一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法
【專利摘要】一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，該方法包括以下步驟：（1）通過旋轉(zhuǎn)涂布法制備周期性排列高分子納米球的單層模板；（2）反應(yīng)性離子刻蝕，獲得刻蝕后的單層模板；（3）通過定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)對步驟（2）中的刻蝕后的單層模板進行濺射沉積；（4）通過濕刻蝕方法除去高分子納米球，獲得具有金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)的單層模板；（5）將步驟（4）中獲得的單層模板用于發(fā)光器件中，其特征在于，所述反應(yīng)性離子刻蝕分兩次進行，其中第一次刻蝕功率為50w~60w，時間為5分鐘~7分鐘；所述第二次刻蝕功率為30w~40w，時間為4分鐘~12分鐘；所用的刻蝕氣體為氧氣。本發(fā)明制備工藝簡單，可控性強，簡單的控制合成工藝中的一些關(guān)鍵工藝參數(shù)即可獲得具有不同出光效率尺寸的金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)，并且工藝過程具有很高的可重復(fù)性。
【專利說明】一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于材料制備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]自1998年Ebbesen等人先后發(fā)現(xiàn)透過金屬納米孔結(jié)構(gòu)及其陣列具有增強透射現(xiàn)象以來，表面等離子體(Surface polaritonss, SPs)及其應(yīng)用成為近年來光學(xué)領(lǐng)域的研究熱點之一，表面等離子體(SPs)是由入射光激發(fā)金屬表面自由電子集體振蕩而產(chǎn)生的一種表面波，而入射光光子與納米金屬結(jié)構(gòu)中的自由電子耦合匹配，形成表面等離子體共振(Surface plasmon resonance,SPR )和局域表面等離子體共振(Localized surfacePlasmon resonance, LSPR )。因此周期性金屬納米結(jié)構(gòu)陣列具有許多傳統(tǒng)材料無法媲美的獨特的光學(xué)與電學(xué)性質(zhì)，其在應(yīng)用納米光學(xué)、材料科學(xué)及生醫(yī)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]納米金屬顆粒的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)與表面等離子體共振(SPR )性質(zhì)密切相關(guān)，而表面等離子體共振(SPR )性質(zhì)又與顆粒的尺寸形狀、周圍的介電環(huán)境、顆粒成分以及顆粒間距有關(guān)，因此通過改變金屬微觀納米結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)調(diào)控，基于納米金屬結(jié)構(gòu)的表面等離子體共振(SPR )效應(yīng)所發(fā)展起來的表面增強熒光技術(shù)及表面增強拉曼散射技術(shù)已被應(yīng)用于許多領(lǐng)域，如太陽能電池，LSP增強型發(fā)光二極管，單分子檢測和DNA無損檢測等。
[0004]Ebbesen等人也研究比較了具有孔洞結(jié)構(gòu)的Cr、Au和Ag薄膜的透射效率,發(fā)現(xiàn)由于入射光和微觀納米孔洞結(jié)構(gòu)的表面等離子體共振效應(yīng)的影響，Cr孔洞薄膜的透射光譜比Au和Ag薄膜中所觀察到的更為顯著廣泛，且每單位面積的孔數(shù)量與其穿透強度大致呈線性變化。
[0005]因此，通過合適的方法制備尺寸精度精確可控的納米金屬陣列環(huán)狀結(jié)構(gòu)，并將其應(yīng)用于發(fā)光器件中，是目前急需解決的一個問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供了一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，該方法將納米球旋布技術(shù)和刻蝕技術(shù)相結(jié)合，在玻璃片上制備出尺寸精度精確可控的陣列環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
[0007]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，該方法包括以下步驟:(1)通過旋轉(zhuǎn)涂布法制備周期性排列聚苯乙烯納米球的單層模板；
