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      一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī)的制作方法

      文檔序號(hào):39980642發(fā)布日期:2024-11-15 14:29閱讀:20來(lái)源:國(guó)知局
      一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī)的制作方法

      本技術(shù)涉及晶圓劃片機(jī),特別是一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī)。


      背景技術(shù):

      1、半導(dǎo)體晶圓的正面上設(shè)置有相互交叉的多條切割道,多條切割道將半導(dǎo)體晶圓劃分為若干區(qū)域,各區(qū)域形成器件。當(dāng)沿著切割道對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行切割時(shí),即能夠得到各個(gè)器件。

      2、相關(guān)技術(shù)中,半導(dǎo)體晶圓的切割是在劃片機(jī)內(nèi)進(jìn)行。

      3、在放置晶圓之前,一般需要在切割臺(tái)上手動(dòng)放置一層藍(lán)膜,然后再放置晶圓片,這樣做的目的是,藍(lán)膜可以起到固定晶圓、束縛晶粒的作用,使晶圓被切割分開(kāi)后不會(huì)散落。

      4、然而,手動(dòng)鋪藍(lán)膜具有效率低、容易污染和工作量的問(wèn)題,因此提出一種新的內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī)來(lái)解決此問(wèn)題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本實(shí)用新型的目的旨在至少解決所述技術(shù)缺陷之一。

      2、為此,本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),以解決背景技術(shù)中所提到的問(wèn)題,克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。

      3、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型一方面的實(shí)施例提供一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),包括伺服電機(jī)、絲桿和軌道,所述伺服電機(jī)的輸出端固定連接有絲桿,所述絲桿的兩側(cè)設(shè)置有軌道;

      4、所述軌道的外表面活動(dòng)連接有滑座,所述滑座的頂部固定連接有載臺(tái),所述載臺(tái)的輸出端固定連接有轉(zhuǎn)臺(tái);

      5、所述載臺(tái)的底部固定連接有導(dǎo)塊,所述導(dǎo)塊與絲桿螺紋連接;

      6、所述軌道的上方設(shè)置有第一無(wú)桿氣缸,所述第一無(wú)桿氣缸的輸出端上活動(dòng)連接有滑塊,所述滑塊的正面固定連接有激光切割頭;

      7、所述軌道的上方設(shè)置有第二無(wú)桿氣缸,所述第二無(wú)桿氣缸輸出端的滑塊正面固定連接有抓取氣缸,所述抓取氣缸豎向設(shè)置,所述抓取氣缸的輸出端固定連接有固定盤(pán),所述固定盤(pán)底面的邊緣處固定連接有吸盤(pán)。

      8、由上述任一方案優(yōu)選的是,所述軌道的數(shù)量為兩個(gè)并平行設(shè)置,所述滑座、載臺(tái)和導(dǎo)塊為一體結(jié)構(gòu)。

      9、采用上述技術(shù)方案:本裝置專(zhuān)用于內(nèi)存芯片的晶圓劃片、切割。

      10、由上述任一方案優(yōu)選的是,所述第一無(wú)桿氣缸、第二無(wú)桿氣缸的底部固定連接有支架,所述第一無(wú)桿氣缸橫向設(shè)置。

      11、由上述任一方案優(yōu)選的是,所述激光切割頭的橫向位置可調(diào)節(jié),所述激光切割頭豎向設(shè)置。

      12、采用上述技術(shù)方案:激光切割頭的位置可調(diào),載臺(tái)在軌道上的位置可調(diào),載臺(tái)輸出端的轉(zhuǎn)臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng),從而利用激光切割頭對(duì)晶圓進(jìn)行全面切割。載臺(tái)帶著晶圓直線(xiàn)通過(guò)激光切割頭下方時(shí),被激光切割頭發(fā)出的高能激光束照射晶圓片表面,使被照射的區(qū)域局部融化細(xì)化,從而達(dá)到切片的目的。

      13、由上述任一方案優(yōu)選的是,所述第二無(wú)桿氣缸橫向設(shè)置,所述抓取氣缸具體為雙桿氣缸。

      14、采用上述技術(shù)方案:設(shè)計(jì)了自動(dòng)抓取藍(lán)膜的機(jī)構(gòu),由第二無(wú)桿氣缸、固定盤(pán)和吸盤(pán)組成。當(dāng)載臺(tái)移動(dòng)到第二無(wú)桿氣缸下方時(shí),第二無(wú)桿氣缸動(dòng)作,抓取氣缸的輸出端輸出,利用吸盤(pán)產(chǎn)生負(fù)壓吸取單片藍(lán)膜到載臺(tái)上方,抓取氣缸的輸出端頂出,吸盤(pán)取消負(fù)壓,從而將藍(lán)膜自動(dòng)鋪設(shè)在載臺(tái)上,無(wú)需手動(dòng)鋪膜,提高了劃片效率,減少工作量。

