背照式光感測(cè)元件封裝體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種背照式光感測(cè)元件封裝體，其包括線路子基座、背照式光感測(cè)元件、多個(gè)導(dǎo)電端子以及散熱結(jié)構(gòu)。背照式光感測(cè)元件包括內(nèi)連線層以及光感測(cè)元件陣列，其中內(nèi)連線層位于線路子基座上，且位于光感測(cè)元件陣列與線路子基座之間。導(dǎo)電端子位于內(nèi)連線層與線路子基座之間，以電性連接內(nèi)連線層與線路子基座。散熱結(jié)構(gòu)位于內(nèi)連線層下，且散熱結(jié)構(gòu)與光感測(cè)元件陣列分別位于內(nèi)連線層的兩對(duì)側(cè)。
【專利說明】背照式光感測(cè)元件封裝體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種光感測(cè)元件封裝體，且特別是有關(guān)于一種背照式光感測(cè)元件 封裝體。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著影音多媒體的盛行，數(shù)字圖像設(shè)備相繼推出，其關(guān)鍵核心零組件光感測(cè)元件 的地位也日益重要。光感測(cè)元件主要負(fù)責(zé)將光的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成電的信號(hào)，而依光感測(cè)元 件的類型通?？煞譃殡姾煞Q合元件（Charge Coupled Device, CCD)以及互補(bǔ)式金屬氧化物 半導(dǎo)體（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)光感測(cè)兀件等等。
[0003] 圖1A繪示為現(xiàn)有的一種正面照光的光感測(cè)元件封裝體的剖面示意圖。圖1B繪示 為現(xiàn)有的一種背面照光的光感測(cè)元件封裝體(也稱作背照式光感測(cè)元件封裝體）的剖面示 意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，正面照光的光感測(cè)元件封裝體100A是將內(nèi)連線層120設(shè)置在光感測(cè) 元件陣列110的受光面S1上，并將微光學(xué)結(jié)構(gòu)層140以及彩色濾光層130設(shè)置在內(nèi)連線層 120上。因此，光束L除了通過微光學(xué)結(jié)構(gòu)層140以及彩色濾光層130之外，還必須經(jīng)過內(nèi) 連線層120,才能被光感測(cè)元件陣列110所接收。由于內(nèi)連線層120中的金屬層122會(huì)反射 光束而降低光感測(cè)元件陣列110所感測(cè)到的光強(qiáng)度，因此現(xiàn)有的正面照光的光感測(cè)元件封 裝體100A有低光填充率（fill factor，指單一像素中可接收到光束的面積對(duì)整個(gè)像素的 比例）以及低對(duì)比（contrast)等缺點(diǎn)。
[0004] 因此，有技術(shù)提出一種背照式光感測(cè)元件封裝體100B (如圖1B所示)，其是將內(nèi)連 線層120設(shè)置于光感測(cè)元件陣列110的背面S2 (指受光面S1的對(duì)面)，且將微光學(xué)結(jié)構(gòu)層 140以及彩色濾光層130設(shè)置在光感測(cè)元件陣列110的受光面S1上。因此，光束L僅需通 過微光學(xué)結(jié)構(gòu)層140以及彩色濾光層130而不需要經(jīng)過內(nèi)連線層120,即可被光感測(cè)元件陣 列110所接收。如此一來，可以避免光束L被內(nèi)連線層120反射，進(jìn)而可以提升光感測(cè)元件 封裝體100B的光填充率以及對(duì)比。
[0005] 然而，位于背照式光感測(cè)元件封裝體100B的背面S2的內(nèi)連線層120通常還需 與線路基板(未繪示）連接，由于線路基板的熱傳導(dǎo)率不佳，以致背照式光感測(cè)元件封裝體 100B無法順利地散熱，而產(chǎn)生漏電流，進(jìn)而造成背照式光感測(cè)元件封裝體100B的靈敏度不 佳、信號(hào)干擾以及成像不均勻等問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供一種背照式光感測(cè)元件封裝體，其通過改善漏電流的問題來提供良好 的成像品質(zhì)。
