專利名稱：導(dǎo)電膜及其觸摸屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種導(dǎo)電膜以及應(yīng)用該導(dǎo)電膜的觸摸屏。
背景技術(shù)：
觸摸屏是可接收觸摸等輸入信號的感應(yīng)式裝置。觸摸屏賦予了信息交互嶄新的面貌，是極富吸引力的全新信息交互設(shè)備。觸摸屏技術(shù)的發(fā)展引起了國內(nèi)外信息傳媒界的普遍關(guān)注，已成為光電行業(yè)異軍突起的朝陽高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)。導(dǎo)電層是觸摸屏模組中至關(guān)重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術(shù)一日千里的飛速發(fā)展著。但是以投射式電容屏為例，導(dǎo)電層的基礎(chǔ)制造流程近年來并未發(fā)生太大的改變?？偸遣豢杀苊獾男枰纬蓪?dǎo)電層，導(dǎo)電層圖形化及電極銀引線制作等工序。而導(dǎo)電層圖形化過程中還不可避免的需要用到曝光、顯像、刻蝕及清洗等多道工序，在刻蝕過程中，一般將導(dǎo)電層中不需要的部分蝕刻掉，從而在基片表面形成固定的導(dǎo)電區(qū)域和空白區(qū)域，使得導(dǎo)電區(qū)有特定的形狀。但是因?yàn)閷?dǎo)電區(qū)的附加遮光比會讓光透過率衰減，而絕緣區(qū)的空白區(qū)沒有類似導(dǎo)電區(qū)的光透過率衰減，會造成導(dǎo)電膜上絕緣區(qū)的透過率大于導(dǎo)電區(qū)，進(jìn)而在導(dǎo)電膜上形成明暗交替的色塊。
實(shí)用新型內(nèi)容基于此，有必要針對導(dǎo)電膜上容易形成明暗交替的色塊的問題，提供一種導(dǎo)電膜以及應(yīng)用該導(dǎo)電膜的觸摸屏?！N導(dǎo)電膜,包括:基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對設(shè)置；第一 導(dǎo)電層，設(shè)于所述基片的第一表面，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格，所述第一絕緣區(qū)包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的絕緣網(wǎng)格，其中所述不導(dǎo)電金屬化合物由所述金屬反應(yīng)產(chǎn)生。在其中一個實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層直接形成于所述基片的第一表面。在其中一個實(shí)施例中，所述基片的第一表面設(shè)有第一基質(zhì)層，所述第一導(dǎo)電層嵌設(shè)于所述第一基質(zhì)層中。在其中一個實(shí)施例中，所述第一基質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基片的表面設(shè)有第一凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述第一凹槽中。在其中一個實(shí)施例中，所述基片的第一表面設(shè)有第一凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述第一凹槽中。在其中一個實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格線和所述第一絕緣區(qū)的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格線形狀互補(bǔ)。在其中一個實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電區(qū)包括第一軸向?qū)щ娏屑暗诙S向?qū)щ娏?；所述第一軸向?qū)щ娏邪ǖ谝惠S向?qū)щ妴卧半娺B接第一軸向?qū)щ妴卧牡谝贿B接部，所述第二軸向?qū)щ娏邪ǖ诙S向?qū)щ妴卧半娺B接第二軸向?qū)щ妴卧牡诙B接部，所述第一連接部與第二連接部之間設(shè)有絕緣件，所述絕緣件使所第一連接部與所述第二連接部相互絕緣。在其中一個實(shí)施例中，還包括第二導(dǎo)電層，與所述第一導(dǎo)電層在所述基片的厚度方向上相互間隔且絕緣，所述第二導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電區(qū)及第二絕緣區(qū)，所述第二導(dǎo)電區(qū)包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格線，所述第二絕緣區(qū)包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的絕緣網(wǎng)格線，其中所述不導(dǎo)電金屬化合物由所述金屬反應(yīng)產(chǎn)生。在其中一個實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格線和所述第二絕緣區(qū)的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格線形狀互補(bǔ)。在其中一個實(shí)施例中，還包括第二基質(zhì)層，所述第二導(dǎo)電層嵌設(shè)于所述第二基質(zhì)層中。在其中一個實(shí)施例中，所述第二基質(zhì)層覆蓋所述第一導(dǎo)電層，所述第二基質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間，且所述第二基質(zhì)層、第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層其同位于該基片的同側(cè)。在其中一個實(shí)施例中，所述第二基質(zhì)層設(shè)于所述基片的第二表面。在其中一個實(shí)施例中，所述第二基質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基片的表面設(shè)有第二凹槽，所述第二導(dǎo)電層收容于所述第二凹槽中。
