本申請涉及一種包括硅酸鹽玻璃結構的半導體器件和制造半導體器件的方法。

背景技術：
具有幾百或幾千伏阻壓能力的半導體器件（例如功率半導體器件）的邊緣終端區(qū)域對在覆蓋表面的電介質中積累的電荷敏感。正和負電荷都可不利地影響半導體器件的阻壓能力，例如絕緣柵雙極晶體管（IGBT），F(xiàn)ET(場效應晶體管)或二極管。因為在電介質中積累的電荷可被電場移位，這可在半導體器件操作期間導致不穩(wěn)定。任何種類的結終端，例如，場環(huán)結構、橫向摻雜變化（VLD）邊緣終端結構或結終端擴展（JTE）邊緣終端結構，可能被不利地影響并使半導體器件的可靠性變差。在邊緣終端區(qū)域中，因為邊緣終端區(qū)域可促成整個芯片區(qū)域的很大一部分，相當大量的不希望有的電荷可能積累。作為實例，氧化物中的正電荷可能是由于堿金屬例如鈉（Na）和/或鉀（K）的存在，并且負電荷可能是由于雜質例如OH-的存在。改善半導體器件的可靠性和提供制造半導體器件的方法是所希望的。

技術實現(xiàn)要素：
根據(jù)半導體器件的實施例，該半導體器件包括包含第一表面的半導體本體。該半導體器件進一步包括在第一表面上的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構。在半導體本體的有源區(qū)域上的連續(xù)玻璃結構的第一部分包括第一組分的摻雜劑，所述第一組分的摻雜劑與有源區(qū)域外部的半導體本體的區(qū)域上的連續(xù)玻璃結構的第二部分中的第二組分的摻雜劑不同。根據(jù)半導體器件的另一實施例，該半導體器件包括包含第一表面的半導體本體。該半導體器件進一步包括第一表面上的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構。連續(xù)玻璃結構的至少一部分包括磷和硼中的至少一個的濃度，所述濃度在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一，其中第二側比第一側更接近半導體本體的第一表面。根據(jù)半導體器件的另一實施例，該半導體器件包括包含第一表面的半導體本體。該半導體器件進一步包括在第一表面上的連續(xù)硅酸鹽玻璃層堆疊。所述硅酸鹽玻璃層堆疊包括至少一個BPSG層和一個PSG層。根據(jù)制造半導體器件的方法的實施例，所述方法包括在半導體本體的第一表面上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構，其包括在半導體本體的有源區(qū)域上的連續(xù)玻璃結構的第一部分和在所述有源區(qū)域外部的半導體本體的區(qū)域上的連續(xù)玻璃結構的第二部分。被包括在連續(xù)玻璃結構的第一部分中的第一組分的摻雜劑不同于在連續(xù)玻璃結構的第二部分中的第二組分的摻雜劑。根據(jù)制造半導體器件的方法的另一個實施例，所述方法包括在半導體本體的第一表面上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構。所述方法進一步包括在連續(xù)玻璃結構的至少一部分中形成磷和硼中的至少一個的濃度，所述濃度在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一。第二側比第一側更接近半導體本體的第一表面。本領域技術人員在閱讀下面的詳細描述時并且在瀏覽附圖時將認識到附加的特征和優(yōu)點。附圖說明附圖被包括用以提供對本發(fā)明的進一步的理解并且被并入和構成該說明書的一部分。這些圖示出本發(fā)明的實施例并且與描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。將容易領會本發(fā)明的其它實施例和本發(fā)明的多個預期的優(yōu)點，同時參考以下詳細描述它們將變得更好理解。這些圖的元件不一定相對于彼此按比例繪制。相似的參考數(shù)字表示相應的相似部分。圖1示出半導體器件的一個實施例的截面圖，所述半導體器件包括在第一區(qū)域中和第二區(qū)域中具有不同組分的摻雜劑的硅酸鹽玻璃結構。圖2示出半導體器件的一個實施例的截面圖，所述半導體器件包括在包括硅酸鹽玻璃層堆疊的第一區(qū)域中和在第二區(qū)域中具有不同組分的摻雜劑的硅酸鹽玻璃結構。圖3和4A示出半導體器件的實施例的截面圖，所述半導體器件包括在第一區(qū)域中和在包括硅酸鹽玻璃層堆疊的第二區(qū)域中具有不同組分的摻雜劑的硅酸鹽玻璃結構。