(2)反應(yīng)性離子刻蝕，獲得刻蝕后的單層模板；(3)通過定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)對步驟(2)中的刻蝕后的單層模板進行濺射沉積；(4)通過濕刻蝕方法除去聚苯乙烯納米球，獲得具有金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)的單層模板；(5)將步驟(4)中獲得的單層模板用于發(fā)光器件中，其特征在于，所述反應(yīng)性離子刻蝕分兩次進行，其中第一次刻蝕功率為50w飛Ow，時間為5分鐘~7分鐘；所述第二次刻蝕功率為30f 40w，時間為4分鐘~12分鐘；所用的刻蝕氣體為氧氣。
[0008]反應(yīng)性離子刻蝕能對步驟(I)中單層模板上的聚苯乙烯納米球進行刻蝕，分兩次刻蝕能保證刻蝕后的納米球的直徑具有較小的差異度。改變刻蝕功率與刻蝕時間，能獲得具有不同刻蝕程度的納米球的模板。
[0009]作為優(yōu)選，所述步驟(I)中旋轉(zhuǎn)涂布機的轉(zhuǎn)速為300 rpnTl200 rpm，轉(zhuǎn)動時間4分鐘。
[0010]旋轉(zhuǎn)涂布機的轉(zhuǎn)速不同，能獲得具有不同粒徑的聚苯乙烯納米球的單層模板，如轉(zhuǎn)速為300 rpm,時間為4分鐘,可獲得直徑為960 nm周期性排列聚苯乙烯(PS)納米球的單層模板；轉(zhuǎn)速為1200rpm,時間為4分鐘,可獲得直徑為540 nm周期性排列聚苯乙烯(PS)納米球的單層模板。
[0011]作為優(yōu)選，所述步驟(3)中濺射靶材是Cr金屬，模板和靶之間的距離為150 mm，濺射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1.5X 10_5 torr，基板偏壓為-70V，Cr靶電流1A，生長速率為0.13
納米/秒。
[0012]該步驟通過濺射將Cr金屬沉積在聚苯乙烯納米球之間的空隙中，獲得具有金屬Cr-聚苯乙烯納米球包裹結(jié)構(gòu)的單層模板，同時該工藝條件能保證Cr金屬具有很好的沉積效果。
[0013]作為優(yōu)選，所述步驟(4)濕刻蝕方法分三次進行，其中第一次刻蝕液體為二氯甲烷,第二次刻蝕液體為丙酮,第三次刻蝕液體為乙醇,每次刻蝕時間為10分鐘。選用三種水溶性從小到大的有機溶液，進行刻蝕，能很好的除去聚苯乙烯納米球，留下金屬Cr的納米換結(jié)構(gòu)。
[0014]作為優(yōu)選，所述步驟(5)中制作發(fā)光器件時所用的發(fā)光層材料為三(8-羥基喹啉)招。
[0015]作為優(yōu)選，所述高分子納米球所用材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯中的一種。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明制備工藝簡單，可控性強，簡單的控制合成工藝中的一些關(guān)鍵工藝參數(shù)即可獲得具有不同出光效率尺寸的金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)，并且工藝過程具有很高的可重復(fù)性；設(shè)備簡單，成本低廉；Cr納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率基于Alq3的發(fā)光層的OLED產(chǎn)率較高，表面光潔，沒有污染；本發(fā)明的制備金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法在工藝上具有一定的普適性，理論上在玻璃基材上利用不同尺寸之納米球單層為模板，再利用反應(yīng)性離子刻蝕技術(shù)進行納米球的尺寸調(diào)控，再沉積一層三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3 )發(fā)光層的OLED結(jié)構(gòu)，即可獲得具有不同尺寸大小的可控出光效率的金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明的自組裝960 nm及540 nm的周期性排列聚苯乙烯(PS)納米球的單層模板的平面掃描電鏡(SEM)圖，其中，Ca)玻璃基板上的960nm的單層聚苯乙烯納米球數(shù)組；(b)經(jīng)由RIE工藝對PS納米球尺寸減薄，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)參數(shù)設(shè)定為60W為7 min然后刻蝕40W為12 min的俯視圖；(c)玻璃基板上的540nm的單層聚苯乙烯納米球數(shù)組；(d)經(jīng)由RIE工藝對PS納米球尺寸減薄，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)參數(shù)設(shè)定為50W為5 min然后刻蝕40W為12 min的俯視圖。
[0018]圖2為本發(fā)明的不同的Cr納米環(huán)尺寸大小的陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡(SEM)圖，其中，(a)和(b)項，(C)和(d)項分別通過圖1 (a)，(b), (c)和(d)中圖中所示的模板獲得。圖2 (c)內(nèi)插圖所示為Cr納米環(huán)陣列的高度為20 土 I nm。圖(d)內(nèi)插圖所示為在玻璃基板上左方為未完全去除的540 nm的聚苯乙烯(PS)納米球與右方已剝除完畢的比較圖。
