本發(fā)明涉及密封用片。
背景技術(shù)：
：以往，已知有通過在被固定于基板等上的1個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片上配置密封用片，之后，在加熱下進(jìn)行加壓而將半導(dǎo)體芯片埋入到密封用片中的半導(dǎo)體裝置的制造方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2006-19714號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的課題在上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，通過密封用片流動(dòng)而半導(dǎo)體芯片被埋入密封用片中。然而，若密封用片的流動(dòng)性不足，則有可能在密封體的外周附近，產(chǎn)生空隙或填料偏析。本發(fā)明是鑒于上述的課題而進(jìn)行的，其目的在于提供在形成在密封用片中埋入有半導(dǎo)體芯片的密封體時(shí)能夠抑制產(chǎn)生空隙或填料偏析的密封用片。用于解決課題的方案本申請(qǐng)發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過采用下述的構(gòu)成，能夠解決上述的課題，從而完成本發(fā)明。即，本發(fā)明為一種密封用片，其特征在于，90℃下的粘度在1Pa·s～50000Pa·s的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明所述的密封用片，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，所以能夠?qū)雽?dǎo)體芯片適當(dāng)?shù)芈袢朊芊庥闷?。此外，由?0℃下的粘度為50000Pa·s以下，具有一定程度的流動(dòng)性，所以在形成的密封體的外周附近，能夠抑制產(chǎn)生空隙或填料偏析。此外，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，所以能夠以低壓將半導(dǎo)體芯片埋入密封用片中。因此，即使不使用用于施加高壓的大型的密封體形成用的裝置，也能夠以簡(jiǎn)便的裝置形成密封體。此外，由于90℃下的粘度為1Pa·s以上，所以能夠抑制因密封體形成時(shí)的壓力而構(gòu)成密封用片的樹脂沿片面方向大大流動(dòng)。在上述構(gòu)成中，在縱22cm×橫22cm的芯片層疊玻璃載體上，重疊切出成縱22cm×橫22cm的尺寸的密封用片后，以沖壓壓力1MPa、沖壓溫度90℃、沖壓時(shí)間120秒進(jìn)行平板沖壓時(shí)的尺寸的變化率以平板沖壓前作為基準(zhǔn)優(yōu)選為20％以下，所述縱22cm×橫22cm的芯片層疊玻璃載體以縱20個(gè)×橫20個(gè)、芯片安裝間隔(芯片的端與芯片的端的間隔)3mm安裝有縱7mm×橫7mm、厚度為200μm的半導(dǎo)體芯片。若上述尺寸變化率為20％以下，則能夠更加抑制因密封體形成時(shí)的壓力而構(gòu)成密封用片的樹脂沿片面方向大幅流動(dòng)。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在形成在密封用片中埋入有半導(dǎo)體芯片的密封體時(shí)能夠抑制產(chǎn)生空隙或填料偏析的密封用片。附圖說明圖1是本實(shí)施方式所述的密封用片的截面示意圖。圖2是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖3是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖4是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖5是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖6是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖7是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖8是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖9是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。圖10的(a)是用于說明在空隙評(píng)價(jià)中使用的芯片層疊玻璃載體的主視圖，(b)是其平面圖。具體實(shí)施方式以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明并不僅限定于以下的實(shí)施方式。(密封用片)圖1是本實(shí)施方式所述的密封用片的截面示意圖。密封用片40的90℃下的粘度優(yōu)選為在1Pa·s～50000Pa·s的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為10～35000Pa·s的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選為40～10000Pa·s的范圍內(nèi)。由于密封用片40的90℃下的粘度為50000Pa·s以下，所以能夠?qū)雽?dǎo)體芯片53(參照?qǐng)D2)適當(dāng)?shù)芈袢朊芊庥闷?0中。