[0007] 本發(fā)明的一種背照式光感測(cè)元件封裝體，其包括線路子基座、背照式光感測(cè)元件、 多個(gè)導(dǎo)電端子以及散熱結(jié)構(gòu)。背照式光感測(cè)元件包括內(nèi)連線層以及光感測(cè)元件陣列，其中 內(nèi)連線層位于線路子基座上，且位于光感測(cè)元件陣列與線路子基座之間。導(dǎo)電端子位于內(nèi) 連線層與線路子基座之間，以電性連接內(nèi)連線層與線路子基座。散熱結(jié)構(gòu)位于內(nèi)連線層下， 且散熱結(jié)構(gòu)與光感測(cè)元件陣列分別位于內(nèi)連線層的兩對(duì)側(cè)。
[0008] 本發(fā)明的背照式光感測(cè)元件封裝體利用散熱結(jié)構(gòu)以將光感測(cè)元件陣列的熱量導(dǎo) 出，由此降低因熱而產(chǎn)生的漏電流所造成的信號(hào)干擾。如此一來，背照式光感測(cè)元件封裝體 可具有良好的靈敏度以及成像品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1A是現(xiàn)有的一種正面照光的光感測(cè)元件封裝體的剖面示意圖。
[0010] 圖1B是現(xiàn)有的一種背面照光的光感測(cè)元件封裝體的剖面示意圖。
[0011] 圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的背照式光感測(cè)元件封裝的剖面示意圖。
[0012] 圖3及圖4是依照本發(fā)明的其他實(shí)施例的背照式光感測(cè)元件封裝體的剖面示意 圖。
[0013] 圖5A至圖5G是依照本發(fā)明的圖2的實(shí)施例的背照式光感測(cè)元件封裝的制作流程 的剖面示意圖。
[0014] 圖6及圖7是依照本發(fā)明的其他實(shí)施例的背照式光感測(cè)元件封裝體的剖面示意 圖。
[0015] 其中，附圖標(biāo)記：
[0016] 100A :光感測(cè)元件封裝體
[0017] 100B、200、300、400 :背照式光感測(cè)元件封裝體
[0018] 110、224 :光感測(cè)元件陣列
[0019] 112:光感測(cè)元件 120、222:內(nèi)連線層
[0020] 122 :金屬層 130、250 :彩色濾光層
[0021] 140、260 :微光學(xué)結(jié)構(gòu)層 210 :線路子基座
[0022] 212 :子基座 214 :線路層
[0023] 214A、222A :介電層 214B、222B :焊墊
[0024] 220 :背照式光感測(cè)元件 222C :介層窗插塞
[0025] 230:導(dǎo)電端子 240A、240B、240C :散熱結(jié)構(gòu)
[0026] 242:導(dǎo)電柱 242A:N型導(dǎo)電柱
[0027] 242B :P 型導(dǎo)電柱 244A、244B :散熱柱
[0028] 252、254、256 :彩色濾光圖案 262 :微透鏡
[0029] 510 :光感測(cè)元件基板 512 :基板
[0030] 520 :暫時(shí)性基板 530、540 :粘著層
[0031] 550:蓋板 560:電路板
[0032] 570:凸塊 580:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
[0033] L :光束 S1 :受光面
[0034] S2 :背面 VI :散熱貫孔
[0035] V2:導(dǎo)電貫孔

【具體實(shí)施方式】
[0036] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。
[0037] 圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的背照式光感測(cè)元件封裝的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D 2,本實(shí)施例的背照式光感測(cè)元件封裝體200包括線路子基座210、背照式光感測(cè)元件220、 多個(gè)導(dǎo)電端子230以及散熱結(jié)構(gòu)240A。
[0038] 線路子基座210包括子基座212以及配置于子基座212上的線路層214,其中線路 層214例如包括介電層214A以及分布于介電層214A中的多個(gè)橫向的焊墊214B。
