片式電子組件及其制造方法
【專利說(shuō)明】片式電子組件及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2013年12月4日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0150171號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，該申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本公開(kāi)涉及一種片式電子組件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]作為片式電子組件之一的電感器是與電阻器和電容器一起形成電路以去除噪聲的代表性無(wú)源元件。使用電磁性能將電感器與電容器結(jié)合以構(gòu)成放大在特定頻帶中的信號(hào)的諧振電路、濾波電路等。
[0004]近來(lái)，隨著諸如各種通信裝置、顯示裝置等的信息技術(shù)(IT)裝置的小型化和纖薄化不斷發(fā)展，對(duì)用于使在IT裝置中應(yīng)用的諸如電感器、電容器、晶體管等的各種元件小型化和纖薄化的技術(shù)的研究已經(jīng)不斷地進(jìn)行。電感器也已經(jīng)迅速地被具有小尺寸和高密度且能夠自動(dòng)表面安裝的片所取代，并且已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種在線圈圖案(通過(guò)鍍覆在薄膜絕緣基板的上表面和下表面上形成線圈圖案)上形成磁性粉末和樹(shù)脂的混合物的薄膜電感器。
[0005]在薄膜電感器中，在絕緣基板上形成線圈圖案之后，將絕緣膜形成在線圈圖案上以防止線圈圖案與磁性材料之間的接觸。
[0006]然而，在根據(jù)當(dāng)前技術(shù)通過(guò)層壓法等來(lái)形成絕緣主體的情況下，為了使絕緣膜形成為延伸至線圈部分的下部，絕緣膜需要具有足夠的寬度。隨著絕緣膜的寬度變大，磁性材料所占的體積減小，造成電感減小。
[0007]另外，在線圈部分的下部的周圍局部地未形成絕緣膜，由此產(chǎn)生空隙。因?yàn)槠渲袩o(wú)絕緣膜形成的空隙導(dǎo)致線圈部分直接接觸金屬磁性材料等，所以產(chǎn)生了漏電流。因此，電感在IMHz的頻率下處于正常狀態(tài)，但在高頻下迅速地減小，由此產(chǎn)生不良波形。
[0008]下面的專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2公開(kāi)了一種通過(guò)鍍覆將內(nèi)線圈圖案形成在絕緣基板的上表面和下表面上的薄膜電感器。然而，通過(guò)僅使用在專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的工藝，在形成沒(méi)有任何空隙的薄的絕緣膜方面存在限制。
[0009][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0010](專利文獻(xiàn)I)第2005-210010號(hào)日本專利公開(kāi)公布
[0011](專利文獻(xiàn)2)第2008-166455號(hào)日本專利公開(kāi)公布

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本公開(kāi)的一方面可提供一種片式電子組件及其制造方法，所述片式電子組件包括薄的絕緣膜，該絕緣膜具有減小的寬度并延伸至線圈圖案的下部而不暴露線圈圖案，以使得線圈圖案不與磁性材料直接接觸，由此防止高頻下的不良波形，并增大電感。
[0013]根據(jù)本公開(kāi)的一方面，片式電子組件可包括磁性主體，磁性主體包括絕緣基板。線圈圖案部形成在絕緣基板的至少一個(gè)表面上。薄的聚合物絕緣膜包覆線圈圖案部。外電極形成在磁性主體的至少一個(gè)端表面上并連接到線圈圖案部。薄的聚合物絕緣膜的表面的形狀與線圈圖案部的表面的形狀基本上一致(基本上保形)。
[0014]薄的聚合物絕緣膜可具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0015]線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域可填充有磁性材料。
[0016]薄的聚合物絕緣膜可具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0017]薄的聚合物絕緣膜可包括從由聚對(duì)苯二亞甲基、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂和聚碳酸酯樹(shù)脂組成的組中選擇的至少一種。
[0018]根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，片式電子組件可包括磁性主體，磁性主體包括絕緣基板。線圈圖案部形成在絕緣基板的至少一個(gè)表面上。薄的聚合物絕緣膜包覆線圈圖案部。外電極形成在磁性主體的至少一個(gè)端表面上并連接到線圈圖案部。薄的聚合物絕緣膜可具有3μπι或更小的厚度。
[0019]薄的聚合物絕緣膜可具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0020]線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域可填充有磁性材料。
[0021 ] 薄的聚合物絕緣膜可在與線圈圖案部的形狀對(duì)應(yīng)的同時(shí)形成在線圈圖案部的表面上。
[0022]薄的聚合物絕緣膜可具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0023]薄的聚合物絕緣膜可包括從由聚對(duì)苯二亞甲基、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂和聚碳酸酯樹(shù)脂組成的組中選擇的至少一種。
