到所述第三引線的第一端子以及被電氣連接到所述第四引線的第二端子， 其中所述第一對和所述第二對通過在所述第一引線和所述第三引線的內(nèi)邊沿側(cè)之間以及在所述第二引線和所述第四引線的內(nèi)邊沿側(cè)之間的水平間隙而彼此隔開， 其中在所述水平間隙中的與所述基體的第一邊沿和第二邊沿垂直地延伸的參考線將所述芯片安裝區(qū)域劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分， 其中所述第一芯片安裝部分的區(qū)域小于所述第二芯片安裝部分的區(qū)域，并且其中與所述第三引線和所述第四引線相比，所述第一引線和所述第二引線具有更小的寬度。2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述第一放大器和所述第二放大器被配置為RF功率放大器。3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述第一放大器和所述第二放大器被配置為多爾蒂放大器，其中所述第一放大器為主放大器并且其中所述第二放大器為峰值放大器。4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述主放大器包括被布置在所述第一芯片安裝部分之內(nèi)的第一裸片，并且其中所述峰值放大器包括被布置在所述第二芯片安裝部分之內(nèi)的第二裸片和第三裸片。5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述第一裸片、所述第二裸片和所述第三裸片中的每一個包括被電氣連接到所述芯片安裝區(qū)域的源極端子，其中所述第一裸片包括被電氣連接到所述第二引線的柵極端子以及被電氣連接到所述第一引線的漏極端子，并且其中所述第二裸片和所述第三裸片包括被電氣連接到所述第四引線的柵極端子和被電氣連接到所述第三引線的漏極端子。6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件封裝體，進一步包括: 第一輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，被電氣連接到所述第一裸片的柵極端子； 第二輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，被電氣連接到所述第二裸片和所述第三裸片的柵極端子； 第一輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，被電氣連接到所述第一裸片的漏極端子；以及 第二輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，被電氣連接到所述第二裸片和所述第三裸片的漏極端子。7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述第一輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括與所述第二引線以及所述第一裸片的柵極端子電氣連接的第一電容器，并且其中所述第二輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括與所述第四引線以及所述第二裸片和所述第三裸片的柵極端子電氣連接的第二電容器和第三電容器。8.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件封裝體，其中在所述第一輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和所述第二輸入匹配網(wǎng)絡(luò)與所述第一裸片、所述第二裸片和所述第三裸片各自的柵極端子和漏極端子之間的電氣連接包括鍵合導(dǎo)線。9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件封裝體，進一步包括蓋體，所述蓋體鄰接所述頂部表面從而在所述芯片安裝區(qū)域上方提供內(nèi)部空腔，其中所述第一輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、所述第二輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、所述第一輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和所述第二輸出匹配網(wǎng)絡(luò)被布置在所述內(nèi)部空腔之內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述第一裸片、所述第二裸片和所述第三裸片中的每一個在尺寸上基本上相等，使得所述峰值放大器的總裸片區(qū)域和所述主放大器的總裸片區(qū)域之間的比率大致為2比I，并且使得所述第二芯片安裝部分和所述第一芯片安裝部分的區(qū)域之間的比率大致為2比I。11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件封裝體，其中所述第三引線和所述第四引線的寬度與所述第一引線和所述第二引線的寬度之間的比率大致為2比I。12.