在其中一個實(shí)施例中，所述基片的第二表面設(shè)有第二收容槽，所述第二導(dǎo)電層收容于所述第二收容槽中。在其中一個實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層直接形成于所述基片的第二表面。一種觸摸屏，包括透明面板、電極引線和導(dǎo)電線路，還包括以上所述的包括第一導(dǎo)電層的導(dǎo)電膜，所述透明面板覆蓋于所述第一導(dǎo)電層表面，所述電極引線與第一導(dǎo)電層所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格連接，所述導(dǎo)電線路與電極引線連接。一種觸摸屏，包括透明面板、電極引線和導(dǎo)電線路，還包括以上所述的還包括第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電膜，所述透明面板覆蓋于所述第一導(dǎo)電層表面，所述電極引線所述電極引線包括第一電極引線及第二電極引線，所述第一電極引線與第二電極引線在所述基片的厚度方向上相互間隔，所述第一電極引線與第一導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格線連接，所述第二電極引線與第二導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格線連接，所述導(dǎo)電線路與電極弓I線連接。上述導(dǎo)電膜,通過在基片的第一表面形成第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格，所述第一絕緣區(qū)包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的絕緣網(wǎng)格，其中所述不導(dǎo)電金屬化合物由所述金屬反應(yīng)產(chǎn)生；金屬網(wǎng)格經(jīng)過圖形化遮蔽后置于氧化氛圍中，再進(jìn)一步地置于H2S氛圍中，被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格未被氧化，形成第一導(dǎo)電區(qū)；未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格被氧化，生成金屬化合物，形成不導(dǎo)電的第一絕緣區(qū)；不僅避免了傳統(tǒng)工藝流程中將第一絕緣區(qū)部分的金屬網(wǎng)格刻蝕掉而產(chǎn)生大量金屬鹽廢液，造成重金屬污染，而且將不需要的金屬網(wǎng)格部分反應(yīng)成不導(dǎo)電的金屬化合物，使得所述絕緣區(qū)被透過率與金屬網(wǎng)格接近的金屬化合物網(wǎng)格覆蓋，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致避免形成明暗交替的色塊。
圖1為導(dǎo)電膜第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為導(dǎo)電膜第一實(shí)施例的另一視角的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為導(dǎo)電膜第一實(shí)施例的另一視角的結(jié)構(gòu)不意圖；圖4為導(dǎo)電膜另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為導(dǎo)電膜另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為導(dǎo)電膜另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6A為圖6中A的局部放大圖；圖6B為圖6中B的局部放大圖；圖6C為圖6中C的局部放大圖；圖7為圖6所示的導(dǎo)電膜應(yīng)用到觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為導(dǎo)電I吳另一實(shí)施例應(yīng)用到觸摸屏的結(jié)構(gòu)不意圖；圖9為導(dǎo)電I吳另一實(shí)施例應(yīng)用到觸摸屏的另一種結(jié)構(gòu)不意圖；圖9A為圖9中C的局部放大圖；圖9B為圖9中D的局部放大`[0040]圖10為第一實(shí)施例的導(dǎo)電膜的制造方法流程圖；圖11為第二實(shí)施例的導(dǎo)電膜的制造方法流程圖；圖12為第三實(shí)施例的導(dǎo)電膜的制造方法流程圖；圖13為第四實(shí)施例的導(dǎo)電膜的制造方法流程圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。如圖1至圖3所不的第一實(shí)施例中，一種導(dǎo)電膜100,包括基片110、第一基質(zhì)層120、第一導(dǎo)電層130和第一凹槽140。基片110包括第一表面112和第二表面114，第一表面112和第二表面114相對設(shè)置。第一基質(zhì)層120覆蓋于第一表面112,第二表面114通常用于貼附在屏蔽層或者顯示屏上，形成觸摸顯示屏。第一凹槽140開設(shè)在第一基質(zhì)層120遠(yuǎn)離第一表面112的那一面。第一導(dǎo)電層130收容于第一凹槽140，形成嵌入式網(wǎng)格，包括第一導(dǎo)電區(qū)132和第一絕緣區(qū)134,第一導(dǎo)電區(qū)132包括由金屬形成的金屬網(wǎng)格,第一絕緣區(qū)134包括由不導(dǎo)電金屬化合物形成的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，其中不導(dǎo)電金屬化合物是由金屬經(jīng)過反應(yīng)生成。