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本申請(qǐng)要求于2016年4月4日提交至韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0041255號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用以其整體并入本文。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式涉及具有用于密封顯示單元的保護(hù)層和封裝層的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，平板顯示設(shè)備已經(jīng)由于諸如薄外形、輕質(zhì)量及低功耗的良好特性變得受歡迎。

具有薄外形的柔性顯示設(shè)備包括用于阻止來(lái)自外部的水分、氧等滲透的薄膜封裝層。然而，當(dāng)在薄膜封裝層中出現(xiàn)缺陷(諸如，小裂紋)時(shí)，外部的水分和/或氧可能滲透至顯示設(shè)備中，這可能引起暗斑和其它問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括襯底、顯示單元以及封裝層。顯示單元布置在襯底之上，并且包括薄膜晶體管、電連接至薄膜晶體管的顯示元件、保護(hù)層以及平坦化層。保護(hù)層和平坦化層布置在薄膜晶體管和顯示元件之間。封裝層密封顯示單元。顯示單元包括顯示區(qū)和在顯示區(qū)外部的非顯示區(qū)。非顯示區(qū)包括電壓線(xiàn)。平坦化層包括將平坦化層分割成中心部分和外部部分的分割區(qū)域。分割區(qū)域圍繞顯示區(qū)。電壓線(xiàn)部分地布置在分割區(qū)域中。保護(hù)層至少覆蓋布置在分割區(qū)域中的電壓線(xiàn)的側(cè)部。

電壓線(xiàn)可包括第一電壓線(xiàn)和第二電壓線(xiàn)，第一電壓線(xiàn)和第二電壓線(xiàn)被施加不同的電壓。第一電壓線(xiàn)包括布置成與顯示區(qū)的一個(gè)側(cè)部對(duì)應(yīng)的第一主電壓線(xiàn)和在第一方向上從第一主電壓線(xiàn)伸出并且與分割區(qū)域相交的第一連接器。第二電壓線(xiàn)包括第二主電壓線(xiàn)和從第二主電壓線(xiàn)伸出并且與分割區(qū)域相交的第二連接器。第二主電壓線(xiàn)部分地圍繞第一主電壓線(xiàn)的一對(duì)端部和顯示區(qū)的剩余區(qū)域。顯示區(qū)的剩余區(qū)域是顯示區(qū)中不與第一主電壓線(xiàn)相鄰的區(qū)域。第一連接器和第二連接器連接至焊盤(pán)。

第一連接器和第二連接器可彼此平行并且在與第一方向垂直的第二方向上彼此間隔開(kāi)。保護(hù)層覆蓋第一連接器的兩個(gè)側(cè)部和第二連接器的兩個(gè)側(cè)部。

保護(hù)層可連續(xù)地形成在第一連接器和第二連接器之間。

保護(hù)層可暴露第一連接器的上表面的至少一部分和第二連接器的上表面的至少一部分，以及封裝層在分割區(qū)域中直接接觸第一連接器的上表面的被暴露的部分和第二連接器的上表面的被暴露的部分。

第一連接器和第二連接器中的每一個(gè)可包括第一導(dǎo)電構(gòu)件。第一導(dǎo)電構(gòu)件具有堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括包含鈦的第一層、包含鋁的第二層以及包含鈦的第三層。

第一連接器和第二連接器中的每一個(gè)還可包括布置在第一導(dǎo)電構(gòu)件之上的第二導(dǎo)電構(gòu)件。第二導(dǎo)電構(gòu)件具有與第一導(dǎo)電構(gòu)件的堆疊結(jié)構(gòu)基本上相同的堆疊結(jié)構(gòu)。

保護(hù)層可包括覆蓋第一導(dǎo)電構(gòu)件的側(cè)部的第一保護(hù)層和覆蓋第二導(dǎo)電構(gòu)件的側(cè)部的第二保護(hù)層。

第一保護(hù)層和第二保護(hù)層可在第二導(dǎo)電構(gòu)件外側(cè)彼此接觸。

第一保護(hù)層和第二保護(hù)層中的每一個(gè)可包括無(wú)機(jī)材料。

中心部分可與第二主電壓線(xiàn)的內(nèi)邊緣重疊并接觸第二主電壓線(xiàn)的內(nèi)邊緣。

顯示設(shè)備還可包括與第二主電壓線(xiàn)的外邊緣重疊并接觸第二主電壓線(xiàn)的外邊緣的壩部分。壩部分位于分割區(qū)域中。

壩部分和平坦化層可包括基本上相同的材料。

封裝層可包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無(wú)機(jī)層。至少一個(gè)有機(jī)層位于壩部分內(nèi)側(cè)。至少一個(gè)無(wú)機(jī)層延伸至外部部分外側(cè)的區(qū)域。

