具有不對(duì)稱芯片安裝區(qū)域和引線寬度的半導(dǎo)體器件封裝體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體器件封裝，并且更具體地涉及將器件封裝體的芯片安裝區(qū)域和引線寬度定制為多路放大器的不同裸片尺寸。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體封裝體普遍地應(yīng)用在集成電路應(yīng)用中。一個(gè)普通的半導(dǎo)體器件封裝體布置包括用作散熱器的基底以及可以放置在基底上方使得在基底的上方形成內(nèi)部空腔的蓋體。例如半導(dǎo)體芯片的集成電路以及其他的電氣組件可以被放置在空腔內(nèi)并且電氣連接到從基體向外延伸的傳導(dǎo)引線。傳導(dǎo)引線實(shí)現(xiàn)封裝體和例如印刷電路板之類的基座之間的電氣連接。由此，經(jīng)封裝的布置允許電路和外部設(shè)備之間容易的電氣連接，而同時(shí)保護(hù)半導(dǎo)體芯片以及電氣連接不受例如濕氣、粉塵等的損害性環(huán)境條件的影響。
[0003]封裝體設(shè)計(jì)師一直致力于尋求改進(jìn)封裝設(shè)計(jì)。一個(gè)顯著的設(shè)計(jì)考慮因素是封裝體的總占地面積。降低封裝體的總占地面積可以有益地降低并入經(jīng)封裝的器件的物體的尺寸以及/或者成本。兩個(gè)實(shí)質(zhì)性影響封裝體的總占地面積的參數(shù)是基底的尺寸和引線的尺寸。也就是說(shuō)，可以通過(guò)降低這些特征的尺寸來(lái)降低封裝體的總占地面積。然而，降低這些特征的尺寸引入了其他的設(shè)計(jì)復(fù)雜度?；妆仨毐３肿銐虻某叽鐏?lái)容納半導(dǎo)體器件的裸片區(qū)域。此外，引線必須保持足夠的橫截區(qū)域來(lái)容納與經(jīng)封裝的電氣器件相關(guān)聯(lián)的電流。這樣，經(jīng)封裝的器件的物理和電氣要求約束了降低封裝體的總占地面積的能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，公開了一種半導(dǎo)體器件封裝體。所述半導(dǎo)體器件封裝體包括具有頂部表面的固態(tài)金屬基體以及在頂部表面上的導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域。第一對(duì)傳導(dǎo)引線附接到基體并且與基體絕緣。所述第一對(duì)包括第一引線和第二引線，該第一引線和第二引線彼此遠(yuǎn)離地延伸，使得第一引線橫向延伸到基體的第一邊沿之外并且第二引線橫向延伸到基體的與第一邊沿相對(duì)的第二邊沿之外。第二對(duì)傳導(dǎo)引線附接到基體并且與基體絕緣。所述第二對(duì)包括第三引線和第四引線，該第三引線和第四引線彼此遠(yuǎn)離地延伸，使得第三引線橫向延伸到第一邊沿之外并且第四引線橫向延伸到第二邊沿之外。第一放大器附接到頂部表面并且包括被電氣連接到第一引線的第一端子以及被電氣連接到第二引線的第二端子。第二放大器附接到頂部表面并且包括被電氣連接到第三引線的第一端子以及被電氣連接到第四引線的第四端子。通過(guò)在第一引線和第三引線的內(nèi)邊沿側(cè)之間以及在第二引線和第四引線的內(nèi)邊沿側(cè)之間的水平間隙，第一對(duì)與第二對(duì)被隔開。在水平間隙中的垂直于基體的第一邊沿和第二邊沿延伸的參考線將芯片安裝區(qū)域劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分。第一芯片安裝部分的區(qū)域小于第二芯片安裝部分的區(qū)域。與第三引線和第四引線相比，第一引線和第二引線具有更小的寬度。
[0005]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供經(jīng)封裝的多爾蒂(Doherty)放大器。所述放大器包括具有頂部表面的固態(tài)金屬基體以及在頂部表面上的導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域。芯片安裝區(qū)域被劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分。主放大器附接到第一區(qū)域內(nèi)的頂部表面。峰值放大器附接到第二區(qū)域內(nèi)的頂部表面。第一傳導(dǎo)引線和第二傳導(dǎo)引線電氣連接到主放大器的柵極端子和漏極端子。第一引線和第二引線在相反方向上遠(yuǎn)離基體地橫向延伸。第三傳導(dǎo)引線和第四傳導(dǎo)引線電氣連接到峰值放大器的柵極端子和漏極端子。第三引線和第四引線在相反方向上遠(yuǎn)離基體地橫向延伸。主放大器的裸片區(qū)域小于峰值放大器的裸片區(qū)域。主放大器的裸片寬度小于峰值放大器的裸片寬度。第一芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于主放大器的裸片區(qū)域，并且第二芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于峰值放大器的裸片區(qū)域。第一引線和第二引線的寬度對(duì)應(yīng)于主放大器的裸片寬度，并且第三引線和第四引線的寬度對(duì)應(yīng)于峰值放大器的裸片寬度。
