明的那樣。
[0121]因此，在不同的實(shí)施例中，能夠在阻擋層104上或上方(或者，當(dāng)不存在阻擋層104時(shí)，在載體102上或上方)施加(例如第一電極層110的形式的)第一電極110。第一電極110(下面也稱為底部電極110)能夠由導(dǎo)電材料形成或者是導(dǎo)電材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide, TCO)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TCO的或不同TCO的多個(gè)層的層堆來形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元的金屬氧化物例如ZnO、SnO;^ In 203以外，三元的金屬氧化物例如AlZnO、Zn 2SnO4、CdSnO3N ZnSnO3N Mgln204> Galn03> Zn2In2O5或In 4Sn301;^不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族并且能夠在不同的實(shí)施例中使用。此外，TCO不強(qiáng)制符合化學(xué)計(jì)量的組分并且還能夠是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0122]在不同的實(shí)施例中，第一電極110能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0123]在不同的實(shí)施例中，能夠由在TCO層上的金屬層的組合的層堆形成第一電極110，或者反之。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO復(fù)層。
[0124]在不同的實(shí)施例中，替選于或附加于上述材料，第一電極110能夠設(shè)有下述材料中的一種或多種:由例如由Ag構(gòu)成的金屬的納米線和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；石墨微粒和石墨層；由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0125]此外，第一電極110能夠具有導(dǎo)電聚合物或過渡金屬氧化物或?qū)щ娡该餮趸铩?br>[0126]在不同的實(shí)施例中，第一電極110和載體102能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的。在第一電極110由金屬形成的情況下，第一電極110例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極110例如能夠具有大于或等于大約1nm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，第一電極110能夠具有在大約1nm至大約25nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約1nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0127]此外，對于第一電極110由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)形成的情況而言，第一電極110例如具有在大約50nm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約10nm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0128]此外，對于第一電極110例如由如由Ag構(gòu)成的能夠與導(dǎo)電聚合物組合的金屬的納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成、由能夠與導(dǎo)電聚合物組合的碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成或者由石墨層和復(fù)合材料形成的情況而言，第一電極I1例如能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約1nm至大約400nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0129]第一電極110能夠構(gòu)成為陽極、即構(gòu)成為空穴注入的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0130]第一電極110能夠具有第一電端子，第一電勢(由能量源(未示出)、例如由電流源或電壓源提供)能夠施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢能夠施加到載體102上或者是施加到載體102上的并且然后經(jīng)由此間接地輸送給第一電極110或者是輸送給第一電極110的。第一電勢例如能夠是接地電勢或者是不同地預(yù)設(shè)的參考電勢。
[0131]此外，發(fā)光器件100的電有源區(qū)域106能夠具有有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112，所述有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)施加在第一電極110上或上方或是施加在第一電極110上或上方的。
[0132]有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112能夠包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118、例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體的發(fā)射體層，以及一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層116 (也稱作空穴傳輸層120) ο在不同的實(shí)施例中，替選地或附加地，能夠設(shè)有一個(gè)或多個(gè)電子傳導(dǎo)層116(也稱作電子傳輸層116)。
[0133]能夠在根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)光器件100中用于發(fā)射體層118的發(fā)射體材料的實(shí)例包括:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-對-亞苯基乙烯撐);以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic(雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基_(2_羧基吡啶基)-銥III)、發(fā)綠色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)銥III)、發(fā)紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4，4’ - 二-叔-丁基_(2，2’)_聯(lián)吡啶]釕(III)絡(luò)合物)、以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi (4, 4-雙[4-( 二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)、發(fā)綠色熒光的TTPA(9，10-雙[隊(duì)^二-(對_甲苯基)_氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2(4-二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發(fā)射體。這種非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如旋涂法(也稱作Spin Coating)來沉積。
[0134]發(fā)射體材料能夠以適合的方式嵌在基體材料中。
[0135]需要指出的是，在其他的實(shí)施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射體材料。
[0136]發(fā)光器件100的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118的發(fā)射體材料例如能夠選擇為，使得發(fā)光器件100發(fā)射白光。一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118能夠具有多種發(fā)射不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或者藍(lán)色、綠色和紅色)的發(fā)射體材料，替選地，發(fā)射體層118也能夠由多個(gè)子層構(gòu)成，如發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層118或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射體層118、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層118和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層118。通過不同顏色的混合，能夠得到具有白色的色彩印象的光的發(fā)射。替選地，也能夠提出，在通過這些層產(chǎn)生的初級發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級輻射并且發(fā)射其他波長的次級輻射，使得從(還不是白色的)初級輻射通過將初級輻射和次級輻射組合得到白色的色彩印象。