顯示元件可以是有機(jī)發(fā)光二極管，并且包括電連接至薄膜晶體管的第一電極、面對(duì)第一電極的第二電極以及在第一電極和第二電極之間的中間層。中間層包括有機(jī)發(fā)射層。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括襯底、布置在襯底之上的緩沖層、顯示單元、第一導(dǎo)電構(gòu)件、形成在第一導(dǎo)電構(gòu)件之上的第一保護(hù)層、形成在第一保護(hù)層之上的第一平坦化層、形成在第一平坦化層之上的第二導(dǎo)電構(gòu)件、形成在第二導(dǎo)電構(gòu)件之上的第二保護(hù)層以及形成在第二保護(hù)層之上的第二平坦化層。顯示單元包括布置在緩沖層之上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和開(kāi)關(guān)薄膜晶體管。第一導(dǎo)電構(gòu)件形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和開(kāi)關(guān)薄膜晶體管的源電極和漏電極。

顯示單元還可包括具有第一電極和第二電極的存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)電容器與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管重疊。存儲(chǔ)電容器的第一電極是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電極。第二電極與第一電極重疊。

顯示單元可包括顯示區(qū)和在顯示區(qū)外部的非顯示區(qū)。顯示設(shè)備的分割區(qū)域?qū)⒌谝黄教够瘜雍偷诙教够瘜又械拿恳粋€(gè)分割成中心部分和外部部分。外部部分布置在非顯示區(qū)中。第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件部分地布置在分割區(qū)域中。

顯示設(shè)備還可包括布置在第二平坦化層之上的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)和形成在oled之上的封裝層。封裝層密封顯示單元，并且封裝層在顯示設(shè)備的分割區(qū)域中直接接觸第二導(dǎo)電構(gòu)件被暴露的部分。

在顯示設(shè)備的分割區(qū)域中，第二導(dǎo)電構(gòu)件可直接堆疊在第一導(dǎo)電構(gòu)件的頂部上。第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件的側(cè)部分別被第一保護(hù)層和第二保護(hù)層覆蓋，留下第二導(dǎo)電構(gòu)件的上部被暴露。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征將變得顯而易見(jiàn)且更清楚理解，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的示意性平面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的一個(gè)像素的等效電路的示例的電路圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖1的線(xiàn)i-i'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的顯示設(shè)備的電壓線(xiàn)和平坦化層的示意性平面圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖4的線(xiàn)ii-ii'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖4的線(xiàn)iii-iii'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的一個(gè)像素的等效電路的示例的電路圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖1的線(xiàn)iv-iv'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖4的線(xiàn)ii-ii'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式。全部附圖中，相同的參考標(biāo)記可指代相同的元件。

雖然如“第一”、“第二”等的這樣的用語(yǔ)可用于描述各種部件，但這些部件可以不限于上述用語(yǔ)。上述用語(yǔ)僅用于將一個(gè)部件與另一部件區(qū)分開(kāi)。例如，在不背離本發(fā)明構(gòu)思的范圍的情況下，第一元件可稱(chēng)為第二元件，并且類(lèi)似地，第二元件可稱(chēng)為第一元件。

本說(shuō)明書(shū)中使用的用語(yǔ)僅僅用于描述特定的實(shí)施方式，并不旨在限制本發(fā)明。除非上下文中有清楚的不同含義，否則用于單數(shù)的表述包括復(fù)數(shù)的表述。在附圖中，為了說(shuō)明的方便和清晰，部件可能被夸大、省略或示意性地示出。換言之，附圖中部件的尺寸和厚度不一定反映部件的真實(shí)的尺寸和厚度。

將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或部件稱(chēng)為形成在另一層、區(qū)域或部件“上”或“下”時(shí)，其可直接地或間接地形成在該另一層、區(qū)域或部件上或下。例如，可存在介于中間的層、區(qū)域或部件。

如本文中所使用的，用語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)的所列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任何和全部組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)”的表述在元件的列表之后時(shí)，修飾元件的整個(gè)列表，并不修飾列表中的單個(gè)元件。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式涉及能夠使可能出現(xiàn)在封裝層中的缺陷最小化的顯示設(shè)備。

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的示意性平面圖。圖2是圖1的一個(gè)像素的等效電路的示例的電路圖。圖3是沿圖1的線(xiàn)i-i'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。圖4是圖1的顯示設(shè)備的電壓線(xiàn)和平坦化層的示意性平面圖。圖5是沿圖4的線(xiàn)ii-ii'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。圖6是沿圖4的線(xiàn)iii-iii'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

參照?qǐng)D1至圖6，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，平板顯示設(shè)備10可包括襯底101、定位在襯底101之上的顯示單元100以及密封顯示單元100的封裝層300。

襯底101可包括多種材料。襯底101可包括具有sio2作為主要成分的透明玻璃材料，但不一定限于此。例如，襯底101可包括透明塑性材料。塑性材料可包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙基化物、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纖維素(tac)、乙酸丙酸纖維素(cap)等。

在圖像在朝向襯底101的方向上實(shí)施的底部發(fā)射型顯示設(shè)備中，襯底101需包括透明材料。然而，在圖像在遠(yuǎn)離襯底101的方向上實(shí)施的頂部發(fā)射型顯示設(shè)備中，襯底101不需包括透明材料。在這種情況下，襯底101可包括金屬。當(dāng)襯底101包括金屬時(shí)，襯底101可包括鋼、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼(sus)、因瓦(invar)合金、因科鎳(inconel)合金、科瓦(kovar)合金等。

