上形成填充貫穿孔71Χ，62Χ，52Χ的通孔布線V2。代替于此，也可以省略通孔布線Vl的形成。在這種情況下，在基板30的上表面30Β上隔著粘合層71層積結構體42后，形成將貫穿孔5IX，30Χ，7IX，62Χ，52Χ填充的通孔布線V2。
[0250]?在上述第I實施方式以及上述各個變形例中，絕緣層52-56的貫穿孔52Υ-56Υ具有比位于絕緣層52-56的各自的正上方的粘合層72-76的貫穿孔72Χ-76Χ大的平面形狀。代替于此，例如圖32所示，貫穿孔52Υ-56Υ(圖32中只圖示貫穿孔52Υ，55Υ，56Υ)也可以具有與粘合層72-76的貫穿孔72Χ-76Χ(圖32中為貫穿孔72Χ，75Χ，76Χ)大致相同大小的平面形狀。這樣的結構，也具有與上述實施方式的(1)-(3)以及(5)-(14)同樣的優(yōu)點。
[0251].在上述第I實施方式以及上述各個變形例中，基板30的貫穿孔30X以及絕緣層51的貫穿孔51X具有比被層積在基板30上的粘合層71的貫穿孔71X大的平面形狀。代替于此，例如圖32所示，貫穿孔30X，5IX也可以具有與貫穿孔7IX大致相同大小的平面形狀。在這種情況下，例如也可以用通孔布線Vl填充貫穿孔51X，30X。或者也可以省略通孔布線VI，用通孔布線V2填充貫穿孔51X，30X，71X，62X，52X。
[0252].在上述第I實施方式以及上述各個變形例中，被層積在基板30上的結構體的數(shù)量不做特別地限定。例如，也可以在基板30的下表面30A上層積2個以上的結構體，也可以在基板30的上表面30B上層積1-5個、或7個以上結構體。并且，也可以對層積在基板30的下表面30A上結構體的數(shù)量、和層積在基板30的上表面30B上結構體的數(shù)量進行調整，以使基板30被配置在層積體23的厚度方向的中心附近。
[0253]?在上述第I實施方式以及上述各個變形例中，也可以省略基板30。例如，如圖33所示，電感器90A的層積體23A不包含相當于基板30的構成。在圖33中，在結構體41的絕緣層51上隔著粘合層71層積有結構體42。在該情況下，布線61和布線62通過填充貫穿孔71X，62X，52X的通孔布線V2電連接。通過像這樣省略基板30，從而能夠將布線61，62之間的層間距離設定為較短，所以能夠提高電感器90A的電感。并且，通過省略基板30，從而能夠實現(xiàn)整個電感器90A的薄型化。
[0254](第2實施方式)
[0255]接著，按照圖34-圖38對第2實施方式進行說明。
[0256]在圖34示出的電感器90B的層積體23B中，從圖8B示出的電感器90省略了結構體41 (絕緣層51以及布線61)、基板30、以及通孔布線VI，并且結構體42被層積到粘合層71上。因此，在層積體23B中，粘合層71的下表面成為層積體23B的最表面(在此為最下層表面)。在該情況下，例如貫穿孔71X，62X，52X用通孔布線V2填充，該通孔布線V2的下端面從粘合層71露出。并且，絕緣膜25被形成為覆蓋通孔布線V2的下端面以及粘合層71的下表面。另外，在層積體23B中，由于布線62為最下層布線，所以代替連接部61A，連接部62A被形成在布線62的一個端部上。
[0257]接著，對電感器90B的制造方法的一個例子進行說明。
[0258]首先，在圖35A示出的工序中，與圖12A以及12B示出的工序同樣地，在支承膜102的下表面102A上層積具有貫穿孔52X，52Y的絕緣層52，在該絕緣層52上層積具有金屬層62D，62E，82以及連接部62A的金屬箔。接著，將粘合層71配置在金屬層62D，62E，82的下方。