[0019]圖3為本發(fā)明的具有不同的填充因子的960 nm和540 nm周期性分級結(jié)構(gòu)Cr納米環(huán)陣列的光學(xué)透射光譜圖。
[0020]圖4為本發(fā)明的Alq3層沉積在測試基板上的光致發(fā)光光譜圖。

【具體實施方式】
[0021 ] 下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進一步描述。
[0022]實施例1。
[0023]包括以下步驟:(I)將玻璃基材浸沒到氨水和過氧化氫1:1(體積比)的溶液中，進行超聲波清洗30分鐘，然后用去離子水進行超聲波清洗10分鐘。
[0024](2)利用旋轉(zhuǎn)涂布機，設(shè)定轉(zhuǎn)速300 rpm及1200 rpm，皆進行4 min,待停止后即可得到自組裝960 nm及540 nm的周期性排列聚苯乙烯(PS)納米球的單層模板，如圖1(a)及(c)所示為旋轉(zhuǎn)涂布后之聚苯乙烯(PS)納米球單層模板的平面掃描電鏡(SEM)圖。
[0025](3)利用定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)(CFUBMIP)將調(diào)整好尺寸的聚苯乙烯(PS)納米球單層的玻璃基材模板裝在腔體內(nèi)，進行濺射沉積，濺射靶材是純Cr金屬(99.99%)?；暮桶兄g的距離設(shè)定為150 mm。濺射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_5torr，，使用質(zhì)量流量控制器以25 sccm流量將高純度氬氣(Ar)引入到腔體內(nèi)，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電流1A，生長速率為0.13納米/秒。
[0026](4)在Cr薄膜的沉積結(jié)束后，使用濕刻蝕工藝剝離利用二氯甲烷作為刻蝕溶液和超聲波振動清洗10 min。然后將樣品利用丙酮和乙醇，以同樣的方式利用超聲波振動清洗10 min處理,將聚苯乙烯(PS)納米球完全去除。
[0027]圖2 (a)及(c)所示為960 nm及540 nm周期性Cr納米環(huán)陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡(SEM)圖，由圖可量測出納米環(huán)的外徑是566±30 nm及275±17 nm, Cr納米環(huán)陣列的高度為20 土 I nm如圖2 (c)內(nèi)插圖所示。
[0028]實施例2。
[0029]包括以下步驟:(1)參考實施例1中，制作完成玻璃基材上的自組裝周期性排列的聚苯乙烯(PS)納米球960 nm及540 nm的單層模板。
[0030](2)利用反應(yīng)性離子刻蝕方法對單層模板上的納米球的尺寸進行調(diào)控，反應(yīng)性離子刻蝕(reactive 1n etching, RF)功率參數(shù)分別設(shè)定為設(shè)定為60W反應(yīng)時間為7 min及50W反應(yīng)時間為5 min，之后再進行第二次刻蝕，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)功率參數(shù)分別設(shè)定為40W反應(yīng)時間為4 min及30W反應(yīng)時間為4 min,使用氧氣作為刻蝕處理氣體，聚苯乙烯(PS)納米球960 nm及540 nm單層模板的尺寸調(diào)控后，可量測出納米球的外徑分別是 890±36 nm 及 477±28 nm。
[0031](3)接著利用定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)(CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚苯乙烯(PS)納米球單層的玻璃基材模板裝在腔體內(nèi)，進行濺射沉積，濺射靶材是純Cr金屬(99.99% )。基材和祀之間的距離設(shè)定為150 mm。派射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_5 torr，，使用質(zhì)量流量控制器以25 sccm流量將高純度氬氣(Ar)引入到腔體內(nèi)，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電流1A，生長速率為0.13納米/秒。
[0032](4)在Cr薄膜的沉積結(jié)束后，使用濕刻蝕工藝剝離利用二氯甲烷作為刻蝕溶液和超聲波振動清洗10 min。然后將樣品利用丙酮和乙醇，以同樣的方式利用超聲波振動清洗10 min處理,將聚苯乙烯(PS)納米球完全去除。
