用于生產(chǎn)多晶硅電阻器的方法
【專利摘要】用于生產(chǎn)多晶硅電阻器的方法。用于生產(chǎn)多晶硅電阻器裝置的方法可包括：形成多晶硅層；將第一摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的至少一部分中，其中第一摻雜劑原子包括深能級施主；將第二摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅層的所述至少一部分退火。
【專利說明】用于生產(chǎn)多晶硅電阻器的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及用于制造半導(dǎo)體部件中的多晶硅電阻器，特別是用于生產(chǎn)精確多晶硅電阻器(例如電阻溫度傳感器)并用于生產(chǎn)具有良好控制的溫度系數(shù)的多晶硅電阻器的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在介紹了硅平面技術(shù)的情況下，不僅像NMOS晶體管(N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)、PM0S晶體管(P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)和雙極晶體管的有源部件，而且像電阻器的無源部件都被要求來有資格使用硅平面技術(shù)。如通常已知的，多結(jié)晶硅(或多晶硅)作為電阻器的使用在半導(dǎo)體器件的制造中是公知的。一般地，多晶硅電阻率隨著增加的溫度而增加或降低。增加的這個速率被稱為電阻的溫度系數(shù)。一方面，精確電阻器不僅要求穩(wěn)定性和低散射的性質(zhì)，而且要求相對高的薄層電阻來保持電阻器盡可能小。對于可簡單地由具有I千歐姆/方塊的薄層電阻的方塊薄層的串聯(lián)連接實現(xiàn)的高歐姆電阻器，且這樣的方塊薄層的通常最小臨界尺寸在0.5 μ m-Ι μ m的范圍內(nèi)(例如，500千歐姆電阻器將從500片這樣的方塊薄層建立)，以常規(guī)方式生產(chǎn)的這樣的高歐姆多晶硅電阻器的電阻值就溫度而論改變太多，即，高歐姆多晶硅電阻器的溫度系數(shù)太大，這導(dǎo)致多晶硅電阻器的不穩(wěn)定性。由于這些原因，需要最小化多晶硅電阻器的溫度相關(guān)性。
[0003]另一方面，多晶硅電阻器用于多種應(yīng)用，例如用作在半導(dǎo)體器件中的溫度傳感器。諸如DMOS晶體管(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)的功率晶體管在半導(dǎo)體應(yīng)用中找到很多應(yīng)用。在功率晶體管的操作期間，各種各樣的開關(guān)狀態(tài)出現(xiàn)，其中非常大的功率損耗部分地被轉(zhuǎn)換成熱。與大功率損耗相關(guān)聯(lián)的這樣的開關(guān)狀態(tài)是臨界的，因為溫度在這種情況下極大地上升，且功率晶體管可由過熱而被破壞。為了在這樣的臨界開關(guān)狀態(tài)中保護(hù)晶體管免受損壞，常常使用溫度傳感器。理想地，溫度傳感器被定位成盡可能接近功率晶體管的單元陣列或在功率晶體管的單元陣列內(nèi)，以便由于轉(zhuǎn)換成熱的能量損耗而引起的溫度上升在早期并快速被檢測到，以及功率晶體管在由于過熱而引起的自毀之前通過輔助電路(諸如邏輯電路)來適時斷開。在這種情況下，位于功率晶體管的單元陣列中的電阻器可用作快速反應(yīng)溫度傳感器。溫度傳感器以特有方式隨著溫度而改變其絕對電阻值，在這種情況下可能在限定的最大可允許電阻值被達(dá)到時導(dǎo)出用于斷開功率晶體管的斷開信號。因此，對于這樣的多晶硅電阻溫度傳感器，要求根據(jù)溫度增加的電阻的明顯變化。由于這些原因，在特定應(yīng)用中需要放大多晶硅電阻溫度傳感器的溫度相關(guān)性。然而，由于用其可以生產(chǎn)這種類型的電阻溫度傳感器的過大的制造變化，這個概念在具有電阻溫度傳感器的情況下實際上常常失敗，因為電阻的絕對值不能有意義地用作斷開閾值。由于這些原因，需要最小化這樣的多晶硅電阻溫度傳感器的制造變化相關(guān)性。
[0004]因此，在本領(lǐng)域中需要提供用于精確地制造多晶硅電阻器和同時用于制造具有良好控制的溫度系數(shù)的多晶硅電阻器的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)一個或多個實施例，用于生產(chǎn)多晶硅電阻器器件的方法可包括:形成多晶硅層；將第一摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的至少一部分中，其中第一摻雜劑原子包括深能級施主；將第二摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的所述至少一部分中；以及在注入第一和第二摻雜劑原子之后使所述多晶硅層的所述至少一部分退火。
[0006]根據(jù)一個或多個實施例，用于生產(chǎn)多晶硅電阻器器件的方法可包括:形成多晶硅層；在所述多晶硅層之上形成暴露所述多晶硅層的預(yù)先限定子區(qū)域的注入掩模；通過所述注入掩模將摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的所述預(yù)先限定子區(qū)域中；以及創(chuàng)建所述摻雜劑原子的擴(kuò)散，其中所述摻雜劑原子至多在所述多晶硅層內(nèi)擴(kuò)散。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖被包括以提供對實施例的進(jìn)一步理解并被合并在這個說明書的一部分中且構(gòu)成這個說明書的一部分。附圖圖示實施例，并與描述一起用于解釋實施例的原理。其它實施例和實施例的很多意圖的優(yōu)點將容易被認(rèn)識到，因為它們通過參考下面的詳細(xì)描述而變得更好理解。附圖的元件相對于彼此不一定是按比例的。相同的參考數(shù)字指示對應(yīng)的相同部分。
