]磁性主體50可形成薄膜電感器100的外觀，并且可不受限制地由任何材料形成，只要該材料可表現(xiàn)出磁性即可。例如，可通過用鐵氧體或金屬基軟磁材料填充內(nèi)部空間來形成磁性主體50。鐵氧體的示例可包括Mn-Zn基鐵氧體、N1-Zn基鐵氧體、N1-Zn-Cu基鐵氧體、Mn-Mg基鐵氧體、Ba基鐵氧體或Li基鐵氧體等，并且金屬基軟磁材料的示例可包括Fe-S1-B-Cr基非晶金屬粉末。然而，磁性主體50的材料不限于此。
[0054]磁性主體50可具有六面體形狀。為了清楚的描述本公開的示例性實施例，將定義六面體的方向。在圖1中示出的六面體的L、W和T分別表示長度方向、寬度方向和厚度方向。磁性主體50可具有長方體形狀。
[0055]形成在磁性主體50中的絕緣基板20可由薄膜形成。為此可使用例如印刷電路板(PCB)、鐵氧體基板或金屬基軟磁基板等。
[0056]絕緣基板20可具有形成在其中心部中的通孔，其中，可用諸如鐵氧體或金屬基軟磁材料等的磁性材料來填充通孔以形成芯部?？捎么判圆牧蟻硖畛湫静浚纱嗽龃箅姼蠰。
[0057]線圈圖案部40可分別形成在絕緣基板20的一個表面和另一表面上,其中，線圈圖案部40可具有線圈形圖案。
[0058]線圈圖案部40可包括螺旋形線圈圖案，形成在絕緣基板20的一個表面上的線圈圖案部40可通過形成在絕緣基板20中的通路電極45(圖1)電連接到形成在絕緣基板20的另一表面上的線圈圖案部。
[0059]線圈圖案部40和通路電極45可包括諸如銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)、鉬(Pt)或它們的合金等的具有優(yōu)異導(dǎo)電性的金屬。
[0060]薄的聚合物絕緣膜30可形成在線圈圖案部40的表面上，由此包覆線圈圖案部40。
[0061]薄的聚合物絕緣膜30的表面可與線圈圖案部40的表面的形狀對應(yīng)。如圖2和圖3所示，聚合物絕緣膜30在與線圈圖案部40的表面的形狀對應(yīng)的同時薄薄地包覆在線圈圖案部40的表面上。
[0062]薄的聚合物絕緣膜30可以在與線圈圖案部40的形狀對應(yīng)的同時延伸至線圈部分的下部，由此防止線圈圖案部40的一部分暴露并防止漏電流和不良波形。
[0063]根據(jù)本公開的示例性實施例的薄的聚合物絕緣膜30可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)來形成或通過使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸潰法來形成。
[0064]薄的聚合物絕緣膜30可具有3μηι或更小的厚度,更優(yōu)選地,可具有Ιμπι至3μηι的厚度。
[0065]當(dāng)薄的聚合物絕緣膜30的厚度小于I μ m時，在堆疊和壓緊磁性層期間絕緣膜會損壞，因線圈圖案部40與磁性材料之間的接觸而導(dǎo)致不良波形。當(dāng)薄的聚合物絕緣膜30的厚度大于3 μ m時，磁性主體內(nèi)的磁性材料所占的體積會減少與絕緣膜的增大的厚度同樣多的程度，導(dǎo)致在增大電感方面的限制。
[0066]薄的聚合物絕緣膜30的厚度可以是均勻的并具有I μ m或更小的厚度偏差。厚度偏差表示通過觀察線圈圖案部40的橫截面，包覆在相應(yīng)線圈圖案上的薄的聚合物絕緣膜30的最厚部分與最薄部分之間的差。
[0067]當(dāng)薄的聚合物絕緣膜30的厚度偏差大于I μ m時，會在堆疊和壓緊磁性層期間損壞絕緣膜或暴露線圈圖案部40的一部分，由于線圈圖案部40與磁性材料之間的接觸而導(dǎo)致不良波形。
[0068]薄的聚合物絕緣膜30可包括聚對苯二亞甲基、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚碳酸酯樹脂或它們的混合物，但不限于此。
[0069]圖4是圖2的A部分的放大圖，圖5是圖3的B部分的放大圖。
[0070]參照圖4，可以只有薄的聚合物絕緣膜30形成在線圈圖案部40的線圈部分之間的區(qū)域中。當(dāng)線圈圖案部40的線圈部分之間的距離dl短時，可以僅有薄的聚合物絕緣膜30形成在線圈部分之間的區(qū)域中。
[0071]同時，參照圖5，可用磁性材料來填充線圈圖案部40的線圈部分之間的區(qū)域。
[0072]因為聚合物絕緣膜30在與線圈圖案部40的形狀對應(yīng)的同時被薄薄地形成，所以可在線圈部分之間的區(qū)域中形成空間。用磁性材料填充該空間，從而磁性材料所占的體積增加，由此電感可增大與磁性材料的增大的體積同樣多的程度。
[0073]因為薄的聚合物絕緣膜30均勻地形成在線圈圖案部40的表面上以延伸至線圈部分的下部，所以可防止由填充線圈部分之間的區(qū)域的磁性材料導(dǎo)致的不良波形等，并且可增大電感。