[0033]最后,得到960 nm及540 nm的周期性Cr納米環(huán)陣列圖形,可量測出，納米環(huán)的外徑是453 ±27 nm及205 ±14 nm,孔洞式Cr納米環(huán)陣列的960 nm和540 nm周期性分級結(jié)構(gòu)具有不同的填充因子(孔洞式Cr納米環(huán)陣列的面積除以總面積)的光學(xué)透射光譜如圖3所示。周期性Cr多孔納米環(huán)的相應(yīng)的填充率分別為21%和13%。Cr薄膜厚度為20 nm(填充率=O)具有最低的透射率，透射率隨著周期Cr孔洞式納米環(huán)結(jié)構(gòu)的填充率地增加而增加。
[0034]實施例3。
[0035]包括以下步驟:(I)參考實施例1中，制作完成玻璃基材上的自組裝周期性排列的聚苯乙烯(PS)納米球960 nm及540 nm的單層模板。
[0036](2)利用反應(yīng)性離子刻蝕方法對單層模板上的納米球的尺寸進行調(diào)控，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)功率參數(shù)分別設(shè)定為設(shè)定為60W反應(yīng)時間為7 min及50W反應(yīng)時間為5min,之后再進行第二次刻蝕，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)功率參數(shù)分別設(shè)定為40W反應(yīng)時間為8 min及30W反應(yīng)時間為8 min,使用氧氣作為刻蝕處理氣體，聚苯乙烯(PS)納米球960 nm及540 nm單層模板的尺寸調(diào)控后，可量測出納米球的外徑分別是845±35 nm及 440 ±27 nm。
[0037](3)接著利用定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)(CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚苯乙烯(PS)納米球單層的玻璃基材模板裝在腔體內(nèi)，進行濺射沉積，濺射靶材是純Cr金屬(99.99% )?；暮挽胫g的距離設(shè)定為150 mm。派射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_5 torr，，使用質(zhì)量流量控制器以25 sccm流量將高純度氬氣(Ar)引入到腔體內(nèi)，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電流1A，生長速率為0.13納米/秒。
[0038](4)在Cr薄膜的沉積結(jié)束后，使用濕刻蝕工藝剝離利用二氯甲烷作為刻蝕溶液和超聲波振動清洗10 min。然后將樣品利用丙酮和乙醇，以同樣的方式利用超聲波振動清洗10 min處理,將聚苯乙烯(PS)納米球完全去除。
[0039]最后,得到960 nm及540 nm的周期性Cr納米環(huán)陣列圖形?？锥词紺r納米環(huán)陣列的960 nm和540 nm周期性分級結(jié)構(gòu)具有不同的填充因子(孔洞式鉻納米環(huán)陣列的面積除以總面積)的光學(xué)透射光譜如圖3所示，在960 nm和540 nm的周期鉻多孔納米環(huán)的直徑分別從400±24 nm到191±12 nm。周期性Cr多孔納米環(huán)的相應(yīng)的填充率分別為17%和11%。Cr薄膜其厚度為20 nm (填充率=O)具有最低的透射率?？梢员砻?，透射率隨著周期Cr孔洞式納米環(huán)結(jié)構(gòu)的填充率地增加而增加。
[0040]實施例4。
[0041]包括以下步驟:(1)參考實施例1中，制作完成玻璃基材上的自組裝周期性排列的聚苯乙烯(PS)納米球960 nm及540 nm的單層模板。
[0042](2)利用反應(yīng)性離子刻蝕對單層模板上的納米球的尺寸進行調(diào)控，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)功率參數(shù)分別設(shè)定為設(shè)定為60W反應(yīng)時間為7 min及50W反應(yīng)時間為5 min,之后再進行第二次刻蝕，反應(yīng)性離子刻蝕(RF)功率參數(shù)分別設(shè)定為40W反應(yīng)時間為12min及30W反應(yīng)時間為12 min,使用氧氣作為刻蝕處理氣體，如圖1(b)所示為960 nm及540 nm的尺寸調(diào)控后之聚苯乙烯(PS)納米球單層模板的平面掃描電鏡(SEM)圖，由圖可量測出納米球的外徑是811 ±34 nm及417±18 nm。
[0043](3)接著利用定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)(CFUBMIP)，將調(diào)整好尺寸的聚苯乙烯(PS)納米球單層的玻璃基材模板裝在腔體內(nèi)，進行濺射沉積，濺射靶材是純Cr金屬(99.99% )。基材和祀之間的距離設(shè)定為150 mm。派射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_5 torr，，使用質(zhì)量流量控制器以25 sccm流量的高純度氬氣(Ar)被引入到腔體內(nèi)，基板偏壓設(shè)定為-70V，Cr靶電流1A，和生長速率為0.13納米/秒。
