晶片加工裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及分割晶片的晶片加工裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為分割晶片的方法，提出了如下的方法:將聚光點(diǎn)對準(zhǔn)到應(yīng)分割區(qū)域的內(nèi)部，對晶片照射具有透過性的脈沖激光光線以在被加工物的內(nèi)部形成改質(zhì)層，然后，沿著由于形成改質(zhì)層而強(qiáng)度降低的分割預(yù)定線對晶片施加外力，從而分割晶片(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。作為對形成改質(zhì)層的晶片施加外力的方法，提出了將晶片配置于液槽內(nèi)，使由超聲波振蕩器產(chǎn)生的超聲波發(fā)生作用的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。
[0003]專利文獻(xiàn)I日本特開2002-192367號公報
[0004]專利文獻(xiàn)2日本特開2005-135964號公報
[0005]然而，在現(xiàn)有的方法中，僅憑在晶片上形成改質(zhì)層無法分割晶片，需要沿著形成改質(zhì)層的分割預(yù)定線對晶片施加外力，因而存在生產(chǎn)性較低的問題。
[0006]此外，若對晶片施加外力進(jìn)行分割，則由于分割會產(chǎn)生分割肩，因而需要去除所產(chǎn)生的分割肩。然而，在從噴嘴噴出空氣等而吹散分割肩時，存在將所分割的芯片一并吹起的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明就是鑒于這種問題而完成的，其目的在于既能夠效率良好地分割形成了改質(zhì)層的晶片，又能夠在不會吹起芯片的情況下，去除分割肩。
[0008]本發(fā)明提供一種晶片加工裝置，其對晶片進(jìn)行分割，具有:載置臺，其載置有通過將聚光點(diǎn)定位到該晶片的內(nèi)部并沿著分割預(yù)定線照射透過該晶片的波長的脈沖激光而內(nèi)部形成了改質(zhì)層的晶片；水槽，其使載置于該載置臺上的該晶片沒入到清洗水中；以及超聲波供給單元，其對沒入到該清洗水中的該晶片供給超聲波，通過由該超聲波供給單元供給的超聲波，沿著該分割預(yù)定線分割該晶片而使其成為小片，從而形成多個芯片，并清洗所形成的該芯片。
[0009]本發(fā)明優(yōu)選構(gòu)成為，所述超聲波供給單元具有:超聲波振蕩部，其產(chǎn)生超聲波；以及可變器，其改變由該超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波的頻率和輸出，該可變器使清洗所述芯片時由該超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波的頻率和輸出成為與分割所述晶片時由該超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波的頻率和輸出不同的頻率和輸出。
[0010]本發(fā)明優(yōu)選構(gòu)成為，所述載置臺具有貫通孔，該貫通孔上下貫通載置所述晶片的載置面，所述超聲波供給單元具有超聲波振蕩部，該超聲波振蕩部在該載置面的下方以離開該載置面的方式進(jìn)行了配置，由該超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波通過該貫通孔，從下表面?zhèn)葘υ摼M(jìn)行供給。
[0011]本發(fā)明優(yōu)選構(gòu)成為，所述超聲波供給單元具有超聲波振蕩部，該超聲波振蕩部以與所述水槽內(nèi)的水面接觸的方式配置于所述載置臺的上方，由該超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波從上表面?zhèn)葘λ鼍M(jìn)行供給。
[0012]本發(fā)明優(yōu)選構(gòu)成為，所述載置臺具有貫通孔，該貫通孔上下貫通載置所述晶片的載置面，所述超聲波供給單元具有:第I超聲波振蕩部，其在該載置面的下方以離開該載置面的方式進(jìn)行了配置；以及第2超聲波振蕩部，其以與所述水槽內(nèi)的水面接觸的方式配置于所述載置臺的上方，由該第I超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波通過該貫通孔，從下表面?zhèn)葘υ摼M(jìn)行供給，并且，由該第2超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波從上表面?zhèn)葘υ摼M(jìn)行供給。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的晶片加工裝置，使晶片沒入到清洗水中并供給超聲波，因而既能夠沿著分割預(yù)定線效率良好地分割晶片，又能夠清洗并去除通過分割產(chǎn)生的分割肩。
[0014]由于最適于分割的頻率和輸出與最適于清洗的頻率和輸出是不同的，因而若設(shè)置用于改變由超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波的頻率和輸出的可變器，如果供給在分割時和清洗時不同的頻率和輸出的超聲波，則能夠效率良好地進(jìn)行分割和清洗。
[0015]如果在載置臺的載置面設(shè)置貫通孔，將超聲波振蕩部以離開載置面的方式配置于載置面的下方，則能夠使分割肩從貫通孔中落下，因而清洗效果得以提高。
