夠構成為第一接觸盤的和/或第二接觸盤的絕緣區(qū)域，并且封裝件的物質或物質混合物具有選自下述物質組的物質或物質混合物或由其構成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯、氧化鈦、氧化給、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化硅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅以及其混合物和合金。
[0060]在方法的又一個設計方案中，電端子能夠在與封裝件物理接觸的情況下不具有或構成與第一接觸盤和/或第二接觸盤的電連接。
[0061]在方法的又一個設計方案中，在露出第一接觸盤的區(qū)域時和/或在露出第二接觸盤的區(qū)域時，能夠在第一接觸盤的和/或與第二接觸盤的封裝件中構成由兩個或更多個露出的區(qū)域構成的構造方案。
[0062]在方法的又一個設計方案中，在第一接觸盤中和/或在第二接觸盤中能夠構成不同數量的露出的區(qū)域，例如零個、一個、兩個、三個或更多個。
[0063]露出的區(qū)域相互間和/或相對于其他接觸盤的露出的區(qū)域能夠具有彼此不同的間距。
[0064]電端子之間的間距和/或電端子的形狀在錯誤對準時、即器件關于電端子反極性的情況下不對應于接觸盤的露出的區(qū)域的間距。由此，能夠構成反極性保護。
[0065]一個接觸盤上的露出的區(qū)域和關于其他接觸盤的露出的區(qū)域能夠具有不同的形狀和/或擴展。由此，能夠構成反極性保護，借助所述反極性保護能夠防止光電子器件的錯誤的極、反極性或短路，例如在保持設備的、例如插接設備的端子固定的情況下。
[0066]在方法的又一個設計方案中，用于第一接觸盤的封裝件的露出的區(qū)域的構造方案能夠與第二接觸盤的封裝件的露出的區(qū)域的構造方案不同地構成。
[0067]在方法的又一個設計方案中，封裝件的露出的區(qū)域的構造方案能夠構成為，使得在電端子和接觸盤的極性一致的情況下，能夠構成電端子與接觸盤的電連接。
[0068]在方法的又一個設計方案中，用于第一接觸盤和/或用于第二接觸盤的封裝件的露出的區(qū)域的構造方案在極性相同的情況下能夠相同地構成。
[0069]在方法的又一個設計方案中，在至少一個接觸盤上能夠露出封裝件的區(qū)域，使得僅有機光電子器件相對于電端子的對準引起電連接。
[0070]器件的單義的對準能夠在不改變保持設備的或電子器件的外形的情況下構成，例如當每個接觸盤或與其互補的每個電端子在距其他露出的區(qū)域或電端子的間距和形狀方面特定地、即獨特地構成時如此。
[0071]根據電子器件的設計方案和特性，面狀相對置的接觸盤例如能夠具有相同的極性進而例如能夠實現對光電子器件的均勻的通電或多個光電子器件的互連。
[0072]在方法的又一個設計方案中，第一接觸盤的和/或第二接觸盤的封裝件的露出的區(qū)域與相應端子的形狀能夠互補地構成。
[0073]在方法的又一個設計方案中，封裝件的露出的區(qū)域的和端子的互補的構成方案具有至少一個選自下述參數組的參數:形狀；拓撲；和表面的化學特性。
[0074]在方法的又一個設計方案中，端子與第一接觸盤的露出的部分或與第二接觸盤的露出的部分的耦聯能夠具有材料配合的連接、
[0075]在方法的又一個設計方案中，材料配合的連接能夠具有選自下述方法組的接合方法:熔焊、釬焊；或粘接。
[0076]在方法的又一個設計方案中，能夠露出導電區(qū)域，使得在建立端子與接觸盤的物理連接時，封裝件的露出的區(qū)域的形狀能夠對用于材料配合的連接的物質或物質混合物構成對準作用。
[0077]為了將電端子與第一接觸盤的和/或第二接觸盤的露出的區(qū)域中的導電區(qū)域以材料配合的方式連接，能夠部分地或完全地由用于材料配合的連接的物質或物質混合物填充封裝件的露出的區(qū)域。
[0078]材料配合的連接的物質或物質混合物在連接之前能夠處于非固態(tài)狀態(tài)，例如是液態(tài)的或粘稠的，例如為非硬化的環(huán)氧化物、導熱膏、焊錫或者其他液態(tài)的或液化的金屬或金屬化合物，例如金屬合金。
[0079]封裝件的物質或物質混合物能夠對于材料配合的連接的物質或物質混合物構成為是不可滲透的，由此封裝件構成用于材料配合的連接的物質或物質混合物的擴散阻擋件。