圖4B示出包括硅酸鹽玻璃層堆疊的半導體器件的另一實施例的截面圖。圖5示出半導體器件的一個實施例的截面圖，所述半導體器件包括具有硅酸鹽區(qū)域的硅酸鹽玻璃結構，所述硅酸鹽區(qū)域包括以高劑量和低能量被注入的摻雜劑。圖6示出沿著在圖5中所示的線AA’的注入的磷的輪廓的一個實例。圖7示出制造半導體器件的工藝流程的一個實施例，所述半導體器件包括在第一區(qū)域中和在第二區(qū)域中具有不同組分的摻雜劑的硅酸鹽玻璃結構。圖8示出制造半導體器件的工藝流程的一個實施例，所述半導體器件包括具有硅酸鹽區(qū)域的硅酸鹽玻璃結構，所述硅酸鹽區(qū)域包括以高劑量和低能量被注入的摻雜劑。圖9A到9D示出半導體本體的示意截面圖，所述半導體本體經歷到溝槽中的多晶硅層中的高劑量和低能量注入。具體實施方式在下面的詳細描述中，參考附圖，這些附圖構成了該詳細描述的一部分，在這些圖中借助圖示示出了可以實施本發(fā)明的特定實施例。應當理解也可以利用其它實施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下做出結構或邏輯改變。例如，作為一個實施例的一部分被說明和描述的特征可結合其它實施例使用，以產生更多的實施例。本發(fā)明旨在包括這樣的修改和變型。實例使用特定語言被描述，其不應被解釋成限制所附權利要求的范圍。附圖不是按比例的并且僅用于說明的目的。為了清楚，如果沒有另外說明，相同的元件或制造工藝在不同的圖中被指定相同的參考標記。如在說明書中使用的，術語“電耦合”并不打算意味著所述元件必須被直接耦合在一起。代替地，可在所述“電耦合”的元件之間提供中間元件。作為實例，沒有中間元件、中間元件的一部分或全部可以是可控的以在“電耦合”的元件之間提供低歐姆連接，并且在另一個時候提供非低歐姆連接。術語“電連接”旨在描述在電連接在一起的元件之間的低歐姆電連接，例如，通過金屬和/或高度摻雜的半導體的連接。一些附圖通過在摻雜類型旁邊指示“-”或“+”來指代相對摻雜濃度。例如，“n-”表示比“n”摻雜區(qū)域的摻雜濃度低的摻雜濃度，而“n+”摻雜區(qū)具有比“n”摻雜區(qū)更大的摻雜濃度。相同相對摻雜濃度的摻雜區(qū)域可以或可以不具有相同的絕對摻雜濃度。例如，兩個不同n+摻雜的區(qū)域可具有不同的絕對摻雜濃度。這同樣適用于例如n-摻雜的和p+摻雜的區(qū)域。在下面描述的實施例中，示出的半導體區(qū)域的導電類型被表示成n型或p型，更詳細地說被表示成n-型，n型，n+型，p-型，p型和p+型中的一個。在每個示出的實施例中，示出的半導體區(qū)域的導電類型可以反之亦然。換句話說，在對下面描述的實施例的任何一個的替代實施例中，示出的p型區(qū)域可以是n型，并且示出的n型區(qū)域可以是p型。圖1示出了根據(jù)實施例的半導體器件100的截面圖。半導體器件100包括具有第一表面110的半導體本體105。連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115被形成在第一表面110上。在半導體本體105的有源區(qū)域105a上的連續(xù)玻璃結構115的第一部分115a包括第一組分的摻雜劑，所述第一組分的摻雜劑不同于在有源區(qū)域105a外部的半導體本體105的區(qū)域105b上的連續(xù)玻璃結構115的第二部分115b中的第二組分的摻雜劑。半導體器件100可以是包括IGBT，F(xiàn)ET（例如金屬氧化物半導體（MOSFET）），和二極管的任何半導體器件。根據(jù)一個實施例，半導體器件100是基于與其低功率對應器件相似的原理操作的功率半導體器件，但是能載送更大量的電流并且通常還在關斷狀態(tài)中支持更大的反向偏壓。作為實例，半導體器件100是被配置成阻止超過30V的反向偏壓和/或超過1A的開關電流的功率半導體器件。半導體本體105可包括半導體襯底，例如硅襯底，復合半導體襯底，絕緣體上硅（SOI）襯底，其不包括、包括一個或多個形成在其上的半導體層，例如外延半導體層。在半導體器件100的有源區(qū)域105a中，存在器件元件，在圍繞有源區(qū)域105a的區(qū)域105b中不存在所述器件元件。作為實例，圍繞有源區(qū)域105a的區(qū)域105b可包括包含一個或多個場環(huán)結構的邊緣終端區(qū)域，VLD邊緣終端結構和JTE邊緣終端結構。在有源區(qū)域105a中存在并且在圍繞有源區(qū)域105a的區(qū)域105b中不存在的器件元件可包括IGBT和FET的柵極電極和/或源極和/或本體和二極管的陽極發(fā)射極或陰極發(fā)射極。