1.一種溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
在硅片襯底中通過溝槽光罩，同時形成元胞區(qū)的溝槽和終端耐壓區(qū)的溝槽；
在所述元胞區(qū)的溝槽內(nèi)和所述終端耐壓區(qū)的溝槽內(nèi)，同時形成柵極；
在所述硅片襯底中通過P阱光罩，同時形成所述元胞區(qū)的P阱結(jié)和所述終端耐壓區(qū)的P環(huán)結(jié)；
在所述硅片襯底中通過N+光罩，形成N+發(fā)射極；
在所述硅片襯底上通過孔光罩，形成具有接觸孔圖形的介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層上通過第一圖形光罩，形成具有柵極引出線和發(fā)射極引出線圖形的金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在硅片襯底中通過溝槽光罩，同時形成元胞區(qū)的溝槽和終端耐壓區(qū)的溝槽之前，還包括：
在P+襯底之上形成由N+層和N-層組成的外延片，以形成所述硅片襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述元胞區(qū)的溝槽內(nèi)和所述終端耐壓區(qū)的溝槽內(nèi)，同時形成柵極，具體包括：
在形成有所述溝槽的所述硅片襯底上依次形成柵氧化層和多晶硅層；
采用回刻工藝至少去除所述溝槽之外的多晶硅層的圖形，在所述溝槽內(nèi)形成柵極。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述硅片襯底中通過P阱光罩，同時形成所述元胞區(qū)的P阱結(jié)和所述終端耐壓區(qū)的P環(huán)結(jié)，具體包括：
利用所述P阱光罩的遮擋，對所述硅片襯底進(jìn)行硼離子注入摻雜和擴(kuò)散推結(jié)工藝，以形成所述元胞區(qū)的P阱結(jié)和終端耐壓區(qū)的P環(huán)結(jié)。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述硅片襯底中通過N+光罩，形成N+發(fā)射極，具體包括：
利用所述N+光罩的遮擋，對所述硅片襯底進(jìn)行砷離子注入摻雜和擴(kuò)散推結(jié)工藝，以形成所述N+發(fā)射極。
6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的制作方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層上通過第一圖形光罩，形成具有柵極引出線和發(fā)射極引出線圖形的金屬層之后，還包括：
在所述金屬層上通過第二圖形光罩，形成具有保護(hù)圖形的鈍化層。
7.如權(quán)利要求1-5任一項所述的制作方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層上通過第一圖形光罩，形成具有柵極引出線和發(fā)射極引出線圖形的金屬層之后，還包括：
在所述硅片襯底背離所述金屬層的表面形成集電極。
8.一種溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，包括：
硅片襯底；
設(shè)置于所述硅片襯底中的元胞區(qū)的溝槽和終端耐壓區(qū)的溝槽；
設(shè)置于所述元胞區(qū)的溝槽內(nèi)和所述終端耐壓區(qū)的溝槽內(nèi)的柵極；
設(shè)置于所述硅片襯底中的所述元胞區(qū)的P阱結(jié)和所述終端耐壓區(qū)的P環(huán)結(jié)；
設(shè)置于所述硅片襯底中的N+發(fā)射極；
設(shè)置于所述硅片襯底上的具有接觸孔圖形的介質(zhì)層；
設(shè)置于所述介質(zhì)層之上的具有柵極引出線和發(fā)射極引出線圖形的金屬層；
以及，設(shè)置于所述硅片襯底背離所述金屬層的表面之上的集電極。
9.如權(quán)利要求8所述的溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，還包括：設(shè)置于所述金屬層之上的具有保護(hù)圖形的鈍化層。
10.如權(quán)利要求8所述的溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，所述溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件為溝槽型絕緣柵雙極性晶體管或金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。