上述導(dǎo)電膜，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電層130包括第一導(dǎo)電區(qū)132和第一絕緣區(qū)134,且第一導(dǎo)電區(qū)132由金屬網(wǎng)格形成，第一絕緣區(qū)134由該金屬經(jīng)過反應(yīng)生成的不導(dǎo)電的金屬化合物形成，故而所述第一絕緣區(qū)134不是空白，而是由透過率與金屬網(wǎng)格接近的金屬化合物網(wǎng)格構(gòu)成，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免第一導(dǎo)電區(qū)132和第一絕緣區(qū)134形成明暗交替的色塊，提高了用戶體驗(yàn)感。在其它的實(shí)施例中，第一凹槽140也可以開設(shè)在基片110的第一表面112，第一導(dǎo)電層130收容于第一凹槽140中，形成嵌入式網(wǎng)格。所以第一基質(zhì)層120并不是必須的。第一導(dǎo)電區(qū)132和第一絕緣區(qū)134形成的是嵌入式網(wǎng)格，有利于節(jié)約金屬材料，節(jié)約制造成本，而且當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層130中的金屬網(wǎng)格和金屬化合物網(wǎng)格在1(T20微米之間，可以滿足視覺上的透明。所述基質(zhì)層用于絕緣和成型。在其它的實(shí)施例中，還可以不開設(shè)凹槽，通過直接在基片的第一表面112形成交錯分布的金屬網(wǎng)格，金屬網(wǎng)格由若干相互交叉的金屬細(xì)線組成。省去了開設(shè)凹槽這一步驟，且通過在基片的第一表面112壓實(shí)形成的金屬網(wǎng)格，可以得到任意圖案。具體地，所述第一導(dǎo)電區(qū)132的金屬可以為金、銀、銅、鋁和鋅中的其中一種或者至少兩種的合金。因?yàn)樗鼋?、銀、銅、鋁和鋅相對來說價格便宜，故而能降低成本。本實(shí)施例中，主要以銀作為金屬網(wǎng)格的材料。請參閱圖1或圖3，具體本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電區(qū)132的金屬網(wǎng)格和所述第一絕緣區(qū)134的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格形狀互補(bǔ)。使得第一導(dǎo)電區(qū)132和第一絕緣區(qū)134的網(wǎng)格類型和密度完全相同，不會出現(xiàn)空白區(qū)，其透過率完全一致，從而不會形成明暗交替的色塊。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，第一絕緣區(qū)134的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格也可以不與第一導(dǎo)電區(qū)132的金屬網(wǎng)格互補(bǔ)，例如第一絕緣區(qū)134的金屬化合物網(wǎng)格可以與導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格出現(xiàn)肉眼不可見的空白區(qū)域，也能實(shí)現(xiàn)透過率相同。還可以將不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格劃分開，使不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格之間形成肉眼不可見的間隔，也能使透過率相同。故而所述第一導(dǎo)電區(qū)132的金屬網(wǎng)格和所述第一絕緣區(qū)134的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格形狀互補(bǔ)并不是必須的。具體到第一實(shí)施例中，所述第一凹槽140的深度大于或者等于所述第一導(dǎo)電層130的厚度。在利用先壓印凹槽，再填充金屬漿來形成金屬導(dǎo)電網(wǎng)格線的過程中，因?yàn)榻饘贊{在燒結(jié)過程中，溶劑會揮發(fā)，故而第一導(dǎo)電層130的厚度小于第一凹槽140的深度。在第一實(shí)施例中，基片110的材料均為對苯二甲酸乙二酯。在其它的實(shí)施例中，該基片110還可以為其它材質(zhì)，例如聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑料以及玻璃等，以透明絕緣材料為佳。請參閱圖6、圖 6A和圖6B,在其中一個實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電區(qū)132包括第一軸向?qū)щ娏?322及第二軸向?qū)щ娏?324 ;所述第一軸向?qū)щ娏?322包括第一軸向?qū)щ妴呜?3222及電連接第一軸向?qū)щ妴卧?3222的第一連接部13224，所述第二軸向?qū)щ娏?324包括第二軸向?qū)щ妴卧?3242及電連接第二軸向?qū)щ妴卧?3242的第二連接部13244，所述第一連接部13224與第二連接部13244之間設(shè)有絕緣件1326，所述絕緣件1326使所第一連接部13224與所述第二連接部13244相互絕緣。以Y軸為第一軸向?qū)щ娏校訶軸為第二軸向?qū)щ娏?。在本?shí)施例中，第一軸向?qū)щ妴卧偷诙S向?qū)щ妴卧獮榱庑尉W(wǎng)格，當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，也可以為長方形、正方形、矩形等形狀。如圖4和圖5所示，第二實(shí)施例中，一種導(dǎo)電膜200，包括圖1至圖3中所示的實(shí)施例中的基片110、第一基質(zhì)層120和第一導(dǎo)電層130，還包括第二基質(zhì)層210、第二凹槽220和第二導(dǎo)電層230，所述第二基質(zhì)層210覆蓋于所述第一導(dǎo)電層130，且開設(shè)有第二凹槽220 ;第二導(dǎo)電層230收容于所述第二凹槽220，形成嵌入式網(wǎng)格，包括第二導(dǎo)電區(qū)232和第二絕緣區(qū)234，所述第二導(dǎo)電區(qū)232包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格，所述第二絕緣區(qū)234包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，其中所述不導(dǎo)電金屬化合物由所述金屬反應(yīng)產(chǎn)生，所述第二基質(zhì)層210、第一導(dǎo)電層120及所述第二導(dǎo)電層230其同位于該基片110的同側(cè)。