致使墨水表面張力γχ < Ys，墨水和像素界定層之間形成浸潤狀態(tài)。此時(shí)墨水和像素界定層交界處液面邊界在重 力和表面張力的作用下向下彎曲。同理由開爾文公式得知，此時(shí)邊界處揮發(fā)速率小于墨水 中心部揮發(fā)速率，此時(shí)在溶液濃度差產(chǎn)生的墨水流動(dòng)下，量子點(diǎn)顆粒重新由邊界向中心移 動(dòng)，以彌補(bǔ)之前墨水向邊緣流動(dòng)時(shí)導(dǎo)致邊緣溶質(zhì)過度堆積現(xiàn)象，如圖8所示。
[0093] 第二部分：保持壓力不變，升高環(huán)境溫度至Τ2，
，以避免墨水 沸騰并保持3~5min。此時(shí)溶劑A已基本揮發(fā)殆盡，溶劑B殘留在墨水中并和像素界定層 形成浸潤狀態(tài)，此時(shí)邊界處揮發(fā)速率小于墨水中心部揮發(fā)速率，此時(shí)在溶液濃度差的產(chǎn)生 的墨水流動(dòng)下，量子點(diǎn)顆粒重新由邊界向中心移動(dòng)，以彌補(bǔ)之前墨水向邊緣流動(dòng)時(shí)導(dǎo)致邊 緣溶質(zhì)過度堆積現(xiàn)象。但由于溶劑B含量很少，則在像素界定層中殘留溶液厚度e也很薄。 根據(jù)Navier-Stoke (納維葉一斯托克斯）流體力學(xué)公式可知墨水移動(dòng)速率與溶液厚度成 反比，則溶液越薄則其迀移越困難。所以在該現(xiàn)象的影響下，墨水中量子點(diǎn)向內(nèi)迀移速率較 低，并不會(huì)出現(xiàn)由于過度流動(dòng)而導(dǎo)致干燥后量子點(diǎn)層中部突出的成膜不均現(xiàn)象。
[0094] 第三部分：保持壓力不變，升高環(huán)境溫度至
保持45~75s(優(yōu)選為 Imin)以完全干燥溶劑得到發(fā)光層500,如圖9所示。
[0095] 整個(gè)干燥該過程亦可以通過調(diào)整飽和蒸汽壓實(shí)現(xiàn)。在常溫時(shí)第一部分的蒸汽壓 P1、第二部分匕的蒸汽壓、第三部分的蒸汽壓P3需滿足：
[0096] Pa-P1^ 1500Pa
[0097] Pb-P2 彡 1500Pa
[0098] P3彡 Pb
[0099] 若在用飽和蒸汽壓法進(jìn)行烘干時(shí)烘干環(huán)境如溫度發(fā)生變化，相應(yīng)溶液在該溫度下 其對應(yīng)的飽和蒸汽壓和沸點(diǎn)變化可以用克勞修斯-克拉佩龍方程（Clausius - Clapeyron relation)、安托尼（Antoine)經(jīng)驗(yàn)方程或李一凱斯勒（Lee-Kesler equation)等理論公式 導(dǎo)出。
[0100] 3、其他功能層的制備
[0101] 制作完EML(發(fā)光層）后，再以Inkjet (噴墨）、Nozzle printing(噴嘴打印）或 蒸鍍方式制作HTL (空穴傳輸層）和HIL (空穴注入層）（圖中將二者標(biāo)識為600)，并經(jīng)過溶 劑烘干、材料退火等步驟形成功能層，最后蒸鍍陽極層700,完成印刷AM-QDLED器件制備， 如圖10所示。
[0102] S4 :AM-QDLED 器件封裝
[0103] 印刷AM-QDLED器件的封裝可以采用原子層沉積（ALD)方式制備致密的無機(jī)薄膜 (如SiN xS SiO 2等）作為水氧阻隔層，并制作保護(hù)層，防止外力對水氧阻隔層的損傷。然 后，采用層壓機(jī)貼覆帶有除濕劑的封裝保護(hù)膜（封裝保護(hù)膜與前述的水氧阻隔層、保護(hù)層 共同組成封裝層ENCUP 800)，進(jìn)一步阻隔水汽、氧氣的滲透，完成AM-QDLED器件封裝。器件 封裝亦可以用frit或dam等封裝方式進(jìn)行實(shí)現(xiàn)，如圖11所示。
[0104] 本發(fā)明在不改變設(shè)備結(jié)構(gòu)和不增加制作工藝復(fù)雜程度的前提下，提高了成膜均勻 性。
[0105] 本發(fā)明的有益效果如下：
[0106] 1、改變了印刷墨水組成，墨水由至少兩種具有不同表面張力和沸點(diǎn)的溶劑組成， 通過溶液揮發(fā)干燥而改變墨水與像素界定層的浸潤程度。墨水和像素界定層在印刷和干燥 初期為疏水排斥狀態(tài)，使墨水在干燥的過程中，液面不會(huì)由于親水從而在液面下降的同時(shí) 在像素界定層斜面留下溶劑薄膜導(dǎo)致溶質(zhì)或懸浮顆粒殘留，提高材料利用率，但在此過程 中懸浮顆?；蛉苜|(zhì)會(huì)向墨水靠近像素界定層邊界處積累；其后通過揮發(fā)掉高表面張力的液 體，使墨水和像素界定層變?yōu)橛H水，使墨水中部揮發(fā)速率大于墨水邊緣處，產(chǎn)生由外向內(nèi)的 回流，將前面向外流動(dòng)的溶質(zhì)重新向內(nèi)聚攏，以平坦表面并提高成膜均勻性。
[0107] 2、根據(jù)Wenzel效應(yīng)增大像素界定層內(nèi)部斜面的粗糙度以增大墨水和像素界定層 內(nèi)表面浸潤效果。在像素界定層制作中，加入少量懸浮無機(jī)絕緣納米顆粒并使其在負(fù)性光 刻膠內(nèi)分布均勻，再通過曝光顯影過程完成像素界定層制作。在移除未交聯(lián)的負(fù)性光刻膠 時(shí)，部分無機(jī)納米顆粒會(huì)留在表面，從而加大了表面的粗糙度。