[0008]圖1是根據(jù)常規(guī)方法生產(chǎn)的高歐姆多晶硅電阻器的溫度行為的圖形表示。
[0009]圖2A是圖示根據(jù)本公開的方面的制作多晶硅電阻器器件的方法的流程圖。
[0010]圖2B是圖示根據(jù)本公開的方面的制作低溫度系數(shù)多晶硅電阻器的方法的流程圖。
[0011]圖3A圖示結(jié)晶化多晶硅的晶粒結(jié)構(gòu)。
[0012]圖3B圖示非晶化多晶硅的晶粒結(jié)構(gòu)。
[0013]圖4是根據(jù)本公開的一些方面生產(chǎn)的多晶硅電阻器的溫度行為的圖形表示。
[0014]圖5是根據(jù)本公開的方面生產(chǎn)的多晶硅電阻溫度傳感器的剖視和透視圖。
[0015]圖6是具有在現(xiàn)有技術(shù)中的在制造波動情況下的多晶硅電阻溫度傳感器的橫截面視圖。
[0016]圖7A是圖示根據(jù)本公開的方面的制作多晶硅電阻器器件的方法的流程圖。
[0017]圖7B是圖示根據(jù)本公開的方面的制作精確多晶硅電阻溫度傳感器的方法的流程圖。
[0018]圖8A描繪根據(jù)本公開的方面的在多晶硅層的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0019]圖8B描繪根據(jù)本公開的方面的在注入掩模的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0020]圖8C描繪根據(jù)本公開的方面的在摻雜和擴(kuò)散之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0021]圖9A描繪根據(jù)本公開的方面的在多晶硅層的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0022]圖9B描繪根據(jù)本公開的方面的在注入掩模的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0023]圖9C描繪根據(jù)本公開的方面的在摻雜和擴(kuò)散之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0024]圖1OA描繪根據(jù)本公開的方面的在多晶硅層的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0025]圖1OB描繪根據(jù)本公開的方面的在注入掩模的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0026]圖1OC描繪根據(jù)本公開的方面的在摻雜和擴(kuò)散之后的多晶硅電阻溫度傳感器。

【具體實施方式】
[0027]在下面的詳細(xì)描述中，參考形成其的一部分的附圖，且其中通過例證示出其中本公開可被實踐的特定實施例。在這個方面中，參考正被描述的圖的方位來使用方向術(shù)語，諸如“前面”、“后面”、“最前面”等。因為實施例的部件可被定位于多個不同的方位上，方向術(shù)語用于說明的目的且決不是限制性的。將理解，可利用其它實施例，且可做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變，而不脫離本公開的范圍。下面的詳細(xì)描述因此不應(yīng)在限制性意義上被理解，且本公開的范圍由所附權(quán)利要求限定。
[0028]將理解，在本文描述的各種示例性實施例的特征可彼此組合，除非另有特別說明。
[0029]多晶硅電阻器器件制作涉及執(zhí)行多種工藝、過程和操作，以便實現(xiàn)制作的器件。這些操作包括但不限于層積、摻雜、熱處理和圖案化。
[0030]層積是用于將選定厚度的層添加到晶片襯底的操作。這些層可以是絕緣體、半導(dǎo)體、導(dǎo)體等，并可通過很多適當(dāng)?shù)姆椒?例如化學(xué)氣相沉積、濺射等)來生長或沉積。摻雜是通過表面層中的開口將特定數(shù)量的摻雜劑引入晶片表面中的工藝。用于摻雜的通常技術(shù)是例如離子注入。摻雜例如用于在晶體管中創(chuàng)建有源區(qū)或在電阻器中創(chuàng)建電阻率區(qū)。熱處理是下列操作:其中完整的晶片或晶體的一部分被加熱并保持在預(yù)先限定溫度(范圍)下某段預(yù)先確定的時間以實現(xiàn)特定的結(jié)果。常見的熱處理被稱為退火，其通常用于修復(fù)由離子注入引入的晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷。圖案化是采用導(dǎo)致所添加的表面層的選定部分的移除的一系列步驟的操作。該系列步驟包括首先在多晶硅電阻器器件之上形成一層抗蝕劑或光致抗蝕齊?。然后，抗蝕劑掩模與器件對齊。隨后，這層抗蝕劑通過抗蝕劑掩模被暴露或輻射，所述抗蝕劑掩模選擇稍后被移除的抗蝕劑層的部分來暴露器件的下層部分。繼續(xù)在器件的被暴露部分上執(zhí)行制作工藝，諸如離子注入、離子擴(kuò)散等。
[0031]例如，用于在現(xiàn)在的市場中生產(chǎn)高歐姆多晶硅電阻器的流行工藝通常包括:在硅襯底的絕緣層之上沉積未摻雜多晶硅層，未摻雜多晶硅層通常在200 nm到400 nm的厚度范圍內(nèi)；然后使用隨后的退火步驟將摻雜劑原子注入到多晶硅層中，所述退火步驟限定多晶硅電阻器的電阻。
[0032]一般地，多晶硅電阻率隨著增加的溫度而增加或降低。增加的這個速率被稱為電阻的溫度系數(shù)。圖1圖示根據(jù)上面提到的一般工藝而生產(chǎn)的高歐姆電阻器的溫度行為。高歐姆多晶硅電阻器具有在室溫(27°C)下的I千歐姆的電阻值，且當(dāng)工作溫度增加時電阻值顯著下降，g卩，高歐盟多晶硅電阻器具有負(fù)溫度系數(shù)，然而在一些應(yīng)用中溫度系數(shù)具有不適合于電阻器器件的大絕對值。
