專利名稱：一種led基板散熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種散熱裝置，特別是涉及一種LED基板散熱裝置。
背景技術(shù)：
隨著LED向大功率、高光強(qiáng)方向發(fā)展，其散熱問題日漸突出，已成為LED發(fā)展的難題。大功率LED的散熱方式主要是通過基板材料傳導(dǎo)到外殼而發(fā)散出去，因此基板材料必須有高熱導(dǎo)率、高穩(wěn)定性、高絕緣性、高強(qiáng)度和平整性以及與芯片相近的熱膨脹系數(shù)。金屬或合金具有高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)，從而成為現(xiàn)有主要的LED基板材料，為保障電絕緣性，通常在金屬表面涂覆高分子聚合物介質(zhì)膜，從而導(dǎo)致熱導(dǎo)率降低，高溫性能變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種LED基板散熱裝置，其提高熱導(dǎo)率。本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的一種LED基板散熱裝置，其特征在于，其包括導(dǎo)電銅層、絕緣層、基板，絕緣層在導(dǎo)電銅層與基板之間，基板的散熱表面覆有氧化鋁薄膜。優(yōu)選地，所述氧化鋁薄膜的厚度為20 um至40um。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明LED基板散熱裝置提高熱導(dǎo)率，穩(wěn)定性好，簡化了 LED的封裝結(jié)構(gòu)和工藝，降低了成本。


圖I為本發(fā)明LED基板散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實施例，以詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖I所示，本發(fā)明LED基板散熱裝置包括導(dǎo)電銅層I、絕緣層2、基板3，絕緣層2在導(dǎo)電銅層I與基板3之間，基板3的散熱表面覆有氧化鋁薄膜4。本發(fā)明LED基板散熱裝置的整體結(jié)構(gòu)為層狀結(jié)構(gòu)。氧化鋁薄膜4通過微弧氧化技術(shù)生成，氧化鋁薄膜4的厚度為20 um至40um。所述的微弧氧化是通過電解液與相應(yīng)參數(shù)的組合，在鋁基板表面依靠弧光放電產(chǎn)生瞬時高溫高壓作用，生長出以基體氧化物為主的陶瓷膜層，具體工藝如下步驟(1)，將鋁合金放在堿溶液中浸泡，去除表面機(jī)械油污；步驟(2)，用清水洗凈，風(fēng)干；步驟(3)，將鋁合金放置于電解槽中進(jìn)行微弧氧化，微弧氧化電解液為小于1%的Na2SiO3和KOH混合溶液；電源采用雙端不對稱的脈沖調(diào)制電源；調(diào)制電源工作時，利用峰值較大的正脈沖對工件進(jìn)行微弧氧化，利用峰值較小的負(fù)脈沖對工件表面疏松的氧化膜進(jìn)行去除，使表面變得更光滑、更致密，從而得到較好的膜層質(zhì)量。氧化鋁薄膜具有較高的熱導(dǎo)率，在2. lW/K.m左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過導(dǎo)熱膠的熱導(dǎo)率，所述基板可抵抗500v以上的靜電擊穿電壓，并且導(dǎo)熱基板介質(zhì)層線膨脹系數(shù)與鋁基體差異較小，抗剝離強(qiáng)度高，大于5N/mm，因此，所述的基板可以在很高及全溫度范圍內(nèi)可靠性的工作。微弧氧化技術(shù)工藝簡單、效率高、無污染、處理工件能力強(qiáng)，制作成本低，便于加工和進(jìn)行多樣結(jié)構(gòu)的封裝。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改型和改變。因此，本發(fā)明覆蓋了落入所附的權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的各種改型和改變。
權(quán)利要求
1.一種LED基板散熱裝置，其特征在于，其包括導(dǎo)電銅層、絕緣層、基板，絕緣層在導(dǎo)電銅層與基板之間，基板的散熱表面覆有氧化鋁薄膜。
2.如權(quán)利要求I所述的LED基板散熱裝置，其特征在于，所述氧化鋁薄膜的厚度為20um 至 40umo
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED基板散熱裝置，其包括導(dǎo)電銅層、絕緣層、基板，絕緣層在導(dǎo)電銅層與基板之間，基板的散熱表面覆有氧化鋁薄膜。本發(fā)明LED基板散熱裝置提高熱導(dǎo)率。
文檔編號H01L33/48GK102945921SQ20121049687
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者區(qū)沃鉅, 張丹松, 尹荔松 申請人:中山市澳克士照明電器有限公司