[0044](4)在Cr薄膜的沉積結(jié)束后，使用濕刻蝕工藝剝離利用二氯甲烷作為刻蝕溶液和超聲波振動清洗10 min。然后將樣品利用丙酮和乙醇，以同樣的方式利用超聲波振動清洗
10min處理，將聚苯乙烯(PS)納米球?qū)⑼耆コ?br> [0045]最后，得到960 nm及540 nm的周期性Cr納米環(huán)陣列圖形。圖2 (b)及(d)所示為960 nm及540 nm周期性Cr納米環(huán)陣列結(jié)構(gòu)的平面掃描電鏡(SEM)圖，由圖可量測出納米環(huán)的外徑是366±26 nm及179±12 nm。圖(d)所示為在玻璃基板上左方為未完全去除的540 nm的聚苯乙烯(PS)納米球與右方已剝除完畢的比較圖。
[0046]利用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)作發(fā)光層使用蒸鍍機沉積100 nm在平面的基底上及540 nm周期性Cr納米環(huán)陣列圖案的基底上進行光致發(fā)光光譜，如圖4所示。由于納米環(huán)數(shù)組的周期性結(jié)構(gòu)中，在平面基底上相比，在波長525 nm處，提取效率提高32.6%。半高寬(FWHM)減小從116納米至81納米，其中窄的發(fā)射波長可提高色純度。在藍(lán)移和改進的光提取行為中都涉及到納米結(jié)構(gòu)引起的量子限制效應(yīng)。因此以納米環(huán)陣列為基礎(chǔ)的技術(shù)可以應(yīng)用于改進光提取的顯示和照明應(yīng)用。
[0047]本發(fā)明中使用的原料為聚苯乙烯(PS)納米球，亦可采用含有其他高分子微納米球，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)等，尺寸大小為100 nm-2000 nm,從而實現(xiàn)納米球單層模板。
[0048]所使用的薄膜沉積方式為閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)，亦可采用其他如物理氣相沉積方式，溶膠一凝膠法和化學(xué)溶液沉積等。
【權(quán)利要求】
1.一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，該方法包括以下步驟:(1)通過旋轉(zhuǎn)涂布法制備周期性排列高分子納米球的單層模板；(2)反應(yīng)性離子刻蝕，獲得刻蝕后的單層模板；(3)通過定向性閉合場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)對步驟(2)中的刻蝕后的單層模板進行濺射沉積；(4)通過濕刻蝕方法除去高分子納米球，獲得具有金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)的單層模板；(5)將步驟(4)中獲得的單層模板用于發(fā)光器件中，其特征在于，所述反應(yīng)性離子刻蝕分兩次進行，其中第一次刻蝕功率為50w飛Ow，時間為5分鐘?7分鐘；所述第二次刻蝕功率為30f 40w，時間為4分鐘?12分鐘；所用的刻蝕氣體為氧氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，其特征在于，所述步驟(I)中旋轉(zhuǎn)涂布機的轉(zhuǎn)速為300 rpnTl200 rpm,轉(zhuǎn)動時間4分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，其特征在于，所述步驟(3)中濺射靶材是Cr金屬，模板和靶之間的距離為150 _，濺射腔體的基礎(chǔ)壓力抽至1.5X10_5 torr，基板偏壓為-70V，Cr靶電流1A，生長速率為0.13納米/秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，其特征在于，所述步驟(4)濕刻蝕方法分三次進行，其中第一次刻蝕液體為二氯甲烷，第二次刻蝕液體為丙酮，第三次刻蝕液體為乙醇，每次刻蝕時間為10分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，其特征在于，所述步驟(5)中制作發(fā)光器件時所用的發(fā)光層材料為三(8-羥基喹啉)鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的一種提高金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)可控出光效率的方法，其特征在于，所述高分子納米球所用材料為聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯中的一種。
【文檔編號】H01L51/56GK104078625SQ201410316866
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】吳泓均, 鮑明東 申請人:寧波工程學(xué)院