—種經(jīng)封裝的多爾蒂放大器，包括: 固態(tài)金屬基體，包括頂部表面； 導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域，在所述頂部表面上，所述芯片安裝區(qū)域被劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分； 主放大器，被附接到完全在第一區(qū)域內(nèi)的頂部表面； 峰值放大器，被附接到完全在第二區(qū)域內(nèi)的頂部表面； 第一傳導(dǎo)引線和第二傳導(dǎo)引線，被電氣連接到所述主放大器的柵極端子和漏極端子，所述第一引線和所述第二引線在相反方向上遠離所述基體地橫向延伸；以及 第三傳導(dǎo)引線和第四傳導(dǎo)引線，被電氣連接到所述峰值放大器的柵極端子和漏極端子，所述第三引線和所述第四引線在相反方向上遠離所述基體地橫向延伸， 其中所述主放大器的裸片區(qū)域小于所述峰值放大器的裸片區(qū)域，其中所述主放大器的裸片寬度小于所述峰值放大器的裸片寬度， 其中所述第一芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于所述主放大器的裸片區(qū)域， 其中所述第二芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于所述峰值放大器的裸片區(qū)域， 其中所述第一引線和所述第二引線的寬度對應(yīng)于所述主放大器的裸片寬度，并且 其中所述第三引線和所述第四引線的寬度對應(yīng)于所述峰值放大器的裸片寬度。13.根據(jù)權(quán)利要求12的經(jīng)封裝的多爾蒂放大器，其中所述主放大器包括第一裸片，并且所述主放大器的裸片寬度對應(yīng)于所述第一裸片的寬度，以及其中所述峰值放大器包括第二裸片和第三裸片，并且所述峰值放大器的裸片寬度對應(yīng)于所述第二裸片和所述第三裸片的總體寬度。14.根據(jù)權(quán)利要求13的經(jīng)封裝的多爾蒂放大器，其中所述峰值放大器的裸片寬度與所述主放大器的裸片寬度的比率大致為2比1，并且其中所述第三引線和所述第四引線的寬度與所述第一引線和所述第二引線的寬度的比率大致為2比I。15.根據(jù)權(quán)利要求14的經(jīng)封裝的多爾蒂放大器，其中第二部分的區(qū)域與第一部分的區(qū)域的比率大致為2比I。16.一種經(jīng)封裝的RF功率放大器，包括: 固態(tài)金屬基體，包括頂部表面； 導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域，在所述頂部表面上，所述芯片安裝區(qū)域被劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分； 第一放大器，被附接到完全在所述第一區(qū)域內(nèi)的所述頂部表面； 第二放大器，被附接到完全在所述第二區(qū)域內(nèi)的所述頂部表面； 第一傳導(dǎo)引線和第二傳導(dǎo)引線，被電氣連接到所述第一放大器的柵極端子和漏極端子，所述第一引線和所述第二引線在相反方向上遠離所述基體地橫向延伸；以及 第三傳導(dǎo)引線和第四傳導(dǎo)引線，被電氣連接到所述第二放大器的柵極端子和漏極端子，所述第三引線和所述第四引線在相反方向上遠離所述基體地橫向延伸， 其中所述第一放大器的裸片區(qū)域小于所述第二放大器的裸片區(qū)域，其中所述第一放大器的裸片寬度小于所述第二放大器的裸片寬度， 其中所述第一芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于所述第一放大器的裸片區(qū)域， 其中所述第二芯片安裝部分的區(qū)域?qū)?yīng)于所述第二放大器的裸片區(qū)域， 其中所述第一引線和所述第二引線的寬度對應(yīng)于所述第一放大器的裸片寬度，并且 其中所述第三引線和所述第四引線的寬度對應(yīng)于所述第二放大器的裸片寬度。
【專利摘要】本公開涉及具有不對稱芯片安裝區(qū)域和引線寬度的半導(dǎo)體器件封裝體。提供一種半導(dǎo)體器件封裝體，包括具有頂部表面的固態(tài)金屬基體以及在頂部表面上的導(dǎo)電的芯片安裝區(qū)域。傳導(dǎo)引線的第一對和第二對被附接到基體并且在相反方向上彼此遠離地延伸。第一放大器和第二放大器被附接到頂部表面并且電氣連接到引線的第一對和第二對。第一對和第二對通過引線的內(nèi)邊沿側(cè)之間的水平間隙而隔開。在水平間隙中的與基體的邊沿垂直地延伸的參考線將芯片安裝區(qū)域劃分為第一芯片安裝部分和第二芯片安裝部分。第一芯片安裝部分的區(qū)域小于第二芯片安裝部分的區(qū)域。與第三引線和第四引線相比，第一引線和第二引線具有更小的寬度。
【IPC分類】H01L23/48, H01L21/60
【公開號】CN105097739
【申請?zhí)枴緾N201510267361
【發(fā)明人】A·科姆波施, H·胡戈, S·I·周, S·沃德
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年5月22日
【公告號】DE102015107970A1, US9209116, US20150340306