本發(fā)明涉及一種OLED陰極隔離柱技術(shù)，特別是一種OLED陰極隔離柱的制備方法。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light Emitting Display)，有機發(fā)光顯示器件是指有機半導(dǎo)體材料和發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的現(xiàn)象。OLED具有主動發(fā)光，無視角問題；重量輕，厚度??；高亮度，高發(fā)光效率；發(fā)光材料豐富，易實現(xiàn)彩色顯示；響應(yīng)速度快，動態(tài)畫面質(zhì)量高；使用溫度范圍廣；可實現(xiàn)柔軟顯示；工藝簡單，成本低；抗震能力強等一系列的優(yōu)點，逐步成為最有潛力的一種顯示器件，因此它被專家稱為未來的理想顯示器，在各種領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

目前國內(nèi)外許多公司、科研機構(gòu)都投入大量人力物力進行研究。有機電致發(fā)光器件通常由第一電極(透明陽極)、沉積在第一電極上的發(fā)光介質(zhì)、沉積在發(fā)光介質(zhì)上的第二電極(陰極)構(gòu)成。由無源OLED器件的結(jié)構(gòu)決定了它的驅(qū)動方式是二維矩陣尋址。無源矩陣顯示是實現(xiàn)有機發(fā)光顯示的一種簡單方法。在有機發(fā)光無源矩陣顯示器件中需要實現(xiàn)陰極的圖案化，一般采用具有倒梯形或者T形截面的條紋結(jié)構(gòu)作為隔離柱實現(xiàn)陰極加工過程中的圖案化。目前在硅片或其它襯底上制作金屬圖形都是先通過涂膠、曝光、顯影等光刻出圖形后再通過蒸鍍，超聲剝離等實現(xiàn)金屬圖形的制備。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種OLED陰極隔離柱的制備方法。

具體的方案為：

一種OLED陰極隔離柱的制備方法，包括如下步驟：

步驟1)ITO玻片清洗；

步驟2)在步驟1)上甩兩層聚酰亞胺；

步驟3)在聚酰亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化硅；

步驟4)在二氧化硅上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；

步驟5)步驟4)完后在光刻機下曝光；

步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；

步驟7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；

步驟8)用干法刻蝕或HF濕法刻蝕二氧化硅；

步驟9)刻蝕完二氧化硅后進行聚酰亞胺膜的刻蝕。

進一步地，步驟1)中的ITO玻璃清洗方法為：

步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質(zhì)量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min后取出；

步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲后的ITO玻璃置入超聲10min，取出；

步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；

步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理后的ITO玻璃置入超聲5min；

步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理后的ITO玻璃置入超聲5min。

進一步地，步驟2)甩兩層聚酰亞胺的方法為：

步驟①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然后在氮氣流中吹干，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；

步驟②：涂膠，用機械旋轉(zhuǎn)法涂覆ZKPI膠，其轉(zhuǎn)數(shù)為3000～5000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻涂覆在硅片上

步驟③：預(yù)烘，在恒溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，

步驟④：涂光刻膠、曝光、顯影，涂光刻膠后，可按正常的光刻工藝進行預(yù)烘、曝光、顯影和堅膜；

步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，采用質(zhì)量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢后立即置于質(zhì)量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然后用去離子水沖洗10min，去除殘余的刻蝕劑和中和劑，隨后烘干；

步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層

步驟⑦：亞胺化，采用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據(jù)實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。

進一步地，步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:

步驟①：基片預(yù)處理；

步驟②：清洗，焙烘；

步驟③：涂膠，采用旋轉(zhuǎn)涂布法，

步驟④：前烘，熱板1000℃/60s

步驟⑤：曝光，采用高壓汞燈曝光；

步驟⑥：顯影；

步驟⑦：采用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；

步驟⑧：漂洗，顯影后應(yīng)立即漂洗；

步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；

步驟⑩：濕法腐蝕；

步驟去膠。

本發(fā)明提供的OLED陰極隔離柱的制備方法，其制備的OLED陰極隔離柱不含任何雜質(zhì)，工藝簡單、厚度小。

說明書附圖

圖1是KMP-BN系列負膠膜厚-轉(zhuǎn)速曲線；

圖2是膜厚-曝光量曲線圖；

圖3是KMP-BN系列紫外負膠的光譜吸收圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做詳細說明。

實施例1.