[0024]根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，片式電子組件可包括磁性主體，磁性主體包括絕緣基板。線圈圖案部形成在絕緣基板的至少一個(gè)表面上。薄的聚合物絕緣膜包覆線圈圖案部。外電極形成在磁性主體的至少一個(gè)端表面上并連接到線圈圖案部。線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域包覆有薄的聚合物絕緣膜并且可填充有磁性材料。
[0025]薄的聚合物絕緣膜可具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0026]線圈圖案部的線圈部分之間的距離可為3μπι至15 μ m。
[0027]薄的聚合物絕緣膜可在與線圈圖案部的形狀對(duì)應(yīng)的同時(shí)形成在線圈圖案部的表面上。
[0028]薄的聚合物絕緣膜可具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0029]薄的聚合物絕緣膜可包括從由聚對(duì)苯二亞甲基、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂和聚碳酸酯樹(shù)脂組成的組中選擇的至少一種。
[0030]根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供了一種制造片式電子組件的方法。所述方法包括在絕緣基板的至少一個(gè)表面上形成線圈圖案部。形成包覆線圈圖案部的薄的聚合物絕緣膜。通過(guò)在其上形成有線圈圖案部的絕緣基板的上面和下面堆疊磁性層來(lái)形成磁性主體。在磁性主體的至少一個(gè)端表面上形成外電極，使得外電極被連接到線圈圖案部。薄的聚合物絕緣膜的表面的形狀與線圈圖案部的表面的形狀基本上一致(基本上保形)。
[0031]可通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成薄的聚合物絕緣膜。
[0032]可通過(guò)使用其二聚體在120°C至180°C是以氣相存在并且在650°C至700°C被熱解成為單體的化合物來(lái)形成薄的聚合物絕緣膜。
[0033]薄的聚合物絕緣膜可形成為具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0034]薄的聚合物絕緣膜可形成為具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0035]在形成磁性主體的步驟中，可用磁性材料填充包覆有薄的聚合物絕緣膜的線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域。
[0036]將在下面的描述中部分地闡述附加的優(yōu)點(diǎn)和新特征，并且在查閱下面的描述和附圖時(shí)本領(lǐng)域技術(shù)人員將部分地清楚附加的優(yōu)點(diǎn)和新特征，或者附加的優(yōu)點(diǎn)和新特征可通過(guò)示例的操作或制造來(lái)得知。通過(guò)實(shí)踐或使用在下面討論的詳細(xì)示例中闡明的方法、手段和組合的各種方面，可實(shí)現(xiàn)并獲得本教導(dǎo)的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0037]通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)將被更加清楚的理解，在附圖中:
[0038]圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的設(shè)置在片式電子組件內(nèi)的線圈圖案部的透視圖；
[0039]圖2是沿圖1的Ι-Γ線截取的剖視圖；
[0040]圖3是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的沿圖1的Ι-Γ線截取的剖視圖；
[0041]圖4是圖2的A部分的放大圖；
[0042]圖5是圖3的B部分的放大圖；
[0043]圖6是根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的在片式電子組件中的具有薄的聚合物絕緣膜的線圈圖案部的放大掃描電子顯微鏡(SEM)照片；以及
[0044]圖7是示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造片式電子組件的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。
[0046]然而，本公開(kāi)可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的，并且這些實(shí)施例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本公開(kāi)的范圍。
[0047]在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，會(huì)夸大元件的形狀和尺寸，并且相同的附圖標(biāo)記將始終用于指示相同或相似的元件。
[0048]片式電子組件
[0049]在下文中，將描述根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的片式電子組件，具體地，薄膜電感器。然而，本公開(kāi)不限于此。
[0050]圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的設(shè)置在片式電子組件內(nèi)的線圈圖案部的透視圖，圖2是沿圖1的Ι-Γ線截取的剖視圖。圖3是根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的沿圖1的Ι-Γ線截取的剖視圖。
[0051]參照?qǐng)D1至圖3，作為片式電子組件的示例，公開(kāi)了用在電源電路的電源線中的薄膜電感器100。除了片式電感器之外，可將片式磁珠、片式濾波器等作為片式電子組件來(lái)適當(dāng)?shù)厥褂谩?br>[0052]薄膜電感器100可包括磁性主體50、絕緣基板20、內(nèi)線圈圖案部40和外電極80。
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