1.一種鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體，該鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體具有包含碳化硅和鋁合金的平板狀的復(fù)合化部，和在復(fù)合化部的兩板面設(shè)置的包含鋁合金的鋁層，在一個板面安裝電路基板，另一個板面用作散熱面，其特征在于，散熱面?zhèn)鹊膹?fù)合化部的板面為凸型的翹曲的形狀，散熱面?zhèn)鹊匿X層為凸型的翹曲的形狀，相對的外周面的短邊中央的厚度的平均(Ax)與板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)為0.91≤Ax/B≤1.00，相對的外周面的長邊中央的厚度的平均(Ay)與板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)為0.94≤Ay/B≤1.00。
2.如權(quán)利要求1所述的鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體，其特征在于，安裝了電路基板時的所述外周面的短邊方向上的基于10cm的翹曲量Cx為-10μm≤Cx≤30μm，安裝了電路基板時的所述外周面的長邊方向上的基于10cm的翹曲量Cy為-10μm≤Cy≤40μm。
3.如權(quán)利要求1所述的鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體，其特征在于，所述外周面的短邊和長邊的長度相等，相對的外周面的邊中央的厚度的平均(A)與板面的中心部的厚度(B)之比(A/B)為0.91≤A/B≤1.00。
4.如權(quán)利要求1-3中的任一項所述的鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體，其特征在于，待安裝所述電路基板的面的鋁層的平均厚度為0.1mm～0.3mm，該面內(nèi)的鋁層的厚度差為0.1mm以內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1-4中的任一項所述的鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體，其特征在于，待安裝所述電路基板的面的鋁層的平均厚度與散熱面的鋁層的平均厚度之差為較厚的鋁層的平均厚度的50％以下。
6.如權(quán)利要求1-5中的任一項所述的鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體，其特征在于，25℃下的熱導(dǎo)率為180W/mK以上，150℃下的熱膨脹系數(shù)為10×10-6/K以下。
7.一種鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體的制造方法，是權(quán)利要求1-6中的任一項所述的鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體的制造方法，其特征在于，包括：
形成平板狀的碳化硅質(zhì)多孔體的工序，
將碳化硅質(zhì)多孔體的一個板面機(jī)械加工為凸型的翹曲的形狀的工序，
使鋁合金浸漬到碳化硅質(zhì)多孔體中、制作鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體的工序，該鋁-碳化硅質(zhì)復(fù)合體具有包含碳化硅和鋁合金的平板狀的復(fù)合化部，和在復(fù)合化部的兩板面設(shè)置的包含鋁合金的鋁層，以及
通過對將碳化硅質(zhì)多孔體加工為凸型的翹曲的形狀的面?zhèn)鹊匿X層進(jìn)行機(jī)械加工，從而成型凸型的翹曲的形狀的散熱面的工序。