根據(jù)一個實施例，硅酸鹽玻璃結構115在區(qū)域105b中的表面110處鄰接半導體本體105。換句話說，硅酸鹽玻璃結構115和半導體本體105在區(qū)域105b中接觸。硅酸鹽玻璃結構115可例如在有源區(qū)域105a和/或區(qū)域105b中包括通孔部分，所述區(qū)域105b可包括被配置成將半導體本體105中的半導體區(qū)域與布置在硅酸鹽玻璃結構115上的布線電耦合的接觸結構。根據(jù)一個實施例，在第一部分115a中的硅酸鹽玻璃結構115的厚度d1等于在第二部分115b中的厚度d2。作為實例，在第一部分115a和第二部分115b中的不同組分的摻雜劑，即第一和第二組分，可通過借助適當?shù)姆椒ㄒ霌诫s劑到第一部分115a和第二部分115b之一中被形成，所述適當?shù)姆椒ㄊ抢缤ㄟ^在外延沉積期間引入摻雜劑或通過針對高劑量和低能量注入的包括離子淋浴注入（ionshowerimplantation）或等離子體沉積的離子注入。作為另一實例，在第一部分115a中和在第二部分115b中的不同組分的摻雜劑可通過借助適當?shù)姆椒ǎɡ玑槍Ω邉┝亢偷湍芰孔⑷氲陌x子淋浴注入的離子注入）引入不同類型和/或濃度的摻雜劑到第一部分115a和第二部分115b中被形成。根據(jù)另一實施例，在第一部分115a中的硅酸鹽玻璃結構115的厚度d1比第二部分115b的厚度d2大，即d1>d2。作為實例，第一部分115a可包括比第二部分115b更高數(shù)目的堆疊的硅酸鹽玻璃層。根據(jù)另一個實施例，在第一部分115a中的硅酸鹽玻璃結構115的厚度d1比第二部分115b的厚度d2小，即d1<d2。作為實例，第一部分115a可包括比第二部分115b更低數(shù)目的堆疊的硅酸鹽玻璃層。根據(jù)一個實施例，至少一個包括金屬的布線級被布置在連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115上并且在連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115和在第二區(qū)域105b中的半導體本體105的表面110之間不存在包括金屬的布線級。在有源區(qū)域105a中，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115可包括包含接觸的通孔。在硅酸鹽玻璃結構115的第一部分115a和第二部分115b中的不同組分的摻雜劑的形成允許對于在第一部分115a中和在第二部分115b中的可不同的具體要求更好地調整硅酸鹽玻璃結構115的特性。作為實例，由于在有源單元區(qū)域內比在邊緣終端區(qū)域中更明顯的布局（topology），對硅酸鹽玻璃結構115的流動特性的要求可能在第一部分115a中比在第二部分115b中更高。這允許關注在邊緣終端區(qū)域中的吸氣效率和在有源單元區(qū)域中的流動特性，例如，通過在邊緣終端區(qū)域中使用高效吸氣劑磷硅玻璃（PSG）并且在有源單元區(qū)域中使用具有有利流動特性的硼磷硅玻璃(BPSG)，由于在所述邊緣終端區(qū)域中相對高的電場，所述邊緣終端區(qū)域相對于正或負電荷通常是最敏感的區(qū)域。因為在硅酸鹽玻璃結構115中的不同組分的摻雜劑允許改善硅酸鹽玻璃結構的不同特性，半導體器件的可靠性可通過對于在第一部分115a中和在第二部分115b中的具體要求調整在硅酸鹽玻璃結構115中的摻雜劑的組分來被改善。根據(jù)圖2中所示半導體器件200的一個實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的第一部分115a包括硼磷硅玻璃(BPSG)層117。連續(xù)玻璃結構115的第一部分115a包括硅酸鹽玻璃層堆疊并且所述BPSG層117是所述堆疊的最低層并具有到半導體本體105的第一表面110的比所述層堆疊的最高的硅酸鹽玻璃層118更短的距離。在BPSG層117和最高的硅酸鹽玻璃層118之間，可以不形成附加硅酸鹽玻璃層、可形成一個或多個附加硅酸鹽玻璃層。在硅酸鹽玻璃結構115的第一部分115a中的層堆疊包括在BPSG層117上面的硼硅玻璃(BSG)層和磷硅玻璃（PSG）層中的至少一個。根據(jù)一個實例，所述最高層118是磷硅玻璃（PSG）層。根據(jù)另一實施例，夾在BPSG層117和最高的硅酸鹽玻璃層118之間的可選的硅酸鹽玻璃層是PSG層。根據(jù)另一實施例，未摻雜的硅酸鹽玻璃（USG）層可被布置在半導體本體105和所述BPSG層117之間，例如，薄USG層。