[0108] 本發(fā)明的方法可運(yùn)用在印刷AM-QDLED和OLED顯示或照明器件的EML、HIL、HTL、 EIUETL和電極層的制作以及印刷光伏電池和印刷觸摸屏等電子領(lǐng)域。
[0109] 應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可 以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保 護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，包括步驟： A、 準(zhǔn)備載體基板，并對載體基板進(jìn)行清洗，然后采用化ide-OTFT工藝制作TFT陣列； B、 在TFT陣列上沉積IT0像素電極并進(jìn)行刻蝕形成陽極圖案，然后W旋涂工藝涂覆負(fù) 性光刻膠，再采用分步曝光的方法制作像素界定層，形成倒梯形像素區(qū)域，在所述負(fù)性光刻 膠中添加有無機(jī)納米顆粒； C、 在所述像素界定層結(jié)構(gòu)的溝槽內(nèi)制作發(fā)光層、電子注入層和電子傳輸層，最后蒸鍛 陰極層，所述發(fā)光層中的墨水由至少兩種具有不同表面張力和沸點(diǎn)的溶劑組成； D、 封裝AM-QDLED器件。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，按質(zhì)量百分比計(jì)，無 機(jī)納米顆粒在負(fù)性光刻膠中的比例為5~10%。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述無機(jī)納米顆粒 為不導(dǎo)電無機(jī)物。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述步驟B中，涂覆 均勻負(fù)性光刻膠后，先進(jìn)行前烘，前烘條件為：溫度90~100°C，時(shí)間為25~35s;前烘完畢 后再置于90~100°C的烘箱烘烤10~30min。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述步驟C中，墨水 采用兩種溶劑組成時(shí)，兩種溶劑的體積比范圍為19:1至8:2。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述步驟C中，發(fā)光 層中添加有量子點(diǎn)，量子點(diǎn)在墨水中的固含量在3%~7%。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述步驟C中還包 括：對墨水進(jìn)行干燥，共分Ξ步： 第一步：在常壓下升高環(huán)境溫度至T1，并保持5~lOmin; 第二步：保持壓力不變，升高環(huán)境溫度至T2,并保持3~5min; 第Ξ步：保持壓力不變，升高環(huán)境溫度至T3,保持45s~75s。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述T1滿足：其中，Tf和ΤβΒ-分別表示墨水中溶劑A和溶劑B的沸點(diǎn)。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷AM-QDL邸的制作方法，其特征在于，所述步驟D中，采用 原子層沉積方式制備致密的無機(jī)薄膜作為水氧阻隔層，并制作保護(hù)層，然后貼覆帶有除濕 劑的封裝保護(hù)膜，完成AM-QDLED器件封裝。10. -種印刷AM-QDLED，其特征在于，采用如權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的制作方法制 作。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種印刷AM-QDLED及其制作方法，其中，方法包括步驟：A、準(zhǔn)備載體基板，并對載體基板進(jìn)行清洗，然后采用Oxide-OTFT工藝制作TFT陣列；B、在TFT陣列上沉積ITO像素電極并進(jìn)行刻蝕形成陽極圖案，然后以旋涂工藝涂覆負(fù)性光刻膠，再采用分步曝光的方法制作像素界定層，形成倒梯形像素區(qū)域，在所述負(fù)性光刻膠中添加有無機(jī)納米顆粒；C、在所述像素界定層結(jié)構(gòu)的溝槽內(nèi)制作發(fā)光層、電子注入層和電子傳輸層，最后蒸鍍陰極層，所述發(fā)光層中的墨水由至少兩種具有不同表面張力和沸點(diǎn)的溶劑組成；D、封裝AM-QDLED器件。通過本發(fā)明制備的有機(jī)功能層，其表面平坦，能有效的避免由于表面粗糙帶來的器件電荷集中、擊穿和顯示不均現(xiàn)象，提高了器件性能并保證了器件顯示效果。
【IPC分類】H01L51/56, H01L51/00
【公開號】CN105244454
【申請?zhí)枴緾N201510675548
【發(fā)明人】李耘, 閆曉林
【申請人】Tcl集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年10月16日