此外，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，具有一定程度的流動(dòng)性，所以在形成的密封體58(參照?qǐng)D4)的外周附近，能夠抑制產(chǎn)生空隙或填料偏析。此外，由于90℃下的粘度為50000Pa·s以下，所以能夠以低壓將半導(dǎo)體芯片53埋入密封用片40中。因此，即使不使用用于施加高壓的大型的密封體形成用的裝置，也能夠以簡(jiǎn)便的裝置形成密封體。此外，由于90℃下的粘度為1Pa·s以上，所以能夠抑制因密封體形成時(shí)的壓力而構(gòu)成密封用片40的樹脂沿片面方向大大流動(dòng)。作為將密封用片40的90℃下的粘度控制在上述數(shù)值范圍內(nèi)的方法，例如可列舉出控制有機(jī)成分的配合或填充材料添加量等。密封用片40在以縱20個(gè)×橫20個(gè)、芯片安裝間隔(芯片的端與芯片的端的間隔)3mm安裝有縱7mm×橫7mm、厚度200μm的半導(dǎo)體芯片的縱22cm×橫22cm的芯片層疊玻璃載體上，重疊切出成縱22cm×橫22cm的尺寸的密封用片后，以沖壓壓力1MPa、沖壓溫度90℃、沖壓時(shí)間120秒進(jìn)行平板沖壓時(shí)的尺寸的變化率以平板沖壓前作為基準(zhǔn)優(yōu)選為20％以下，更優(yōu)選為10～15％的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選為5～10％的范圍內(nèi)。若密封用片40的上述尺寸變化率為20％以下，則能夠更加抑制因密封體形成時(shí)的壓力而構(gòu)成密封用片的樹脂沿片面方向大大流動(dòng)。具體的尺寸變化率的測(cè)定方法基于實(shí)施例記載的方法。密封用片40的構(gòu)成材料優(yōu)選包含環(huán)氧樹脂、及作為固化劑的酚醛樹脂。由此，可以得到良好的熱固化性。作為上述環(huán)氧樹脂，沒有特別限定。例如可以使用三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚線型酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、改性雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、改性雙酚F型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、線型酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、苯氧基樹脂等各種環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上并用。從確保環(huán)氧樹脂的固化后的韌性及環(huán)氧樹脂的反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為環(huán)氧當(dāng)量為150～250、軟化點(diǎn)或熔點(diǎn)為50～130℃的在常溫下為固體的環(huán)氧樹脂，其中，從可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選為三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚線型酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂。上述酚醛樹脂只要是在與環(huán)氧樹脂之間發(fā)生固化反應(yīng)的樹脂則沒有特別限定。例如可以使用線型酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯(lián)苯芳烷基樹脂、二環(huán)戊二烯型酚醛樹脂、甲酚線型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂等。這些酚醛樹脂可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上并用。作為上述酚醛樹脂，從與環(huán)氧樹脂的反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用羥基當(dāng)量為70～250、軟化點(diǎn)為50～110℃的酚醛樹脂，其中從固化反應(yīng)性高的觀點(diǎn)出發(fā)，可以適當(dāng)?shù)厥褂镁€型酚醛清漆樹脂。此外，從可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，也可以適當(dāng)?shù)厥褂帽椒臃纪榛鶚渲蚵?lián)苯芳烷基樹脂那樣的低吸濕性的酚醛樹脂。關(guān)于環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，從固化反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選以相對(duì)于環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基1當(dāng)量使酚醛樹脂中的羥基的合計(jì)成為0.7～1.5當(dāng)量的方式配合，更優(yōu)選為0.9～1.2當(dāng)量。密封用片40中的環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂的合計(jì)含量?jī)?yōu)選為2.5重量％以上，更優(yōu)選為3.0重量％以上。若為2.5重量％以上，則可以良好地得到相對(duì)于半導(dǎo)體芯片53的粘接力。