[0033]下面的實施例提供用于改進(jìn)多晶硅電阻器的溫度行為，更具體地用于使電阻的溫度行為穩(wěn)定的方法。
[0034]根據(jù)在下文中描述的一個或多個實施例的方面，包括深能級施主的第一摻雜劑原子可被注入到多晶硅層的至少一部分中。在一個或多個實施例中，注入第一摻雜劑原子可至少部分地非晶化多晶硅層的至少一部分。被注入到多晶硅層中的深能級施主(也被稱為深級施主或深能量施主)可在稍后的退火工藝期間抑制多晶硅層的所述至少一部分的完全再結(jié)晶。在一個或多個實施例中，在深能量施主和導(dǎo)帶邊緣之間的能量差(例如在深能量施主的能級(例如由深能量施主提供的摻雜多晶層的帶結(jié)構(gòu)的能級)和導(dǎo)帶邊緣的能級(例如在摻雜多晶硅層中的導(dǎo)帶邊緣的能級，例如摻雜多晶硅層的帶結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)帶的下邊緣的能級)之間的能量差)可高于200 meV。在一個或多個實施例中，這樣的深能量施主可以是硒原子、硫原子或氮原子。
[0035]根據(jù)在下文中描述的一個或多個實施例的另一方面，第二摻雜劑原子可被注入到多晶硅層的所述至少一部分中。在一個或多個實施例中，第二摻雜劑原子可以是與第一摻雜劑原子不同的摻雜劑原子。在一個或多個實施例中，第二摻雜劑原子可以是具有淺能級的摻雜劑原子(也被稱為淺施主)。根據(jù)一個或多個實施例，這樣的淺施主可展示在摻雜原子的能級和導(dǎo)帶邊緣之間的小差異，例如小于100 meV的差異。在一個或多個實施例中，第二摻雜劑原子可包括或可以是磷原子或砷原子。
[0036]在一個或多個實施例中，注入第二摻雜劑原子可在注入第一摻雜劑原子之后執(zhí)行。在一個或多個實施例中，注入第二摻雜劑原子可在注入第一摻雜劑原子之前執(zhí)行。在一個或多個實施例中，注入第一摻雜劑原子和注入第二摻雜劑原子可同時執(zhí)行。
[0037]根據(jù)各種實施例，可在第一和第二摻雜劑原子已經(jīng)被注入到多晶硅層中之后執(zhí)行退火工藝。
[0038]圖2A是圖示根據(jù)本公開的方面的制作多晶硅電阻器器件的方法200a的流程圖。方法200a包括:形成多晶硅層(在202a中);將第一摻雜劑原子注入到多晶硅層的至少一部分中(在204a中)，其中第一摻雜劑原子包括深能級施主；將第二摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的至少一部分中(在206a中);以及在注入第一和第二摻雜劑原子之后使所述多晶硅層的至少一部分退火(在208a中)。
[0039]圖2B是圖示根據(jù)本公開的方面的形成具有相對較小的溫度系數(shù)的多晶硅電阻器的方法200b的流程圖。方法200b在可選地或附加地在任何通?；蚨ㄖ茡诫s注入被執(zhí)行之前將深能級施主預(yù)先注入多晶硅電阻器中。預(yù)先注入改變多晶硅的晶體結(jié)構(gòu)，使它成為非晶形的或至少根據(jù)注入的能量而強(qiáng)烈地被損壞。預(yù)先注入的原子在退火期間影響多晶硅的再結(jié)晶特性，例如導(dǎo)致非晶化結(jié)構(gòu)的部分再結(jié)晶，其中結(jié)果是多晶硅的溫度行為可被選擇性地變更。更具體地，如所示，方法200b導(dǎo)致多晶硅電阻器的穩(wěn)定的溫度行為。
[0040]方法200b在塊202b開始，其中半導(dǎo)體器件/主體被提供。半導(dǎo)體器件可具有其它器件，包括被部分地制作的DMOS晶體管器件、電容器等。在塊204b，氧化物層在器件之上形成。氧化物層用來保護(hù)下面的層，其可包括有源部件、半導(dǎo)體襯底等。在塊206b，多晶硅層被沉積在氧化物層之上并具有選定的厚度。通常，多晶硅層的厚度在200 nm-400 nm之間的范圍內(nèi)。多晶硅層可在沉積期間通過合并摻雜劑被形成為未摻雜的或輕摻雜的。
[0041]可選地，將注入掩模施加到半導(dǎo)體器件，其暴露多晶硅層的選定部分和/或百分t匕，同時覆蓋多晶硅的其它部分(未在圖2B中圖示)，使得只有多晶硅層的被暴露區(qū)隨后被注入?；谄谕麚诫s劑濃度、多晶硅層的選定厚度和在稍后的注入中采用的摻雜劑種類和劑量來確定被注入掩模暴露的多晶硅的量或百分比。
[0042]在塊208b繼續(xù)方法200b，深能級施主被預(yù)先注入到多晶硅層的被暴露部分中，使得多晶硅的聚合物行為被優(yōu)化。更具體地，多晶硅的晶粒結(jié)構(gòu)經(jīng)由預(yù)先注入的深能量施主被非晶化或至少部分地非晶化。深能量原子選自可創(chuàng)建深級缺陷的物質(zhì)。特別合適的深能級施主包括例如硒原子、氮原子或硫原子；這樣的深能級缺陷導(dǎo)致隨著溫度而增加的有效摻雜濃度和顯著減小的肖特基電阻。通常預(yù)先注入劑量位于在IxlO15 cm_2和5xl015 cm_2之間的范圍內(nèi)。圖3A示出多晶硅的原始晶粒結(jié)構(gòu)的示例，而圖3B圖示被非晶化的多晶硅的晶粒結(jié)構(gòu)。
[0043]可選地，預(yù)先注入此外包括預(yù)先注入的第二摻雜劑原子(未在圖2B中示出)。第二摻雜劑原子通常選自例如磷原子。
[0044]然后，可在塊210b通過多晶硅電阻器的被暴露部分用第二摻雜劑原子執(zhí)行任何實際摻雜(其中這樣的摻雜通常將發(fā)生)。第二摻雜劑原子貢獻(xiàn)多晶硅電阻器的電阻率/導(dǎo)電率。在注入物中使用的第二摻雜劑原子通常是磷原子，通常注入劑量在3xl014 cm_2和4xl014 cm—2之間的范圍內(nèi)，且注入能量是40 keV。