上述導(dǎo)電膜，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230都包括導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，且導(dǎo)電區(qū)由金屬網(wǎng)格形成，絕緣區(qū)由該金屬經(jīng)過反應(yīng)生成的不導(dǎo)電的金屬化合物形成，故而所述絕緣區(qū)不是空白，使得所述絕緣區(qū)被光透過率與金屬網(wǎng)格接近的金屬化合物網(wǎng)格覆蓋，故而有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)形成明暗交替的色塊，保證了第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230的透過率一致，提高了用戶體驗(yàn)感。第二實(shí)施例中，金屬材料跟第一實(shí)施例中相同，都取自金、銀、銅、鋁和鋅中的其中一種或者任意兩種的合金，且凹槽的深度均大于或者等于導(dǎo)電層的厚度，這里不再詳述。第二實(shí)施例中的基片110與第一實(shí)施例中相同，這里不再贅述。第二實(shí)施例中，第一基質(zhì)層120和第二基質(zhì)層210均為透明絕緣材料且異于基片110，用于金屬網(wǎng)格成型。第一基質(zhì)層120和第二基質(zhì)層210可以為UV固化膠一無溶劑紫外固化亞克力樹脂。在其它實(shí)施例中，該UV固化膠還可以為其它成份，但一般包括預(yù)聚物、單體、光引發(fā)劑及助劑，各組份摩爾配比為:30 50%:40^60%:r6%:0.2 1%。其中，預(yù)聚物選自:環(huán)氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯及丙烯酸樹脂等；單體選自:單官能、二官能及三官能及多官能；引發(fā)劑選自:二苯甲酮，二苯乙酮等；助劑可加可不加，一般作為粘接劑使用，常用助劑包括:對苯二酚、對甲氧基苯酚、對苯醌及2，6—二叔丁基甲苯酚等。在其它實(shí)施例中，第一基質(zhì)層120和第二基質(zhì)層210還可以為其它光固膠、熱固膠或自干膠等。第二基質(zhì)層210上形成網(wǎng)格狀凹槽，用于容納所述第二導(dǎo)電網(wǎng)層。基片110、第一基質(zhì)層120的材質(zhì)盡量選取透光率高的材料，透光率應(yīng)在85%以上。在其它的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層230還可以設(shè)置在基片110的第二表面114。即第二導(dǎo)電層230可以收容于直接開設(shè)與基片的第二表面114的第二凹槽220，這樣也能使第二導(dǎo)電層230位于第二表面114，故而，所述第二基質(zhì)層210并不是必須的。在其它的實(shí)施例中，還可以不開設(shè)凹槽，通過直接在基片的第二表面114形成交錯分布的金屬網(wǎng)格，金 屬網(wǎng)格由若干相互交叉的金屬細(xì)線組成。省去了開設(shè)凹槽這一步驟，且通過在基片的第二表面114壓實(shí)形成的金屬網(wǎng)格，可以得到任意圖案。請參閱圖6、圖7、圖7A和圖7B，為觸摸屏的第一實(shí)施例，一種觸摸屏300，包括透明面板310,還包括圖6至圖6C所不的實(shí)施例中的導(dǎo)電膜100,透明面板310覆蓋于第一導(dǎo)電層130表面。上述觸摸屏，即通常所說的單層多點(diǎn)結(jié)構(gòu)的觸摸屏，以橫向?yàn)閄軸，縱向?yàn)閅軸，以Y軸為第一軸向?qū)щ娏?322,以X軸為第二軸向?qū)щ娏?324。所述第一導(dǎo)電區(qū)132包括第一軸向?qū)щ娏?322及第二軸向?qū)щ娏?324 ;所述第一軸向?qū)щ娏?322包括第一軸向?qū)щ妴卧?3222及電連接第一軸向?qū)щ妴卧?3222的第一連接部13224，所述第二軸向?qū)щ娏?324包括第二軸向?qū)щ妴卧?3242及電連接第二軸向?qū)щ妴卧?3242的第二連接部13244，所述第一連接部13224與第二連接部13244之間設(shè)有絕緣件1326，所述絕緣件1326使所第一連接部13224與所述第二連接部13244相互絕緣。第一軸向?qū)щ娏?322和第二軸向?qū)щ娏?324分別構(gòu)成觸摸屏的感應(yīng)電極和驅(qū)動電極。第一軸向?qū)щ娏泻偷诙S向?qū)щ娏幸酝獾膮^(qū)域?yàn)楦采w有金屬化合物網(wǎng)格的第一絕緣區(qū)134。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電區(qū)132包括由金屬形成的金屬網(wǎng)格，第一絕緣區(qū)134包括由不導(dǎo)電金屬化合物形成的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，其中不導(dǎo)電金屬化合物是由金屬經(jīng)過反應(yīng)生成。故而所述絕緣區(qū)不是空白，使得所述絕緣區(qū)被透過率與金屬網(wǎng)格接近的金屬化合物網(wǎng)格覆蓋，故而有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)形成明暗交替的色塊，保證了第一導(dǎo)電層130的透過率一致，提高了用戶體驗(yàn)感。請參閱圖8、圖9、圖9A和圖9B，為觸摸屏的第二實(shí)施例，一種觸摸屏400，還包括圖4和圖5所不的實(shí)施例中的導(dǎo)電膜200,所述透明面板410覆蓋于所述第二導(dǎo)電層230表面，所述電極引線包括第一電極引線及第二電極引線，所述第一電極引線與第二電極引線在所述基片的厚度方向上相互間隔，所述第一電極引線與第一導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格線連接，所述第二電極引線與第二導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格線連接，導(dǎo)電線路與電極引線連接。