密封用片40中的環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂的合計(jì)含量?jī)?yōu)選為20重量％以下，更優(yōu)選為10重量％以下。若為20重量％以下，則能夠降低吸濕性。密封用片40也可以包含熱塑性樹脂。由此，可以得到未固化時(shí)的處理性、固化物的低應(yīng)力性。作為上述熱塑性樹脂，可列舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。這些熱塑性樹脂可以單獨(dú)使用，或?qū)?種以上并用。其中，從低應(yīng)力性、低吸水性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。密封用片40中的熱塑性樹脂的含量可以設(shè)定為1.5重量％以上、2.0重量％以上。若為1.5重量％以上，則可以得到柔軟性、可撓曲性。密封用片40中的熱塑性樹脂的含量?jī)?yōu)選為6重量％以下，更優(yōu)選為4重量％以下。若為4重量％以下，則與半導(dǎo)體芯片53的粘接性良好。密封用片40優(yōu)選包含無機(jī)填充劑。上述無機(jī)填充劑沒有特別限定，可以使用以往公知的各種填充劑，例如可列舉出石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅或結(jié)晶性二氧化硅等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮化硼的粉末。它們可以單獨(dú)使用，也可以將2種以上并用。其中，從能夠良好地降低線膨脹系數(shù)的理由出發(fā)，優(yōu)選為二氧化硅、氧化鋁，更優(yōu)選為二氧化硅。作為二氧化硅，優(yōu)選為二氧化硅粉末，更優(yōu)選為熔融二氧化硅粉末。作為熔融二氧化硅粉末，可列舉出球狀熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，從流動(dòng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為球狀熔融二氧化硅粉末。其中，優(yōu)選為平均粒徑為1～30μm的范圍的粉末，更優(yōu)選為3～25μm的范圍的粉末。另外，平均粒徑例如可以通過使用從母集團(tuán)任意地抽出的試樣、并使用激光衍射散射式粒度分布測(cè)定裝置進(jìn)行測(cè)定而導(dǎo)出。密封用片40中的上述無機(jī)填充劑的含量相對(duì)于密封用片40整體優(yōu)選為75～95重量％，更優(yōu)選為78～95重量％。若上述無機(jī)填充劑的含量相對(duì)于密封用片40整體為75重量％以上，則通過較低抑制熱膨脹率，能夠抑制由熱沖擊引起的機(jī)械破壞。另一方面，若上述無機(jī)填充劑的含量相對(duì)于密封用片40整體為95重量％以下，則柔軟性、流動(dòng)性、粘接性變得更加良好。密封用片40優(yōu)選包含固化促進(jìn)劑。作為固化促進(jìn)劑，只要是使環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的固化進(jìn)行的物質(zhì)，則沒有特別限定，例如可列舉出三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸酯等有機(jī)磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，從即使混煉時(shí)的溫度上升也不會(huì)使固化反應(yīng)急劇地推進(jìn)、可以良好地制作密封用片40的理由出發(fā)，優(yōu)選2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑。固化促進(jìn)劑的含量相對(duì)于環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂的合計(jì)100重量份優(yōu)選為0.1～5重量份。密封用片40也可以包含阻燃劑成分。由此，能夠降低因部件短路或放熱等而著火時(shí)的燃燒擴(kuò)大。作為阻燃劑組成分，例如可以使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、復(fù)合化金屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物；磷腈系阻燃劑等。密封用片40優(yōu)選包含硅烷偶聯(lián)劑。作為硅烷偶聯(lián)劑，沒有特別限定，可列舉出3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等。密封用片40中的硅烷偶聯(lián)劑的含量?jī)?yōu)選為0.1～3重量％。若為0.1重量％以上，則可以充分地得到固化物的強(qiáng)度，可以降低吸水率。若為3重量％以下，則可以降低排氣量。密封用片40優(yōu)選被著色。由此，能夠發(fā)揮優(yōu)異的標(biāo)記性及外觀性，能夠制成具有附加價(jià)值的外觀的半導(dǎo)體裝置。經(jīng)著色的密封用片40由于具有優(yōu)異的標(biāo)記性，所以可以實(shí)施標(biāo)記，賦予文字信息或圖形信息等各種信息。特別是通過控制著色的顏色，能夠以優(yōu)異的視覺辨認(rèn)性來視覺辨認(rèn)通過標(biāo)記賦予的信息(文字信息、圖形信息等)。進(jìn)而，密封用片40也可以按照制品來分色。在使密封用片40有色的情況下(并非無色·透明的情況)，作為通過著色而呈現(xiàn)出的顏色，沒有特別限制，例如優(yōu)選為黑色、藍(lán)色、紅色等濃色，特別適宜為黑色。