[0039] 背照式光感測(cè)元件220可以是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體光感測(cè)元件或電荷耦合元 件。進(jìn)一步而言，背照式光感測(cè)元件220包括內(nèi)連線層222以及光感測(cè)元件陣列224,其中 內(nèi)連線層222位于線路子基座210上，且位于光感測(cè)元件陣列224與線路子基座210之間。
[0040] 內(nèi)連線層222包括介電層222A、多層橫向的金屬層(包括多個(gè)焊墊222B)以及多個(gè) 縱向的介層窗插塞222C，其中金屬層以及介層窗插塞222C通常為遮光的導(dǎo)電材料，例如是 鎢、銅、鋁、鋁銅合金或鋁硅銅合金等。
[0041] 現(xiàn)有正面照光的光感測(cè)元件封裝體100A (繪示于圖1A)將內(nèi)連線層120設(shè)置在 光感測(cè)元件陣列110的受光面S1上，以致光束L需要經(jīng)過內(nèi)連線層120才可被光感測(cè)元件 112所接收。因此，為避免內(nèi)連線層120中易遮光的膜層(金屬層122)遮蔽到光感測(cè)元件陣 列110,必須改變內(nèi)連線層120中的線路布局，以避開各光感測(cè)元件112的上方。相較之下， 本實(shí)施例的內(nèi)連線層222是配置于光感測(cè)元件陣列224的背面S2上，而非受光面S1上，因 此可以不用去改變內(nèi)連線層222中的線路布局即可具有較佳的光填充率以及對(duì)比。
[0042] 請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2,本實(shí)施例的導(dǎo)電端子230位于內(nèi)連線層222與線路子基座210之 間，以電性連接內(nèi)連線層222與線路子基座210。進(jìn)一步而言，內(nèi)連線層222中的焊墊222B 可通過導(dǎo)電端子230而與線路子基座210中對(duì)應(yīng)焊墊222B的焊墊214B電性連接。
[0043] 散熱結(jié)構(gòu)240A位于內(nèi)連線層222下，且散熱結(jié)構(gòu)240A與光感測(cè)元件陣列224分 別位于內(nèi)連線層222的兩對(duì)側(cè)。由于散熱結(jié)構(gòu)240A是配置于光感測(cè)元件陣列224的背面 S2 (指受光面S1的對(duì)面)，因此散熱結(jié)構(gòu)240A的材料除了可采用光穿透率高的復(fù)合高分子 的導(dǎo)熱材料之外，也可采用金屬、合金等導(dǎo)熱良好但易遮光的材料。
[0044] 在本實(shí)施例中，散熱結(jié)構(gòu)240A的材料以熱電材料舉例說明，但本發(fā)明不限于此。 所述熱電材料即是將電能與熱能相互轉(zhuǎn)換的材料，如締化秘（Bismuth telluride)及其合 金、締化鉛（Lead telluride)及其合金、娃鍺合金（silicon germanium)等。如此一來，本 實(shí)施例可通過對(duì)散熱結(jié)構(gòu)240A施以電壓，來導(dǎo)出光感測(cè)元件陣列224的背面S2的熱量，此 即所謂的熱電致冷卻（thermoelectric cooling)。
[0045] 此外，本實(shí)施例的散熱結(jié)構(gòu)240A例如包括多個(gè)彼此分離的導(dǎo)電柱242,其中各導(dǎo) 電柱242連接線路子基座210與內(nèi)連線層222,且不與導(dǎo)電端子230連接。亦即是，本實(shí)施 例的導(dǎo)電柱242并不是作為信號(hào)傳遞之用，而是作為散熱用。
[0046] 在本實(shí)施例中，相鄰的導(dǎo)電柱242之間，以及導(dǎo)電柱242與導(dǎo)電端子230之間可以 不填充其他介質(zhì)。如此，本實(shí)施例除了可通過散熱結(jié)構(gòu)240A以熱傳導(dǎo)的方式來導(dǎo)出光感測(cè) 元件陣列224的背面S2的熱量外，還可通過熱對(duì)流的方式來導(dǎo)出光感測(cè)元件陣列224的背 面S2的熱量。然而，為了增加背照式光感測(cè)元件封裝體200整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使用者也可 選擇性地于相鄰的導(dǎo)電柱242之間，及/或?qū)щ娭?42與導(dǎo)電端子230之間填充其他介質(zhì)。
[0047] 另一方面，為了進(jìn)一步提高散熱效率，本實(shí)施例可通過設(shè)置多個(gè)N型導(dǎo)電柱242A 以及多個(gè)P型導(dǎo)電柱242B，并使N型導(dǎo)電柱242A與P型導(dǎo)電柱242B通過內(nèi)連線層222中 的焊墊222B以及線路子基座210中對(duì)應(yīng)焊墊222B的焊墊214B彼此交替串接，以將光感測(cè) 元件陣列224的背面S2的熱量導(dǎo)出。