上述觸摸屏，第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)呈條形，且第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230的條形相互垂直。第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230的導(dǎo)電區(qū)被電極引線引出，與導(dǎo)電線路連接，形成感應(yīng)電極和驅(qū)動電極。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電區(qū)132和第二導(dǎo)電區(qū)232均包括由金屬形成的金屬網(wǎng)格，第一絕緣區(qū)134和第二絕緣區(qū)234均包括由不導(dǎo)電金屬化合物形成的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，其中不導(dǎo)電金屬化合物是由金屬經(jīng)過反應(yīng)生成。故而所述絕緣區(qū)不是空白，因?yàn)榻饘倬W(wǎng)格的遮光比會讓透過率衰減，故而將絕緣區(qū)設(shè)置成不導(dǎo)電的金屬化合物網(wǎng)格，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)形成明暗交替的色塊，保證了第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230的透過率一致，提高了用戶體驗(yàn)感。請參閱圖10，還提供了制造導(dǎo)電膜的方法，在導(dǎo)電膜的制造方法的第一實(shí)施例中，包括以下步驟:步驟SI 10，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相對設(shè)置?；?10厚度為125微米?；?10的材料均為對苯二甲酸乙二酯。在其它的實(shí)施例中，該基片110還可以為其它材質(zhì)，例如聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑料以及玻璃等，以透明絕緣材料為佳。步驟S120,形成金屬網(wǎng)格,所述金屬網(wǎng)格形成于所述基片110的第一表面112,構(gòu)成第一導(dǎo)電層130。具體包 括以下步驟:步驟S122，壓印，在所述基片110壓印形成第一凹槽140。凹槽為網(wǎng)格狀，凹槽的深度為3微米，寬度為2.2微米。步驟S124，填充金屬漿至所述第一凹槽140，并進(jìn)行燒結(jié)，形成金屬網(wǎng)格，構(gòu)成第一導(dǎo)電層130。在所述第一凹槽140填充金屬衆(zhòng),然后進(jìn)行燒結(jié),得到第一導(dǎo)電層130。本實(shí)施例中使用刮涂技術(shù)在網(wǎng)格狀的凹槽中填充納米銀墨水，然后在150攝氏度的條件下燒結(jié)，使納米銀墨水中的銀單質(zhì)燒結(jié)成導(dǎo)電銀細(xì)線，其中銀墨水的固含量為35%，溶劑在燒結(jié)中揮發(fā)，所以導(dǎo)電銀細(xì)線的厚度小于凹槽。步驟S130，圖形化遮蔽，以在所述第一導(dǎo)電層130表面形成保護(hù)層，被所述保護(hù)層覆蓋的為第一導(dǎo)電區(qū)132，未被保護(hù)層覆蓋的為第一絕緣區(qū)134。在所述第一導(dǎo)電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護(hù)層覆蓋的第一導(dǎo)電區(qū)132和未被保護(hù)層覆蓋的第一絕緣區(qū)134。圖形化后可形成例如菱形網(wǎng)格、正方形網(wǎng)格、長方形網(wǎng)格等圖形。步驟S140，氧化第一導(dǎo)電層130，以使未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格被氧化。步驟S150，置于H2S氛圍中，使所述第一導(dǎo)電層130未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格反應(yīng)生成不導(dǎo)電的金屬化合物，形成不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，得到第一導(dǎo)電區(qū)132由金屬網(wǎng)格形成，第一絕緣區(qū)134由不導(dǎo)電的金屬化合物網(wǎng)格形成的導(dǎo)電膜。即絕緣區(qū)形成難溶且不導(dǎo)電的Ag2S。[0074]因?yàn)閷?dǎo)電膜進(jìn)行圖形化遮蔽后再經(jīng)過氧化，然后再置于H2S氛圍中，故而不必將導(dǎo)電層不需要的絕緣區(qū)刻蝕掉，故而可避免刻蝕過程中產(chǎn)生大量的金屬鹽廢液，造成重金屬污染，同時將絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格氧化成金屬化合物網(wǎng)格，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免形成明暗交替的色塊，提高用戶體驗(yàn)感。其中保護(hù)層可通過現(xiàn)有的工藝除去。請參閱圖11，在導(dǎo)電膜的制造方法的第二實(shí)施例中，包括以下步驟:步驟S210，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相對設(shè)置；步驟S220，形成金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格形成于所述基片110的第一表面112，構(gòu)成第一導(dǎo)電層130。具體包括以下步驟:步驟S222，涂布，在所述基片110的第一表面112進(jìn)行涂布，形成第一基質(zhì)層120。步驟S224，壓印，在所述第一基質(zhì)層120壓印形成第一凹槽140。