在將密封用片40著色時(shí)，可以根據(jù)目標(biāo)顏色而使用色材(著色劑)。作為這樣的色材，可以適當(dāng)?shù)厥褂煤谙瞪摹⑺{(lán)系色材、紅系色材等各種濃色系色材，黑系色材特別適合。作為色材，可以是顏料、染料等中的任一種。色材可以單獨(dú)使用或?qū)?種以上組合使用。另外，作為染料，無論是酸性染料、反應(yīng)染料、直接染料、分散染料、陽(yáng)離子染料等哪種形態(tài)的染料均可以使用。此外，顏料的形態(tài)也沒有特別限制，可以從公知的顏料中適當(dāng)?shù)剡x擇使用。另外，在密封用片40中，除了上述的各成分以外，根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其他的添加劑。密封用片40的厚度沒有特別限定，從作為密封用片使用的觀點(diǎn)、及在埋入工序(后述的工序D)后能夠?qū)雽?dǎo)體芯片53適當(dāng)?shù)芈袢氲挠^點(diǎn)出發(fā)，例如設(shè)定為50μm～2000μm、優(yōu)選70μm～1200μm、更優(yōu)選100μm～700μm。密封用片40的制造方法沒有特別限定，但優(yōu)選制備用于形成密封用片40的樹脂組合物的混煉物并涂裝所得到的混煉物的方法、將所得到的混煉物塑性加工為片狀的方法。由此，可以不使用溶劑地制作密封用片40，所以能夠抑制半導(dǎo)體芯片53因揮發(fā)的溶劑而受到影響。具體而言，通過將各成分用混合輥、加壓式捏合機(jī)、擠出機(jī)等的公知的混煉機(jī)進(jìn)行熔融混煉而制備混煉物，并將所得到的混煉物利用涂裝或塑性加工制成片狀。作為混煉條件，溫度優(yōu)選為上述的各成分的軟化點(diǎn)以上，例如為30～150℃，若考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性，則優(yōu)選為40～140℃，進(jìn)一步優(yōu)選為60～120℃下。時(shí)間例如為1～30分鐘，優(yōu)選為5～15分鐘。混煉優(yōu)選在減壓條件下(減壓氣氛下)進(jìn)行。由此，能夠脫氣，同時(shí)能夠防止氣體向混煉物中的侵入。減壓條件下的壓力優(yōu)選為0.1kg/cm2以下，更優(yōu)選為0.05kg/cm2以下。減壓下的壓力的下限沒有特別限定，例如為1×10-4kg/cm2以上。在涂裝混煉物而形成密封用片40的情況下，熔融混煉后的混煉物優(yōu)選不進(jìn)行冷卻而保持高溫狀態(tài)不變地進(jìn)行涂裝。作為涂裝方法，沒有特別限制，可列舉出棒涂法、刮刀涂布法，狹縫式模涂法等。作為涂裝時(shí)的溫度，優(yōu)選為上述的各成分的軟化點(diǎn)以上，若考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性及成形性，則例如為40～150℃，優(yōu)選為50～140℃，進(jìn)一步優(yōu)選為70～120℃下。在將混煉物進(jìn)行塑性加工而形成密封用片40的情況下，熔融混煉后的混煉物優(yōu)選不進(jìn)行冷卻而保持高溫狀態(tài)不變地進(jìn)行塑性加工。作為塑性加工方法，沒有特別限制，可列舉出平板沖壓法、T型模擠出法、螺桿模擠出法、輥壓延法、輥混煉法、吹塑擠出法、共擠出法、壓延成形法等等。作為塑性加工溫度，優(yōu)選為上述的各成分的軟化點(diǎn)以上，若考慮環(huán)氧樹脂的熱固化性及成形性，則例如為40～150℃，優(yōu)選為50～140℃，進(jìn)一步優(yōu)選為70～120℃下。另外，密封用片40也可以如下得到：在適當(dāng)?shù)娜軇┲腥芙庥糜谛纬擅芊庥闷?0的樹脂等，使其分散而制備清漆，將該清漆涂裝而得到。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)對(duì)本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，以下參照?qǐng)D2～圖9進(jìn)行說明。圖2～圖9是用于說明本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面示意圖。以下，首先對(duì)被稱為所謂的Fan-out(扇出)型晶圓級(jí)封裝(WLP)的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法至少包含：準(zhǔn)備在臨時(shí)固定材料上臨時(shí)固定有半導(dǎo)體芯片的層疊體的工序A；準(zhǔn)備密封用片的工序B；將上述密封用片配置在上述層疊體的上述半導(dǎo)體芯片上的工序C；和將上述半導(dǎo)體芯片埋入上述密封用片中，形成在上述密封用片中埋入有上述半導(dǎo)體芯片的密封體的工序D。[層疊體準(zhǔn)備工序]如圖2中所示的那樣，在本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備在臨時(shí)固定材料60上臨時(shí)固定有半導(dǎo)體芯片53的層疊體50(工序A)。層疊體50例如通過以下的臨時(shí)固定材料準(zhǔn)備工序和半導(dǎo)體芯片臨時(shí)固定工序而得到。<臨時(shí)固定材料準(zhǔn)備工序>在臨時(shí)固定材料準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備在支承基材60b上層疊有熱膨脹性粘合劑層60a的臨時(shí)固定材料60(參照?qǐng)D2)。