102a和與耐高壓器件區(qū)域中的下隔離區(qū)103b和埋層102b ;在所述半導(dǎo)體襯底100上形成外延層114。在所述步驟S02中，在所述低壓器件區(qū)域的外延層114表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層114表面形成表面輕摻雜層125，在所述外延層114上采用帶膠高能量小劑量場注入工藝，以形成表面輕摻雜層125 ；在所述步驟S03中，在所述低壓器件區(qū)域的外延層114中形成上隔離區(qū)104a、基區(qū)108a、集電區(qū)106a，在所述耐高壓器件區(qū)域的外延層114中形成上隔離區(qū)104b、基區(qū)I08b集電區(qū)106b ;此外，在所述低壓器件區(qū)域的外延層114中形成發(fā)射區(qū)107a，所述發(fā)射區(qū)107a位于低壓器件區(qū)域的基區(qū)108a，在所述耐高壓器件區(qū)域的外延層114中形成發(fā)射區(qū)107b對應(yīng)的發(fā)射區(qū)107b，所述發(fā)射區(qū)107b位于所述低壓器件區(qū)域的基區(qū)108b中。在所述低壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)106a位于所述外延層114中并與埋層102a相連，所述上隔離區(qū)104a位于所述下隔離區(qū)103a上；在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)106b位于所述外延層114中并與埋層102a相連，所述上隔離區(qū)104b位于所述下隔離區(qū)103b上，其中，所述集電區(qū)106b環(huán)繞于所述基區(qū)108b外圍。在所述步驟S04中，在所述耐高壓器件區(qū)域的外延層114中形成輕摻雜區(qū)105，所述輕摻雜區(qū)105位于所述耐高壓器件區(qū)域的上隔離區(qū)104b上方，并與所述上隔離區(qū)104b相連，所述輕摻雜區(qū)105的寬度大于所述上隔離區(qū)104b的寬度；在步驟S05中，在所述外延層114上形成第一互連層；第一互連層包括第一層間介質(zhì)層109和第一互連線113 ；在所述低壓器件區(qū)域中，所述第一層間介質(zhì)層109在所述基區(qū)108a、集電區(qū)106a以及發(fā)射區(qū)106a上均形成有若干第一接觸孔121，第一互連線113通過第一接觸孔121與所述基區(qū)108a、集電區(qū)106a以及發(fā)射區(qū)107a相連；
在所述耐高壓器件區(qū)域中，還包括氮化硅層110和地極引線112，所述第一層間介質(zhì)層109在所述輕摻雜區(qū)105、基區(qū)108b、集電區(qū)106b以及發(fā)射區(qū)106b上均形成有若干第一接觸孔121，第一互連線113通過第一接觸孔121與所述基區(qū)108b、集電區(qū)106b以及發(fā)射區(qū)107b相連，所述地極引線112通過第一接觸孔121與所述輕摻雜區(qū)105相連，所述氮化硅層110位于第一層間介質(zhì)層109與第一互連線113和地極引線112之間。在所述步驟S06中，在所述第一互連層上形成第二互連層；第二互連層包括第二層間介質(zhì)層111、第二互連線115和鈍化層116 ；在所述低壓器件區(qū)域中，在所述第二層間介質(zhì)層111上形成有若干第二接觸孔124a，所述第二互連線115通過第二接觸孔124a與部分所述第一互連線113相連并將其引出，以實現(xiàn)雙層布線減少金屬布線面積；在所述耐高壓器件區(qū)域中，在所述第二層間介質(zhì)層111上形成有若干第二接觸孔124b，所述第二互連線115通過第二接觸孔124b與所述第一互連線113相連所述集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b和基區(qū)108b均通過第二互連線115跨過輕摻雜區(qū)105引出，由于第二互連線115與第一互連線113存在第二層間介質(zhì)層111，相比于通過第一互連線113引出，能夠進一步減弱所述集電區(qū)106b、發(fā)射區(qū)107b和基區(qū)108b引線在加高電壓時引起的外延表面反型導(dǎo)致高壓工作時表面強電場處的電場強度增加的問題。所述鈍化層116包括氮化硅薄膜層，可有效防止外界可動離子沾污，保證此高壓器件的高溫可靠性。當(dāng)然，需要明確的是，所述第一互連層和第二互連層的結(jié)構(gòu)并不限于上述描述，其他能夠?qū)崿F(xiàn)互連弓I出的結(jié)構(gòu)均在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。綜上所述，通過所述Bipolar低壓工藝中具有低壓器件和耐高壓器件的制造方法，在高低壓模塊整合電路設(shè)計中，在常規(guī)Bipolarl5V及以下低壓工藝平臺上，制造出小面積低壓器件的同時，通過整合高低壓工藝流程，制造出Bipolar低壓工藝中一種耐高壓器件的結(jié)構(gòu)，通過對多個所述Bipolar低壓工藝中耐高壓器件反向串聯(lián)，可實現(xiàn)串聯(lián)升壓達到200V以上的高壓模塊與低壓模塊的整合，并可實現(xiàn)100V的電路功能，同時滿足了高溫可靠性要求。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件包括低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域，其特征在于 所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域均包括 半導(dǎo)體襯底和位于其上的外延層； 埋層和下隔離區(qū)，所述埋層和下隔離區(qū)位于所述半導(dǎo)體襯底和外延層相接處； 上隔離區(qū)，所述上隔離區(qū)位于所述下隔離區(qū)上的外延層中，所述上隔離區(qū)與所述下隔離區(qū)相連； 集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)位于所述外延層中，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)中，所述集電區(qū)與所述埋層相連； 表面輕摻雜層，所述表面輕摻雜層位于所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面； 所述耐高壓器件區(qū)域還包括有輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)位于上隔離區(qū)的上方的外延層中，所述輕摻雜區(qū)與上隔離區(qū)相連并向所述基區(qū)方向延伸。