[0045]可選地，金屬觸頭在多晶硅電阻器(未在圖2B中示出)的端部處形成。觸頭由導(dǎo)電材料(諸如鋁、鎢或銅)形成，并向其它電子部件提供電通信。在一個實施例中，觸頭所位于的多晶硅電阻器的端部區(qū)與多晶硅電阻器的中心區(qū)比較是高摻雜的，從而具有相對小的電阻。具有2.7xl015 cm_2的注入劑量的40 keV的通常磷注入能量被施加到多晶硅電阻器的接觸區(qū)。然后，注入掩模(例如抗蝕劑掩模)通過合適的工藝(例如合適的抗蝕劑移除工藝)被移除。
[0046]隨后，在塊212b執(zhí)行包括退火的熱活化工藝，其激活并擴(kuò)散在多晶硅電阻器內(nèi)注入的摻雜劑。因為注入的氮高度影響多晶硅的結(jié)晶結(jié)構(gòu)并導(dǎo)致高度混亂的晶體結(jié)構(gòu)，使隨后的退火工藝變得能夠部分地使非晶化區(qū)再結(jié)晶，以便將電阻器的導(dǎo)電率/電阻率控制到所要求的水平。隨后，多晶硅電阻器和器件的制作用包括但不限于接觸形成的其它工藝來繼續(xù)。
[0047]根據(jù)上述方法生產(chǎn)的高歐姆多晶硅電阻器的溫度行為的圖形表示在圖4中圖示，其中曲線402表示以常規(guī)方法生產(chǎn)的高歐姆多晶硅電阻器的溫度行為，更具體地，高歐姆多晶硅電阻器只使用實際摻雜步驟來生產(chǎn)，其具有8.7xl014 cm-2的磷注入劑量；曲線404表示根據(jù)當(dāng)前公開的一個方面生產(chǎn)的高歐姆多晶硅電阻器的溫度行為，更具體地，其具有在5xl015 cm_2的劑量中的氮的預(yù)先注入和在3xl014 cm_2的劑量中的磷的摻雜；曲線406表示根據(jù)當(dāng)前公開的一個方面生產(chǎn)的高歐姆多晶硅電阻器的溫度行為，更具體地，其具有在5xl015 cm_2的劑量中的氮的預(yù)先注入和在4xl014 cm_2的劑量中的磷的摻雜；以及曲線408是被示為曲線404和曲線406的溫度行為的混合計算結(jié)果。如圖4所示，在相同的溫度范圍上(從40° C到+120° C)，在有深能量施主(曲線404、406和408)的預(yù)先注入的情況下生產(chǎn)的多晶硅電阻器的電阻值與在沒有預(yù)先注入(曲線402)的情況下生產(chǎn)的多晶硅電阻器比較更穩(wěn)定，且在有預(yù)先注入的情況下生產(chǎn)的多晶硅電阻器的溫度系數(shù)幾乎只有在沒有預(yù)先注入的情況下生產(chǎn)的多晶硅電阻器的溫度系數(shù)的一半。
[0048]在本公開的一個實現(xiàn)中，在具有200nm的厚度的多晶硅層中應(yīng)用該方法。使用50keV的預(yù)先注入能量和5xl015 cm-2的氮劑量，整個多晶硅層被非晶化。
[0049]在一些實施例中，為了使高歐姆多晶硅電阻器的溫度系數(shù)穩(wěn)定，未摻雜多晶硅使用氮預(yù)先注入被預(yù)先非晶化，且在多晶硅中的氮的高比例在隨后的退火期間抑制晶粒生長。雖然預(yù)先非晶化和隨后的退火通過在晶格缺陷處的增強(qiáng)的散射來產(chǎn)出它們意圖的減小的載流子遷移率的效果，但多晶硅電阻器的溫度系數(shù)可因此獨立地或部分獨立地被控制，這可導(dǎo)致具有更穩(wěn)定的溫度響應(yīng)的電阻器。
[0050]下面提供用于生產(chǎn)多晶硅電阻器的本公開的一個通常實現(xiàn):首先，具有所要求厚度(例如200nm-400nm)的多晶硅層在例如LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積)熔爐中被沉積；然后氮原子的預(yù)先注入被執(zhí)行以非晶化多晶硅，其具有5xl015 cm_2的注入劑量和50 keV的注入能量；隨后，具有磷原子的實際或通常摻雜被執(zhí)行以將多晶硅的薄層電阻設(shè)置到I千歐姆/方塊，且注入能量被設(shè)置到40 keV，其具有3.5xl015 cm_2的注入劑量；此外，多晶硅層的端部區(qū)(其中觸頭被形成)高度摻雜有磷原子以具有相當(dāng)小的電阻，且注入能量被設(shè)置到40keV，其具有2.7xl015 cm-2的注入劑量；可選地，多晶硅層通過例如光刻法被切割成所要求的形狀；最后，退火被執(zhí)行以部分地激活在多晶硅層中的摻雜劑的導(dǎo)電率，因為高百分比的預(yù)先注入的氮抑制晶粒結(jié)構(gòu)的再結(jié)晶，導(dǎo)致溫度穩(wěn)定的自由電荷載流子的減小的遷移率。
[0051]在一些實施例中，創(chuàng)建深缺陷，以便減小在多晶硅-金屬接觸區(qū)中創(chuàng)建的肖特基勢壘，以便能夠形成更可靠的歐姆接觸。為了形成這樣的歐姆接觸(或展示歐姆性質(zhì)的低電阻)，肖特基勢壘高度應(yīng)在每個地方是小的。深能級缺陷的創(chuàng)建可減小肖特基勢壘，其中深缺陷可通過將深能級施主(例如硒)預(yù)先注入到接觸區(qū)內(nèi)而形成。
[0052]下面的實施例提供用于改進(jìn)多晶硅電阻器的溫度行為，更具體地用于改進(jìn)電阻的溫度行為的方法。
[0053]在現(xiàn)有技術(shù)中使用多晶硅電阻器作為在半導(dǎo)體器件中的溫度傳感器是公知的。照慣例，多晶硅電阻溫度傳感器被定位成盡可能接近功率晶體管的單元陣列或在功率晶體管的單元陣列內(nèi)以便在早期和快速檢測溫度升高。多晶硅電阻器的絕對電阻值由注入到電阻器內(nèi)的摻雜劑和隨后的退火確定。注意，注入到電阻器內(nèi)的摻雜劑通常不完全貢獻(xiàn)多晶硅電阻器的電阻，因為摻雜劑可擴(kuò)散到在多晶硅層之下/之上的其它層內(nèi)，且它們的遷移率可在表面和邊界區(qū)中減小。在一些實施例中，在如圖5所示的條形中生產(chǎn)多晶硅電阻溫度傳感器。條的縱向方向位于I軸上，條的橫截面的寬度位于X軸上，且條的橫截面的深度位于z軸上。雖然摻雜劑實現(xiàn)多晶硅條，但實際上貢獻(xiàn)電阻器的導(dǎo)電率的摻雜劑可在多個多晶硅條當(dāng)中波動，即使使用相同的注入和退火設(shè)置，因為多晶硅條的表面/邊界可具有由于制造不精確度而引起的大小波動。