另外，也可以代替熱膨脹性粘合劑層，而使用放射線固化型粘合劑層。本實(shí)施方式中，對(duì)具備熱膨脹性粘合劑層的臨時(shí)固定材料60進(jìn)行說明。但是，關(guān)于在支承基材上層疊有熱膨脹性粘合劑層的臨時(shí)固定材料，由于在日本特開2014-015490號(hào)公報(bào)等中有詳細(xì)記載，所以以下，進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。(熱膨脹性粘合劑層)熱膨脹性粘合劑層60a可以通過包含聚合物成分和發(fā)泡劑的粘合劑組合物而形成。作為聚合物成分(特別是基礎(chǔ)聚合物)，可以適當(dāng)?shù)厥褂帽┧嵯稻酆衔?有時(shí)稱為“丙烯酸聚合物A”)。作為丙烯酸聚合物A，可列舉出以(甲基)丙烯酸酯作為主單體成分的聚合物。作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉出(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子數(shù)為1～30、特別是碳原子數(shù)為4～18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊基酯、環(huán)己基酯等)等。這些(甲基)丙烯酸酯可以單獨(dú)使用或?qū)?種以上并用。另外，上述丙烯酸聚合物A中，為了凝聚力、耐熱性、交聯(lián)性等的改性，根據(jù)需要，也可以包含與能夠與上述(甲基)丙烯酸酯共聚的其它單體成分對(duì)應(yīng)的單元。丙烯酸聚合物A的重均分子量沒有特別限制，但優(yōu)選為35萬(wàn)～100萬(wàn)，更優(yōu)選為45萬(wàn)～80萬(wàn)左右。熱膨脹性粘合劑層60a如上述那樣含有用于賦予熱膨脹性的發(fā)泡劑。因此，以在臨時(shí)固定材料60的熱膨脹性粘合劑層60a上形成有密封體58的狀態(tài)(參照?qǐng)D5)，在任意時(shí)候?qū)⑴R時(shí)固定材料60至少部分地進(jìn)行加熱，使該加熱后的熱膨脹性粘合劑層60a的部分中含有的發(fā)泡劑發(fā)泡和/或膨脹，從而熱膨脹性粘合劑層60a至少部分地發(fā)生膨脹，利用該熱膨脹性粘合劑層60a的至少部分的膨脹，與該膨脹后的部分對(duì)應(yīng)的粘合面(與密封體58的界面)以凹凸?fàn)畎l(fā)生變形，該熱膨脹性粘合劑層60a與密封體58的粘接面積減少，由此，兩者間的粘接力減少，能夠使密封體58從臨時(shí)固定材料60上剝離(參照?qǐng)D6)。(發(fā)泡劑)作為熱膨脹性粘合劑層60a中使用的發(fā)泡劑，沒有特別限制，可以從公知的發(fā)泡劑中適當(dāng)選擇。發(fā)泡劑可以單獨(dú)使用或?qū)?種以上組合使用。作為發(fā)泡劑，可以適當(dāng)?shù)厥褂脽崤蛎浶晕⑿∏颉?熱膨脹性微小球)作為熱膨脹性微小球，沒有特別限制，可以從公知的熱膨脹性微小球(各種無機(jī)系熱膨脹性微小球、或有機(jī)系熱膨脹性微小球等)中適當(dāng)選擇。作為熱膨脹性微小球，從混合操作容易的觀點(diǎn)等出發(fā)，可以適當(dāng)?shù)厥褂媒?jīng)微囊化的發(fā)泡劑。作為這樣的熱膨脹性微小球，例如可列舉出將異丁烷、丙烷、戊烷等通過加熱而容易氣化并膨脹的物質(zhì)內(nèi)包于具有彈性的殼內(nèi)的微小球等。上述殼大多由熱熔融性物質(zhì)或通過熱膨脹而破壞的物質(zhì)形成。作為形成上述殼的物質(zhì)，例如可列舉出偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯基醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。熱膨脹性粘合劑層的厚度沒有特別限制，可以根據(jù)粘接力的降低性等而適當(dāng)?shù)剡x擇，例如為5μm～300μm(優(yōu)選為20μm～150μm)左右。另外，熱膨脹性粘合劑層可以為單層、多層的任一種。本實(shí)施方式中，在熱膨脹性粘合劑層中，也可以包含各種添加劑(例如著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、粘合賦予劑、增塑劑、防老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。(支承基材)支承基材60b為成為臨時(shí)固定材料60的強(qiáng)度母體的薄板狀構(gòu)件。作為支承基材60b的材料，只要考慮處理性或耐熱性等而適當(dāng)選擇即可，例如可以使用SUS等金屬材料、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚醚酮、聚醚砜等塑料材料、玻璃或硅晶片等。它們中，從耐熱性或強(qiáng)度、可再利用性等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選SUS板。支承基材60b的厚度可以考慮目標(biāo)強(qiáng)度或處理性而適當(dāng)選擇，優(yōu)選為100～5000μm，更優(yōu)選為300～2000μm。(臨時(shí)固定材料的形成方法)臨時(shí)固定材料60可以通過在支承基材60b上形成熱膨脹性粘合劑層60a而得到。熱膨脹性粘合劑層例如可以利用將粘合劑、發(fā)泡劑(熱膨脹性微小球等)、和根據(jù)需要使用的溶劑或其他添加劑等混合、并形成為片狀的層的慣用的方法來形成。