[0048] 詳言之，本實(shí)施例的各導(dǎo)電柱242的兩端例如分別與內(nèi)連線層222中的焊墊222B 以及線路子基座210(線路層214)中對(duì)應(yīng)焊墊222B的焊墊214B連接，且相鄰的導(dǎo)電柱242 通過對(duì)應(yīng)的焊墊214B、222B而彼此串接，并形成一往返于內(nèi)連線層222與線路層214之間 的電流流通路徑。在此架構(gòu)下，通過設(shè)置多個(gè)N型導(dǎo)電柱242A以及多個(gè)P型導(dǎo)電柱242B 并使N型導(dǎo)電柱242A與P型導(dǎo)電柱242B通過內(nèi)連線層222中的焊墊222B以及線路子基 座210中對(duì)應(yīng)焊墊222B的焊墊214B彼此交替串接即形成等效于多個(gè)彼此串聯(lián)的PN二極 管。如此一來，通過施予電壓，而導(dǎo)通等效于彼此串聯(lián)之PN二極管的導(dǎo)電柱242,則可將光 感測(cè)元件陣列224的背面S2的熱量導(dǎo)出，進(jìn)而可降低因熱而產(chǎn)生的漏電流所造成的信號(hào)干 擾，來使背照式光感測(cè)元件封裝體200具有良好的成像品質(zhì)以及靈敏度。
[0049] 需說明的是，上述的N型導(dǎo)電柱242A指的是摻雜有施體（Donor)摻質(zhì)（dopant)的 導(dǎo)電柱(亦即是N型導(dǎo)電柱242A的多數(shù)載子為電子，少數(shù)載子為電洞)，而上述的P型導(dǎo)電 柱242B指的是摻雜有受體（Acceptor)摻質(zhì)的導(dǎo)電柱(亦即是P型導(dǎo)電柱242B的多數(shù)載子 為電洞，少數(shù)載子為電子)。此處，施體摻質(zhì)以及受體摻質(zhì)的材料選擇端視導(dǎo)電柱242的材 料而定。舉例來說，當(dāng)導(dǎo)電柱242的材料為三碲化二鉍（Bi 2Te3)時(shí)，可通過將六A族元素?fù)?雜于三碲化二鉍中，例如是將硒（Se)摻雜于三碲化二鉍中，來形成N型導(dǎo)電柱242A，并可選 用五A族元素，例如是銻（Sb)，來形成P型導(dǎo)電柱242B，進(jìn)而提高散熱效率。
[0050] 在本實(shí)施例中，N型導(dǎo)電柱242A與P型導(dǎo)電柱242B的排列方式雖是以交替地排列 作為說明，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，使用者可通過其需求去設(shè)計(jì)內(nèi)連線層222 中的線路布局以及N型導(dǎo)電柱242A與P型導(dǎo)電柱242B的排列方式，而達(dá)到與上述相同或 相似的散熱效果。
[0051] 需說明的是，本實(shí)施例雖以多個(gè)導(dǎo)電柱242舉例說明散熱結(jié)構(gòu)的實(shí)施形態(tài)，但本 發(fā)明的散熱結(jié)構(gòu)并不限于此。舉例而言，如圖3所示，散熱結(jié)構(gòu)240B也可以是連接于線路 子基座210與內(nèi)連線層222之間的塊狀散熱柱244A，其中散熱柱244A的材料可以是復(fù)合高 分子的導(dǎo)熱材料或是金屬、合金等材料。又或者，如圖4所示，散熱結(jié)構(gòu)240C還可以是從內(nèi) 連線層222的表面延伸至線路子基座210的底面的散熱柱244B。詳言之，線路子基座210 可進(jìn)一步包括散熱貫孔VI，且散熱柱244B從內(nèi)連線層222的表面延伸至散熱貫孔VI中。 此外，在圖4的實(shí)施例中，可進(jìn)一步于線路子基座210與散熱柱244B之間形成封膠(例如是 散熱膠或絕緣膠）以提升背照式光感測(cè)元件封裝體400的信賴性。
[0052] 在圖3及圖4的實(shí)施例中，通過增加散熱柱244A、244B與內(nèi)連線層222之間的接 觸面積，可提升散熱效率，進(jìn)而可降低因熱而產(chǎn)生的漏電流所造成的信號(hào)干擾，來提升背照 式光感測(cè)元件封裝體300、400的成像品質(zhì)以及靈敏度。
[0053] 另外，請(qǐng)參照?qǐng)D2至圖4,背照式光感測(cè)元件封裝體200、300、400可進(jìn)一步包括彩 色濾光層250以及微光學(xué)結(jié)構(gòu)層260,其中彩色濾光層250與內(nèi)連線層222分別位于光感測(cè) 元件陣列224的兩對(duì)側(cè)，而微光學(xué)結(jié)構(gòu)層260與光感測(cè)元件陣列224分別位于彩色濾光層 250的兩對(duì)側(cè)。
