封裝基板以及l(fā)ed倒裝封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及倒裝芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種封裝基板以及一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]由于LED倒裝芯片的正極(P極)與負(fù)極(N極)之間的距離約為75?150微米(ym)，因此在已知的倒裝芯片工藝使用的陶瓷封裝基板設(shè)計(jì)中，在固晶后進(jìn)行回流焊時(shí)和/或當(dāng)LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)在后端SMT (Surface Mounted Technology，表面貼裝技術(shù))工藝的二次回流焊時(shí)，容易會(huì)有因焊錫熔化流動(dòng)造成短路現(xiàn)象發(fā)生，造成死燈現(xiàn)象。
[0003]具體地，如圖1所示，其為已知的一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖1所示，LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)10包括:陶瓷基板11、焊墊12a, 12b、金屬填充孔13、電極14a, 14b、LED倒裝芯片15、碗杯結(jié)構(gòu)18以及熒光膠19。其中，焊墊12a，12b相互間隔地設(shè)置在陶瓷基板11的上表面，電極14a，14b相互間隔地設(shè)置在陶瓷基板11的下表面，焊墊12a，12b通過金屬填充孔13分別與電極14a，14b形成電連接。LED倒裝芯片15設(shè)置有正極151和負(fù)極153，且正極151和負(fù)極153分別通過焊錫16與焊墊12a，12b形成電連接。碗杯結(jié)構(gòu)18位于陶瓷基板11的上表面且環(huán)繞LED倒裝芯片15設(shè)置。熒光膠19設(shè)置在碗杯結(jié)構(gòu)18內(nèi)且覆蓋所述LED倒裝芯片。
[0004]請(qǐng)參見圖2，其為圖1所示LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)中的焊墊部分的顯微鏡照片。結(jié)合圖1和圖2可以發(fā)現(xiàn)，由于焊墊12a，12b之間的距離較小，焊錫16在進(jìn)行回流焊過程中，會(huì)因恪化流動(dòng)至焊墊12a和焊墊12b之間的區(qū)域而導(dǎo)致焊墊12a和焊墊12b電連接在一起，造成如圖2所示的短路現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，針對(duì)前述相關(guān)技術(shù)中的缺陷和不足，本發(fā)明提出一種封裝基板以及一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種封裝基板，包括絕緣基板、間隔設(shè)置在所述絕緣基板的第一表面上的第一焊墊和第二焊墊、間隔設(shè)置在所述絕緣基板的與所述第一表面相對(duì)的第二表面上的第一電極和第二電極，所述第一焊墊和所述第二焊墊分別與所述第一電極和所述第二電極電連接；其特征在于，所述絕緣基板的所述第一表面設(shè)置有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽相互間隔且位于所述第一焊墊和所述第二焊墊之間。
[0007]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽和所述第二溝槽中每一者的深度位于20?30微米范圍內(nèi)。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽和所述第二溝槽中每一者包括主體部和自所述主體部側(cè)向延伸的延伸部。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述延伸部大致為圓形。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽為正L型和倒L型中之一者，且所述第二溝槽為所述正L型和所述倒L型中之另一者。
[0011 ] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽與所述第二溝槽的間距為所述第一焊墊與所述第二焊墊的間距的10%?50%。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽的長(zhǎng)度大致為所述第一焊墊鄰近所述第一溝槽的一個(gè)側(cè)邊的長(zhǎng)度的95%，所述第二溝槽的長(zhǎng)度大致為所述第二焊墊鄰近所述第二溝槽的一個(gè)側(cè)邊的長(zhǎng)度的95%。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽和所述第二溝槽中每一者的深度為所述絕緣基板的厚度的10%?15%。
[0014]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝基板還包括設(shè)置在所述絕緣基板的所述第一表面上的碗杯結(jié)構(gòu)，且所述碗杯結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述第一焊墊和所述第二焊墊以及所述第一溝槽和所述第二溝槽而設(shè)置。
[0015]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述碗杯結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為高反射塑料，可以是有機(jī)硅模塑料(Silicone Molding Compound)或環(huán)氧樹脂模塑料(Epoxy Molding Compound)。
[0016]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣基板為一陶瓷基板，所述第一溝槽和所述第二溝槽是通過燒結(jié)成型而形成、或者是在所述陶瓷基板燒結(jié)成型后通過激光雕刻而形成。
[0017]此外，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)，包括LED倒裝芯片、熒光膠和前述任意一種封裝基板。其中，所述LED倒裝芯片的正極和負(fù)極通過焊錫分別電連接至所述第一焊墊和所述第二焊墊，以及所述熒光膠覆蓋所述LED倒裝芯片。
[0018]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一焊墊和所述第二焊墊分別通過位于所述LED倒裝芯片的所述正極和所述負(fù)極的正下方的金屬填充孔與所述第一電極和所述第二電極電連接。
[0019]由上可知，本發(fā)明實(shí)施例通過在絕緣基板例如陶瓷基板表面的焊墊分隔處新增溝槽作為回流焊工藝中焊錫熔化后流動(dòng)的緩沖空間，因此可以改善短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0020]通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計(jì)，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。
【附圖說明】
[0021]下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0022]圖1為已知技術(shù)中的一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0023]圖2為圖1所示LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)中的焊墊部分的顯微鏡照片。
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0025]圖4為圖3所示LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)中的焊墊和溝槽的另一角度放大示意圖。
[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提出的另一種溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提出的又一種溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0029]請(qǐng)一并參見圖3和圖4，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)30，其包括:絕緣基板31、焊墊32a，32b、金屬填充孔33、電極34a，34b、LED倒裝芯片35、碗杯結(jié)構(gòu)38以及熒光膠39 ;其中，絕緣基板31、焊墊32a，32b、金屬填充孔33和電極34a，34b甚至碗杯結(jié)構(gòu)38 —起構(gòu)成本實(shí)施例的封裝基板。
[0030]絕緣基板31的材質(zhì)例如是氧化鋁(A1203)等陶瓷基板，但本發(fā)明并不以此為限，其可以采用其他陶瓷材料；焊墊32a，32b相互間隔設(shè)置在絕緣基板31的上表面，其例如是由金屬銅制成；電極34a，34b相互間隔設(shè)置在絕緣基板31的下表面，其例如是由金屬銅制成。再者，焊墊32a通過金屬填充孔33與電極34a電連接，焊墊32b通過另一金屬填充孔33與電極34b電連接，并且各個(gè)金屬填充孔33貫穿絕緣基板31。LED倒裝芯片35的正極351和負(fù)極353分別通過焊錫36電連接至設(shè)置在絕緣基板31的上表面的焊墊32a和焊墊32b，各個(gè)金屬填充孔33優(yōu)選地位于LED倒裝芯片35的