進一步地，USG層可被布置在最高的硅酸鹽玻璃層118上以避免或減少摻雜劑從硅酸鹽玻璃結構115擴散出進入半導體本體105和/或周圍環(huán)境。因此，在摻雜劑和例如磷酸的周圍環(huán)境之間的相互作用或反應可被防止或減少。這允許照常使用較高的P濃度，例如超過8%或超過10%。作為另一實例，所述BPSG層117也可以是PSG層并且PSG層118可以是BPSG層。根據(jù)一個實施例，例如，通過在圖案化BPSG層117和其上的可選的（附加的）未摻雜或摻雜的硅酸鹽玻璃層之后的共形層沉積，在硅酸鹽玻璃結構115的第二部分115b中的硅酸鹽玻璃層119與在第一部分115a中的最高層118一起被形成。所述硅酸鹽玻璃層118，119可包括單硅酸鹽玻璃層或單PSG層的堆疊。根據(jù)另一實施例，所述硅酸鹽玻璃層118和119被隨后形成，例如，硅酸鹽玻璃層118在硅酸鹽玻璃層119之前被形成。在這種情況下，所述硅酸鹽玻璃層118可與所述BPSG層117一起被圖案化。根據(jù)另一實例，所述硅酸鹽玻璃層119在硅酸鹽玻璃層118之前被形成。在第一部分115a中的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的厚度d1比在第二部分115b中的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的厚度d2更高。如此處使用的，在BPSG中的硼和磷之間的重量百分比的比率，即B/P，是在30%到70%的范圍中。在PSG中的硼和磷之間的重量百分比的比率，即B/P，是在0%到10%的范圍中。在BSG中的硼和磷之間的重量百分比的比率，即B/P，是在90%到100%的范圍中。進一步地，在BPSG、PSG和BSG中的B和P的至少一個的濃度包括至少1020cm-3，或至少5×1020cm-3或至少3×1021cm-3。根據(jù)圖3中所示的半導體器件300的一個實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的第二部分115b包括PSG層121。連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的第二部分115b包括硅酸鹽玻璃層堆疊并且PSG層121是所述堆疊的最低層并具有到半導體本體105的第一表面110的比所述層堆疊的最高的硅酸鹽玻璃層122更短的距離。在PSG層121和最高的硅酸鹽玻璃層122之間，可以不形成附加硅酸鹽玻璃層，可形成一個或多個附加硅酸鹽玻璃層。在所述第二部分115b中的所述層堆疊包括在所述PSG層121上面的BSG層和BPSG層中的至少一個。根據(jù)一個實例，最高層122是BSG層。根據(jù)另一個實施例，夾在PSG層121和最高的硅酸鹽玻璃層122之間的可選的硅酸鹽玻璃層是BPSG層。根據(jù)一個實施例，例如，通過在圖案化PSG層121和其上的可選的附加硅酸鹽玻璃層之后的共形層沉積，在硅酸鹽玻璃結構115的第一部分115a中的硅酸鹽玻璃層123與在第二部分115b中的最高層122一起被形成。所述硅酸鹽玻璃層122，123可包括單硅酸鹽玻璃層的堆疊。根據(jù)另一實施例，所述硅酸鹽玻璃層122和123被隨后形成，例如，所述硅酸鹽玻璃層122在硅酸鹽玻璃層123之前被形成。在這種情況下，所述硅酸鹽玻璃層122可與所述PSG層121一起被圖案化。根據(jù)另一實例，硅酸鹽玻璃層123在硅酸鹽玻璃層122之前被形成。在第二部分115b中的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的厚度d1比在第一部分115a中的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的厚度d2更高。與上面描述的實施例相似，USG層可被提供在半導體本體105和PSG層121和/或硅酸鹽玻璃層123之間，例如，薄USG層，或被提供在硅酸鹽玻璃層122和/或123上。根據(jù)圖4A中所示的半導體器件400的一個實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的第二部分115b包括BSG層124。所述連續(xù)玻璃結構115的第二部分115b包括硅酸鹽玻璃層堆疊并且所述BSG層124是所述堆疊的最低層并具有到所述半導體本體105的第一表面110的比所述層堆疊的最高的硅酸鹽玻璃層125更短的距離。