步驟S226，填充金屬漿至所述第一凹槽140，進(jìn)行燒結(jié)，形成嵌入第一基質(zhì)層120中的金屬網(wǎng)格，構(gòu)成第一導(dǎo)電層130。步驟S230，圖形化遮蔽，以在所述第一導(dǎo)電層130表面形成保護(hù)層，被所述保護(hù)層覆蓋的為第一導(dǎo)電區(qū)132，未被保護(hù)層覆蓋的為第一絕緣區(qū)134。在所述第一導(dǎo)電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護(hù)層覆蓋的第一導(dǎo)電區(qū)132和未被保護(hù)層覆蓋的第一絕緣區(qū)134。圖形化后可形成例如菱形網(wǎng)格、正方形網(wǎng)格、長方形網(wǎng)格等圖形。步驟S240，氧化第一導(dǎo)電層130，以使未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格被氧化。步驟S250,置于H2S氛圍中，使所述第一導(dǎo)電層130未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格反應(yīng)生成不導(dǎo)電的金屬化合物，形成不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，得到第一導(dǎo)電區(qū)132由金屬網(wǎng)格形成，第一絕緣區(qū)134由不導(dǎo)電的金屬 化合物網(wǎng)格形成的導(dǎo)電膜。即絕緣區(qū)形成難溶且不導(dǎo)電的Ag2S。本實(shí)施例中，步驟S210、步驟S230、步驟S240和步驟S250導(dǎo)電膜制造方法的第一實(shí)施例中的步驟S110、步驟S130、步驟S140、步驟S150相同，步驟S224、步驟S226與導(dǎo)電膜制造方法的第一實(shí)施例中的步驟S122、步驟S124相同，這里不再贅述。因?yàn)閷?dǎo)電膜進(jìn)行圖形化遮蔽后再經(jīng)過氧化，然后再置于H2S氛圍中，故而不必將導(dǎo)電層不需要的絕緣區(qū)刻蝕掉，故而可避免刻蝕過程中產(chǎn)生大量的金屬鹽廢液，造成重金屬污染，同時將絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格氧化成金屬化合物網(wǎng)格，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免形成明暗交替的色塊，提高用戶體驗(yàn)感。請參閱圖12，在導(dǎo)電膜的制造方法的第三實(shí)施例中，包括以下步驟:步驟S310，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相對設(shè)置；步驟S320,形成金屬網(wǎng)格,所述金屬網(wǎng)格形成于所述基片110的第一表面112,構(gòu)成第一導(dǎo)電層130。具體包括以下步驟:步驟S322，涂布，在所述基片110的第一表面112涂布金屬漿。在所述基片110的第一表面112涂布金屬漿。具體的為在基片110上涂布納米銀墨水，銀墨水為納米銀材料親水性溶劑形成，其中溶質(zhì)為直徑2(T40納米，長1(T20微米的單質(zhì)銀線。步驟S324，烘烤，將第一表面112的金屬漿烘干使納米金屬漿中納米金屬線相互搭接，形成第一導(dǎo)電層。其中金屬細(xì)線為納米銀線，且納米印象相互交錯分布。[0089]步驟S324，壓實(shí)，對第一導(dǎo)電層進(jìn)行壓實(shí)，使納米金屬漿中納米金屬線相互連接形成金屬網(wǎng)格，可形成任意圖案。步驟S330，圖形化遮蔽，以在所述第一導(dǎo)電層130表面形成保護(hù)層，被所述保護(hù)層覆蓋的為第一導(dǎo)電區(qū)132，未被保護(hù)層覆蓋的為第一絕緣區(qū)134。在所述第一導(dǎo)電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護(hù)層覆蓋的第一導(dǎo)電區(qū)132和未被保護(hù)層覆蓋的第一絕緣區(qū)134。圖形化后可形成例如菱形網(wǎng)格、正方形網(wǎng)格、長方形網(wǎng)格等圖形。步驟S340，氧化第一導(dǎo)電層130，以使未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格被氧化。步驟S350,置于H2S氛圍中，使所述第一導(dǎo)電層130未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格反應(yīng)生成不導(dǎo)電的金屬化合物，形成不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，得到第一導(dǎo)電區(qū)132由金屬網(wǎng)格形成，第一絕緣區(qū)134由不導(dǎo)電的金屬化合物網(wǎng)格形成的導(dǎo)電膜。即絕緣區(qū)形成難溶且不導(dǎo)電的Ag2S。本實(shí)施例中，步驟S310、步驟S330、步驟S340和步驟S350均與第一實(shí)施例的步驟S110、步驟S130、步驟S140、步驟S150相同，這里不再贅述。因?yàn)閷?dǎo)電膜進(jìn)行圖形化遮蔽后再經(jīng)過氧化，然后再置于H2S氛圍中，故而不必將導(dǎo)電層不需要的絕緣區(qū)刻蝕掉，故而可避免刻蝕過程中產(chǎn)生大量的金屬鹽廢液，造成重金屬污染，同時將絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格氧化成金屬化合物網(wǎng)格，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致，避免形成明暗交替的色塊，提高用戶體驗(yàn)感。