顯示單元100可布置在襯底101之上。顯示單元100可包括顯示區(qū)da和非顯示區(qū)nda，其中，顯示區(qū)da中實(shí)施可被用戶(hù)識(shí)別的圖像，非顯示區(qū)nda在顯示區(qū)da外部。

多個(gè)像素p可布置在顯示區(qū)da中。多個(gè)像素p可定位在數(shù)據(jù)線(xiàn)dl和掃描線(xiàn)sl的相交處。向顯示區(qū)da內(nèi)的顯示元件100b等供應(yīng)電力的電壓線(xiàn)200可布置在非顯示區(qū)nda中。向供電設(shè)備或信號(hào)生成設(shè)備傳送電信號(hào)的焊盤(pán)150可布置在非顯示區(qū)nda中。

參照?qǐng)D2，像素p可包括連接至掃描線(xiàn)sl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl的像素電路pc?？膳c圖3的顯示元件100b對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管oled可連接至像素電路pc。

像素電路pc可包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2以及存儲(chǔ)電容器cst。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2可連接至掃描線(xiàn)sl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl，以及可根據(jù)通過(guò)掃描線(xiàn)sl輸入的掃描信號(hào)sn向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1傳送通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)dl輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)dm。

存儲(chǔ)電容器cst可連接至開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2和第一電壓線(xiàn)210，以及可存儲(chǔ)與從開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2接收的電壓和供應(yīng)至第一電壓線(xiàn)210的第一電源電壓elvdd之間的差異對(duì)應(yīng)的電壓。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1可連接至第一電壓線(xiàn)210和存儲(chǔ)電容器cst，以及可控制從第一電壓線(xiàn)210流動(dòng)至有機(jī)發(fā)光二極管oled的與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器cst中的電壓的值對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。換言之，像素p可通過(guò)多種配置驅(qū)動(dòng)。

以下將參照?qǐng)D3更詳細(xì)地描述顯示單元100的結(jié)構(gòu)。為了便于描述，在圖3中省略了圖2的像素電路pc的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2和存儲(chǔ)電容器cst且僅示出了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1稱(chēng)為薄膜晶體管100a。

緩沖層102可形成在襯底101之上。緩沖層102可為襯底101提供平坦的上表面，以及可阻止雜質(zhì)或水分滲透至襯底101中。例如，緩沖層102可包括無(wú)機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等)或有機(jī)材料(例如，聚酰亞胺、聚酯、壓克力等)。緩沖層102可具有這些材料的堆疊結(jié)構(gòu)。

薄膜晶體管100a和電連接至薄膜晶體管100a的顯示元件100b可定位在襯底101之上。

薄膜晶體管100a可包括有源層103、柵電極105、源電極107以及漏電極108。薄膜晶體管100a可以是頂柵型，其中有源層103、柵電極105、源電極107以及漏電極108順序地形成。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此?？墒褂枚喾N類(lèi)型的薄膜晶體管(例如，底柵型薄膜晶體管)作為薄膜晶體管100a。

有源層103可包括半導(dǎo)體材料，例如，非晶硅或多晶硅。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。有源層103可包括多種材料。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，有源層103可包括有機(jī)半導(dǎo)體材料等。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，有源層103可包括氧化物半導(dǎo)體材料。例如，有源層103可包括從12族、13族以及14族金屬元素(例如，鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鎘(cd)、鍺(ge)或其組合)選擇的材料的氧化物。

柵極絕緣層104可形成在有源層103之上。柵極絕緣層104可具有多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)，以及層(多個(gè)層)可包括諸如氧化硅和/或氮化硅等的無(wú)機(jī)材料。柵極絕緣層104可用于絕緣有源層103和柵電極105。柵極絕緣層104可不僅延伸至顯示區(qū)da，還可延伸至非顯示區(qū)nda的一部分。

柵電極105可形成在柵極絕緣層104之上。柵電極105可連接至向薄膜晶體管100a施加導(dǎo)通/截止信號(hào)的柵線(xiàn)。

柵電極105可包括低電阻金屬材料。例如，柵電極105可在單層結(jié)構(gòu)中或在多層結(jié)構(gòu)中包括鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)或銅(cu)中的至少一種。

層間絕緣層106可形成在柵電極105之上。層間絕緣層106可絕緣源電極107、漏電極108以及柵電極105。層間絕緣層106可不僅延伸至顯示區(qū)da，還可延伸至非顯示區(qū)nda的一部分。

層間絕緣層106可具有多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)具有包括無(wú)機(jī)材料的層(多個(gè)層)。例如，無(wú)機(jī)材料可包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鉭(ta2o5)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋯(zro2)等。

可與第二電壓線(xiàn)220對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1可形成在層間絕緣層106之上。第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1可形成源電極107和漏電極108。源電極107和漏電極108可接觸有源層103的區(qū)域。

源電極107和漏電極108中的每一個(gè)可在單層結(jié)構(gòu)中或在多層結(jié)構(gòu)中包括鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(ag)、鎂(mg)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鈣(ca)、鉬(mo)、鈦(ti)、鎢(w)或銅(cu)中的至少一種。例如，源電極107和漏電極108可具有鈦(ti)、鋁(al)以及鈦(ti)的三層堆疊結(jié)構(gòu)。