[0080]在方法的又一個設計方案中，封裝層的物質或物質混合物能夠構成為用于材料配合的連接的物質或物質混合物的擴散阻擋件。
[0081]當將電端子引導到露出的區(qū)域中時，露出的區(qū)域的形狀、例如截錐的形狀能夠對于材料配合的連接的物質或物質混合物和電端子具有對準作用，即以位置對準的方式。當電端子與露出的區(qū)域互補成形時，對準作用能夠加強。
[0082]借助于對準作用能夠通過修正位置的形狀例如以漸縮的方式補償電端子相對于露出的區(qū)域的互補的對準。
[0083]在材料配合的連接的物質或物質混合物導電的情況下，借助于僅將電端子與材料配合的連接的物質或物質混合物耦聯，能夠構成接觸盤的露出的導電區(qū)域和電端子之間的電連接，即電端子的擴展能夠小于露出的區(qū)域的擴展。由此，能夠簡化電端子相對于露出的區(qū)域的對準。
[0084]因此，露出的區(qū)域的擴展能夠選擇得大至，使得材料配合的連接的物質或物質混合物、例如焊錫在管腳下方流動是可能的，由此能夠防止電端子的打滑。電端子例如能夠以銷(管腳)的形式構成。
[0085]妨礙材料配合的連接的物質或物質混合物的流動在此能夠借助于匹配封裝件的物質或物質混合物的表面應力和材料配合的連接的物質或物質混合物的表面應力來加強或降低。
[0086]在材料配合的連接的物質或物質混合物不導電的情況下，電端子和接觸盤的導電區(qū)域之間的電連接能夠借助于物理接觸來構成。
[0087]在方法的又一個實施方式中，端子與第一接觸盤的露出的區(qū)域和/或與第二接觸盤的露出的區(qū)域的耦聯能夠借助于形狀配合、剪力或彈簧力來構成。
[0088]在方法的又一個實施方式中，相同極性的接觸盤能夠借助于電橋彼此電連接，即并聯連接，例如通過常規(guī)的能夠借助材料配合的或形狀配合的連接來固定的布線。
[0089]借助于露出的區(qū)域能夠為電橋實現限定的位置。
[0090]限定的位置例如能夠用于例如借助于機器人自動地構成橋。
[0091]借助于露出的區(qū)域還能夠簡化接觸盤的并聯連接，因為例如為每個焊接部位僅加工/保持一個線纜。
[0092]借助于通過露出的區(qū)域形成電橋，能夠連續(xù)地構成形狀配合的連接、例如焊接部位，使得能夠保持已經構成的焊接部位，即不再松開或改變。
[0093]在方法的又一個實施方式中，第一接觸盤和/或第二接觸盤能夠具有多個露出的區(qū)域并且與電端子連接，其中借助于具有未占用的、露出的區(qū)域的電橋，多于一個的相同極性的接觸盤能夠并聯連接并且通電。
[0094]在方法的又一個實施方式中，沒有用于通電的露出的區(qū)域能夠用于對準和/或固定電子器件。
[0095]在方法的又一個實施方式中，電子器件能夠具有有機光電子器件，優(yōu)選為有機發(fā)光二極管或有機太陽能電池。
【附圖說明】
[0096]本發(fā)明的實施例在附圖中示出并且在下面詳細闡述。
[0097]附圖示出:
[0098]圖1根據不同的實施例示出光電子器件的示意橫截面圖；
[0099]圖2根據不同的實施例示出光電子器件的后側的示意俯視圖；
[0100]圖3根據不同的實施例示出光電子器件的接觸盤的示意橫截面圖；
[0101]圖4根據不同的實施例示出光電子器件的接觸盤的示意橫截面圖；
[0102]圖5根據不同的實施例示出在耦聯之前的光電子器件與電接觸部的材料配合的電連接的示意橫截面圖；
[0103]圖6根據不同的實施例示出在耦聯之后的光電子器件與電接觸部的材料配合的電連接的示意橫截面圖；
[0104]圖7根據不同的實施例示出在耦聯之前的光電子器件與電接觸部的形狀配合的電連接的示意橫截面圖；
[0105]圖8根據不同的實施例示出在耦聯之后的光電子器件與電接觸部的形狀配合的電連接的示意橫截面圖；
[0106]圖9根據不同的實施例示出具有露出的導電區(qū)域的光電子器件的后側的示意俯視圖；
[0107]圖10根據不同的實施例示出在極錯誤的情況下的光電子器件的反極性保護的示意圖；
[0108]圖11根據不同的實施例示出在極正確的情況下的光電子器件的反極性保護的示意圖；
[0109]圖12根據不同的實施例示出光電子器件的并聯電路的示意圖，和
[0110]圖13示出光電子器件的具體的設計方案的示意圖。
【具體實施方式】