[0259]接著，在圖35B示出的工序中，與圖13A示出的工序同樣地，在絕緣層52的下表面層積半固化狀態(tài)的粘合層71，該粘合層71覆蓋金屬層62D，62E，82和連接部62A的整個表面。接著，與圖13B示出的工序同樣地，形成貫穿從貫穿孔52X露出的金屬層62E的貫穿孔62X、和貫穿粘合層71而與貫穿孔62X連通的貫穿孔71X。
[0260]接著，在圖35C示出的工序中，將結構體42隔著粘合層71層積到支承基板110的上表面110A。并且，例如通過真空沖壓而從上下對圖35C示出的結構進行例如加熱?加壓。然后，使粘合層71固化。由此，粘合層71與支承基板110粘接，并且粘合層71與結構體42粘接。此時，支承基板110的上表面IlOA的一部分從貫穿孔7IX露出。另外，作為支承基板110，例如可以使用金屬板或金屬箔。另外，作為支承基板110，還可以使用聚酰亞胺膜、PPS(聚苯硫醚)膜等樹脂膜或玻璃板等膠帶狀基板。在本實施方式中，作為支承基板110使用銅板。支承基板110的厚度例如被形成為厚于布線62、且厚于絕緣層52。通過使用這樣的支承基板110，能夠充分地確保制造途中的結構體42的機械強度。因此，即使在省略了基板30的情況下，也能夠抑制制造途中的結構體42的搬運性降低。
[0261]接著，在圖36A示出的工序中，在從貫穿孔71X露出的支承基板110的上表面I1A上形成通孔布線V2。貫穿孔71X，62X，52X用該通孔布線V2填充。通孔布線V2例如可以通過電鍍形成。例如通過將支承基板110 (在此為銅板)用作供電層的電鍍，而在從貫穿孔7IX露出的支承基板110上形成第I導電層(例如，Ni層)。接著，通過電鍍，而在第I導電層上形成第2導電層(例如，Cu層)。由此，形成雙層結構的通孔布線V2。作為第I導電層的材料，優(yōu)選為在后工序中蝕刻除去支承基板110時作為蝕刻停止層發(fā)揮作用的材料。像這樣，支承基板110作為制造過程中的支承體發(fā)揮作用，還作為電鍍中的供電層發(fā)揮作用。另外，通孔布線V2也可以通過填充金屬糊等其他方法形成。
[0262]接著，在圖36B示出的工序中，與圖15A-圖25B示出的工序同樣地，在被層積在支承基板110的上表面IlOA上的結構體42上層積結構體43-47。通過以上的制造工序，能夠制造層積體23B，該層積體23B具有在各個單個區(qū)域Al的支承基板110的上表面IlOA上依次層積的多個結構體42-47。另外，在通過電鍍形成通孔布線V3-V7的情況下，支承基板110以及通孔布線V2能夠作為供電層使用。
[0263]接著，在圖37A示出的工序中，與圖26A-圖28B示出的工序同樣地，通過起模等成形金屬層62E-67E(參照圖36B)從而將其加工成螺旋狀線圈的布線62-67的形狀。在該工序中，由于在層積體23B被層積在具有高剛性的支承基板110上的狀態(tài)下實施金屬層62E-67E的成形，所以能夠抑制在成形時的布線62-67的位置的移位。由此，能夠提高布線
62-67的位置精度，并能夠提高由這些布線62-67形成的線圈的位置精度。
[0264]接著，除去作為虛擬基板使用的支承基板110。例如在作為支承基板110使用銅板的情況下，通過使用了氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液、過硫酸銨的水溶液等的濕法蝕刻，而選擇性地對通孔布線V2(具體地講，為Ni層的第I導電層)以及粘合層71進行蝕刻。由此，除去支承基板110。此時，通孔布線V2的第I導電層(Ni層)以及粘合層71作為在對支承基板110進行蝕刻時的蝕刻停止層(Etching stop layer)發(fā)揮作用。另外，在作為支承基板110使用PI (PolyimideFilm,聚酰亞胺薄膜)膜等的情況下或設置了剝離層的情況下，也可以從層積體23B機械地剝離支承基板110。通過除去支承基板110，如圖37B所示，通孔布線V2的下端面以及粘合層71的下表面露出于外部。