2.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件還包括 第一互連層，位于所述外延層上，包括第一層間介質(zhì)層、第一互連線，所述第一層間介質(zhì)層在所述基區(qū)、集電區(qū)、發(fā)射區(qū)上形成有若干第一接觸孔，第一互連線通過第一接觸孔與所述基區(qū)、集電區(qū)、發(fā)射區(qū)相連； 第二互連層，位于所述第一互連層上，包括第二層間介質(zhì)層、第二互連線和鈍化層，在所述第二層間介質(zhì)層上形成有若干第二接觸孔，所述第二互連線通過第二接觸孔與所述第一互連線相連，所述鈍化層位于所述第二互連線上； 所述耐高壓器件區(qū)域還包括有地極引線和氮化硅層，所述地極引線通過第一接觸孔與所述輕摻雜區(qū)相連，所述氮化硅層位于所述第一層間介質(zhì)層上； 在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)環(huán)繞所述基區(qū)設(shè)置，所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)均由所述第二互連線引出；在所述低壓器件區(qū)域中，所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)由所述第二互連線或第一互連線引出。
3.如權(quán)利要求2所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述鈍化層包括氮化娃薄膜層。
4.如權(quán)利要求2所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)。
5.如權(quán)利要求3所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)的寬度大于3 ym，所述地極引線到所述集電區(qū)的距離小于所述集電區(qū)到所述輕摻雜區(qū)的距離一半。
6.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述外延層厚度為2. 5 y m 4 y m,所述外延層電阻率為I. 0 Q cm 2. 2 Q cm。
7.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底、下隔離區(qū)、上隔離區(qū)、輕摻雜區(qū)和基區(qū)的摻雜類型為P型，所述外延層、表面輕摻雜層、埋層、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜類型為N型。
8.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述輕摻雜區(qū)的寬度大于上隔離區(qū)的寬度，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度小于上隔離區(qū)的表面濃度。
9.如權(quán)利要求8所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度比所述上隔離區(qū)的表面濃度低兩個數(shù)量級。
10.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離大于8 u m。
11.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)的寬度為0. 5 u m 2 u m0
12.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，在所述低壓器件區(qū)域中，所述上隔離區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離為 hm，所述上隔離區(qū)與所述基區(qū)的水平距離為3 u m 4 u m。
13.如權(quán)利要求I所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述表面輕摻雜層的摻雜濃度高于所述外延層的摻雜濃度。
14.如權(quán)利要求13所述的采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件，其特征在于，所述表面輕摻雜層的濃度比所述外延層的摻雜濃度高一個數(shù)量級。
15.一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件的制造方法，所述采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件包括低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域，所述制造方法包括 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底和外延層相接處形成埋層和下隔離區(qū)，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成外延層； 在所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面形成表面輕摻雜層； 在低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的外延層中形成集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)和上隔離區(qū)，所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)位于所述外延層中，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)中，所述集電區(qū)與所述埋層相連，所述上隔離區(qū)位于所述下隔離區(qū)上的外延層中，所述上隔離區(qū)與所述下隔離區(qū)相連，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述集電區(qū)環(huán)繞于所述基區(qū)外圍； 在所述耐高壓器件區(qū)域的外延層中形成輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)位于上隔離區(qū)上方的外延層中，所述輕摻雜區(qū)與上隔離區(qū)相連并向所述基區(qū)方向延伸。