在BSG層124和最高的硅酸鹽玻璃層125之間，可以不形成附加的硅酸鹽玻璃層、可形成一個或多個附加的硅酸鹽玻璃層。在第二部分115b中的所述層堆疊包括在BSG層124上面的PSG層和BPSG層中的至少一個。根據(jù)一個實例，最高層125是PSG層。根據(jù)另一個實施例，被夾在BSG層124和最高的硅酸鹽玻璃層125之間的可選的硅酸鹽玻璃層是PSG層。根據(jù)一個實施例，例如，通過在圖案化BSG層124和其上的可選的附加硅酸鹽玻璃層之后的共形層沉積，在第一部分115a中的硅酸鹽玻璃層126與在第二部分115b中的最高層125一起被形成。所述硅酸鹽玻璃層125，126可包括單硅酸鹽玻璃層的堆疊。根據(jù)另一實施例，硅酸鹽玻璃層125和126被隨后形成，例如，硅酸鹽玻璃層125在硅酸鹽玻璃層126之前形成。在這種情況下，硅酸鹽玻璃層125可與BSG層124一起被圖案化。根據(jù)另一實例，硅酸鹽玻璃層126在硅酸鹽玻璃層125之前被形成。在第二部分115b中的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的厚度d2比在第一部分115a中的連續(xù)硅酸鹽玻璃結構115的厚度d1更高。與上面描述的實施例相似，USG層可被提供在半導體本體105和BSG層124和/或硅酸鹽玻璃層126之間，例如，薄USG層，或被提供在硅酸鹽玻璃層125和/或126上。根據(jù)一個實施例，不同于在第二部分115b中的第二組分的摻雜劑的在硅酸鹽玻璃結構115的第一部分115a中的第一組分的摻雜劑通過高劑量和低能量注入（例如通過掩蔽的離子淋浴注入或通過掩蔽的等離子體沉積）被形成在圖2到4A中所示的實施例的一個或多個硅酸鹽玻璃層117…126中或被形成為圖1中所示的上面實施例中描述的硅酸鹽玻璃結構115的一個部分，例如，第一部分115a或第二部分115b。包括通過高劑量和低能量注入引入的摻雜劑的硅酸鹽玻璃結構115的那部分包括磷和硼中的至少一個的濃度，所述濃度在連續(xù)玻璃結構115的第一側和第二側之間減少了至少二分之一，其中第二側比第一側更接近半導體本體105的第一表面110。根據(jù)實施例，通過高劑量和低能量注入被引入到硅酸鹽玻璃結構115中的磷和硼中的所述至少一個的劑量是在5×1016cm-2和5×1017cm-2之間的范圍中。作為實例，第二部分115b包括通過高劑量和低能量注入引入的摻雜劑，以使得磷和硼的至少一個的濃度在連續(xù)玻璃結構115的第一側和第二側之間減少了至少二分之一。根據(jù)圖4B中所示的半導體器件450的一個實施例，在半導體本體465的表面470上的連續(xù)硅酸鹽玻璃層堆疊460包括PSG層461和BPSG層462。連續(xù)硅酸鹽玻璃層堆疊460的形成可不用平板印刷術來實施。連續(xù)硅酸鹽玻璃層堆疊460可包括更多硅酸鹽玻璃層，例如可選的USG或BSG層或甚至更多的PSG或BPSG層。這些層可被布置在PSG層461和BPSG層462下面，之間或上面。PSG層461和BPSG層462的布置也可與圖4B的圖示相反，即PSG層461可被布置在BPSG層462的上面。作為實例，連續(xù)硅酸鹽層堆疊460可包括一系列的可選的USG層，PSG層，可選的BSG層和BPSG層。這些層的摻雜可通過在這些層沉積期間引入摻雜劑或通過在每層沉積之后執(zhí)行的注入或等離子體沉積步驟來被實現(xiàn)。圖5示出了根據(jù)實施例的半導體器件500的截面圖。半導體器件500包括具有第一表面510的半導體本體505。連續(xù)硅酸鹽玻璃結構515被形成在第一表面110上。連續(xù)玻璃結構515的至少一部分，例如硅酸鹽玻璃區(qū)域526和527或者甚至連續(xù)玻璃結構515的整個區(qū)域，包括磷和硼中的至少一個的濃度，所述濃度在連續(xù)玻璃結構515的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一或者甚至減少了至少十分之九，其中第二側531比第一側530更接近半導體本體505的第一表面510。半導體器件500可以是包括IGBT，F(xiàn)ET（例如金屬氧化物半導體FET(MOSFET)）和二極管的任何半導體器件。根據(jù)一個實施例，半導體器件500是基于與其低功率對應器件相似的原理操作的功率半導體器件，但能夠載送更大量的電流并且通常還在關斷狀態(tài)中支持更大的反向偏壓。作為實例，半導體器件500是被配置成阻止超過30V的反向偏壓和/或超過1A的開關電流（包括例如在kV或10kV范圍中的反向偏壓和在kA范圍中的電流）的功率半導體器件。