[0111]在下面詳細的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在所述附圖中示出能夠實施本發(fā)明的具體的實施方式以用于說明。在此方面，相關于所描述的一個(多個)附圖的定向而使用方向術語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因為實施方式的組成部分能夠以多個不同的定向來定位，所以方向術語僅用于說明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能夠使用其他的實施方式并且能夠進行結構上的或邏輯上的改變，而不偏離本發(fā)明的保護范圍。要理解的是，只要沒有特殊地另外說明，就能夠將在此描述的不同的示例性的實施方式的特征互相組合。因此，下面詳細的描述不能夠理解為受限制的意義，并且本發(fā)明的保護范圍通過附上的權利要求來限定。
[0112]在所述描述的范圍內，術語“連接”、“聯接”以及“耦聯”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的接觸盤以及直接的或間接的耦聯。在附圖中，只要是適當的，相同的或相似的元件就設有相同的附圖標記。
[0113]圖1根據不同的實施例示出光電子器件的示意橫截面圖。
[0114]有機發(fā)光二極管100的形式的發(fā)光器件100能夠具有載體102。載體102例如能夠用作為用于電子元件或層、例如用于發(fā)光元件的載體元件。例如，載體102能夠具有玻璃、石英和/或半導體材料或任意其他適合的材料或由其形成。此外，載體102能夠具有塑料薄膜或具有帶有一個或多個塑料薄膜的疊層或者由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。載體102能夠具有一種或多種上述材料。載體102能夠構成為是半透明的或甚至是透明的。
[0115]術語“半透明”或“半透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的，例如對于由發(fā)光器件所產生的例如一個或多個波長范圍的光是可穿透的，例如對于可見光的波長范圍中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的局部范圍中)。例如，術語“半透明層”在不同的實施例中理解為:全部的耦合輸入到結構(例如層)中的光量基本上也從該結構(例如層)中耦合輸出，其中光的一部分在此能夠散射。
[0116]術語“透明”或“透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的局部范圍中)，其中耦合輸入到結構(例如層)中的光基本上在沒有散射或光轉換的情況下也從該結構(例如層)中耦合輸出。因此，“透明”在不同的實施例中能夠視作為“半透明”的特殊情況。
[0117]對于例如應當提供單色發(fā)光的或發(fā)射光譜受限的電子器件的情況而言足夠的是:光學半透明的層結構至少在期望的單色光的波長范圍的局部范圍中或者對于受限的發(fā)射光譜是半透明的。
[0118]在不同的實施例中，有機發(fā)光二極管100(或還有根據在上文中或還要在下文中描述的實施例的發(fā)光器件)能夠設計成所謂的頂部和底部發(fā)射器。頂部和底部發(fā)射器也能夠稱作為光學透明器件，例如透明有機發(fā)光二級管。
[0119]在不同的實施例中，能夠可選地在載體102上或上方設置有阻擋層104。阻擋層104能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其構成:氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。此外，阻擋層104在不同的實施例中能夠具有在大約
0.1nm (原子層)至大約5000nm的范圍中的層厚度，例如在大約1nm至大約200nm的范圍中的層厚度，例如為大約40nm的層厚度。
[0120]在阻擋層104上或上方能夠設置有發(fā)光器件100的電有源區(qū)域106。電有源區(qū)域106能夠理解為發(fā)光器件100的其中有用于運行發(fā)光器件100的電流流動的區(qū)域。在不同的實施例中，電有源區(qū)域106能夠具有第一電極110、第二電極114和有機功能層結構112，如其在下面更詳細闡