具體而言，例如可以通過將包含粘合劑、發(fā)泡劑(熱膨脹性微小球等)、及根據(jù)需要使用的溶劑或其他添加劑的混合物涂布到支承基材60b上的方法、在適當(dāng)?shù)母羝?剝離紙等)上涂布上述混合物而形成熱膨脹性粘合劑層并將其轉(zhuǎn)印(轉(zhuǎn)移)到支承基材60b上的方法等來形成熱膨脹性粘合劑層。(熱膨脹性粘合劑層的熱膨脹方法)本實(shí)施方式中，熱膨脹性粘合劑層可以通過加熱而熱膨脹。作為加熱處理方法，例如可以利用熱板、熱風(fēng)干燥機(jī)、近紅外線燈、空氣干燥機(jī)等適宜的加熱單元來進(jìn)行。加熱處理時(shí)的加熱溫度只要為熱膨脹性粘合劑層中的發(fā)泡劑(熱膨脹性微小球等)的發(fā)泡開始溫度(熱膨脹開始溫度)以上即可，加熱處理的條件可以根據(jù)由發(fā)泡劑(熱膨脹性微小球等)的種類等引起的粘接面積的減少性、包含支承基材、半導(dǎo)體芯片的密封體等的耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱單元等)等而適當(dāng)設(shè)定。作為一般的加熱處理?xiàng)l件，溫度為100℃～250℃下、1秒鐘～90秒鐘(熱板等)或5分鐘～15分鐘(熱風(fēng)干燥機(jī)等)。另外，加熱處理可以根據(jù)使用目的而在適宜的階段進(jìn)行。此外，作為加熱處理時(shí)的熱源，有時(shí)也可以使用紅外線燈或加熱水。<半導(dǎo)體芯片臨時(shí)固定工序>在半導(dǎo)體芯片臨時(shí)固定工序中，在所準(zhǔn)備的臨時(shí)固定材料60上以其電路形成面53a與臨時(shí)固定材料60相對(duì)的方式配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片53，并進(jìn)行臨時(shí)固定(參照?qǐng)D2)。在半導(dǎo)體芯片53的臨時(shí)固定中，可以使用倒裝片接合機(jī)或芯片接合機(jī)等公知的裝置。半導(dǎo)體芯片53的配置的布局或配置數(shù)目可以根據(jù)臨時(shí)固定材料60的形狀或尺寸、目標(biāo)封裝的生產(chǎn)數(shù)目等而適當(dāng)設(shè)定，例如，可以以多行、且多列的矩陣狀排列而配置。作為層疊體50(臨時(shí)固定材料60)的俯視中的形狀及尺寸，沒有特別限定，例如可以設(shè)為各邊的長(zhǎng)度分別為300mm以上的矩形、或各邊的長(zhǎng)度分別為500mm以上的矩形。以上，示出了層疊體準(zhǔn)備工序的一個(gè)例子。[準(zhǔn)備密封用片的工序]此外，在本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，如圖1中所示的那樣，準(zhǔn)備密封用片40(工序B)。密封用片40也可以以層疊于聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等剝離襯里41上的狀態(tài)準(zhǔn)備。[配置密封用片和層疊體的工序]在準(zhǔn)備密封用片的工序之后，如圖3中所示的那樣，在下側(cè)加熱板62上使臨時(shí)固定有半導(dǎo)體芯片53的面朝上地配置層疊體50，同時(shí)在層疊體50的臨時(shí)固定有半導(dǎo)體芯片53的面上配置密封用片40(工序C)。在該工序中，可以在下側(cè)加熱板62上首先配置層疊體50，之后，在層疊體50上配置密封用片40，也可以在層疊體50上先層疊密封用片40，之后，將層疊體50與密封用片40層疊而成的層疊物配置在下側(cè)加熱板62上。[形成密封體的工序]接著，如圖4中所示的那樣，利用下側(cè)加熱板62和上側(cè)加熱板64進(jìn)行熱壓，將半導(dǎo)體芯片53埋入密封用片40中，形成在密封用片40中埋入有半導(dǎo)體芯片53的密封體58(工序D)。密封用片40會(huì)作為用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片53及其附帶的要素免受外部環(huán)境的密封樹脂發(fā)揮功能。由此，可以得到臨時(shí)固定于臨時(shí)固定材料60上的半導(dǎo)體芯片53埋入密封用片40中的密封體58。具體而言，作為將半導(dǎo)體芯片53埋入密封用片40中時(shí)的熱壓條件，溫度優(yōu)選為40～150℃，更優(yōu)選為60～120℃下，壓力例如為0.1～10MPa，優(yōu)選為0.5～8MPa，時(shí)間例如為0.3～10分鐘，優(yōu)選為0.5～5分鐘。此外，作為熱壓方法，可列舉出平行平板沖壓或輥沖壓。其中，優(yōu)選平行平板沖壓。其中，本實(shí)施方式中，使用90℃下的粘度為50000Pa·s以下的密封用片40。因此，與以往相比能夠以低壓將半導(dǎo)體芯片53埋入密封用片40中。因此，即使是上述數(shù)值范圍中的特別是5MPa以下、3MPa以下、1.5MPa以下、0.75MPa以下這樣的低壓，也能夠?qū)雽?dǎo)體芯片53適當(dāng)?shù)芈袢朊芊庥闷?0中。由此，能夠得到在密封用片40中埋入有半導(dǎo)體芯片53的半導(dǎo)體裝置。此外，若考慮密封用片40的與半導(dǎo)體芯片53及臨時(shí)固定材料60的密合性及追隨性的提高，則優(yōu)選在減壓條件下進(jìn)行沖壓。作為上述減壓條件，壓力例如為0.1～5kPa，優(yōu)選為0.1～100Pa，減壓保持時(shí)間(從減壓開始至沖壓開始為止的時(shí)間)例如為5～600秒，優(yōu)選為10～300秒。[剝離襯里剝離工序]接著，將剝離襯里41剝離(參照?qǐng)D5)。[熱固化工序]接著，使密封用片40熱固化。