[0054] 彩色濾光層250例如包括多個(gè)彩色濾光圖案252、多個(gè)彩色濾光圖案254以及多個(gè) 彩色濾光圖案256,其中彩色濾光圖案252、254、256可以分別是現(xiàn)有的紅色、綠色以及藍(lán)色 濾光圖案，但本發(fā)明不限于此。進(jìn)一步而言，使用者可視其需求去改變彩色濾光層250中濾 光圖案的顏色種類或是濾光圖案的排列方式。
[0055] 微光學(xué)結(jié)構(gòu)層260例如包括多個(gè)陣列排列的微透鏡（micro-lens) 262,且本實(shí)施 例的各個(gè)微透鏡262對(duì)應(yīng)其中一個(gè)彩色濾光圖案252、彩色濾光圖案254或彩色濾光圖案 256設(shè)置，但本發(fā)明不限于此。
[0056] 以下將以圖5A至圖5G說明圖2的背照式光感測(cè)元件封裝體200的制作方法。請(qǐng) 參照?qǐng)D5A，提供光感測(cè)元件基板510,所述光感測(cè)元件基板510包括形成有光感測(cè)元件陣列 的基板512以及內(nèi)連線層222,其中基板512例如是晶片。
[0057] 請(qǐng)參照?qǐng)D5B，將光感測(cè)元件基板510與暫時(shí)性基板520接合，其中內(nèi)連線層222位 于形成有光感測(cè)元件陣列的基板512與暫時(shí)性基板520之間。在本實(shí)施例中，光感測(cè)元件 基板510與暫時(shí)性基板520例如是通過粘著層530接合。
[0058] 此外，本實(shí)施例可選擇進(jìn)一步地薄化形成有光感測(cè)元件陣列的基板512而形成圖 2及圖5C所示的光感測(cè)元件陣列224。
[0059] 請(qǐng)參照?qǐng)D5C，于光感測(cè)元件陣列224上依序形成彩色濾光層250以及微光學(xué)結(jié)構(gòu) 層260,并通過粘著層540將蓋板550與微光學(xué)結(jié)構(gòu)層260接合。蓋板550例如是透光的塑膠 基板或透光的強(qiáng)化玻璃基板。詳言之，蓋板550的材料可以是聚甲基丙烯酸酯（polymethyl methacrylate, PMMA)、丙烯酸樹酯（acrylic resin)或是其他合適的透光材料。
[0060] 請(qǐng)參照?qǐng)Dro，移除暫時(shí)性基板520以及粘著層530,并于內(nèi)連線層222下形成散熱 結(jié)構(gòu)240A，其中本實(shí)施例的散熱結(jié)構(gòu)240A例如是多個(gè)導(dǎo)電柱242,且各導(dǎo)電柱242設(shè)置在 內(nèi)連線層222中對(duì)應(yīng)的焊墊222B下。在本實(shí)施例中，移除暫時(shí)性基板520以及粘著層530 之后，例如是先將整個(gè)結(jié)構(gòu)倒置，以將工藝面（即內(nèi)連線層222與形成散熱結(jié)構(gòu)240A的表 面)朝向上，再接續(xù)散熱結(jié)構(gòu)240A的制作。因此，在散熱結(jié)構(gòu)240A的制作過程中，蓋板550 除了可作為承載整體結(jié)構(gòu)的基板之外，還可保護(hù)微光學(xué)結(jié)構(gòu)層260。
[0061] 請(qǐng)參照?qǐng)D5E，于內(nèi)連線層222下形成多個(gè)導(dǎo)電端子230,且導(dǎo)電端子230分別設(shè)置 在內(nèi)連線層222中對(duì)應(yīng)的焊墊222B (指配置有導(dǎo)電柱242以外的焊墊222B)下。
[0062] 在本實(shí)施例中，若前述的導(dǎo)電柱242的材料與導(dǎo)電端子230的材料相同（例如是 銅)，則導(dǎo)電柱242與導(dǎo)電端子230可以是同時(shí)形成，然而，若導(dǎo)電柱242的材料與導(dǎo)電端子 的材料不同（導(dǎo)電柱242的材料采用復(fù)合高分子的導(dǎo)熱材料或是前述的熱電材料)，導(dǎo)電柱 242與導(dǎo)電端子230則于不同步驟中形成。
[0063] 此外，若導(dǎo)電柱242的材料采用的是前述的熱電材料，則在形成導(dǎo)電端子230之 前，可先形成前述的N型導(dǎo)電柱與P型導(dǎo)電柱(通過摻雜不同的摻質(zhì))。另外，在形成導(dǎo)電端 子230的步驟中，可進(jìn)一步地于導(dǎo)電端子230與導(dǎo)電柱242上通過電鍍或印刷的方式形成 一層錫（Sn)，以利后續(xù)導(dǎo)電端子230以及導(dǎo)電柱242與線路子基座210 (繪示于圖5F)的接 合。