[0137]有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112通常能夠具有一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層。一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)”)或這些材料的組合。例如，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112能夠具有構(gòu)成為空穴傳輸層120的一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層，使得例如在OLED的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)將空穴有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地，在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112能夠具有構(gòu)成為電子傳輸層116的一個(gè)或多個(gè)功能層，使得例如在OLED中能夠?qū)崿F(xiàn)將電子有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層120的材料。在不同的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層能夠構(gòu)成為進(jìn)行電致發(fā)光的層。
[0138]在不同的實(shí)施例中，空穴傳輸層120能夠施加、例如沉積在第一電極110上或上方，并且發(fā)射體層118能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層120上或上方。在不同的實(shí)施例中，電子傳輸層116能夠施加、例如沉積在發(fā)射體層118上或上方。
[0139]在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112(即例如空穴傳輸層120和發(fā)射體層118和電子傳輸層116的厚度的總和)具有最大為大約1.5 μπι的層厚度、例如最大為大約
1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約I μ m的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112例如能夠具有多個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆，其中每個(gè)OLED例如能夠具有最大為大約1.5 ym的層厚度、例如最大為大約1.2 μ??的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112例如能夠具有兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的OLED的堆，在此情況下，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)112例如能夠具有最大為大約3 μ m的層厚度。
[0140]發(fā)光器件100可選地通常能夠具有另外的有機(jī)功能層，所述另外的有機(jī)功能層例如設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118上或上方或者設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)電子傳輸層116上或上方，用于進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光器件100的功能性進(jìn)而效率。
[0141]在有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110上或上方或者必要時(shí)在一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)功能層上或上方能夠施加第二電極114 (例如以第二電極層114的形式)。
[0142]在不同的實(shí)施例中，第二電極114能夠具有與第一電極110相同的材料或者由其形成，其中在不同的實(shí)施例中金屬是尤其適合的。
[0143]在不同的實(shí)施例中，第二電極114(例如對于金屬的第二電極114的情況而言)例如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約1nm的層厚度。
[0144]第二電極114通常能夠以與第一電極110相似的或不同的方式構(gòu)成或者是這樣構(gòu)成的。第二電極114在不同的實(shí)施例中能夠由一種或多種材料并且以相應(yīng)的層厚度構(gòu)成或者是這樣構(gòu)成的，如在上面結(jié)合第一電極110所描述的那樣。在不同的實(shí)施例中，第一電極110和第二電極114這兩者都透明地或半透明地構(gòu)成。因此，在圖1中示出的發(fā)光器件100能夠設(shè)計(jì)成頂部和底部發(fā)射器(換言之作為透明的發(fā)光器件100)。
[0145]第二電極114能夠構(gòu)成為陽極、即構(gòu)成為空穴注入的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0146]第二電極114能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(所述第二電勢與第一電勢不同)能夠施加到所述第二電端子上。第二電勢例如能夠具有一定數(shù)值，使得與第一電勢的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0147]在第二電極114上或上方進(jìn)而在電有源區(qū)域106上或上方可選地還能夠形成或形成有封裝件108，例如以阻擋薄層/薄層封裝件108的形式的封裝件。
[0148]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”108在本申請的范圍中例如能夠理解成下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對于化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其相對于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之，阻擋薄層108構(gòu)成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的物質(zhì)例如水、氧氣或溶劑穿過。
[0149]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108能夠構(gòu)成單獨(dú)的層(換言之，構(gòu)成為單層)。根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108能夠具有多個(gè)彼此相疊構(gòu)成的子層。換言之，根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108能夠構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層108或阻擋薄層108的一個(gè)或多個(gè)子層例如能夠借助于適合的沉積方法來形成，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n(ALD))來形成，例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-lessAtomic Layer Deposit1n (PLALD))，或根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))來形成，例如為等離子增強(qiáng)的氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n (PECVD))或無等離子的氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD))，或者替選地借助于另外適合的沉積方法來形成。
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