保護(hù)層pvx和平坦化層109可形成在薄膜晶體管100a之上。保護(hù)層pvx可保護(hù)薄膜晶體管100a在制造過(guò)程期間不受雜質(zhì)影響，并且可包括無(wú)機(jī)材料，例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等中的至少一種。

薄膜晶體管100a可能產(chǎn)生導(dǎo)致粗糙表面的臺(tái)階。平坦化層109可通過(guò)使上表面平坦來(lái)消除由薄膜晶體管100a引起的臺(tái)階，從而防止由于下部的參差而在顯示元件100b中出現(xiàn)缺陷。平坦化層109可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)具有包括有機(jī)材料的層(多個(gè)層)。有機(jī)材料可包括商用聚合物，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)、具有苯酚基團(tuán)的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、酰亞胺基聚合物、丙烯醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、其混合物等。平坦化層109可以是無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的復(fù)合堆疊。

平坦化層109可包括分割區(qū)域v，分割區(qū)域v在非顯示區(qū)nda中并且圍繞顯示區(qū)da。分割區(qū)域v可以是平坦化層109從其去除的區(qū)域，并且可防止外部水分沿平坦化層109滲透至顯示區(qū)da中。由于分割區(qū)域v，平坦化層109可分成中心部分109a和外部部分109b。中心部分109a的區(qū)域可大于顯示區(qū)da的區(qū)域。

顯示元件100b可布置在平坦化層109之上。顯示元件100b可例如是有機(jī)發(fā)光二極管oled，該有機(jī)發(fā)光二極管oled包括第一電極111、面對(duì)第一電極111的第二電極113以及介于第一電極111和第二電極113之間的中間層112。

第一電極111可形成在平坦化層109之上，以及可電連接至薄膜晶體管100a。第一電極111可具有多種形狀。例如，第一電極111可被圖案化成具有島狀。

第一電極111可例如是反射電極。例如，第一電極111可包括反射層(例如，銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)或其化合物)和形成在反射層之上的透明或半透明電極層。透明或半透明電極層可包括從由銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、銦鎵氧化物(igo)以及鋁鋅氧化物(azo)組成的組選擇的一種或多種材料。

第二電極113可例如是透明或半透明電極。第二電極113可包括具有小功函數(shù)的金屬薄膜，并且金屬可包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg或其組合。輔助電極層或總線(xiàn)電極可包括諸如ito、izo、zno或in2o3等的材料，并且還可形成在金屬薄膜之上。相應(yīng)地，第二電極113可傳輸從包括在中間層112中的有機(jī)發(fā)射層發(fā)出的光。換言之，由有機(jī)發(fā)射層發(fā)出的光可被直接地反射或被形成為反射電極的第一電極111反射，并且然后，朝第二電極113放出。

本示例性實(shí)施方式的顯示單元100不限于頂部發(fā)射型。顯示單元100可以是底部發(fā)射型，其中，由有機(jī)發(fā)射層發(fā)出的光朝襯底101發(fā)出。在這種情況下，第一電極111可以是透明或半透明電極，以及第二電極113可以是反射電極?？商娲?，顯示單元100可以是在兩個(gè)方向上(例如，從顯示單元100的頂部表面和底部表面)發(fā)光的雙發(fā)射型。

像素限定層119可包括絕緣材料，以及可形成在第一電極111之上。通過(guò)利用諸如旋涂的方法，像素限定層119可包括從由聚酰亞胺、聚酰胺(pa)、壓克力樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)以及酚醛樹(shù)脂組成的組選擇的一種或多種有機(jī)絕緣材料。像素限定層119可暴露第一電極111的預(yù)定區(qū)域。包括有機(jī)發(fā)射層的中間層112可定位在第一電極111的被暴露的區(qū)域中。換言之，像素限定層119可限定有機(jī)發(fā)光二極管oled設(shè)備的像素區(qū)域。

中間層112中包括的有機(jī)發(fā)射層可包括低分子有機(jī)材料或高分子有機(jī)材料。中間層112除包括有機(jī)發(fā)射層之外，可選擇性地包括諸如空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)等的功能層。

電壓線(xiàn)200和分割區(qū)域v可布置在非顯示區(qū)nda中。電壓線(xiàn)200可至少部分地布置在分割區(qū)域v中。換言之，電壓線(xiàn)200可部分地暴露在分割區(qū)域v中。

電壓線(xiàn)200可包括第一電壓線(xiàn)210和第二電壓線(xiàn)220。例如，第一電壓線(xiàn)210可以是用于第一電源電壓elvdd的電壓線(xiàn)，以及第二電壓線(xiàn)220可以是用于第二電源電壓elvss的電壓線(xiàn)。第二電壓線(xiàn)220可連接至第二電極113。圖3示出了第二電壓線(xiàn)220和第二電極113經(jīng)由布線(xiàn)116彼此連接的示例，但本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第二電壓線(xiàn)220和第二電極113可彼此直接地連接。