[0265]像這樣，一方面為了確保在制造過程中的結構體42-47以及粘合層71_76的機械強度而將支承基板110形成得較厚，另一方面在結構體42-47的層積后除去支承基板110。因此，不需要將層積體23B的各個部件較厚地形成。因此，能夠實現(xiàn)整個層積體23B的薄型化。
[0266]接著，在圖38示出的工序中，形成絕緣膜25，該絕緣膜25覆蓋包括貫穿孔23X的內壁面在內的層積體23B的整個表面。由此，在各個單個區(qū)域Al制造線圈基板20。然后，通過實施與圖30B-圖31B示出的工序同樣的工序，從而能夠制造圖34示出的電感器90B。
[0267]通過像這樣省略結構體41 (絕緣層51以及布線61)、基板30、以及通孔布線VI，從而能夠提高電感器90B的電感。
[0268](其他實施方式)
[0269]另外，上述各實施方式也可以變更為如下的方式。
[0270].在上述各個實施方式以及上述各個變形例中，也可以省略金屬層81-87。
[0271].在上述各個實施方式以及上述各個變形例中，也可以省略金屬層61D-67D(虛擬圖案)。
[0272].在上述各個實施方式以及上述各個變形例中，也可以省略絕緣膜25。例如在封固樹脂91不含磁體的情況下，由于不需要將線圈基板20覆蓋的絕緣膜25，所以也可以省略絕緣膜25。在該情況下，由于封固樹脂91不包含成為短路原因的磁體，所以能夠直接在線圈基板20上形成封固樹脂91。
[0273].在上述各個實施方式中，也可以省略絕緣層51。在該情況下，為了提高基板30與布線61的密合性，優(yōu)選地對基板30的下表面30A實施等離子處理等表面處理。即使在該情況下，也可以通過基板30充分地確保布線61和布線62之間的絕緣。
[0274].在上述各個實施方式以及上述各個變形例中，在結構體41-47上的布線的圈數(shù)可以任意地組合。如上述實施方式，也可以組合大致I圈的布線和大致3/4圈的布線，也可以組合大致I圈的布線和大致1/2圈的布線。在使用大致3/4圈的布線的情況下，需要4種圖案(上述實施方式的例中為布線62，63，64，65)的布線，而在使用大致1/2圈的布線的情況下，只用2種圖案的布線就可以形成螺旋狀線圈。
【主權項】
1.一種電感器，其具備: 層積體； 第I貫穿孔，其沿厚度方向貫穿所述層積體；以及 絕緣膜，其覆蓋所述層積體的表面， 所述層積體包括: 第I布線； 第I絕緣層，其包括將所述第I布線的上表面的一部分露出的第2貫穿孔，并被層積在所述第I布線的上表面； 第I粘合層，其包括與所述第2貫穿孔連通的第3貫穿孔，并被層積在所述第I絕緣層的上表面； 第2布線，其包括與所述第3貫穿孔連通的第4貫穿孔，并被層積在所述第I粘合層的上表面； 第2絕緣層，其包括與所述第4貫穿孔連通的第5貫穿孔和將所述第2布線的上表面的一部分露出的第6貫穿孔，并被層積在所述第2布線的上表面；以及 第I貫穿電極，其填充所述第2貫穿孔、所述第3貫穿孔、所述第4貫穿孔、以及所述第5貫穿孔， 所述第I布線與所述第2布線串聯(lián)連接，從而形成螺旋狀線圈， 所述第5貫穿孔具有比所述第4貫穿孔大的平面形狀。2.根據(jù)權利要求1所述的電感器，其中， 所述第2貫穿孔具有比所述第3貫穿孔大的平面形狀， 所述第I粘合層覆蓋所述第2布線的側面的一部分，并覆蓋所述第2貫穿孔的內側面， 所述第3貫穿孔的一部分被形成在所述第2貫穿孔內。3.