一種酸槽背面硅腐蝕方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種酸槽背面硅腐蝕方法。
【背景技術】
[0002]簡易酸槽(Wet Bench)不同于旋轉(zhuǎn)式腐蝕機(SEZ之類)，作業(yè)DM0S/IGBT/肖特基產(chǎn)品的背面硅腐蝕工藝時經(jīng)常遇見一系列的表觀異常，比如背面水痕、白條、色差等。硅腐蝕酸液由硝酸、氫氟酸、冰乙酸按照一定比例配置而成，溶液濃度較高，硅腐蝕速率較快。簡易酸槽無攪拌裝置，水槽無鼓泡，很容易導致硅腐蝕和沖水不均勻，在硅片背面形成色差、水痕、片架印等表觀缺陷。
[0003]如圖1所示，減薄機完成減薄后，硅片01的背面殘留大量的硅屑硅粉02，如減薄完成的硅片01直接放入酸槽進行腐蝕，大量的硅屑硅粉02與硅腐蝕液的混合物殘留在硅片01表面，影響硅腐蝕的均勻性；沖水時硅屑硅粉02與硅腐蝕液的混合物沿硅片01背面的表面流下，流動中又腐蝕已完成腐蝕的硅表面，形成流水狀水痕03異常，如圖2所示。如圖4所示，現(xiàn)有技術中片架外壁06與片架內(nèi)夾層04的位置關系，片架內(nèi)的槽位較多且片架內(nèi)夾層04與硅片的接觸面積較大，則硅片腐蝕面與槽位接觸處易產(chǎn)生殘留(印記)05，如圖3所示。
[0004]如圖5所示，簡易酸槽的沖水槽07無氮氣鼓泡功能，只有快排和溢流功能，沖水時(利用去離子水09)很難及時帶走硅片背面的酸液及片架08上的酸液，殘留酸液在溢流-快排過程中二次腐蝕硅片背面形成凹凸不平的表觀異常。且原沖水模式，在第一次快排時雖能帶走了硅片表面大量的酸液，但硅片表面酸的濃度仍然很高，第一次快排后殘留酸液受重力影響沿硅片表面向下流形成流水痕跡。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種酸槽背面硅腐蝕方法，使簡易酸槽背面硅腐蝕滿足品質(zhì)要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表觀缺陷的可能性，提高了生產(chǎn)的經(jīng)濟效.、/■
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[0006]為了解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供一種酸槽背面硅腐蝕方法，包括:
[0007]將減薄后的硅片放入通入兆聲波的去離子水中；
[0008]將經(jīng)過所述通入兆聲波的去離子水的硅片放入酸槽進行腐蝕；
[0009]將所述經(jīng)過腐蝕的硅片放入沖水槽中進行沖水清洗，完成硅腐蝕。
[0010]其中，所述將減薄后的硅片放入通入兆聲波的去離子水中的具體步驟包括:
[0011 ]減薄機對硅片進行減薄；
[0012]將所述減薄后的硅片放在酸槽內(nèi)的片架上；
[0013]在所述酸槽內(nèi)加入所述通入兆聲波的去離子水。
[0014]其中，將經(jīng)過所述通入兆聲波的去離子水清洗的硅片放入酸槽進行腐蝕的具體步驟包括:
[0015]將經(jīng)過所述通入兆聲波的去離子水的硅片放在酸槽內(nèi)的片架上；
[0016]在所述酸槽內(nèi)加入腐蝕所述硅片的溶液，進行腐蝕。
[0017]進一步的,所述片架內(nèi)包括一個或多個槽位。
[0018]進一步的，所述槽位包括所述片架的內(nèi)夾層，所述片架的內(nèi)夾層與所述硅片接觸，用于卡住所述硅片。
[0019]其中，將所述經(jīng)過腐蝕的硅片放入沖水槽中進行沖水清洗，完成硅腐蝕的具體步驟包括:
[0020]將所述經(jīng)過腐蝕的硅片放在沖水槽內(nèi)的片架上；
[0021]在所述沖水槽中加入通入氮氣泡的去離子水進行沖水清洗，完成硅腐蝕。
[0022]進一步的，所述沖水清洗的步驟包括:
[0023]對所述經(jīng)過腐蝕的硅片進行溢流；
[0024]排出所述溢流使用的去離子水后，對所述經(jīng)過溢流的硅片進行噴淋，完成沖水清洗。
[0025]本發(fā)明的上述技術方案至少具有如下有益效果:
[0026]本發(fā)明實施例的酸槽背面硅腐蝕方法中，通過改善工藝流程、改造片架結構，增加氮氣鼓泡及改進沖水方式的方法，使簡易酸槽背面硅腐蝕滿足品質(zhì)要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表觀缺陷的可能性，提高生產(chǎn)的經(jīng)濟效益。