在連續(xù)玻璃結構515的硅酸鹽玻璃區(qū)域526和527中，在第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一或者甚至減少了至少十分之九的磷和硼中的所述至少一個可以通過高劑量和低能量注入（例如，通過離子淋浴注入或通過等離子體沉積）被引入到硅酸鹽玻璃區(qū)域526和527中（例如，在注入?yún)^(qū)域526a，527a中）。根據(jù)實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構515是BPSG層，并且在硅酸鹽玻璃區(qū)域526和527中的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一的磷和硼中的所述至少一個是磷。根據(jù)實施例，連續(xù)玻璃結構515的硅酸鹽玻璃區(qū)域526，527位于圍繞半導體器件500的有源區(qū)域的區(qū)域中。作為實例，硅酸鹽玻璃區(qū)域526，527可位于包括一個或多個場環(huán)結構、VLD邊緣終端結構和JTE邊緣終端結構的邊緣終端區(qū)域中。在有源區(qū)域中存在的器件元件可在圍繞有源區(qū)域的區(qū)域中不存在。作為實例，IGBT和FET的柵極電極和/或源極和/或本體和二極管的陽極發(fā)射極或陰極發(fā)射極可在有源區(qū)域中存在，但在圍繞有源區(qū)域的區(qū)域中不存在。作為實例，硅酸鹽玻璃結構515可在表面510的至少一部分中鄰接半導體本體505。換句話說，硅酸鹽玻璃結構515可在表面510的至少一部分中與半導體本體505接觸。作為另一實例，一個或多個電介質（例如氧化硅）可被布置在第一表面510和硅酸鹽玻璃結構515之間。所述硅酸鹽玻璃結構515可包括通孔部分，所述通孔部分可包括被配置成將半導體本體505中的半導體區(qū)域與布置在硅酸鹽玻璃結構515上的布線電耦合的接觸結構。在圖5中所示的特定實施例包括兩個不同的包括磷和硼中的至少一個的硅酸鹽玻璃區(qū)域526和527，所述磷和硼中的所述至少一個在連續(xù)玻璃結構515的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一。根據(jù)另一實施例，硅酸鹽玻璃結構527的整個部分或主要部分包括磷和硼中的至少一個，其在連續(xù)玻璃結構515的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一。進一步地，包括在連續(xù)玻璃結構515的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一或者甚至減少了至少十分之九的磷和硼中的至少一個的任何數(shù)目的不同硅酸鹽玻璃區(qū)域可被形成。當形成BPSG的硅酸鹽玻璃結構515并且進一步通過第一側530以在連續(xù)玻璃結構515的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一或者甚至減少了至少十分之九的量將磷引入到硅酸鹽玻璃結構515中時，這允許使用a)BPSG的有利的流動特性和b）相似于在包括增加量的磷的區(qū)域中的PSG的有利的吸氣特性。作為實例，以在連續(xù)玻璃結構515的第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一或者甚至減少了至少十分之九的量引入另外的磷可在芯片的邊緣區(qū)域中和/或在相應于晶片切割軌跡的晶片區(qū)域中被實施。進一步地，通過借助掩蔽注入引入磷和/或硼到硅酸鹽玻璃層515中，硅酸鹽玻璃層515的流動特性可在對正或負電荷敏感或具有關鍵或明顯布局的區(qū)域中被改進。作為實例，在幾十μm2到幾百μm2的范圍中的注入?yún)^(qū)域可被提供在對正或負電荷敏感或者具有關鍵或明顯布局的區(qū)域中。例如，這些被注入?yún)^(qū)域可以島的圖案被布置。所述島的一些或全部可以相互分離，可重疊，可在尺寸和/或形狀上不同。圖6示出了沿著圖5中所示的穿過硅酸鹽玻璃區(qū)域的線A-A’的磷的輪廓的一個實例。磷的輪廓沿著從圖5中所示的連續(xù)玻璃結構515的第一側530到圖5中所示的第二側531的深度z降低。在部分p1中，輪廓相應于在熱退火/驅進（drive-in）之后的注入輪廓，而第二部分p2包括存在于BPSG層中的恒定的或者幾乎恒定量的磷。