根據(jù)權利要求1或2所述的電感器，其中， 所述第I絕緣層進一步包括第7貫穿孔， 所述第I布線包括第8貫穿孔， 所述層積體進一步包括: 第2粘合層，其包括與所述第7貫穿孔和所述第8貫穿孔連通的第9貫穿孔，并被層積在所述第I布線的下表面；以及 第2貫穿電極，其填充所述第7貫穿孔、所述第8貫穿孔、以及所述第9貫穿孔， 所述第2貫穿電極的下端面從所述第2粘合層的下表面露出。4.根據(jù)權利要求1或2所述的電感器，其中， 所述層積體進一步包括: 第2粘合層，其被層積在所述第I布線的下表面； 基板，其被層積在所述第2粘合層的下表面； 第3絕緣層，其被層積在所述基板的下表面；以及 第3布線，其被層積在所述第3絕緣層的下表面，并位于所述層積體的最下層， 所述第3布線、所述第I布線和所述第2布線串聯(lián)連接，從而形成所述螺旋狀線圈， 所述基板的厚度厚于所述第I絕緣層、且厚于所述第2絕緣層、且厚于所述第3絕緣層。5.根據(jù)權利要求1或2所述的電感器，其中， 所述層積體進一步包括: 第3粘合層，其包括與所述第6貫穿孔連通的第10貫穿孔，并被層積在所述第2絕緣層的上表面； 第4布線，其包括與所述第10貫穿孔連通的第11貫穿孔，并被層積在所述第3粘合層的上表面； 第4絕緣層，其包括與所述第11貫穿孔連通的第12貫穿孔；以及第3貫穿電極，其填充所述第6貫穿孔、所述第10貫穿孔、所述第11貫穿孔、以及所述第12貫穿孔， 所述第12貫穿孔具有比所述第11貫穿孔大的平面形狀， 所述第6貫穿孔具有比所述第10貫穿孔大的平面形狀， 所述第3粘合層覆蓋所述第4布線的側面的一部分，并覆蓋所述第6貫穿孔的內側面， 所述第10貫穿孔的一部分被形成在所述第6貫穿孔內。6.根據(jù)權利要求1或2所述的電感器，其中， 所述螺旋狀線圈包括一對連接部，該一對連接部被設置在所述螺旋狀線圈的兩端，所述絕緣膜覆蓋在所述第I貫穿孔的內壁面露出的、所述第I布線的側面以及所述第2布線的側面， 所述連接部從所述絕緣膜露出， 所述電感器進一步具備: 封固樹脂，其將所述層積體以及所述絕緣膜覆蓋，但所述連接部除外，并填充所述第I貫穿孔；以及 一對電極，其將所述封固樹脂覆蓋，并分別與所述一對連接部電連接， 所述封固樹脂含有磁體。7.—種線圈基板，其具備: 區(qū)塊，該區(qū)塊包括被形成在多個區(qū)域的多個單位線圈基板， 所述多個單位線圈基板分別包括: 層積體； 第I貫穿孔，其沿厚度方向貫穿所述層積體；以及 絕緣膜，其覆蓋所述層積體的表面， 所述層積體包括: 第I布線； 第I絕緣層，其包括將所述第I布線的上表面的一部分露出的第2貫穿孔，并被層積在所述第I布線的上表面； 第I粘合層，其包括與所述第2貫穿孔連通的第3貫穿孔，并被層積在所述第I絕緣層的上表面； 第2布線，其包括與所述第3貫穿孔連通的第4貫穿孔，并被層積在所述第I粘合層的上表面； 第2絕緣層，其包括與所述第4貫穿孔連通的第5貫穿孔、和將所述第2布線的上表面的一部分露出的第6貫穿孔，并被層積在所述第2布線的上表面；以及 第I貫穿電極，其填充所述第2貫穿孔、所述第3貫穿孔、所述第4貫穿孔、以及所述第5貫穿孔， 所述第I布線與所述第2布線串聯(lián)連接，從而形成螺旋狀線圈， 所述第5貫穿孔具有比所述第4貫穿孔大的平面形狀。8.根據(jù)權利要求7所述的線圈基板，其中， 所述層積體進一步包括: 第2粘合層，其被層積在所述第I布線的下表面； 基板，其被層積在所述第2粘合層的下表面； 第3絕緣層，其被層積在所述基板的下表面；以及 第3布線，其被層積在所述第3絕緣層的下表面，并位于所述層積體的最下層， 所述線圈基板進一步具備外框，該外框由所述基板形成，并從所述區(qū)塊向外側延伸， 所述外框包括貫穿孔，該貫穿孔用于所述線圈基板的搬送或者定位。9.