步驟1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法為：步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質(zhì)量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min后取出；步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲后的ITO玻璃置入超聲10min，取出；步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理后的ITO玻璃置入超聲5min；步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理后的ITO玻璃置入超聲5min。步驟2)在步驟1)上甩兩層聚酰亞胺；步驟2)甩兩層聚酰亞胺的方法為：步驟①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然后在氮氣流中吹干，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；步驟②：涂膠，用機械旋轉(zhuǎn)法涂覆ZKPI膠，其轉(zhuǎn)數(shù)為3000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻涂覆在硅片上，步驟③：預(yù)烘，在恒溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，步驟④：涂光刻膠、曝光、顯影，涂光刻膠后，可按正常的光刻工藝進行預(yù)烘、曝光、顯影和堅膜；步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，采用質(zhì)量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢后立即置于質(zhì)量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然后用去離子水沖洗10min，去除殘余的刻蝕劑和中和劑，隨后烘干；步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層步驟⑦：亞胺化，采用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據(jù)實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。步驟3)在聚酰亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化硅；步驟4)在二氧化硅上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:步驟①：基片預(yù)處理；步驟②：清洗，焙烘；步驟③：涂膠，采用旋轉(zhuǎn)涂布法，步驟④：前烘，熱板1000℃/60s步驟⑤：曝光，采用高壓汞燈曝光，步驟⑥：顯影；步驟⑦：采用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；步驟⑧：漂洗，顯影后應(yīng)立即漂洗；步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；步驟⑩：濕法腐蝕；步驟去膠。步驟5)步驟4)完后在光刻機下曝光；步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；步驟7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；步驟8)用干法刻蝕或HF濕法刻蝕二氧化硅；步驟9)刻蝕完二氧化硅后進行聚酰亞胺膜的刻蝕。

實施例2

步驟1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法為：步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質(zhì)量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min后取出；步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲后的ITO玻璃置入超聲10min，取出；步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理后的ITO玻璃置入超聲5min；步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理后的ITO玻璃置入超聲5min。步驟2)在步驟1)上甩兩層聚酰亞胺；步驟2)甩兩層聚酰亞胺的方法為：步驟①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然后在氮氣流中吹干，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；步驟②：涂膠，用機械旋轉(zhuǎn)法涂覆ZKPI膠，其轉(zhuǎn)數(shù)為4000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻涂覆在硅片上，步驟③：預(yù)烘，在恒溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，步驟④：涂光刻膠、曝光、顯影，涂光刻膠后，可按正常的光刻工藝進行預(yù)烘、曝光、顯影和堅膜；步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，采用質(zhì)量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢后立即置于質(zhì)量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然后用去離子水沖洗10min，去除殘余的刻蝕劑和中和劑，隨后烘干；步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層步驟⑦：亞胺化，采用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據(jù)實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。步驟3)在聚酰亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化硅；步驟4)在二氧化硅上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:步驟①：基片預(yù)處理；步驟②：清洗，焙烘；步驟③：涂膠，采用旋轉(zhuǎn)涂布法，步驟④：前烘，熱板1000℃/60s步驟⑤：曝光，采用高壓汞燈曝光，步驟⑥：顯影；步驟⑦：采用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；步驟⑧：漂洗，顯影后應(yīng)立即漂洗；步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；步驟⑩：濕法腐蝕；步驟去膠。步驟5)步驟4)完后在光刻機下曝光；步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；步驟7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；步驟8)用干法刻蝕或HF濕法刻蝕二氧化硅；步驟9)刻蝕完二氧化硅后進行聚酰亞胺膜的刻蝕。

實施例3

步驟1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法為：步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質(zhì)量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min后取出；步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲后的ITO玻璃置入超聲10min，取出；步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理后的ITO玻璃置入沸水煮15min；步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理后的ITO玻璃置入超聲5min；步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理后的ITO玻璃置入超聲5min。步驟2)在步驟1)上甩兩層聚酰亞胺；步驟2)甩兩層聚酰亞胺的方法為：步驟①：硅片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然后在氮氣流中吹干，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；步驟②：涂膠，用機械旋轉(zhuǎn)法涂覆ZKPI膠，其轉(zhuǎn)數(shù)為5000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻涂覆在硅片上，圖1是KMP-BN系列負膠膜厚-轉(zhuǎn)速曲線。步驟③：預(yù)烘，在恒溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，步驟④：涂光刻膠、曝光、顯影，涂光刻膠后，可按正常的光刻工藝進行預(yù)烘、曝光、顯影和堅膜；步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，采用質(zhì)量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢后立即置于質(zhì)量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然后用去離子水沖洗10min，去除殘余的刻蝕劑和中和劑，隨后烘干；步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層步驟⑦：亞胺化，采用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據(jù)實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。步驟3)在聚酰亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化硅；步驟4)在二氧化硅上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:步驟①：基片預(yù)處理；步驟②：清洗，焙烘；步驟③：涂膠，采用旋轉(zhuǎn)涂布法，步驟④：前烘，熱板1000℃/60s步驟⑤：曝光，采用高壓汞燈曝光，步驟⑥：顯影；步驟⑦：采用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；步驟⑧：漂洗，顯影后應(yīng)立即漂洗；步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；步驟⑩：濕法腐蝕；步驟去膠。步驟5)步驟4)完后在光刻機下曝光；步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；步驟7)漂洗完的基片放到真空干燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；步驟8)用干法刻蝕或HF濕法刻蝕二氧化硅；步驟9)刻蝕完二氧化硅后進行聚酰亞胺膜的刻蝕。

參照圖1，本發(fā)明中涂布的轉(zhuǎn)數(shù)為3000～5000rpm/15-30s時厚度最優(yōu)，其中，5000rpm/15-30s達到最好。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。