換句話說，多晶硅電阻器的絕對電阻值隨著電阻器的結(jié)構(gòu)和摻雜的波動而變化。例如，如圖6所示，在常規(guī)制造過程中，具有大約Ιμπι的厚度的多晶硅電阻器條的通常寬度波動是±500nm(在圖6中被示為雙向箭頭602)，多晶硅電阻器的厚度的波動是大約±10% (在圖6中被示為雙向箭頭604)，同時自摻雜相對于劑量可被準(zhǔn)確地調(diào)整為大約±8% (在圖6中被示為606)。對于多個多晶硅電阻器應(yīng)用，通過制造引入的多晶硅寬度和厚度的波動因此是可忽略的。然而，在芯片上的很多空間可能由于多晶硅電阻器寬度(多晶硅電阻器的通常寬度位于30μπι-100μπι的范圍內(nèi))的波動而失去。此夕卜，常規(guī)方法將不能生產(chǎn)高準(zhǔn)確性多晶硅電阻器，例如在電阻值的波動位于±5%內(nèi)的情況下的多晶硅電阻溫度傳感器。
[0054]一個或多個實施例提供制造具有更準(zhǔn)確的電阻的多晶硅電阻溫度傳感器的方法。
[0055]根據(jù)在下文中描述的一個或多個實施例的方面,摻雜劑原子可通過注入掩模被注入到多晶硅層的預(yù)先限定子區(qū)域內(nèi)。隨后，可創(chuàng)建所述摻雜劑原子的擴(kuò)散(例如通過使多晶硅層的至少子區(qū)域退火)，其中所述摻雜劑原子至多在所述多晶硅層內(nèi)擴(kuò)散。在一個或多個實施例中，摻雜劑原子可至多在多晶硅層的一部分內(nèi)擴(kuò)散。例如在一個或多個實施例中，擴(kuò)散摻雜劑原子可以不到達(dá)多晶硅層的邊界。
[0056]圖7A是圖示根據(jù)本公開的方面的制作多晶硅電阻器器件的方法700a的流程圖。方法700a包括:形成多晶硅層(在702a中);在多個硅層之上形成暴露多晶硅層的預(yù)先限定子區(qū)域的注入掩模(在704a中);通過注入掩模將摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的預(yù)先限定子區(qū)域中(在706a中)；以及創(chuàng)建摻雜劑原子的擴(kuò)散，其中摻雜劑原子至多在多晶硅層內(nèi)擴(kuò)散(在708a中)。
[0057]圖7B是圖示根據(jù)本公開的方面的制作多晶硅電阻溫度傳感器的方法700b的流程圖。一般地，多晶硅電阻器的絕對電阻值作為制造變化的結(jié)果而變化，諸如在多晶硅結(jié)構(gòu)的橫截面剖面中。方法700b通過多晶硅掩模和摻雜多晶硅的子集來減輕這個效應(yīng)，在可控體積中(諸如在多晶硅的中心區(qū)中)創(chuàng)建傳感器。
[0058]在塊702b開始，提供半導(dǎo)體器件/主體。半導(dǎo)體器件可具有其它器件，包括被部分制作的DMOS功率晶體管、電容器等。在塊704b可在器件之上形成的氧化物層用來保護(hù)下面的層，其可包括有源部件、半導(dǎo)體襯底等，并且也電隔離多晶硅電阻器。在塊706b，多晶硅條可在具有選定厚度的氧化物層上形成。多晶硅條可被形成為未摻雜多晶硅。通常根據(jù)在器件上形成的其它部件(諸如多晶硅柵極層)來選擇多晶硅條的厚度。在塊708施加到半導(dǎo)體器件的注入掩模(例如抗蝕劑掩模)可被配置成暴露在中心區(qū)中的多晶硅電阻器的選定部分和/或百分比，同時覆蓋電阻器的其它部分和器件上的其它部件，使得只有多晶硅的被暴露區(qū)通過隨后的工藝而被注入?？苫谄谕麚诫s劑濃度、多晶硅條的選定厚度和在稍后的離子注入中采用的摻雜劑種類和劑量來確定被注入掩模(例如抗蝕劑掩模)暴露的多晶硅的量和百分比，使得隨后注入的摻雜劑將不擴(kuò)散出條。在塊710b，選定類型的摻雜劑然后被注入到多晶硅條的被暴露部分中。因為可關(guān)于注入劑量以非常好的準(zhǔn)確度(通常±2%)設(shè)置離子注入，因而在多晶硅條內(nèi)的摻雜濃度可能被非常精確地設(shè)置。隨后，注入掩模(例如抗蝕劑掩模)可被移除。在塊712b，執(zhí)行熱活化工藝，其激活并擴(kuò)散在多晶硅條內(nèi)注入的摻雜劑。熱處理可包括能夠幾乎100%電氣地激活所注入的摻雜劑的退火工藝。
[0059]使用這個所提供的方法，摻雜劑只在多晶硅條的中心區(qū)中被引入，且將不遭受表面/邊界效應(yīng)。因此，這些摻雜劑完全貢獻(xiàn)多晶硅電阻溫度傳感器的電阻率。因為抗蝕劑掩模大小的波動可被控制在1%_2%內(nèi)，且離子注入劑量具有大約2%-3%的誤差范圍，因此，可實現(xiàn)關(guān)于電阻值的小于5%的總變化。
[0060]圖8A、8B和SC描繪根據(jù)當(dāng)前公開的一個方面來制作的多晶硅電阻器器件800。如所示的器件800被提供和描繪以便于理解的本公開且實質(zhì)上是示例性的。
[0061]圖8A描繪根據(jù)本公開的方面的在多晶硅條806的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。多晶硅條806可通過合適的沉積工藝在氧化物層804上形成，同時氧化物層804被示為在由硅組成的半導(dǎo)體襯底或主體802上。沉積的多晶硅條806的厚度850可被選擇成足夠大，使得氧化物層804不能在另外的步驟中通過摻雜劑的隨后擴(kuò)散被達(dá)到，且因此氧化物層804與摻雜劑分離。
[0062]圖8B圖示根據(jù)本公開的方面的在暴露多晶硅條806的中心區(qū)的掩模808的形成之后的多晶硅電阻器器件800。抗蝕劑掩模808具有開口 810。開口 810通常沿著多晶硅條806均勻地間隔開，以便便于在多晶硅電阻器806的縱向方向(y方向)上的所注入的摻雜劑的均勻摻雜劑分布。開口 810的寬度860可變化。在一個實施例中，寬度860被設(shè)置到大小X1以確保在橫向方向(X方向)上的隨后注入的種類的橫向擴(kuò)散范圍864在多晶硅條806的兩個側(cè)翼812和814之間的區(qū)內(nèi)，或甚至具有遠(yuǎn)離側(cè)翼的顯著的距離。然后為了確定多晶硅條的絕對電阻值而消除條寬度和厚度的波動，且掩模開口 810的寬度860現(xiàn)在是多晶硅電阻器的臨界尺寸，而掩模技術(shù)具有僅僅1%_2%的誤差范圍影響。