具體而言，例如，將臨時(shí)固定于臨時(shí)固定材料60上的半導(dǎo)體芯片53被埋入密封用片40中的密封體58整體進(jìn)行加熱。作為熱固化處理的條件，加熱溫度優(yōu)選為100℃以上，更優(yōu)選為120℃以上。另一方面，加熱溫度的上限優(yōu)選為200℃以下，更優(yōu)選為180℃以下。加熱時(shí)間優(yōu)選為10分鐘以上，更優(yōu)選為30分鐘以上。另一方面，加熱時(shí)間的上限優(yōu)選為180分鐘以下，更優(yōu)選為120分鐘以下。此外，根據(jù)需要也可以進(jìn)行加壓，優(yōu)選為0.1MPa以上，更優(yōu)選為0.5MPa以上。另一方面，上限優(yōu)選為10MPa以下，更優(yōu)選為5MPa以下。[熱膨脹性粘合劑層剝離工序]接著，如圖6中所示的那樣，通過將臨時(shí)固定材料60進(jìn)行加熱而使熱膨脹性粘合劑層60a熱膨脹，從而在熱膨脹性粘合劑層60a與密封體58之間進(jìn)行剝離。或者，也可以適當(dāng)?shù)夭捎靡韵虏襟E：在支承基材60b與熱膨脹性粘合劑層60a的界面進(jìn)行剝離，之后，在熱膨脹性粘合劑層60a與密封體58的界面進(jìn)行利用熱膨脹的剝離。在任一情況下，通過將熱膨脹性粘合劑層60a加熱使其熱膨脹而使其粘合力降低，能夠容易地進(jìn)行熱膨脹性粘合劑層60a與密封體58的界面的剝離。作為熱膨脹的條件，可以適當(dāng)?shù)夭捎蒙鲜龅摹盁崤蛎浶哉澈蟿拥臒崤蛎浄椒ā钡臋诘臈l件。特別是熱膨脹性粘合劑層優(yōu)選為在上述熱固化工序中的加熱中不剝離、而在該熱膨脹性粘合劑層剝離工序中的加熱中剝離的構(gòu)成。[將密封用片進(jìn)行磨削的工序]接著，根據(jù)需要，如圖7中所示的那樣，將密封體58的密封用片40進(jìn)行磨削而使半導(dǎo)體芯片53的背面53c顯現(xiàn)出。作為將密封用片40進(jìn)行磨削的方法，沒有特別限定，例如可列舉出使用高速旋轉(zhuǎn)的砂輪的磨削法。(再布線形成工序)本實(shí)施方式中，優(yōu)選進(jìn)一步包含在密封體58的半導(dǎo)體芯片53的電路形成面53a上形成再布線69的再布線形成工序。在再布線形成工序中，在上述臨時(shí)固定材料60的剝離后，在密封體58上形成與上述露出的半導(dǎo)體芯片53連接的再布線69(參照?qǐng)D8)。作為再布線的形成方法，例如可以在露出的半導(dǎo)體芯片53上利用真空成膜法等公知的方法形成金屬種子層，利用半加成法等公知的方法形成再布線69。然后，也可以在再布線69及密封體58上形成聚酰亞胺或PBO等絕緣層。(凸塊形成工序)接著，也可以進(jìn)行在所形成的再布線69上形成凸塊67的凸塊加工(參照?qǐng)D8)。凸塊加工可以通過焊料球或焊料鍍覆等公知的方法來進(jìn)行。(切割工序)最后，進(jìn)行包含半導(dǎo)體芯片53、密封用片40及再布線69等要素的層疊體的切割(參照?qǐng)D9)。由此，能夠得到將布線引出到芯片區(qū)域的外側(cè)的半導(dǎo)體裝置59。在上述的實(shí)施方式中，對(duì)“層疊體”為“在臨時(shí)固定材料60上臨時(shí)固定有半導(dǎo)體芯片53的層疊體50”的情況進(jìn)行了說明。然而，本發(fā)明中的“層疊體”并不限定于該例，只要是在具有一定程度的強(qiáng)度的支承體上固定有半導(dǎo)體芯片的層疊體即可。即，“層疊體”只要為“在支承體上固定有半導(dǎo)體芯片的層疊體”即可。作為本發(fā)明中的“層疊體”的其他例子，例如可列舉出“半導(dǎo)體芯片被倒裝芯片接合在半導(dǎo)體晶片的電路形成面上的層疊體”(所謂的ChiponWafer)、“半導(dǎo)體芯片被搭載于有機(jī)基板上的層疊體”。[實(shí)施例]以下，關(guān)于本發(fā)明使用實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，本發(fā)明只要不超出其主旨，則并不限定于以下的實(shí)施例。此外，各例中，份只要沒有特別記載均為重量基準(zhǔn)。(制造例1)<密封用片的制作>通過按照下述的[制造例1的配方]的配合比，將各成分配合，并混煉后進(jìn)行片化，制作了厚度為300μm的密封用片A。[制造例1的配方]環(huán)氧樹脂1(新日鐵化學(xué)(株)制的YSLV-80XY)：25.8份環(huán)氧樹脂2(三菱化學(xué)社制的Epikote828)：23.0份酚醛樹脂3(明和化成社制的MEH-7800)：51.4份熱塑性樹脂2(NagaseChemteXCorporation制的SG-P3)：45.2份無機(jī)填充劑3(Admatechs制的SO-25R(球狀二氧化硅))：1356.7份硅烷偶聯(lián)劑1(信越化學(xué)社制的KBM-403)：1.4份顏料1(三菱化學(xué)社制的#20)：4.5份固化促進(jìn)劑1(四國(guó)化成工業(yè)社制的2PHZ-PW)：1.0份對(duì)制造例2～3中使用的成分進(jìn)行說明。環(huán)氧樹脂1：新日鐵化學(xué)(株)制的YSLV-80XY(雙酚F型環(huán)氧樹脂、環(huán)氧基當(dāng)量為200g/ep.軟化點(diǎn)為80℃)酚醛樹脂1：明和化成社制的MEH-7851-SS(具有聯(lián)苯芳烷基骨架的酚醛樹脂、羥基當(dāng)量為203g/eq.軟化點(diǎn)為67℃)熱塑性樹脂1：MITSUBISHIRAYONCo.,Ltd.