本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體基片成膜工藝后降低顆粒的工藝方法及裝置，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展，器件向更微小型化發(fā)展，典型的特征尺寸已縮小至14nm，在器件尺寸的持續(xù)小型化的必然趨勢下，如何提高產(chǎn)品性能和成品率的關(guān)鍵因素—顆粒更成為行業(yè)需要解決的問題之一，顆粒主要來源于兩個方面：一是環(huán)境中的顆粒包括設(shè)備環(huán)境和設(shè)備以外的環(huán)境產(chǎn)生的顆粒，一是工藝過程中產(chǎn)生的顆粒。環(huán)境中產(chǎn)生的顆?？梢酝ㄟ^采用更潔凈的材料更合理的設(shè)計以及更高等級的無塵室等方法得到解決，工藝過程中產(chǎn)生的顆?？梢酝ㄟ^合理的工藝方法進行改進和降低。本工藝方法就是基于此目的通過成膜后增加氣體purge來降低顆粒的，提高器件的成品率，以適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)對顆粒越來越嚴格的要求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明以解決上述問題為目的，提供一種半導(dǎo)體基片成膜工藝后降低顆粒的工藝方法及裝置，該工藝方法是在半導(dǎo)體基片成膜工藝后增加氣體吹掃來降低顆粒的方法。所述方法為中低真空腔室內(nèi)，在基片成膜后的工藝程序中，使載物臺位于不同的位置同時進行氣體吹掃，從而降低顆粒的工藝方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體基片成膜工藝后降低顆粒的工藝方法，具體實現(xiàn)步驟如下：半導(dǎo)體基片成膜之后，在中低真空腔室內(nèi)，對半導(dǎo)體基片的氣體吹掃，分為兩個階段，第一階段將載物臺置于工藝位置，向腔室內(nèi)通入吹掃氣體，吹掃5-60s；第二階段將載物臺降到工藝位置之下35-55mm，向腔室內(nèi)通入吹掃氣體，吹掃5-60s；所述吹掃氣體為He，O₂，Ar，N₂中的一種或者幾種的氣體組合，并且上述吹掃氣體在氣態(tài)非等離子體狀態(tài)下不互相反應(yīng)。

所述氣體吹掃過程中的第一階段控壓2-5Torr，第二階段控壓2-5Torr或者不控壓。

所述吹掃氣體的流量在2000-10000sccm。

一種半導(dǎo)體基片成膜工藝后降低顆粒的裝置，該裝置包括載物臺，出氣孔，回氣孔；所述載物臺上方安裝多個出氣孔，環(huán)繞載物臺外部安裝回氣孔,半導(dǎo)體基片置于載物臺上，氣體通過出氣孔吹入工藝腔室，通過回氣孔流出工藝腔室。

所述載物臺上下發(fā)生位移，載物臺處于回氣孔的上方，載物臺上方來氣吹掃與載物臺位移同時發(fā)生。

本發(fā)明的有益效果是：本工藝方法是在半導(dǎo)體基片成膜工藝后，使載物臺在腔體的不同位置分別采用不同的控壓模式，利用氣體吹掃來降低顆粒的方法。在工藝位置采用控壓吹掃的模式可以有效地將成膜后基片表面的顆粒去除。第二階段將載物臺下移一定距離進行可控壓或者不控壓的模式，利用氣體吹掃，此階段的吹掃可以將工藝過程中產(chǎn) 生的副產(chǎn)物有效的去除，從而達到降低顆粒的目的。實踐過程中，實驗結(jié)果證實此方法可有效地降低基片成膜后表面的顆粒，提高工藝性能和器件的成品率。

附圖說明

圖1為載物臺處于工藝位置氣體吹掃的剖面圖；

圖2為載物臺處于低位氣體吹掃的剖面圖。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例進一步對本發(fā)明進行詳細說明，但發(fā)明保護內(nèi)容不局限于所述實施例：

實施例1

參考圖1與2，一種半導(dǎo)體成膜工藝后降低顆粒的工藝方法，具體實現(xiàn)步驟如下：半導(dǎo)體基片成膜之后，在中低真空腔室內(nèi)，對半導(dǎo)體基片的氣體吹掃，首先載物臺在工藝位置，通入吹掃氣體He氣4500sccm，O₂氣6000sccm，壓力2.8torr，進行吹掃10s；第二階段載物臺降到工藝位置之下55mm，通入吹掃氣體He氣4500sccm，O₂氣6000sccm，壓力2.8torr，進行吹掃10s，吹掃完成后繼續(xù)進行后續(xù)步驟。顆粒數(shù)值改善情況可參見表1，從表1中我們可以看出在半導(dǎo)體基片成膜后增加氣體吹掃后顆粒得到了有效的降低，提高工藝性能和器件的成品率。

表1基片成膜后增加氣體purge后wafer表面顆粒情況-控壓

實施例2

參考附圖1與2，一種半導(dǎo)體成膜工藝后降低顆粒的工藝方法，具體實現(xiàn)步驟如下：半導(dǎo)體基片成膜之后，在中低真空腔室內(nèi)，對半導(dǎo)體基片的氣體吹掃，首先載物臺在工藝位置，通入吹掃氣體He氣4500sccm，O₂氣6000sccm，壓力2.8torr，時間進行吹掃10s；第二階段載物臺降到工藝位置之下35mm，He氣4500sccm，O₂氣6000sccm，不控壓，時間為20s進行吹掃，吹掃完成后繼續(xù)進行后續(xù)步驟。顆粒數(shù)值改善情況可參見表2，從表2中我們可以看出在半導(dǎo)體基片成膜后增加氣體吹掃后顆粒得到了有效的降低，提高工藝性能和器件的成品率。

表2基片成膜后增加氣體purge后wafer表面顆粒情況-不控壓

如圖1和2所示,一種半導(dǎo)體基片成膜工藝后降低顆粒的裝置，該裝置包括載物臺1，出氣孔2，回氣孔3；所述載物臺1上方安裝多個出氣孔2，環(huán)繞載物臺1外部安裝回氣孔3,半導(dǎo)體基片4置于載物臺1上,吹掃氣體通過出氣孔2吹入工藝腔室，通過回氣孔3流出工藝腔室。

所述載物臺1上下發(fā)生位移，載物臺1處于回氣孔3的上方，載物臺1上方來氣吹掃與載物臺1位移同時發(fā)生。