第一電壓線(xiàn)210可包括布置成與顯示區(qū)da的一個(gè)側(cè)部對(duì)應(yīng)的第一主電壓線(xiàn)212和第一連接器214。例如，當(dāng)顯示區(qū)da是矩形形狀時(shí)，第一主電壓線(xiàn)212可布置成與顯示區(qū)da的一個(gè)側(cè)部對(duì)應(yīng)。換言之，第一主電壓線(xiàn)212中的一部分可與顯示區(qū)da的一個(gè)側(cè)部平行，并且可具有大于顯示區(qū)da的一個(gè)側(cè)部的長(zhǎng)度的長(zhǎng)度。顯示區(qū)da的與第一主電壓線(xiàn)212對(duì)應(yīng)的一個(gè)側(cè)部可以是與焊盤(pán)150相鄰的側(cè)部。

第一連接器214可在第一方向從第一主電壓線(xiàn)212伸出以與分割區(qū)域v相交。就此而言，第一方向可以是從顯示區(qū)da朝焊盤(pán)150的方向。第一連接器214可連接至焊盤(pán)150。第一主電壓線(xiàn)212可被中心部分109a覆蓋。第一連接器214可暴露在分割區(qū)域v中。

第二電壓線(xiàn)220可包括第二主電壓線(xiàn)222和第二連接器224。第二主電壓線(xiàn)222可圍繞第一主電壓線(xiàn)212的兩端和顯示區(qū)da的剩余區(qū)域(不包括顯示區(qū)da的與第一主電壓線(xiàn)212對(duì)應(yīng)的一個(gè)側(cè)部)。第二連接器224可在第一方向上從第二主電壓線(xiàn)222伸出以與分割區(qū)域v相交。第二連接器224可連接至焊盤(pán)150并且可暴露在分割區(qū)域v中。

電壓線(xiàn)200可包括第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1。第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1可包括與源電極107和漏電極108相同的材料。例如，電壓線(xiàn)200可具有包括鈦(ti)的第一層200a、包括鋁(al)的第二層200b以及包括鈦(ti)的第三層200c的堆疊結(jié)構(gòu)。就此而言，由于鋁(al)具有比鈦(ti)更高的蝕刻速率，所以當(dāng)在處理過(guò)程(例如，使第一電極111圖案化的過(guò)程)期間電壓線(xiàn)200的側(cè)部暴露在分割區(qū)域v中時(shí)，可能出現(xiàn)第二層200b的過(guò)度蝕刻，在第三層200c中可能出現(xiàn)缺陷，以及電壓線(xiàn)200的臺(tái)階覆蓋可能劣化。照此，可能產(chǎn)生損壞，例如，分割區(qū)域v中的接觸電壓線(xiàn)200的封裝層300中的裂紋。為了防止這種損壞，暴露在分割區(qū)域v中的電壓線(xiàn)200的側(cè)部可被保護(hù)層pvx覆蓋。當(dāng)保護(hù)層pvx未形成在薄膜晶體管100a之上時(shí)，保護(hù)層pvx可形成為覆蓋電壓線(xiàn)200的被暴露的側(cè)部。

例如，如圖5中所示，可被分割區(qū)域v暴露的第二連接器224的兩個(gè)側(cè)部可被保護(hù)層pvx覆蓋，防止包括鋁的第二層200b暴露于蝕刻環(huán)境。因此，可提高第二連接器224的臺(tái)階覆蓋，防止接觸第二連接器224的封裝層300被損壞。類(lèi)似地，第一連接器214的兩個(gè)側(cè)部可被保護(hù)層pvx覆蓋。

保護(hù)層pvx可暴露第一連接器214的上表面和第二連接器224的上表面。暴露在分割區(qū)域v中的第一連接器214的上表面和第二連接器224的上表面可直接接觸封裝層300。如圖6中所示，第一連接器214和第二連接器224可彼此平行，以及可在與第一方向垂直的第二方向上彼此間隔開(kāi)。就此而言，保護(hù)層pvx可連續(xù)地布置在第一連接器214和第二連接器224之間。

參照?qǐng)D3，壩部分109c可形成在分割區(qū)域v中。封裝層300可包括用于密封顯示單元100的有機(jī)層330。壩部分109c可在有機(jī)層330形成時(shí)阻止有機(jī)材料在襯底101的邊緣方向上的流動(dòng)，并且可防止有機(jī)層330的邊緣尾部形成。

壩部分109c可接觸第二主電壓線(xiàn)222的外邊緣并與第二主電壓線(xiàn)222的外邊緣重疊，以使得第二主電壓線(xiàn)222的外表面可被覆蓋。中心部分109a可接觸第二主電壓線(xiàn)222的內(nèi)邊緣并與第二主電壓線(xiàn)222的內(nèi)邊緣重疊，以使得第二主電壓線(xiàn)222的內(nèi)表面可被覆蓋。因此，這種布置可防止第二主電壓線(xiàn)222的兩個(gè)側(cè)部暴露在蝕刻環(huán)境中。保護(hù)層pvx還可形成為覆蓋第二主電壓線(xiàn)222的兩個(gè)側(cè)部，以更好地防止第二主電壓線(xiàn)222的兩個(gè)側(cè)部暴露在蝕刻環(huán)境中。