制的J-5800(丙烯酸橡膠系應(yīng)力緩和劑)無機(jī)填充劑1：電氣化學(xué)社制的FB9454(填料)硅烷偶聯(lián)劑1：信越化學(xué)社制的KBM-403(3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)顏料1(炭黑)：三菱化學(xué)社制的#20(粒徑50nm)固化促進(jìn)劑1：四國(guó)化成工業(yè)社制的2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑)(制造例2)<密封用片的制作>通過按照表1中記載的配合比，將各成分配合，并混煉后進(jìn)行片化，制作了厚度為300μm的密封用片B。(制造例3)<密封用片的制作>通過按照表1中記載的配合比，將各成分配合，并混煉后進(jìn)行片化，制作了厚度為300μm的密封用片C。[表1]制造例2制造例3密封用片密封用片B密封用片C環(huán)氧樹脂1(份)48.648.6酚醛樹脂1(份)51.451.4熱塑性樹脂1(份)44.924.4無機(jī)填充劑1(份)1097.3943.5硅烷偶聯(lián)劑1(份)1.10.9顏料1(份)3.73.2固化促進(jìn)劑1(份)1.01.0(制造例4)<密封用片的制作>通過按照下述的[制造例4的配方]的配合比，將各成分配合，并混煉后進(jìn)行片化，制作了厚度為300μm的密封用片D。[制造例4的配合]環(huán)氧樹脂1(新日鐵化學(xué)(株)制的YSLV-80XY)：34.9份環(huán)氧樹脂2(三菱化學(xué)社制的828)：33.8份酚醛樹脂2(明和化成社制的MEH-7500-3S)：31.3份無機(jī)填充劑2(電氣化學(xué)工業(yè)(株)制的5SDC)：542.3份無機(jī)填充劑3(Admatechs制的SO-25R(球狀二氧化硅))：144.2份硅烷偶聯(lián)劑1(信越化學(xué)社制的KBM-403)：0.7份顏料1(三菱化學(xué)社制的#20)：2.4份固化促進(jìn)劑1(四國(guó)化成工業(yè)社制的2PHZ-PW)：1.0份(粘度的測(cè)定)使用粘彈性測(cè)定裝置ARES(RheometricScientificInc.制)測(cè)定各樣品(密封用片A～D)的90℃下的粘度。測(cè)定條件如下所述。將結(jié)果示于表2中。<測(cè)定條件>平行板：8mmφ、頻率：1Hz應(yīng)變：5％90℃恒溫測(cè)定測(cè)定時(shí)間：5分鐘(尺寸變化率的測(cè)定)對(duì)密封用片A～D測(cè)定尺寸變化率。具體而言，首先，將密封用片切出成縱22cm×橫22cm的尺寸。此外，準(zhǔn)備以縱20個(gè)×橫20個(gè)、芯片安裝間隔(芯片的端與芯片的端的間隔)3mm安裝有縱7mm×橫7mm、厚度為200μm的半導(dǎo)體芯片的縱22cm×橫22cm的芯片層疊玻璃載體。接著，在所準(zhǔn)備的芯片層疊玻璃載體上，重疊切出的密封用片后，以沖壓壓力1MPa、沖壓溫度90℃、沖壓時(shí)間120秒進(jìn)行平板沖壓，測(cè)量與密封用片的一邊平行、并且通過密封用片的中央的線上的密封用片的長(zhǎng)度(尺寸)。以密封前(平板沖壓前)作為基準(zhǔn)求出尺寸的變化率。將尺寸的變化率以平板沖壓前作為基準(zhǔn)為20％以下的情況評(píng)價(jià)為〇，將大于20％的情況評(píng)價(jià)為×。將結(jié)果示于表2中。另外，將變化率的基準(zhǔn)設(shè)定為20％的理由是：若為20％以下，則在密封體的外周附近，難以產(chǎn)生空隙或填料偏析。[表2]90℃下的粘度(Pa·s)尺寸變化率(％)尺寸變化率評(píng)價(jià)密封用片A350001○密封用片B36003○密封用片C8008○密封用片D4012○(空隙、及填料偏析評(píng)價(jià))圖10(a)為用于說明在空隙評(píng)價(jià)中使用的芯片層疊玻璃載體的正面圖，圖10(b)為其平面圖。首先，準(zhǔn)備縱50mm×橫50mm×厚7mm的玻璃板。接著，在玻璃板上以縱3個(gè)×橫3個(gè)配置芯片，制成芯片層疊玻璃載體(參照?qǐng)D10(a)及圖10(b))。芯片使用縱7mm×橫7mm×厚200μm的芯片A、縱7mm×橫7mm×厚500μm的芯片B、縱7mm×橫7mm×厚780μm的芯片C這3種。此外，芯片的配置間隔(圖10(b)中的X)設(shè)定為0.1mm、1mm、3mm、5mm的4種圖案。關(guān)于芯片的種類與芯片間隔的組合，示于表3中。[表3]在所準(zhǔn)備的芯片層疊玻璃載體上，配置所準(zhǔn)備的密封用片，使用真空沖壓裝置(商品名“VACUUMACE”、MikadoTechnosCo.，Ltd.制)進(jìn)行熱壓，得到密封體。改變芯片層疊玻璃載體與密封用片與熱壓時(shí)的壓力的組合，進(jìn)行熱壓。將芯片層疊玻璃載體與密封用片與熱壓時(shí)的壓力的組合示于表4～表6中。另外，除熱壓時(shí)的壓力以外的條件均設(shè)定為：真空度10Pa、沖壓溫度90℃、沖壓時(shí)間120秒。之后，通過利用目視及顯微鏡的表面觀察或截面觀察確認(rèn)空隙、及填料偏析。其結(jié)果是，將沒有觀察到空隙及填料偏析的情況評(píng)價(jià)為〇，將觀察到空隙、填料偏析中的至少某一者的情況評(píng)價(jià)為×。將結(jié)果示于表4～表6中。[表4][表5][表6]符號(hào)的說明40密封用片50層疊體53半導(dǎo)體芯片58密封體59半導(dǎo)體裝置60臨時(shí)固定材料當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3