[0064] 請(qǐng)參照?qǐng)D5F，將導(dǎo)電端子230以及導(dǎo)電柱242與線路子基座210接合，其中所述接 合的方法可以是使前述形成的錫呈熔融態(tài)，而使導(dǎo)電端子230以及導(dǎo)電柱242與線路子基 座210接合。
[0065] 線路子基座210包括子基座212以及配置于子基座212上的線路層214,且線路 層214包括介電層214A以及分布于介電層214A中的多個(gè)橫向的焊墊214B。導(dǎo)電端子230 以及導(dǎo)電柱242例如是與介電層214A中對(duì)應(yīng)的焊墊214B連接，亦即是，導(dǎo)電端子230以及 導(dǎo)電柱242分別連接對(duì)應(yīng)的焊墊214B (位于線路子基座210的線路層214中)與焊墊222B (位于內(nèi)連線層222中）。如此，則初步完成圖2所示的背照式光感測(cè)元件封裝體200。需說 明的是，圖5F相較于圖2更多了粘著層540以及蓋板550等構(gòu)件，然而，這兩個(gè)構(gòu)件并非背 照式光感測(cè)元件封裝體200的必要構(gòu)件，使用者可視其所需而選擇保留或移除粘著層540 以及蓋板550,本發(fā)明并不限于此。
[0066] 請(qǐng)參照?qǐng)D5G，在本實(shí)施例中，可進(jìn)一步于圖2所示的背照式光感測(cè)元件封裝體200 下配置電路板560。在配置電路板560之前，更包括于線路子基座210對(duì)應(yīng)導(dǎo)電端子230處 形成多個(gè)導(dǎo)電貫孔V2以及位于導(dǎo)電貫孔V2中的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)580。接著，可通過凸塊570 將線路子基座210的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)580與電路板560電性連接。如此一來，內(nèi)連線層222可通 過導(dǎo)電端子230、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)580以及凸塊570而與電路板560電性連接。因此，光感測(cè)元件 陣列224所接收到的光信號(hào)在轉(zhuǎn)為電信號(hào)之后，即可經(jīng)由內(nèi)連線層222中的金屬層及焊墊 222B以及導(dǎo)電端子230、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)580與凸塊570,而輸出至電路板560。
[0067] 需說明的是，前述圖5A至圖5G的制作方法除了適用于背照式光感測(cè)元件封裝體 200之外，也適用于背照式光感測(cè)元件封裝體300、400。以背照式光感測(cè)元件封裝體300為 例，其也可通過相似于圖5A至圖5G的制作方法而形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)，差異在于在圖? 的步驟中，散熱結(jié)構(gòu)240B形成的是塊狀的散熱柱244A，且與散熱柱244A連接的焊墊214B、 222B可以分別是單個(gè)橫向的焊墊214B、222B。至于背照式光感測(cè)元件封裝體400,其也可通 過相似于圖5A至圖5G的制作方法而形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)，差異在于在圖?的步驟中， 散熱結(jié)構(gòu)240C形成的是塊狀的散熱柱244B，其中塊狀的散熱柱244B的厚度會(huì)大于散熱柱 244A的厚度。此外，在圖5F的步驟中，在與線路子基座210接合之前，更包括于線路子基座 210中形成散熱貫孔VI，而于接合后，散熱柱244B會(huì)配置于散熱貫孔VI中。另外，使用者 可視其需求讓散熱柱244B與電路板560直接連接(例如通過調(diào)變散熱柱244B的厚度)。如 此，可進(jìn)一步提升散熱效率，并降低因熱而產(chǎn)生的漏電流。
[0068] 綜上所述，本發(fā)明的背照式光感測(cè)元件封裝體將內(nèi)連線層配置在光感測(cè)元件陣列 的背面，來解決現(xiàn)有內(nèi)連線層配置于光感測(cè)元件陣列的受光面上所造成的金屬層反射以及 光感測(cè)元件陣列收光效果不佳等問題，來具有良好的光填充率以及對(duì)比。此外，本發(fā)明的背 照式光感測(cè)元件封裝體通過將散熱結(jié)構(gòu)配置于內(nèi)連線層下，以將光感測(cè)元件陣列的熱量導(dǎo) 出，來改善散熱效率不佳所造成的漏電流的問題，進(jìn)而使背照式光感測(cè)元件封裝體具有良 好的成像品質(zhì)以及靈敏度。