[0006]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種經(jīng)封裝的RF功率放大器。所述放大器包括具有頂部表面的固態(tài)金屬基體以及在頂部表面上的導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域。所述芯片安裝區(qū)域被劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分。第一放大器附接到第一區(qū)域內(nèi)的頂部表面。第二放大器附接到第二區(qū)域內(nèi)的頂部表面。第一傳導(dǎo)引線和第二傳導(dǎo)引線電氣連接到第一放大器的柵極端子和漏極端子。第一引線和第二引線在相反方向上遠(yuǎn)離基體地橫向延伸。第三傳導(dǎo)引線和第四傳導(dǎo)引線電氣連接到第二放大器的柵極端子和漏極端子。第三引線和第四引線在相反方向上遠(yuǎn)離基體地橫向延伸。第一放大器的裸片區(qū)域小于第二放大器的裸片區(qū)域。第一放大器的裸片寬度小于第二放大器的裸片寬度。第一芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于第一放大器的裸片區(qū)域，并且第二芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于第二放大器的裸片區(qū)域。第一引線和第二引線的寬度對(duì)應(yīng)于第一放大器的裸片寬度，并且第三引線和第四引線的寬度對(duì)應(yīng)于第二放大器的裸片寬度。
[0007]在閱讀了下面的詳細(xì)描述并且瀏覽了附圖之后，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到附加的特征和優(yōu)勢(shì)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]附圖中的元素并不必然彼此成比例。相同的參考標(biāo)號(hào)指代相對(duì)應(yīng)的相似的部分。除非彼此排斥，否則各種示例性的實(shí)施例的特征可以組合。在附圖中對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描繪并且在隨后的描述中對(duì)實(shí)施例進(jìn)行詳述。
[0009]圖1描繪了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的被電氣連接有多路放大器的半導(dǎo)體器件封裝體的自頂向下透視圖。
[0010]圖2包括圖2A和圖2B，描繪了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有附接到表面的蓋體從而在多路放大器之上提供內(nèi)部空腔的半導(dǎo)體器件封裝體的自頂向下透視圖和側(cè)面透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]此處所描述的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝體，其可被用于有效地容納兩個(gè)或多個(gè)具有基本不同的區(qū)域占用和/或電流承載需求的集成電路。這種布置的一個(gè)例子是多爾蒂(Doherty)放大器，其為多路放大器。多爾蒂放大器配置包括峰值放大器和主放大器。在較低的功率操作范圍下，主放大器是可操作的，而峰值放大器是關(guān)斷的。在特定功率閾值之上，峰值放大器變得可操作。由于兩個(gè)放大器在不同功率范圍下操作，通常在主放大器和峰值放大器的芯片區(qū)域之間存在差異。例如，峰值放大器的芯片區(qū)域可以是主放大器的芯片區(qū)域的兩倍尺寸。此外，功率范圍的差異可能導(dǎo)致兩個(gè)放大器之間的不同電流需求。這樣，對(duì)于其中一個(gè)放大器的優(yōu)選引線尺寸可能對(duì)于另一個(gè)放大器而言不太優(yōu)良。
[0012]具有優(yōu)勢(shì)地，這里所描述的實(shí)施例提供一種與兩種不同集成電路的區(qū)域占用和電流承載需求成比例地對(duì)裸片安裝區(qū)域和引線尺寸進(jìn)行不對(duì)稱分配的半導(dǎo)體封裝體。也就是，兩個(gè)集成電路的裸片安裝區(qū)域和引線尺寸不相等。例如，在具有大于主放大器的峰值放大器的多爾蒂放大器中，裸片安裝區(qū)域和引線尺寸是不同的并且對(duì)應(yīng)于峰值放大器和主放大器的各自的需求。結(jié)果是，相較于無(wú)視不同尺寸放大器的尺度而對(duì)稱地分配裸片安裝區(qū)域和引線尺寸的封裝體設(shè)計(jì)而言，經(jīng)封裝的多爾蒂放大器的總體占地面積可以被降低。
[0013]參照?qǐng)D1，描繪了半導(dǎo)體器件封裝體100的一個(gè)實(shí)施例。封裝體100包括具有頂部表面104的固態(tài)金屬基體102。該固態(tài)金屬基體102可以由銅、鋁以及提供熱傳導(dǎo)的類似材料來(lái)形成。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，固態(tài)金屬基體102被配置為散熱器，從而使熱量遠(yuǎn)離布置在頂部表面104之上的器件而耗散掉?？商娲?，固態(tài)金屬基體102可以由熱絕緣材料來(lái)形成。在頂部表面104上形成導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域106。導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域106可以由