[0074]在根據(jù)本公開的該示例性實施例的用磁性材料填充線圈圖案部40的線圈部分之間的區(qū)域的結(jié)構(gòu)的情況下，線圈圖案部40的線圈部分之間的距離d2可為3 μ m至15 μ m，磁性材料的顆粒直徑可為0.1 μ m至15 μ m。
[0075]圖6是根據(jù)本公開的示例性實施例的在片式電子組件中的具有薄的聚合物絕緣膜的線圈圖案部的放大掃描電子顯微鏡(SEM)照片。
[0076]參照圖6，聚合物絕緣膜30在與線圈圖案部40的形狀對應(yīng)的同時薄薄地形成在線圈圖案部40的表面上。盡管圖6示出只有薄的聚合物絕緣膜30形成在線圈部分之間的空間中的結(jié)構(gòu)，但在線圈部分之間的距離增大的情況下，還可將磁性材料提供在線圈部分之間的空間中。
[0077]形成在絕緣基板20的一個表面上的線圈圖案部40的一端可暴露于磁性主體50的在其長度方向上的一端表面，形成在絕緣基板20的另一表面上的線圈圖案部40的另一端可暴露于磁性主體50的在其長度方向上的另一端表面。
[0078]外電極80可分別形成在磁性主體50的在其長度方向上的兩個端表面上，從而連接到線圈圖案部40的暴露于磁性主體50的端表面的端部。外電極80可延伸至磁性主體50的在其厚度方向上的兩個端表面和/或磁性主體50的在其寬度方向上的兩個端表面。
[0079]外電極80可由具有優(yōu)異導(dǎo)電性的金屬形成。為此可使用例如鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)或銀(Ag),或者它們的合金。
_0] 制造片式電子組件的方法
[0081]圖7是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的制造片式電子組件的方法的流程圖。
[0082]參照圖7，首先，可在絕緣基板20的至少一個表面上形成線圈圖案部40(S1)。
[0083]絕緣基板20不受具體限制。例如，可使用印刷電路板(PCB)、鐵氧體基板或金屬基軟磁基板等作為絕緣基板20，絕緣基板20可具有40 μ m至100 μ m的厚度。
[0084]形成線圈圖案部40的方法可以是例如電鍍法，但不限于此。線圈圖案部40可由諸如銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)、鉬(Pt)或它們的合金等的具有優(yōu)異導(dǎo)電性的金屬形成。
[0085]可通過在絕緣基板20的部分中形成孔并用導(dǎo)電材料填充所述孔來形成形成通路電極45，可通過通路電極45將形成在絕緣層20的一個表面上的線圈圖案部40電連接到形成在絕緣基板20的另一表面上的線圈圖案部。
[0086]可通過執(zhí)行鉆孔工藝、激光加工、噴砂工藝或沖孔工藝等來在絕緣基板20的中心部分中形成孔。
[0087]接著，可在線圈圖案部40的表面上形成薄的聚合物絕緣膜30 (S2)。
[0088]可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或通過使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸潰法來形成薄的聚合物絕緣膜30。
[0089]因為薄的聚合物絕緣膜30是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或通過使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸潰法形成，所以可將聚合物絕緣膜30在與線圈圖案部40的表面的形狀對應(yīng)的同時薄薄地形成在線圈圖案部40的表面上，薄的聚合物絕緣膜30可延伸至線圈部分的下部，由此防止線圈圖案部40暴露并防止漏電流和不良波形。
[0090]當(dāng)使用化學(xué)氣相沉積(CVD)時，可通過使用其二聚體在120°C至180°C是以氣相存在且在650°C至700V被熱解成為單體的化合物來形成薄的聚合物絕緣膜30。例如，可使用聚對苯二亞甲基。
[0091]用在低粘度浸潰法中的聚合物不受具體限制，只要它可形成絕緣薄膜即可。例如，聚合物可包括環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚碳酸酯樹脂或它們的混合物。
[0092]可將薄的聚合物絕緣膜30形成為具有3 μ m或更小的厚度，更優(yōu)選地，形成為具有1μπιΜ3μπι^ 。
[0093]當(dāng)薄的聚合物絕緣膜30的厚度小于I μ m時，在堆疊和壓緊磁性層期間絕緣膜會損壞，由于線圈圖案部40與磁性材料之間的接觸而導(dǎo)致不良波形。當(dāng)薄的聚合物絕緣膜30的厚度大于3 μ m時，磁性材料所占的體積會減少與絕緣膜的增大的厚度同樣多的程度，導(dǎo)致在增大電感方面的限制。
[0094]薄的聚合