請參閱圖13，在第四實(shí)施例中，還包括形成第二導(dǎo)電層230的步驟，具體包括以下步驟:步驟S410，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相對設(shè)置；步驟S420，形成金屬網(wǎng)格，所述金屬網(wǎng)格形成于所述基片110的第一表面112，構(gòu)成第一導(dǎo)電層130。與第一實(shí)施例的步驟S120、第二實(shí)施例的步驟S220或者第三實(shí)施例中的步驟S320任意一個相同，這里不再贅述。步驟S430，圖形化遮蔽，以在所述第一導(dǎo)電層130表面形成保護(hù)層，被所述保護(hù)層覆蓋的為第一導(dǎo)電區(qū)132，未被保護(hù)層覆蓋的為第一絕緣區(qū)134。在所述第一導(dǎo)電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護(hù)層覆蓋的第一導(dǎo)電區(qū)132和未被保護(hù)層覆蓋的第一絕緣區(qū)134。圖形化后可形成例如條狀圖形。步驟S440，氧化第一導(dǎo)電層130，以使未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格被氧化。步驟S450，置于H2S氛圍中，使所述第一導(dǎo)電層130未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格反應(yīng)生成不導(dǎo)電的金屬化合物，形成不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，得到第一導(dǎo)電區(qū)132由金屬網(wǎng)格形成，第一絕緣區(qū)134由不導(dǎo)電的金屬化合物網(wǎng)格形成。即絕緣區(qū)形成難溶且不導(dǎo)電的Ag2S。步驟S460，形成金屬網(wǎng)格，在所述第一導(dǎo)電層130表面或者所述基片的第二表面114得到金屬網(wǎng)格，構(gòu)成第二導(dǎo)電層230。即第二導(dǎo)電層230可以位于第一導(dǎo)電層130表面，也可以位于基片的第二表面114。第二導(dǎo)電層230與第一導(dǎo)電層130結(jié)構(gòu)相同。重復(fù)步驟S430，圖形化遮蔽，在所述第二導(dǎo)電層230表面形成保護(hù)層，被所述保護(hù)層覆蓋的為第二導(dǎo)電區(qū)232，未被保護(hù)層覆蓋的為第二絕緣區(qū)234。在所述第一導(dǎo)電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護(hù)層覆蓋的第一導(dǎo)電區(qū)132和未被保護(hù)層覆蓋的第一絕緣區(qū)134。圖形化后可形成例如條狀等圖形。步驟S440，氧化第二導(dǎo)電層230，以使未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格被氧化。步驟S450，置于H2S氛圍中，使所述第二導(dǎo)電層230未被保護(hù)層覆蓋的金屬網(wǎng)格反應(yīng)生成不導(dǎo)電的金屬化合物，形成不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格，得到第二導(dǎo)電區(qū)232由金屬網(wǎng)格形成，第二絕緣區(qū)234由不導(dǎo)電的金屬化合物網(wǎng)格形成的導(dǎo)電膜。在本實(shí)施例中，其它步驟例如S410至S450與第一實(shí)施例中的步驟SllO至步驟S150、第二實(shí)施例中的步驟S210至步驟S250或者第三實(shí)施例中的步驟S310至步驟S350相同，這里不再贅述。上述實(shí)施例中，對圖形化遮蔽后的第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230進(jìn)行氧化的方式包括:將第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230置于氧化氛圍中，所述氧化氛圍包括過氧化氫、稀硝酸、熱濃硫酸或者鹽酸；或者在第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層230表面涂布氧化材料，形成第一絕緣區(qū)134和第二絕緣區(qū)234。其中，所述保護(hù)層通過光刻膠、噴墨打印或者圖形化絲網(wǎng)印刷形成。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù) 范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種導(dǎo)電膜，其特征在于，包括: 基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對設(shè)置； 第一導(dǎo)電層，設(shè)于所述基片的第一表面，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格，所述第一絕緣區(qū)包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的絕緣網(wǎng)格，其中所述不導(dǎo)電金屬化合物由所述金屬反應(yīng)產(chǎn)生。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層直接形成于所述基片的第一表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基片的第一表面設(shè)有第一基質(zhì)層，所述第一導(dǎo)電層嵌設(shè)于所述第一基質(zhì)層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一基質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基片的表面設(shè)有第一凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述第一凹槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基片的第一表面設(shè)有第一凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于 所述第一凹槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的導(dǎo)電膜,其特征在于，所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格和所述第一絕緣區(qū)的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格形狀互補(bǔ)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電膜,其特征在于,所述第一導(dǎo)電區(qū)包括第一軸向?qū)щ娏屑暗诙S向?qū)щ娏?