16.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法,其特征在于,在形成輕摻雜區(qū)的步驟之后，還包括 在所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的外延層上形成第一互連層，所述第一互連層包括第一層間介質(zhì)層和第一互連線，所述第一層間介質(zhì)層在所述基區(qū)、集電區(qū)以及發(fā)射區(qū)上均形成有若干第一接觸孔，第一互連線通過第一接觸孔與所述基區(qū)、集電區(qū)以及發(fā)射區(qū)相連，并在所述耐高壓器件區(qū)域中形成地極引線和氮化硅層，所述地極引線通過第一接觸孔與所述輕摻雜區(qū)相連，在耐高壓器件區(qū)域中，所述氮化硅層位于所述第一層間介質(zhì)層上，所述第一層間介質(zhì)層在所述上隔離區(qū)上還形成有第一接觸孔，所述第一互連層還包括位于第一層間介質(zhì)層上的氮化硅層； 在所述低壓器件區(qū)域和耐高壓器件區(qū)域的第一互連層上形成第二互連層，所述第二互連層包括第二層間介質(zhì)層、第二互連線和鈍化層，在所述第二層間介質(zhì)層上形成有若干第二接觸孔，所述第二互連線通過第二接觸孔與所述第一互連線相連，所述鈍化層位于所述第二互連線上； 所述耐高壓器件區(qū)域中所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)均由所述第二互連線引出，所述低壓器件區(qū)域中所述基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)由所述第二互連線或第一互連線引出。
17.如權(quán)利要求16所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述鈍化層包括氮化硅薄膜層。
18.如權(quán)利要求16所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)。
19.如權(quán)利要求17所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)的寬度大于3 ym，所述地極引線到所述集電區(qū)的距離小于所述集電區(qū)到所述輕摻雜區(qū)的距離一半。
20.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述外延層厚度為2. 5 ii m 4 ii m,所述外延層電阻率為1.0Q cm 2. 2 Q cm。
21.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底、下隔離區(qū)、上隔離區(qū)、輕摻雜區(qū)和基區(qū)的摻雜類型為P型，所述外延層、表面輕摻雜層、埋層、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜類型為N型。
22.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜區(qū)的寬度大于上隔離區(qū)的寬度，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度小于上隔離區(qū)的表面濃度。
23.如權(quán)利要求22所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜區(qū)的表面濃度比上隔離區(qū)的表面濃度低兩個數(shù)量級。
24.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離大于8 u m。
25.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，在所述耐高壓器件區(qū)域中，所述輕摻雜區(qū)朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)的寬度為0.5 y m 2 y m。
26.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，在所述低壓器件區(qū)域中，所述上隔離區(qū)與所述集電區(qū)的水平距離為 hm，所述上隔離區(qū)與所述基區(qū)的水平距離為3iim 4iim。
27.如權(quán)利要求15所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述表面輕摻雜層的摻雜濃度高于所述外延層的摻雜濃度。
28.如權(quán)利要求27所述的Bipolar低壓工藝中的器件的制造方法，其特征在于，所述表面輕摻雜層的濃度比所述外延層的摻雜濃度高一個數(shù)量級。
全文摘要
本發(fā)明提供一種采用Bipolar低壓工藝實現(xiàn)的器件及其制造方法，通過在耐高壓器件區(qū)域中形成輕摻雜區(qū)，輕摻雜區(qū)朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述上隔離區(qū)一定寬度，地極引線朝向所述集電區(qū)的一側(cè)超出所述輕摻雜區(qū)一定寬度，避免了器件在高壓工作中大量電荷聚集于上隔離區(qū)頂角位置，防止電荷聚集引起的擊穿問題。耐高壓器件區(qū)域的氮化硅層與鈍化層結(jié)合，能夠有效防止可動離子進入高壓器件結(jié)構(gòu)中的強電場區(qū)而造成污染，保證此高壓器件的高溫高壓可靠性，通過在所述低壓器件區(qū)域的外延層表面和所述耐高壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)外圍的外延層表面形成輕摻雜層，縮小了低壓器件區(qū)域中下隔離區(qū)與低壓器件區(qū)域的集電區(qū)和基區(qū)的水平距離，提高集成度。
文檔編號H01L23/50GK102637725SQ201210127059
公開日2012年8月15日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月26日
發(fā)明者張佼佼, 李小鋒, 王鐸, 韓健 申請人:杭州士蘭微電子股份有限公司, 杭州士蘭集成電路有限公司