      15、藍(lán)膜的作用是,起到固定晶圓、束縛晶粒的作用,使晶圓被切割分開(kāi)后不會(huì)散落。

      16、由上述任一方案優(yōu)選的是,所述吸盤(pán)的頂部固定連接有接頭以連接氣源。

      17、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型所具有的優(yōu)點(diǎn)和有益效果為:

      18、該內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),通過(guò)第二無(wú)桿氣缸、固定盤(pán)和吸盤(pán)、伺服電機(jī)、絲桿、軌道、滑座、載臺(tái)、滑塊的配合設(shè)置,當(dāng)載臺(tái)移動(dòng)到第二無(wú)桿氣缸下方時(shí),第二無(wú)桿氣缸動(dòng)作,抓取氣缸的輸出端輸出,利用吸盤(pán)產(chǎn)生負(fù)壓吸取單片藍(lán)膜到載臺(tái)上方,抓取氣缸的輸出端頂出,吸盤(pán)取消負(fù)壓,從而將藍(lán)膜自動(dòng)鋪設(shè)在載臺(tái)上,無(wú)需手動(dòng)鋪膜,提高了劃片效率,減少工作量。

      19、本實(shí)用新型附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。



      技術(shù)特征:

      1.一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),其特征在于,包括伺服電機(jī)(1)、絲桿(2)和軌道(3),所述伺服電機(jī)(1)的輸出端固定連接有絲桿(2),所述絲桿(2)的兩側(cè)設(shè)置有軌道(3);

      2.如權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),其特征在于:所述軌道(3)的數(shù)量為兩個(gè)并平行設(shè)置,所述滑座(4)、載臺(tái)(5)和導(dǎo)塊(7)為一體結(jié)構(gòu)。

      3.如權(quán)利要求2所述的一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),其特征在于:所述第一無(wú)桿氣缸(8)、第二無(wú)桿氣缸(11)的底部固定連接有支架,所述第一無(wú)桿氣缸(8)橫向設(shè)置。

      4.如權(quán)利要求3所述的一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),其特征在于:所述激光切割頭(10)的橫向位置可調(diào)節(jié),所述激光切割頭(10)豎向設(shè)置。

      5.如權(quán)利要求4所述的一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),其特征在于:所述第二無(wú)桿氣缸(11)橫向設(shè)置,所述抓取氣缸(12)具體為雙桿氣缸。

      6.如權(quán)利要求5所述的一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),其特征在于:所述吸盤(pán)(14)的頂部固定連接有接頭以連接氣源。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)提出了一種內(nèi)存芯片晶圓劃片機(jī),包括伺服電機(jī)、絲桿和軌道,所述伺服電機(jī)的輸出端固定連接有絲桿,所述絲桿的兩側(cè)設(shè)置有軌道,所述軌道的外表面活動(dòng)連接有滑座,所述滑座的頂部固定連接有載臺(tái),所述載臺(tái)的輸出端固定連接有轉(zhuǎn)臺(tái),所述載臺(tái)的底部固定連接有導(dǎo)塊,所述導(dǎo)塊與絲桿螺紋連接。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于:通過(guò)第二無(wú)桿氣缸、固定盤(pán)和吸盤(pán)、伺服電機(jī)、絲桿、軌道、滑座、載臺(tái)、滑塊的配合設(shè)置,當(dāng)載臺(tái)移動(dòng)到第二無(wú)桿氣缸下方時(shí),第二無(wú)桿氣缸動(dòng)作,抓取氣缸的輸出端輸出,利用吸盤(pán)產(chǎn)生負(fù)壓吸取單片藍(lán)膜到載臺(tái)上方,抓取氣缸的輸出端頂出,吸盤(pán)取消負(fù)壓,從而將藍(lán)膜自動(dòng)鋪設(shè)在載臺(tái)上,無(wú)需手動(dòng)鋪膜,提高了劃片效率,減少工作量。

      技術(shù)研發(fā)人員:蔣文,楊冬艷,蔡梁勇
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市舟鴻半導(dǎo)體科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240329
      技術(shù)公布日:2024/11/14
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