[0063]圖8C圖示根據(jù)本公開的方面的在離子注入816之后的多晶硅溫度傳感器800。摻雜劑可僅穿過開口 810，但在其它部分中被抗蝕劑掩模808抵擋。作為結(jié)果，只有在開口 810處引導(dǎo)的離子的一部分被注入到多晶硅電阻器中，形成注入?yún)^(qū)806a。在離子注入816之后，通過合適的工藝(例如化學(xué)溶解)移除抗蝕劑掩模808。然后，執(zhí)行通過多晶硅條806更均勻地擴(kuò)散所注入的摻雜劑的熱活化工藝，形成擴(kuò)散區(qū)806b。
[0064]因此，多晶硅條806被示為由注入?yún)^(qū)806a、擴(kuò)散區(qū)806b和未摻雜區(qū)806c組成。多晶硅條806的絕對電阻值僅由掩模808 (或開口 810)、摻雜劑量和能量確定，且從多晶硅條806的結(jié)構(gòu)到絕對電阻值的波動的影響被消除了。此外，因為多晶硅條806的厚度和橫向大小顯著大于所注入的摻雜劑的擴(kuò)散范圍，沒有摻雜劑可從多晶硅條806擴(kuò)散走，減少或消除了可能由于表面/邊界效應(yīng)(例如空間電荷區(qū)、空隙空間等)而變得電氣地不活動的摻雜齊U，并使得較少的或沒有電荷載流子可由于條806的表面粗糙度而遭受降低的遷移率。因此，使用上面的示例性實施例，多晶硅條的大小和形狀現(xiàn)在可獨立于電阻值。換句話說，器件的有效橫截面可被限制到總條橫截面的子集，結(jié)果是，所沉積的條的剖面不再限定多晶硅條的電阻值，而現(xiàn)在未摻雜區(qū)806c將導(dǎo)致可能未限定的條件和不想要的工藝變化，或呈現(xiàn)用來控制的較大實際挑戰(zhàn)的變化。
[0065]圖9A、圖9B和圖9C描繪根據(jù)本公開的一個方面制作的多晶硅電阻溫度傳感器900。在圖9中提供的器件900在多晶硅條厚度上不同于圖8所示的器件800，并導(dǎo)致在多晶硅條中的未限定和不想要的區(qū)的減小。
[0066]圖9A描繪根據(jù)本公開的方面的在多晶硅條906的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。多晶硅條906被示為通過合適的沉積工藝在氧化物層904上形成，同時氧化物層904被示出在由硅組成的半導(dǎo)體襯底或主體902之上。所沉積的多晶硅條906的厚度950不一定大于可隨后被注入的摻雜劑的擴(kuò)散深度，因為幾乎不擴(kuò)散到氧化物層904中的摻雜劑種類被選定，例如這樣的摻雜劑原子可以是砷原子、磷原子等。
[0067]圖9B圖示根據(jù)本公開的方面的在暴露多晶硅條906的中心部分的掩模908的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器900?？刮g劑掩模908被示出為具有開口 910。開口 910通常沿著多晶硅電阻器906均勻地間隔開，以便便于在多晶硅條906的縱向方向(y方向)上的所注入的摻雜劑的均勻摻雜劑分布。開口 910的寬度960可變化。在一個實施例中，寬度960被設(shè)置到大小X1以確保在橫向方向(X方向)上的隨后的所注入的種類的橫向擴(kuò)散范圍964在多晶硅條906的兩個側(cè)翼912和914之間的區(qū)內(nèi)，或甚至具有遠(yuǎn)離側(cè)翼的顯著的距離。然后為了確定多晶硅條的絕對電阻值而消除條寬度和厚度的波動，且掩模開口910的寬度960現(xiàn)在是多晶硅條的臨界尺寸，而掩模技術(shù)具有僅僅1%_2%的誤差范圍影響。
[0068]圖9C圖示根據(jù)本公開的方面的在離子注入916之后的多晶硅電阻溫度傳感器900。離子注入916注入選定類型的摻雜劑，其將不顯著擴(kuò)散到在多晶硅條906之下的氧化物層904中。通常這樣的摻雜劑可以是例如砷原子或磷原子。摻雜劑穿過開口 910，但在其它部分中被抗蝕劑掩模908抵擋。作為結(jié)果，在開口 910處引導(dǎo)的離子的僅僅一部分被注入到多晶硅電阻器中，形成注入?yún)^(qū)906a。在注入916之后，通過合適的工藝(例如化學(xué)溶解)來移除抗蝕劑掩模908。然后，執(zhí)行通過多晶硅條906更均勻地擴(kuò)散所注入的摻雜劑的熱活化工藝，形成擴(kuò)散區(qū)906b。
[0069]因為選定摻雜劑不能顯著擴(kuò)散到氧化物層904中，所以擴(kuò)散區(qū)906b可到達(dá)遠(yuǎn)到氧化物層904的表面，這導(dǎo)致不想要和未限定的區(qū)906c的減小。在所注入的摻雜劑的完全退火之后，所引入的注入劑量和掩模908是多晶硅條的電阻值的確定因子，而不是多晶硅條的剖面。
[0070]圖10A、圖1OB和圖1OC描繪根據(jù)當(dāng)前公開的另一方面制作的多晶硅電阻溫度傳感器1000。在圖10中提供的器件1000與圖8所示的器件800和圖9所示的器件900的不同之處在于所注入的摻雜劑實現(xiàn)多晶硅條1006。通過忽略表面效應(yīng)并通過采取獨立于電荷載流子遷移率的摻雜濃度，摻雜劑也可填充整個多晶硅條，但不失去聲子遷移率。
[0071]圖1OA描繪根據(jù)本公開的方面的在多晶硅條1006的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器。多晶硅條1006被示出為通過合適的工藝在氧化物層1004上形成，而氧化物層1004在由硅組成的半導(dǎo)體襯底或主體1002之上。所沉積的多晶硅條1006的厚度1050不一定大于隨后注入的摻雜劑的擴(kuò)散深度，因為幾乎不擴(kuò)散到氧化物層904中的摻雜劑種類被選定，例如摻雜劑原子可以是砷原子、磷原子等。