[〇〇69] 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變更與修改，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以 權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，包括： 線路子基座； 背照式光感測(cè)元件，包括： 內(nèi)連線層，位于所述線路子基座上； 光感測(cè)元件陣列，其中所述內(nèi)連線層位于所述光感測(cè)元件陣列與所述線路子基座之 間； 多個(gè)導(dǎo)電端子，位于所述內(nèi)連線層與所述線路子基座之間，以電性連接所述內(nèi)連線層 與所述線路子基座；以及 散熱結(jié)構(gòu)，位于所述內(nèi)連線層下，且所述散熱結(jié)構(gòu)與所述光感測(cè)元件陣列分別位于所 述內(nèi)連線層的兩對(duì)側(cè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，所述背照式光感測(cè)元 件包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體光感測(cè)元件或電荷耦合元件。
3. 如權(quán)利要求1所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)包括多 個(gè)導(dǎo)電柱，各所述導(dǎo)電柱連接所述線路子基座與所述內(nèi)連線層。
4. 如權(quán)利要求3所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，所述導(dǎo)電柱包括多個(gè)N 型導(dǎo)電柱以及多個(gè)P型導(dǎo)電柱，且所述N型導(dǎo)電柱與所述P型導(dǎo)電柱通過所述內(nèi)連線層以 及所述線路子基座彼此交替串接。
5. 如權(quán)利要求1所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)包括散 熱柱，連接所述線路子基座與所述內(nèi)連線層。
6. 如權(quán)利要求5所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，所述線路子基座包括 散熱貫孔，且所述散熱柱從所述內(nèi)連線層的表面延伸至所述散熱貫孔中。
7. 如權(quán)利要求1所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，還包括： 電路板，其中所述線路子基座配置于所述電路板上，且所述線路子基座更包括對(duì)應(yīng)所 述導(dǎo)電端子設(shè)置的多個(gè)導(dǎo)電貫孔以及位于所述導(dǎo)電貫孔中的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各所述導(dǎo)電端 子分別與其中一所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接，以使所述內(nèi)連線層通過所述導(dǎo)電端子以及所述導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)而與所述電路板電性連接。
8. 如權(quán)利要求1所述的背照式光感測(cè)元件封裝體，其特征在于，還包括： 彩色濾光層，其中所述彩色濾光層與所述內(nèi)連線層分別位于所述光感測(cè)元件陣列的兩 對(duì)側(cè)；以及 微光學(xué)結(jié)構(gòu)層，其中所述微光學(xué)結(jié)構(gòu)層與所述光感測(cè)元件陣列分別位于所述彩色濾光 層的兩對(duì)側(cè)。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK104103651SQ201310169045
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月1日
【發(fā)明者】蕭志誠(chéng), 戴明吉, 柯正達(dá) 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院