壩部分109c可形成在與平坦化層109相同的層上，以及可包括與平坦化層109相同的材料。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。壩部分109c可包括兩個(gè)或更多個(gè)層。例如，當(dāng)壩部分109c具有雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，下層可包括與平坦化層109相同的材料，以及上層可包括與像素限定層119相同的材料?？尚纬蓛蓚€(gè)或更多個(gè)壩部分109c。當(dāng)多個(gè)壩部分109c被形成時(shí)，多個(gè)壩部分109c的高度可隨著其靠近襯底101的外部而增加。

封裝層300可密封顯示單元100以防止外部氧、水分等滲透至顯示單元100中。封裝層300可包括無(wú)機(jī)層310和無(wú)機(jī)層320，以及有機(jī)層330。無(wú)機(jī)層310、無(wú)機(jī)層320以及有機(jī)層330中的每一個(gè)可包括多個(gè)層。圖3示出了封裝層300包括兩個(gè)無(wú)機(jī)層310和320(該兩個(gè)無(wú)機(jī)層310和320與布置在兩個(gè)無(wú)機(jī)層310和320之間的有機(jī)層330交替堆疊)的示例。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，封裝層300還可包括交替布置的多個(gè)無(wú)機(jī)層和多個(gè)有機(jī)層。封裝層300中的無(wú)機(jī)層和有機(jī)層的堆疊數(shù)量可變化。

有機(jī)層330可包括從由例如丙烯?；鶚?shù)脂、甲基丙烯?；鶚?shù)脂、聚異戊二烯、乙烯基樹(shù)脂、環(huán)氧基樹(shù)脂、氨基甲酸乙酯基樹(shù)脂、纖維素基樹(shù)脂以及二苯嵌苯基樹(shù)脂組成的組選擇的一種或多種材料。

無(wú)機(jī)層310和320可包括從由例如氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰以及氮氧化硅(sion)組成的組選擇的一種或多種材料。

如上所述，壩部分109c可在有機(jī)層330形成時(shí)阻止有機(jī)材料在襯底101的邊緣方向上流動(dòng)。照此，有機(jī)層330可定位在壩部分109c內(nèi)側(cè)。另一方面，無(wú)機(jī)層310和320可大于有機(jī)層330以使得無(wú)機(jī)層310和320可覆蓋外部部分109b。如上所述，電壓線(xiàn)200的暴露在分割區(qū)域v中的側(cè)部可被保護(hù)層pvx覆蓋，并且因此可改善臺(tái)階覆蓋。因此，可防止在形成于上部中的無(wú)機(jī)層310和320中出現(xiàn)缺陷，這防止外部水分或氧滲透至平板顯示設(shè)備10中，并且因此使缺陷(例如，暗斑)的出現(xiàn)最小化。

無(wú)機(jī)層310和320可延伸至外部部分109b的外側(cè)，并且可在外部部分109b的外側(cè)上彼此接觸。無(wú)機(jī)層310和320中的至少一個(gè)可在外部部分109b的外側(cè)上接觸保護(hù)層pvx，從而防止外部水分通過(guò)側(cè)部滲透并且提高封裝層300的密封特性。

圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的圖1的像素p的等效電路的示例的電路圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖1的線(xiàn)iv-iv'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式的沿圖4的線(xiàn)ii-ii'截取的顯示設(shè)備的示例的示意性剖視圖。

參照?qǐng)D7，像素p可包括像素電路pc和顯示元件。像素電路pc可包括例如多個(gè)薄膜晶體管t1至t7以及至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器cst。像素電路pc可電連接至顯示元件。顯示元件可通過(guò)像素電路pc接收驅(qū)動(dòng)電流以發(fā)光。顯示元件可以是例如有機(jī)發(fā)光二極管oled。圖7僅示出了驅(qū)動(dòng)像素p的電路的示例。換言之，有機(jī)發(fā)光二極管oled可通過(guò)多種其它電路配置驅(qū)動(dòng)。

多個(gè)薄膜晶體管t1至t7可包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、第一初始化薄膜晶體管t4、第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5、第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6以及第二初始化薄膜晶體管t7。

像素電路pc可包括第一掃描線(xiàn)sln、第二掃描線(xiàn)sln-1、第三掃描線(xiàn)sln+1、發(fā)射控制線(xiàn)el、數(shù)據(jù)線(xiàn)dl、第一電壓線(xiàn)210以及初始化電壓線(xiàn)vl，其中，第一掃描線(xiàn)sln向開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2和補(bǔ)償薄膜晶體管t3傳送第一掃描信號(hào)sn，第二掃描線(xiàn)sln-1向第一初始化薄膜晶體管t4傳送第二掃描信號(hào)sn-1，第三掃描線(xiàn)sln+1向第二初始化薄膜晶體管t7傳送第三掃描信號(hào)sn+1，發(fā)射控制線(xiàn)el向第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5和第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6傳送發(fā)射控制信號(hào)en，數(shù)據(jù)線(xiàn)dl傳送數(shù)據(jù)信號(hào)dm，第一電壓線(xiàn)210傳送第一電源電壓elvdd，初始化電壓線(xiàn)vl傳送初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的初始化電壓vint。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極可經(jīng)由第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6電連接至有機(jī)發(fā)光二極管oled。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1可根據(jù)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2的開(kāi)關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)dm，并且可向有機(jī)發(fā)光二極管oled供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流。