[0072]圖1OB圖示根據(jù)本公開的方面的在暴露多晶硅條1006的中心部分的掩模1008的形成之后的多晶硅電阻溫度傳感器1000?？刮g劑掩模1008具有開口 1010。開口 1010通常沿著多晶硅電阻器1006均勻地間隔開，以便便于在多晶硅條1006的縱向方向(y方向)上的所注入的摻雜劑的均勻摻雜劑分布。開口 1010的寬度1060可變化。在一個實施例中，寬度1060被設(shè)置到大小X2以確保所注入的摻雜劑完全位于多晶硅條1006內(nèi)且擴(kuò)散的摻雜劑填充整個多晶硅條1006。
[0073]圖1OC圖示根據(jù)本公開的方面的在離子注入1016之后的多晶硅電阻溫度傳感器1000。離子注入1016注入選定類型的摻雜劑，其將不擴(kuò)散到在多晶硅條1006之下的氧化物層1004中。通常這樣的摻雜劑可以是例如砷原子或磷原子。摻雜劑穿過開口 1010，但在其它部分中被抗蝕劑掩模1008抵擋。作為結(jié)果，在開口 1010處引導(dǎo)的離子的僅僅一部分被注入到多晶硅條中，形成注入?yún)^(qū)1006a。在離子注入1016之后，通過合適的工藝(例如化學(xué)溶解)來移除抗蝕劑掩模1008。然后，執(zhí)行通過整個多晶硅電阻器1006更均勻地擴(kuò)散所注入的摻雜劑的熱活化工藝，形成到達(dá)多晶硅條1006的側(cè)翼1012和1014的擴(kuò)散區(qū)1006b。
[0074]假設(shè)摻雜濃度大約獨立于電荷載流子遷移率，且通過忽視表面效應(yīng)，在這種方法中的電阻值通過注入劑量和掩模而不是通過多晶硅條1006的結(jié)構(gòu)來確定，因為在橫截面面積1006上的導(dǎo)電率的積分獨立于所注入的摻雜劑的分布。
[0075]在圖8-10中所示的上述實施例有共同點:用于當(dāng)前運送的整個可用摻雜劑獨立于多晶硅條的寬度和厚度。電阻只由掩模和離子注入的良好可控的工藝影響。作為結(jié)果，多晶硅條的寬度可減小至十分之一。因為多晶硅條常常具有幾百微米的長度，多晶硅條的寬度的減小可節(jié)省在半導(dǎo)體器件上的顯著的表面積。
[0076]此外，在當(dāng)前公開中提供的方法不限于生產(chǎn)多晶硅電阻溫度傳感器，但也可應(yīng)用于其中需要高度準(zhǔn)確的電阻器的多晶硅電阻器的若干應(yīng)用。
[0077]對于作為溫度傳感器的多晶硅電阻器的應(yīng)用，要求多晶硅電阻器的優(yōu)良溫度敏感性，即，電阻器的強(qiáng)溫度相關(guān)性將是優(yōu)選的。為了這個目的，在一些實施例中，深能級施主被注入到多晶硅電阻器中，使得在電阻器內(nèi)部的物質(zhì)在室溫下只貢獻(xiàn)導(dǎo)電率的特定百分比，但在較高的溫度(像例如120°C)下顯著升高導(dǎo)電率。通常這樣的深能級施主選自例如硒、硫或氮等。當(dāng)溫度升高時，這些深能級施主增加有效濃度，這導(dǎo)致電阻器的電阻率的顯著減小，或換句話說，導(dǎo)致電阻器的導(dǎo)電率的明顯增加，因此形成更溫度敏感的傳感器。
[0078]根據(jù)本公開的方面，公開了用于生產(chǎn)多晶硅電阻器器件的方法，其包括:通過沉積形成未摻雜多晶硅層，并將其至少一部分限定為多晶硅電阻器區(qū)；將深能級施主預(yù)先注入到多晶硅電阻器區(qū)中，以便非晶化或至少部分地非晶化多晶硅電阻器區(qū)；給非晶化或部分非晶化的多晶硅電阻器區(qū)注入第二摻雜劑原子；以及使至少多晶硅電阻器區(qū)退火，以便控制在多晶硅電阻器區(qū)中的晶粒大小。
[0079]根據(jù)本公開的另一方面，該方法還包括在多晶硅層之下形成絕緣層，其中絕緣層是氧化物層，且它在半導(dǎo)體襯底之上。根據(jù)本公開的一個方面，所沉積的多晶硅層具有在200 nm和400 nm之間的范圍內(nèi)的厚度。
[0080]根據(jù)本公開的另一方面，該方法還包括在多晶硅電阻器區(qū)的端部上形成觸頭，從而限定接觸區(qū)。觸頭可以是任何種類的導(dǎo)電率觸頭，像例如金屬觸頭。根據(jù)本公開的另一方面，深能級缺陷(或被稱為深級缺陷或深缺陷)通過在接觸區(qū)中的深級施主的預(yù)先注入來形成，以便減小接觸區(qū)中的肖特基勢壘。這樣的深能級施主可以是例如硒、硫或氮等。補(bǔ)充地或可替換地，淺能級原子(像磷或砷原子)可被注入，從而導(dǎo)致超過IxlO19 cm_3的表面濃度。根據(jù)本公開的另一方面，掩模(例如抗蝕劑掩模)被形成，從而暴露多晶硅電阻器區(qū)的預(yù)先限定子區(qū)域。
[0081]根據(jù)本公開的方面，公開了用于生產(chǎn)多晶硅電阻器器件的方法，其具有:通過沉積形成未摻雜多晶硅層，并將其至少一部分限定為多晶硅電阻器區(qū)；形成暴露多晶硅電阻器區(qū)的預(yù)先限定子區(qū)域的掩模(例如抗蝕劑掩模)；通過預(yù)先限定子區(qū)域用摻雜劑原子摻雜多晶硅電阻器區(qū)；以及創(chuàng)建摻雜劑原子的擴(kuò)散，其中摻雜劑原子至多擴(kuò)散在多晶硅層的所述多晶硅電阻器區(qū)內(nèi)。
[0082]預(yù)先限定子區(qū)域可以是在多晶硅電阻器區(qū)的中心區(qū)中的子區(qū)域。根據(jù)本公開的方面，摻雜劑原子可以是例如磷原子。根據(jù)本公開的替換方面，摻雜劑原子選自不擴(kuò)散到其它層中的原子。這樣的摻雜劑原子包括例如磷原子和砷原子。根據(jù)本公開的另外方面，摻雜劑原子選自深能級施主，以便在工作溫度增加時減小所述多晶硅電阻器區(qū)的電阻率的溫度相關(guān)性。這樣的深能級施主可以是例如硒、硫和氮。根據(jù)本公開的另外方面，摻雜劑原子選自深能級受主。
[0083]可通過至少多晶硅電阻器區(qū)的退火來創(chuàng)建摻雜劑原子的擴(kuò)散。
