技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器及其形成方法，其中，所述存儲(chǔ)器包括下拉晶體管和傳輸晶體管，下拉晶體管包括：第一柵極結(jié)構(gòu)；第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵介質(zhì)層、第一柵極以及位于第一柵介質(zhì)層與第一柵極之間的第一功函數(shù)層；第一柵極結(jié)構(gòu)下方的第一區(qū)域襯底中具有第一摻雜離子；傳輸晶體管包括：第二柵極結(jié)構(gòu)；第二柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵介質(zhì)層、第二柵極以及位于第二柵介質(zhì)層與第二柵極之間的第二功函數(shù)層；第二柵極結(jié)構(gòu)下方的第二區(qū)域襯底中具有第二摻雜離子；第一功函數(shù)層的功函數(shù)大于第二功函數(shù)層的功函數(shù)，第一摻雜離子濃度小于第二摻雜離子濃度。其中，通過(guò)使第一摻雜離子的濃度小于第二摻雜離子濃度，增大存儲(chǔ)器的beta率，提高存儲(chǔ)器的靜態(tài)噪聲容量。

技術(shù)研發(fā)人員：楊曉蕾;李勇;居建華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.04
技術(shù)公布日：2017.08.11