一種制造線圈基板的方法，其包括如下步驟: 準備第I結構體，該第I結構體包括第I金屬層和被層積在所述第I金屬層的上表面的第I絕緣層； 準備多個第2結構體，所述多個第2結構體分別包括第2金屬層和被層積在所述第2金屬層的上表面的第2絕緣層； 將在所述線圈基板的厚度方向相鄰的所述第I金屬層和所述第2金屬層串聯(lián)連接、且將在所述厚度方向相鄰的所述第2金屬層相互串聯(lián)連接的同時，通過在所述第I結構體上依次層積所述多個第2結構體，從而形成層積體，所述層積體包括多個第I粘合層，在所述多個第2結構體的第2金屬層的下表面各層積一層第I粘合層，該第I粘合層將所述第I結構體以及所述多個第2結構體中的相鄰的兩個結構體粘接；以及 通過成形所述層積體并將所述第I金屬層和所述第2金屬層加工成多個布線形狀，從而由串聯(lián)連接的所述多個布線形成螺旋狀線圈， 準備所述第I結構體的步驟包括: 形成第I貫穿孔，該第I貫穿孔沿厚度方向貫穿所述第I絕緣層，而使所述第I金屬層的上表面的一部分露出， 準備所述多個第2結構體的步驟包括:在各個第2結構體的制造中， 在支承部件的下表面層積所述第2絕緣層； 形成第2貫穿孔，該第2貫穿孔沿厚度方向貫穿所述支承部件和所述第2絕緣層； 在所述第2絕緣層的下表面層積所述第2金屬層； 在所述第2絕緣層的下表面形成所述第I粘合層，所述第I粘合層覆蓋所述第2金屬層的下表面以及側面；以及 形成第3貫穿孔和第4貫穿孔，所述第3貫穿孔沿厚度方向貫穿從所述第2貫穿孔露出的所述第2金屬層、且具有比所述第2貫穿孔小的平面形狀，所述第4貫穿孔沿厚度方向貫穿所述第I粘合層、且與所述第3貫穿孔連通， 形成所述層積體的步驟包括: 以所述支承部件被配置在外側、且所述第4貫穿孔與所述第I貫穿孔連通的方式，隔著所述第I粘合層在所述第I結構體上層積所述第2結構體； 除去所述支承部件； 形成第I貫穿電極，該第I貫穿電極填充所述第I貫穿孔、第2貫穿孔、第3貫穿孔、以及第4貫穿孔，并與所述第I金屬層連接。10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中， 形成所述第I貫穿孔的步驟，包括形成具有比所述第4貫穿孔大的平面形狀的所述第I貫穿孔， 在所述第I結構體上層積所述第2結構體的步驟包括通過所述第I粘合層覆蓋所述第I貫穿孔的內側面。11.根據(jù)權利要求9或10所述的方法，其中， 準備所述第I結構體的步驟，包括在支承基板的上表面隔著第2粘合層層積所述第I結構體， 并進一步包括在形成所述螺旋狀線圈后，除去所述支承基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種容易進行小型化的電感器、線圈基板以及線圈基板的制造方法。電感器包括層積體和將該層積體覆蓋的絕緣膜。層積體包括：第1絕緣層，其包括第1布線和將第1布線的上表面的一部分露出的第2貫穿孔，并被層積在第1布線的上表面；第1粘合層，其包括與第2貫穿孔連通的第3貫穿孔，并被層積在第1絕緣層的上表面；第2布線，其與第3貫穿孔連通的第4貫穿孔，并被層積在第1粘合層的上表面；第2絕緣層，其包括與第4貫穿孔連通的第5貫穿孔，并被層積在第2布線的上表面；以及第1貫穿電極，其填充第2-第5貫穿孔。第1布線與第2布線串聯(lián)連接，從而形成螺旋狀線圈。第5貫穿孔具有比第4貫穿孔大的平面形狀。
【IPC分類】H01F37/00, H01F27/30, H01F27/28, H01F41/04
【公開號】CN105097247
【申請?zhí)枴緾N201510256308
【發(fā)明人】中村敦, 中西元, 佐藤清和
【申請人】新光電氣工業(yè)株式會社
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年5月19日
【公告號】US20150340150