【附圖說明】
[0027]圖1表示現(xiàn)有技術中減薄后硅片背面硅屑硅粉殘留示意圖；
[0028]圖2表不現(xiàn)有技術中娃表面的流水狀水痕不意圖；
[0029]圖3表示現(xiàn)有技術中硅片腐蝕面與槽位接觸處產(chǎn)生的殘留(印記)示意圖；
[0030]圖4表示現(xiàn)有技術中片架內(nèi)夾層與片架外壁的位置關系示意圖；
[0031]圖5表示現(xiàn)有技術中簡易酸槽的沖水示意圖；
[0032]圖6表示本發(fā)明實施例中利用去離子水與兆聲波清洗硅片的示意圖；
[0033]圖7表不本發(fā)明實施例中改造后的片架內(nèi)夾層不意圖；
[0034]圖8表示本發(fā)明實施例中增加氮氣鼓泡后的沖水示意圖；
[0035]圖9表示本發(fā)明實施例的酸槽背面硅腐蝕方法的基本步驟示意圖。
【具體實施方式】
[0036]為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0037]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中在簡易酸槽中進行硅腐蝕時，容易在硅片背面形成色差、水痕、片架印等表觀缺陷的問題，提供一種酸槽背面硅腐蝕方法，通過改善工藝流程、改造片架結構，增加氮氣鼓泡及改進沖水方式的方法，使簡易酸槽背面硅腐蝕滿足品質(zhì)要求，降低硅片背面形成色差、水痕、片架印等表觀缺陷的可能性，提高生產(chǎn)的經(jīng)濟效益。
[0038]如圖9所示，本發(fā)明實施例提供一種酸槽背面硅腐蝕方法，包括:
[0039]步驟10，將減薄后的硅片放入通入兆聲波的去離子水中；
[0040]步驟20，將經(jīng)過所述通入兆聲波的去離子水的硅片放入酸槽進行腐蝕；
[0041]步驟30，將所述經(jīng)過腐蝕的硅片放入沖水槽中進行沖水清洗，完成硅腐蝕。
[0042]本發(fā)明的上述實施例中，去離子水是指除去了呈離子形式雜質(zhì)后的純水。國際標準化組織IS0/TC147規(guī)定的“去離子”定義為:去離子水完全或不完全地去除離子物質(zhì)，只要指采用離子交換樹脂處理方法?，F(xiàn)在的工藝主要采用RO反滲透的方法制取。去離子水經(jīng)常用于微電子工業(yè)、半導體工業(yè)、發(fā)電工業(yè)、制藥行業(yè)和實驗室。本發(fā)明的具體實施例中，如圖6所示，硅片進行腐蝕之前，利用通入兆聲波的去離子水，將減薄后硅片背面的硅屑硅粉殘留清除，提高硅腐蝕的均勻性，同時解決因硅屑硅粉而形成流水狀水痕的表觀異常，提高了硅腐蝕的良率。
[0043]其中，兆聲波清洗不僅保持了超聲波清洗的優(yōu)點，還克服了超聲波清洗的不足；兆聲波清洗的機理是由高頻(850kHz)振效應并結合化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗的。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為I μ m頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，最大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡，而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面，使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。兆聲波清洗拋光片可去掉晶片表面上小于0.2μπι的粒子，起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時起到機械擦片和化學清洗兩種方法的作用。進一步的，減薄后硅片背面的硅屑硅粉的清洗不僅限于上述方法，所有能夠達到去除硅片上殘留硅渣的方法在本發(fā)明中均適用。
[0044]本發(fā)明的上述實施例中，步驟10的具體步驟包括:
[0045]步驟101，減薄機對硅片進行減??；
[0046]步驟102，將所述減薄后的硅片放在酸槽內(nèi)的片架上；
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