開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2的柵電極可連接至第一掃描線(xiàn)sln。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2的源電極可連接至數(shù)據(jù)線(xiàn)dl。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極可連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極，以及可經(jīng)由第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5連接至第一電壓線(xiàn)210。

開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2可根據(jù)通過(guò)第一掃描線(xiàn)sln接收的第一掃描信號(hào)sn導(dǎo)通以執(zhí)行向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極傳送從數(shù)據(jù)線(xiàn)dl接收的數(shù)據(jù)信號(hào)dm的開(kāi)關(guān)操作。

補(bǔ)償薄膜晶體管t3的柵電極可連接至第一掃描線(xiàn)sln。補(bǔ)償薄膜晶體管t3的源電極可連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極，以及可經(jīng)由第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6連接至有機(jī)發(fā)光二極管oled的第一電極111(如圖8中所示)。補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極可連接至存儲(chǔ)電容器cst的第一電極c1(如圖8中所示)、第一初始化薄膜晶體管t4的源電極以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極。補(bǔ)償薄膜晶體管t3可根據(jù)通過(guò)第一掃描線(xiàn)sln接收的第一掃描信號(hào)sn導(dǎo)通，以連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極和漏電極并二極管連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1。

第一初始化薄膜晶體管t4的柵電極可連接至第二掃描線(xiàn)sln-1。第一初始化薄膜晶體管t4的漏電極可連接至初始化電壓線(xiàn)vl。第一初始化薄膜晶體管t4的源電極可連接至存儲(chǔ)電容器cst的第一電極c1(如圖8中所示)、補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極。第一初始化薄膜晶體管t4可根據(jù)通過(guò)第二掃描線(xiàn)sln-1接收的第二掃描信號(hào)sn-1導(dǎo)通，以向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極傳送來(lái)自初始化電壓線(xiàn)vl的初始化電壓vint以及執(zhí)行初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極的電壓的初始化操作。

第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5的柵電極可連接至發(fā)射控制線(xiàn)el。第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5的源電極可連接至第一電壓線(xiàn)210。第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5的漏電極可連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極和開(kāi)關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極。

第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6的柵電極可連接至發(fā)射控制線(xiàn)el。第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6的源電極可連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極和補(bǔ)償薄膜晶體管t3的源電極。第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6的漏電極可連接至有機(jī)發(fā)光二極管oled的第一電極111(如圖8中所示)。第一發(fā)射控制薄膜晶體管t5和第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6可根據(jù)通過(guò)發(fā)射控制線(xiàn)el接收的發(fā)射控制信號(hào)en同時(shí)導(dǎo)通，以使得第一電源電壓elvdd可被傳送至有機(jī)發(fā)光二極管oled以及驅(qū)動(dòng)電流可流入有機(jī)發(fā)光二極管oled中。

第二初始化薄膜晶體管t7的柵電極可連接至第三掃描線(xiàn)sln+1。第二初始化薄膜晶體管t7的源電極可連接至有機(jī)發(fā)光二極管oled的第一電極111(如圖8中所示)。第二初始化薄膜晶體管t7的漏電極可連接至初始化電壓線(xiàn)vl。第二初始化薄膜晶體管t7可根據(jù)通過(guò)第三掃描線(xiàn)sln+1接收的第三掃描信號(hào)sn+1導(dǎo)通，以初始化有機(jī)發(fā)光二極管oled的第一電極111(如圖8中所示)。

存儲(chǔ)電容器cst的第二電極c2(如圖8中所示)可連接至第一電壓線(xiàn)210。存儲(chǔ)電容器cst的第一電極c1(如圖8中所示)可連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極、補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極以及第一初始化薄膜晶體管t4的源電極。

有機(jī)發(fā)光二極管oled的第二電極113(如圖8中所示)可連接至第二電源電壓elvss。有機(jī)發(fā)光二極管oled可接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的驅(qū)動(dòng)電流以發(fā)光。

對(duì)于圖8，為了便于描述，圖8僅示出了像素電路pc中的第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2以及存儲(chǔ)電容器cst。

參照?qǐng)D8，緩沖層102可定位在襯底101之上。第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2可定位在緩沖層102之上。

第一薄膜晶體管t1可以是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并且可包括有源層a1、柵電極g1、源電極s1以及漏電極d1。第二薄膜晶體管t2可以是開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，并且可包括有源層a2、柵電極g2、源電極s2以及漏電極d2。圖8示出了這樣的頂柵型的示例，其中，第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的柵電極g1和g2分別布置在有源層a1和有源層a2之上且柵極絕緣層104在柵電極以及有源層之間。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2可以是底柵型。

第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的有源層a1和a2可包括非晶硅或多晶硅。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，有源層a1和a2可包括從由銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、釩(v)、鉿(hf)、鎘(cd)、鍺(ge)、鉻(cr)、鈦(ti)以及鋅(zn)組成的組選擇的一種或多種材料的氧化物。有源層a1和a2可包括摻雜有雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)以及溝道區(qū)。

柵極絕緣層104可定位在有源層a1和a2之上。第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的柵電極g1和g2可定位在柵極絕緣層104之上。第一薄膜晶體管t1的柵電極g1可構(gòu)成存儲(chǔ)電容器cst的第一電極c1。