除了在圖6中所示的磷的特定輪廓之外，如果磷的濃度在第一側530和第二側531之間減少了至少二分之一，很多種不同的輪廓可被形成。作為實例，注入的磷可以通過擴散到達第二側531。作為實例，注入磷的劑量是在5×1016cm-2和5×1017cm-2之間的范圍中。例如，注入電壓可以是在0.1kV到30kV的范圍中，或者在0.5kV到20kV的范圍中。圖7示出制造半導體器件的工藝流程的一個實施例。工藝特征S100包括在半導體本體的第一表面上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構，其包括在半導體本體的有源區(qū)域上的連續(xù)玻璃結構的第一部分和在有源區(qū)域外部的區(qū)域上的連續(xù)玻璃結構的第二部分，其中包括在連續(xù)玻璃結構的第一部分中的第一組分的摻雜劑不同于連續(xù)玻璃結構的第二部分的第二組分的摻雜劑。根據(jù)一個實施例，該工藝流程進一步包括在有源區(qū)域和有源區(qū)域外部的區(qū)域上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構的第一硅酸鹽玻璃層，去除在有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上的第一硅酸鹽玻璃層的至少一部分，并且在有源區(qū)域和有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構的第二硅酸鹽玻璃層。根據(jù)一個實施例，第一硅酸鹽玻璃層包括BPSG并且第二硅酸鹽玻璃層包括PSG和BSG中的至少一個。根據(jù)另一實施例，所述工藝流程進一步包括在有源區(qū)域和有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構的第一硅酸鹽玻璃層，去除有源區(qū)域上的第一硅酸鹽玻璃層，并且在有源區(qū)域和有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構的第二硅酸鹽玻璃層。根據(jù)一個實施例，第一硅酸鹽玻璃層包括PSG和BSG中的至少一個并且第二硅酸鹽玻璃層包括BPSG。根據(jù)又一實施例，所述工藝流程進一步包括在有源區(qū)域和有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構的第一硅酸鹽玻璃層，去除有源區(qū)域上的第一硅酸鹽玻璃層，在有源區(qū)域和有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構的第二硅酸鹽玻璃層，并且去除有源區(qū)域外部的所述區(qū)域上的第二硅酸鹽玻璃層。圖8示出制造半導體器件的工藝流程的一個實施例。工藝特征S200包括在半導體本體的第一表面上形成連續(xù)硅酸鹽玻璃結構。工藝特征S210包括在連續(xù)玻璃結構的至少一部分中形成包括在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一的磷和硼中的至少一個的濃度，其中第二側比第一側更接近半導體本體的第一表面。根據(jù)一個實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構被形成為BPSG并且磷在低能量下以高劑量被注入在連續(xù)玻璃結構的至少一部分中，其中被注入的硼的輪廓在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一。根據(jù)另一實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構被形成為未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)并且硼在低能量下以高劑量被注入在連續(xù)玻璃結構的至少一部分中，其中被注入的硼的輪廓在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一。第三未摻雜的硅酸鹽玻璃層可被可選地沉積在半導體和BPSG層之間并且另一未摻雜的硅酸鹽玻璃層可被可選地沉積在磷摻雜的BPSG層上。根據(jù)另一實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構被形成為BSG和USG的堆疊，并且硼在低能量下以高劑量被注入在所述USG的至少一部分中，其中被注入的硼的輪廓在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一。