技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于自對準工藝的GaN?HEMT器件及其制造方法，該方法通過在第一次刻蝕出的凹槽基礎(chǔ)上，再用一次或多次的各項同性介質(zhì)淀積和各項異性刻蝕的方法，形成寬度達到要求的凹槽，淀積金屬后即形成細柵長的柵金屬。本發(fā)明實現(xiàn)了亞微米以下尺寸的柵，突破了光刻設(shè)備的關(guān)鍵尺寸限制，并且工藝簡單可控。

技術(shù)研發(fā)人員：倪煒江;袁俊;楊永江;張敬偉;李明山;胡羽中
受保護的技術(shù)使用者：北京華進創(chuàng)威電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.16
技術(shù)公布日：2017.09.15