[0084]雖然已經(jīng)在本文圖示并描述了特定的實施例，但本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將認(rèn)識至IJ，多種替換和/或等效實現(xiàn)可代替所示和所述的特定實施例，而不脫離本公開的范圍。本申請意在涵蓋本文討論的特定實施例的任何改編或變化。因此，意圖是本公開僅由權(quán)利要求及其等效形式限制。
【權(quán)利要求】
1.一種用于生產(chǎn)多晶硅電阻器器件的方法，包括: 形成多晶硅層； 將第一摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的至少一部分中，其中所述第一摻雜劑原子包括深能級施王； 將第二摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的所述至少一部分中；以及在注入所述第一摻雜劑原子和第二摻雜劑原子之后使所述多晶硅層的所述至少一部分退火。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多晶硅層的所述至少一部分被配置為多晶硅電阻器區(qū)。
3.權(quán)利要求2所述的方法，其中將所述第一摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的所述至少一部分中至少部分地非晶化所述多晶硅電阻器區(qū)。
4.權(quán)利要求3所述的方法，其中使所述多晶硅層的所述至少一部分退火控制在所述多晶硅電阻器區(qū)中的晶粒大小并激活所注入的第二摻雜劑原子的至少部分。
5.權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述多晶硅層包括形成所述多晶硅層作為未摻雜層。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述多晶硅層通過將多晶硅沉積在絕緣層之上來實現(xiàn)。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中所沉積的多晶硅具有在200nm和400 nm之間的范圍內(nèi)的厚度。
8.權(quán)利要求1所述的方法，其中在深能級施主和導(dǎo)帶邊緣之間的能量差高于200meV。
9.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述深能級施主選自由硒、硫和氮組成的組。
10.權(quán)利要求2所述的方法，其中所述深能級施主在退火工藝期間抑制所述多晶硅電阻器區(qū)的完全再結(jié)晶。
11.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述退火被控制以使所述至少部分地非晶化的多晶硅電阻器區(qū)部分地再結(jié)晶。
12.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二摻雜劑原子選自由磷原子和砷原子組成的組。
13.權(quán)利要求2所述的方法，還包括在所述多晶硅電阻器區(qū)的端部上形成觸頭，從而限定接觸區(qū)。
14.權(quán)利要求13所述的方法，其中所述觸頭是金屬觸頭。
15.權(quán)利要求13所述的方法，還包括在所述接觸區(qū)中形成深能級缺陷。
16.權(quán)利要求15所述的方法，其中形成深能級缺陷通過第三摻雜劑原子到所述接觸區(qū)中的注入來實現(xiàn)，其中所述第三摻雜劑原子包括深能級施主。
17.權(quán)利要求16所述的方法，其中被注入到所述接觸區(qū)中的所述深能級施主選自由硒、硫和氮組成的組。
18.權(quán)利要求2所述的方法，還包括在注入所述第一摻雜劑原子之前在所述多晶硅層之上形成注入掩模，所述注入掩模暴露所述多晶硅電阻器區(qū)的預(yù)先限定子區(qū)域。
19.一種用于生產(chǎn)多晶硅電阻器器件的方法，包括: 形成多晶硅層； 在所述多晶硅層之上形成暴露所述多晶硅層的預(yù)先限定子區(qū)域的注入掩模； 通過所述注入掩模將摻雜劑原子注入到所述多晶硅層的所述預(yù)先限定子區(qū)域中；以及 創(chuàng)建所述摻雜劑原子的擴(kuò)散，其中所述摻雜劑原子至多在所述多晶硅層內(nèi)擴(kuò)散。
20.權(quán)利要求19所述的方法，其中所述摻雜劑原子至多在所述多晶硅層的一部分內(nèi)擴(kuò)散。
21.權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述多晶硅層包括形成所述多晶硅層作為未摻雜層。
22.權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述多晶硅層通過將多晶硅沉積在絕緣層之上來實現(xiàn)。
23.權(quán)利要求19所述的方法，其中所述預(yù)先限定子區(qū)域是在所述多晶硅層的中心區(qū)中的子區(qū)域。
24.權(quán)利要求19所述的方法，其中所述摻雜劑原子選自由磷原子和砷原子組成的組。
25.權(quán)利要求22所述的方法，其中所述摻雜劑原子選自不擴(kuò)散到所述絕緣層中的原子。
26.權(quán)利要求20所述的方法，其中所述摻雜劑原子的擴(kuò)散通過所述多晶硅層的至少所述一部分的退火來創(chuàng)建。
27.權(quán)利要求19所述的方法，其中所述摻雜劑原子包括深能級施主。
28.權(quán)利要求27所述的方法，其中所述深能級施主選自由硒、硫和氮組成的組。
【文檔編號】H01L21/02GK104517811SQ201410523353
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月8日
【發(fā)明者】T.格羅斯, H.格魯貝爾, W.伊爾巴赫爾, H-J.舒爾策, M.馮博爾克, M.聰?shù)聽? 申請人:英飛凌科技股份有限公司