；所述第一軸向?qū)щ娏邪ǖ谝惠S向?qū)щ妴卧半娺B接第一軸向?qū)щ妴卧牡谝贿B接部，所述第二軸向?qū)щ娏邪ǖ诙S向?qū)щ妴卧半娺B接第二軸向?qū)щ妴卧牡诙B接部，所述第一連接部與第二連接部之間設(shè)有絕緣件，所述絕緣件使所第一連接部與所述第二連接部相互絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括第二導(dǎo)電層，與所述第一導(dǎo)電層在所述基片的厚度方向上相互間隔且絕緣，所述第二導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電區(qū)及第二絕緣區(qū)，所述第二導(dǎo)電區(qū)包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格，所述第二絕緣區(qū)包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的絕緣網(wǎng)格線，其中所述不導(dǎo)電金屬化合物由所述金屬反應(yīng)產(chǎn)生。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格和所述第二絕緣區(qū)的不導(dǎo)電金屬化合物網(wǎng)格形狀互補(bǔ)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括第二基質(zhì)層，所述第二導(dǎo)電層嵌設(shè)于所述第二基質(zhì)層中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二基質(zhì)層覆蓋所述第一導(dǎo)電層，所述第二基質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間，且所述第二基質(zhì)層、第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層其同位于該基片的同側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二基質(zhì)層設(shè)于所述基片的第二表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二基質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基片的表面設(shè)有第二凹槽，所述第二導(dǎo)電層收容于所述第二凹槽中。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基片的第二表面設(shè)有第二收容槽，所述第二導(dǎo)電層收容于所述第二收容槽中。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層直接形成于所述基片的第二表面。
16.一種觸摸屏，包括透明面板、電極引線和導(dǎo)電線路，其特征在于，還包括權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的導(dǎo)電膜，所述透明面板覆蓋于所述第一導(dǎo)電層表面，所述電極引線與第一導(dǎo)電層所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬網(wǎng)格連接，所述導(dǎo)電線路與電極引線連接。
17.一種觸摸屏，包括透明面板、電極引線和導(dǎo)電線路，其特征在于，還包括權(quán)利要求8至15中任意一項(xiàng)所述的導(dǎo)電膜，所述透明面板覆蓋于所述第一導(dǎo)電層表面，所述電極引線包括第一電極引線及第二電極引線，所述第一電極引線與第二電極引線在所述基片的厚度方向上相互間隔，所述第一電極引線與第一導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格線連接，所述第二電極引線與第二導(dǎo)電層的金屬網(wǎng) 格線連接，所述導(dǎo)電線路與電極弓I線連接。
專利摘要一種導(dǎo)電膜，包括基片，包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相對設(shè)置；第一導(dǎo)電層，設(shè)于基片的第一表面，第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，第一導(dǎo)電區(qū)包括由金屬所形成的金屬網(wǎng)格，第一絕緣區(qū)包括由不導(dǎo)電金屬化合物所形成的絕緣網(wǎng)格，其中不導(dǎo)電金屬化合物由該金屬反應(yīng)產(chǎn)生；不僅避免了傳統(tǒng)工藝流程中將第一絕緣區(qū)部分的金屬網(wǎng)格刻蝕掉而產(chǎn)生大量金屬鹽廢液，造成重金屬污染，而且將不需要的金屬網(wǎng)格部分反應(yīng)成不導(dǎo)電的金屬化合物，使得所述絕緣區(qū)被透過率與金屬網(wǎng)格接近的金屬化合物網(wǎng)格覆蓋，有利于觸摸屏上的透光率達(dá)成一致避免形成明暗交替的色塊。
文檔編號H01B5/14GK203149517SQ20132007028
公開日2013年8月21日 申請日期2013年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月6日
發(fā)明者高育龍, 何釗 申請人:南昌歐菲光科技有限公司