[0016]若將超聲波振蕩部設(shè)置于載置臺的上方，則從晶片落下的分割肩不會堆積于超聲波振蕩部上，因而清洗效果得以提高。
[0017]由第I超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波會通過該貫通孔并從下表面?zhèn)葘M(jìn)行供給，而且由第2超聲波振蕩部產(chǎn)生的超聲波從上表面?zhèn)葘M(jìn)行供給，如果從晶片的上下兩面供給超聲波，則超聲波能夠效率良好地作用于晶片上，因而能夠可靠地分割晶片。
【附圖說明】
[0018]圖1是表示第I晶片加工裝置的側(cè)面觀察截面圖。
[0019]圖2是表示第2晶片加工裝置的側(cè)面觀察截面圖。
[0020]圖3是表示第2晶片加工裝置的變形例的側(cè)面觀察截面圖。
[0021]圖4是表示第2晶片加工裝置的變形例的動作的側(cè)面觀察截面圖。
[0022]圖5是表示第3晶片加工裝置的側(cè)面觀察截面圖。
[0023]圖6是表示第4晶片加工裝置的側(cè)面觀察截面圖。
[0024]圖7是表示第5晶片加工裝置的側(cè)面觀察截面圖。
[0025]符號說明
[0026]10、10A?1E晶片加工裝置，
[0027]12、12A、12B 載置臺，21 載置面，211、211B 貫通孔，
[0028]13 水槽，31 排水口，
[0029]14、14A、14B超聲波供給單元，41、41B超聲波振蕩部，
[0030]42、42B 可變器，43、44 支撐部，
[0031]45升降單元，450氣缸，451升降桿
[0032]20晶片，22保護(hù)帶，30清洗水
【具體實(shí)施方式】
[0033]圖1所示的晶片加工裝置10具有載置晶片20的載置臺12、使載置于載置臺12上的晶片20沒入到清洗水30中的水槽13、對沒入到清洗水30中的晶片20供給超聲波的超聲波供給單元14。
[0034]晶片20被分割預(yù)定線劃分，在正面的被劃分的各區(qū)域內(nèi)形成了器件。沿著分割預(yù)定線分割晶片20而使其成為小片，從而形成多個芯片。在正面上貼附有保護(hù)帶22，用于保護(hù)器件。
[0035]在載置于載置臺12上的晶片20上，沿著分割預(yù)定線在內(nèi)部形成有改質(zhì)層。關(guān)于改質(zhì)層，例如專利文獻(xiàn)I所述，通過如下方式形成的:將聚光點(diǎn)定位到晶片20的內(nèi)部，沿著分割預(yù)定線照射透過晶片20的波長(例如紅外光區(qū)域)的脈沖激光。
[0036]載置臺12具有平行于XY平面的載置面21。晶片20載置于載置面21上。載置臺12配置于水槽13內(nèi)。
[0037]從清洗水供給源(未圖示)向水槽13供給清洗水30。水槽13具有用于排出清洗水30的排水口 31。排水口 31位于比載置臺12的載置面21高的、比載置于載置面21上的晶片20的上側(cè)的面高的位置處。由此，載置于載置面21上的晶片20沒入到清洗水30中。從未圖示的清洗水供給源向水槽13供給新的清洗水30，舊的清洗水30從排水口 31排出。
[0038]超聲波供給單元14具有產(chǎn)生超聲波的超聲波振蕩部41、改變由超聲波振蕩部41產(chǎn)生的超聲波的頻率和輸出強(qiáng)度的可變器42。超聲波振蕩部41固定于載置面21的下側(cè)(-Z側(cè))的面上，由超聲波振蕩部41產(chǎn)生的超聲波使載置面21進(jìn)行振動，從下側(cè)作用于載置在載置面21上的晶片20上。
[0039]接著，說明晶片加工裝置10的動作。首先，將在正面形成器件、在內(nèi)部形成改質(zhì)層、在正面貼附了保護(hù)帶22的晶片20載置于載置面21上。關(guān)于載置晶片20的朝向，既可以將貼附保護(hù)帶22 —側(cè)的面作為上方，也可以將未貼附保護(hù)帶22 —側(cè)的面作為上方。
[0040]接著，超聲波振蕩部41產(chǎn)生超聲波。以使得由超聲波振蕩部41產(chǎn)生的超聲波成為最適于晶片20的分割的頻率和輸出強(qiáng)度的方式，由可變器42控制超聲波振蕩部41。由超聲波振蕩部41產(chǎn)生的超聲波經(jīng)由載置面21從下側(cè)作用于晶片20上。例如，設(shè)頻率為20?50 [kHz]，輸出為500?1000 [W]，使用具有大輸出和大振幅的超聲波對晶片20賦予振動。通過施加基于超聲波的外力，從而以強(qiáng)度弱的改質(zhì)層為起點(diǎn)產(chǎn)生斷裂，晶片20沿著分割預(yù)定線被分割而成為小片，形成多個芯片。
[0041]接著，以使得由超聲波振蕩部41產(chǎn)生的超聲波成為不同于分割時的最適于晶片20的清洗的頻率和輸出強(qiáng)度的方式，由可變器42控制超聲波振蕩部41。由此，清洗所形成的芯片(尤其是斷裂的槽的部分)，去除分割所產(chǎn)生的分割肩。被去除的分割肩與清洗水30 一起從排水口 31被排出。例如，設(shè)頻率為100?500[kHz]，使其大于分割時，而輸出為200?1000[W]，使其小于分割時或與分割時相等，從而以小的振幅僅使分割肩進(jìn)行振動而從晶片20上進(jìn)行去除。
[0042]如上，將晶片20沒入到清洗水30中并提供超聲波，從而基于超聲波的外力作用于晶片20整體，因而能夠效率良好地分割晶片20。特別是，在混合有大小不同的器件的多芯片的情況下，由于存在長度短的分割預(yù)定線，因此，若通過擴(kuò)張貼附于晶片上的切割帶來施加外力，則長度短的分割預(yù)定線有時無法被良好地分割，而若通過超聲波施加外力，則還能夠可靠地分割長度短的分割預(yù)定線。此外，由于晶片20沒入到清洗水30中，因此分割所產(chǎn)生的分割肩將被清洗水30去除。進(jìn)而，利用超