技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種量子阱厚膜超晶格熱電材料的生產(chǎn)方法，包括以下步驟：通過(guò)原子層沉積的方法，在氧化鋁納米孔內(nèi)定向生長(zhǎng)熱電材料。熱電材料從納米孔的內(nèi)壁開(kāi)始生長(zhǎng)，然后向納米孔的軸線方向逐層生長(zhǎng)，形成厚膜超晶格熱電材料。納米孔模板材料可以為Al2O3、TiO2或者SiO2，基礎(chǔ)熱電材料為Bi2Te3。本發(fā)明利用原子層沉積技術(shù)，以超高高寬比多孔氧化鋁模板為基體，經(jīng)由化學(xué)的方法快速合成Bi2Te3超晶格厚膜熱電材料，從而實(shí)現(xiàn)高優(yōu)值，高熱電轉(zhuǎn)換效率。所述厚膜熱電超晶格材料可以在非高真空的條件下，快速生產(chǎn)，且具有設(shè)定的厚度和量子阱超晶格微結(jié)構(gòu)，而且性能遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有的技術(shù)報(bào)道。

技術(shù)研發(fā)人員：張洪國(guó);馬軍濤;張凱;張坤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：滁州瑪特智能新材料科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611237259
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.06.20