布置在柵電極g1和g2之上的第一層間絕緣層106a可包括無(wú)機(jī)材料(包括氧化物或氮化物)。存儲(chǔ)電容器cst的第二電極c2可在第一層間絕緣層106a之上定位成與第一電極c1重疊。如上所述，第一電極c1可以是與第一薄膜晶體管t1的柵電極g1相同的電極，并且因此存儲(chǔ)電容器cst可與第一薄膜晶體管t1重疊。

第二層間絕緣層106b可定位在第二電極c2之上。第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1可布置在第二層間絕緣層106b之上。第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1可形成第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的源電極s1和s2以及漏電極d1和d2，以及數(shù)據(jù)線(xiàn)dl。第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1可具有包括鈦的第一層、包括鋁的第二層以及包括鈦的第三層的堆疊結(jié)構(gòu)。

第一保護(hù)層pvx1和第一平坦化層109(1)可形成在第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1之上。第一保護(hù)層pvx1和第一平坦化層109(1)可分別與參照?qǐng)D3描述的保護(hù)層pvx和平坦化層109基本上相同。第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2可形成在第一平坦化層109(1)之上。與第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1類(lèi)似，第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2可具有包括鈦的第一層、包括鋁的第二層以及包括鈦的第三層的堆疊結(jié)構(gòu)。

第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2可至少布置在第一薄膜晶體管t1的柵電極g1和第一電極111之間，以減小在柵電極g1和第一電極111之間生成的寄生電容。

第二保護(hù)層pvx2和第二平坦化層109(2)可形成在第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2之上。第二保護(hù)層pvx2和第二平坦化層109(2)可分別與參照?qǐng)D3描述的保護(hù)層pvx和平坦化層109基本上相同。

有機(jī)發(fā)光二極管oled可定位在第二平坦化層109(2)之上。有機(jī)發(fā)光二極管oled可包括第一電極111、第二電極113以及布置在第一電極111和第二電極113之間的中間層112。

圖3的分割區(qū)域v可將第一平坦化層109(1)和第二平坦化層109(2)分別分割成圖3的中心部分109a和圖3的外部部分109b。就此而言，至少第二保護(hù)層pvx2可連同第一平坦化層109(1)和第二平坦化層109(2)一起被分割區(qū)域v分割。

第一電極111可經(jīng)由圖7的第二發(fā)射控制薄膜晶體管t6電連接至第一薄膜晶體管t1的漏電極d1。第二電極113可電連接至圖4的第二電壓線(xiàn)220。

圖4的電壓線(xiàn)200可具有第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1和第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2的堆疊結(jié)構(gòu)，從而減小圖4的電壓線(xiàn)200的電阻。圖4的第一連接器214和第二連接器224的暴露在分割區(qū)域v中的側(cè)部可被第一保護(hù)層pvx1和第二保護(hù)層pvx2覆蓋，防止第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1和第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2的側(cè)部暴露于蝕刻環(huán)境。當(dāng)?shù)谝槐Ｗo(hù)層pvx1和第二保護(hù)層pvx2未形成在第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1之上并且只有第一平坦化層109(1)和第二平坦化層109(2)形成時(shí)，第一保護(hù)層pvx1和第二保護(hù)層pvx2可僅形成在覆蓋第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1和第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2的側(cè)部的位置中。

例如，圖4的第一連接器214和第二連接器224中包括的第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1的兩個(gè)側(cè)部可被第一保護(hù)層pvx1覆蓋，以及圖4的第一連接器214和第二連接器224中包括的第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2的兩個(gè)側(cè)部可被第二保護(hù)層pvx2覆蓋。就此而言，第一保護(hù)層pvx1可暴露第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1的上表面，以及第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2可通過(guò)該被暴露的上表面接觸第一導(dǎo)電構(gòu)件mp1。第二保護(hù)層pvx2可形成為暴露第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2的上表面。第一保護(hù)層pvx1和第二保護(hù)層pvx2可在第二導(dǎo)電構(gòu)件mp2的外側(cè)上彼此接觸。如圖6中所示，第一保護(hù)層pvx1和第二保護(hù)層pvx2可連續(xù)地形成在圖4的第一連接器214和第二連接器224之間。

如上所述，形成在第二電極113之上的封裝層300可包括無(wú)機(jī)層310和320以及有機(jī)層330，以及可直接地在圖4的分割區(qū)域v中接觸第一連接器214和第二連接器224。就此而言，如上所述，圖4的第一連接器214和第二連接器224的側(cè)部可被第一保護(hù)層pvx1和第二保護(hù)層pvx2覆蓋，并且因此可改善圖4的第一連接器214和第二連接器224的臺(tái)階覆蓋，從而防止缺陷在形成于上部中的無(wú)機(jī)層310和320中出現(xiàn)。因此，可防止外部水分或氧滲透至顯示設(shè)備中，從而使缺陷(例如，暗斑等)的出現(xiàn)最小化。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備可使可能出現(xiàn)在封裝層中的缺陷最小化，從而使缺陷(例如，暗斑等)的出現(xiàn)最小化。雖然已參照本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不背離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可在形式和細(xì)節(jié)上作出多種改變。