根據(jù)又一實施例，連續(xù)硅酸鹽玻璃結構被形成為USG，并且硼和磷在低能量下以高劑量以任意順序被隨后注入在連續(xù)玻璃結構的相同或不同部分中，其中被注入的硼和磷中的每一個的輪廓在連續(xù)玻璃結構的第一側和第二側之間減少了至少二分之一?？蛇x地，在各個注入步驟之間和/或在所有注入步驟之后，可以執(zhí)行退火步驟。作為實例，磷和硼中的所述至少一個的劑量是在5×1016cm-2和5×1017cm-2之間的范圍中。例如，注入電壓可以是在0.1kV到30kV的范圍中，或者在0.5kV到20kV的范圍中。當在溝槽中摻雜多晶硅材料時，高劑量和低能量注入也可以被應用。圖9A示出在半導體器件（例如FET或IGBT）的制造期間的半導體本體905的截面圖。在圖9A中所示的工藝階段以半導體本體905在第一表面910處包括溝槽940開始。所述溝槽940包括可選的場電極942和多晶硅柵極電極944。可選的場電極942和柵極電極944被介電結構946圍繞，所述介電結構946用作在柵極電極944和半導體本體905之間的柵極電介質。多晶硅柵極電極944可以是未摻雜的或輕摻雜的。硼以高劑量和低能量在第一表面910處被注入到多晶硅柵極電極944的一部分949中。作為實例，磷和硼中的至少一個的劑量是在5×1016cm-2和5×1017cm-2之間的范圍中。例如，注入電壓可以是在0.1kV到30kV的范圍中，或者在0.5kV到20kV的范圍中。如在圖9B的截面圖中所示，熱處理致使被注入的硼驅進到多晶硅柵極電極944的深度中，導致在多晶硅柵極電極944的底部和中間部分中的低的或中等的p摻雜，而p+摻雜保持在第一表面910處的多晶硅柵極電極944的頂部中。由于在頂部中的p+摻雜，這允許多晶硅柵極電極944的減小的路徑電阻，同時，由于在柵極氧化物位于的多晶硅柵極的中間部分中的低的和中等的p摻雜，抵制了硼通過柵極氧化物的擴散。圖9C示出在半導體器件（例如FET或IGBT）的制造期間半導體本體955的截面圖。在圖9C中示出的工藝階段以半導體本體955在第一表面960處包括溝槽990開始。所述溝槽990包括可選場電極992和共形多晶硅層995。所述可選場電極992被介電結構996圍繞并且共形多晶硅層995鄰接所述介電結構996。所述共形多晶硅層995可以是未摻雜的或輕摻雜的。硼以高劑量和低能量被注入到溝槽990的底部部分999a中的共形多晶硅層995的表面中，以及被注入到在第一表面960上的共形多晶硅層995的表面部分999b中。作為實例，磷和硼中的至少一個的劑量是在5×1016cm-2和5×1017cm-2之間的范圍中。例如，注入電壓可以是在0.1kV到30kV的范圍中，或者在0.5kV到20kV的范圍中。如在圖9D的截面圖中所示，例如通過諸如蝕刻或化學機械拋光（CMP）的合適工藝在第一表面960上去除共形多晶硅層995。熱處理致使被注入的硼從共形多晶硅層995的底部部分999a驅進，導致在溝槽990中共形多晶硅層995的頂部中的低的或中等的p摻雜，而p+摻雜保持在共形多晶硅層995的底部部分中。因此，沿著溝槽的延伸（例如允許阻尼可能趨向于諧振振蕩的快速操作循環(huán)的溝槽帶），可變路徑阻抗可以被實現(xiàn)。根據(jù)其它實施例，磷和硼隨后高劑量和低能量注入到溝槽中的多晶硅材料中允許制造例如可被用在溫度傳感器中的齊納二極管、二極管、npn或pnp結構。作為實例，被掩埋在溝槽中的多晶硅的底側處的高濃度的摻雜劑可被形成。在圖9A到圖9D中所示的實施例中，硼以高劑量和低能量被注入到多晶硅柵極電極中。根據(jù)其它實施例，磷可以同樣以高劑量和低能量被注入到多晶硅柵極電極中。術語例如“第一”，“第二”等被用來描述各種結構，元件，區(qū)域，部分等，并且并不旨在是限制性的。貫穿該描述，相似術語指代相似元件。術語“具有”、“容納”、“包括”、“包含”等是開放性的并且所述術語表明聲稱的元件或特征的存在，但不排除附加的元件或特征。冠詞“一”、“一個”、“該”旨在包括復數(shù)以及單數(shù)，除非上下文清楚地另有指示。將理解此處被描述的各種實施例的特征可相互結合，除非另外特別注明。盡管在這里已經示出并描述了具體的實施例，但本領域技術人員將意識到多種替換和/或等價實施方式可以替代示出和描述的具體實施例而不脫離本發(fā)明的范圍。本申請旨在覆蓋在這里討論的具體實施例的任何改編或變型。因此，本發(fā)明旨在僅由權利要求及其等價物來限制。