1.一種成像器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
像素區(qū)域和外圍電路區(qū)域，在所述半導(dǎo)體襯底上分別被限定；
像素元件，被形成在所述像素區(qū)域中并且包括光電轉(zhuǎn)換單元；
外圍電路元件，被形成在所述外圍電路區(qū)域中；
多層布線結(jié)構(gòu)，被形成為使得覆蓋所述像素元件和所述外圍電路元件，并且包括多個(gè)布線層和多個(gè)層間絕緣膜；
濾色器，被形成在所述像素區(qū)域中使得覆蓋所述多層布線結(jié)構(gòu)；
微透鏡，被形成在所述濾色器之上；和
插入膜，被插入在位于所述層間絕緣膜中的最上位置處的最上層絕緣膜和所述濾色器之間，并且與所述最上層絕緣膜相接觸地從所述像素區(qū)域延伸到所述外圍電路區(qū)域，
其中，在所述像素區(qū)域中，所述插入膜被形成有第一膜厚度，并且
其中，在所述外圍電路區(qū)域中，所述插入膜被形成有比所述第一膜厚度厚的第二膜厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像器件，
其中，所述插入膜包括氮化硅膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像器件，
其中，所述最上層絕緣膜和所述插入膜在所述像素區(qū)域中相互接觸所沿著的界面的位置位于比所述最上層絕緣膜和所述插入膜在所述外圍電路區(qū)域中相互接觸所沿著的界面的位置更低。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像器件，
其中，所述插入膜包括在所述氮化硅膜和所述最上層絕緣膜之間形成的第一氮氧化硅膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像器件，
其中，所述最上層絕緣膜和所述插入膜在所述像素區(qū)域中相互接 觸所沿著的界面的位置位于比所述最上層絕緣膜和所述插入膜在所述外圍電路區(qū)域中相互接觸所沿著的界面的位置更低。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像器件，
其中，所述插入膜包括在所述氮化硅膜和所述濾色器之間形成的第二氮氧化硅膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像器件，
其中，所述最上層絕緣膜和所述插入膜在所述像素區(qū)域中相互接觸所沿著的界面的位置位于比所述最上層絕緣膜和所述插入膜在所述外圍電路區(qū)域中相互接觸所沿著的界面的位置更低。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像器件，
其中，在所述布線層中，在所述外圍電路區(qū)域中形成的外圍電路布線層的數(shù)量與在所述像素區(qū)域中形成的像素布線層的數(shù)量相同或者比在所述像素區(qū)域中形成的所述像素布線層的數(shù)量更大。
9.一種用于成像器件的制造方法，包括以下步驟：
(a)在半導(dǎo)體襯底上分別限定像素區(qū)域和外圍電路區(qū)域；
(b)在所述像素區(qū)域中形成包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素元件；
(c)在所述外圍電路區(qū)域中形成外圍電路元件；
(d)形成多層布線結(jié)構(gòu)，所述多層布線結(jié)構(gòu)包括多個(gè)布線層和多個(gè)層間絕緣膜，以便覆蓋所述像素元件和所述外圍電路元件；和
(e)在位于所述層間絕緣膜中的最上位置處的最上層絕緣膜之上形成濾色器和微透鏡；
其中，形成插入在所述最上層絕緣膜和所述濾色器之間并與所述最上層絕緣膜相接觸地從所述像素區(qū)域延伸到所述外圍電路區(qū)域的插入膜的步驟被包括在形成所述多層布線結(jié)構(gòu)的步驟和形成所述濾色器和所述微透鏡的步驟之間，
其中形成所述插入膜的步驟包括以下步驟：
形成第一膜，
原樣地留下位于所述外圍電路區(qū)域中的所述第一膜的部分，去除所述第一膜中位于所述像素區(qū)域中的所述第一膜的部分，并且暴露所 述最上層絕緣膜，和
形成第二膜，以便覆蓋在所述像素區(qū)域中的被暴露的所述最上層絕緣膜并且以便覆蓋在所述外圍電路區(qū)域中的所述第一膜的被留下的部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于成像器件的制造方法，
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第一膜的步驟包括形成第一氮化硅膜的步驟，以及
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第二膜的步驟包括形成第二氮化硅膜的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于成像器件的制造方法，
其中，在形成所述多層布線結(jié)構(gòu)的步驟中的形成所述最上層絕緣膜的步驟包括將位于所述像素區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面設(shè)置在比位于所述外圍電路區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面的位置低的位置處。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于成像器件的制造方法，
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第一膜的步驟包括形成第一氮化硅膜的步驟，以及
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第二膜的步驟包括依次層疊第一氮氧化硅膜和第二氮氧化硅膜的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于成像器件的制造方法，
其中，在形成所述多層布線結(jié)構(gòu)的步驟中的形成所述最上層絕緣膜的步驟包括將位于所述像素區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面設(shè)置在比位于所述外圍電路區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面的位置低的位置處。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于成像器件的制造方法，
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第一膜的步驟包括形成第一氮化硅膜的步驟，以及
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第二膜的步驟包括依次層疊第一氮氧化硅膜、第二氮化硅膜和第二氮氧化硅膜的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于成像器件的制造方法，
其中，在形成所述多層布線結(jié)構(gòu)的步驟中的形成所述最上層絕緣膜的步驟包括將位于所述像素區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面設(shè)置在比位于所述外圍電路區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面的位置低的位置處。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于成像器件的制造方法，還包括以下步驟：
在位于所述外圍電路區(qū)域中的所述最上層絕緣膜的表面之上，進(jìn)一步形成外圍布線層，
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第一膜的步驟包括以下步驟：
形成所述第一膜，以便覆蓋所述外圍布線層，以及
通過(guò)在所述第一膜上執(zhí)行蝕刻工藝來(lái)在所述外圍布線層的側(cè)面上原樣地留下側(cè)壁部分并去除其它部分，和
其中，在形成所述插入膜的步驟中的形成所述第二膜的步驟包括以下步驟：形成所述第二膜，以便覆蓋在所述外圍電路區(qū)域中的被留下的側(cè)壁部分和所述外圍布線層。