封裝結(jié)構(gòu)及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種具防電磁波干擾的封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，大部份的電子產(chǎn)品均朝向小型化及高速化的目標(biāo)發(fā)展，尤其是通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已普遍運用整合于各類電子產(chǎn)品，例如行動電話(Cell phone)、膝上型電腦(laptop)等。然而上述的電子產(chǎn)品需使用高頻的射頻晶片，且射頻晶片可能相鄰設(shè)置數(shù)位積體電路、數(shù)位訊號處理器(Digital Signal Processor,簡稱DSP)或基頻晶片(BB, Base Band),造成電磁干擾(Electromagnetic Interference,簡稱 EMI)產(chǎn)生的現(xiàn)象，因此必需進(jìn)行電磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)處理。
[0003]現(xiàn)有避免EMI的射頻(Rad1 frequency,簡稱RF)模組，如圖1A至圖1C所示，該射頻模組1用于將多個射頻晶片11a，lib與非射頻式電子元件11電性連接在一封裝基板10上，再以如環(huán)氧樹脂的封裝層13包覆各該射頻晶片11a，lib與該非射頻式電子元件11，并于該封裝層13上形成一金屬薄膜14。該射頻模組1藉由該封裝層13保護(hù)該射頻晶片11a, lib、非射頻式電子元件11及封裝基板10，并避免外界水氣或污染物的侵害，且藉由該金屬薄膜14保護(hù)該些射頻晶片11a，lib免受外界EMI影響。
[0004]惟，現(xiàn)有射頻模組1的外圍雖可藉由包覆該金屬薄膜14以達(dá)到避免EMI的目的，但若射頻晶片11a，lib如為低頻元件，則單一金屬薄膜14作為屏障層難以防止電磁干擾。
[0005]因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)的缺失，實為一重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為克服現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，藉由在封裝層上形成多層屏蔽層，以避免該電子元件受電磁波干擾。
[0007]本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，包括:一承載件；至少一電子元件，其設(shè)于該承載件上；封裝層，其包覆該電子元件；一第一屏蔽層，其形成于該封裝層上；以及至少一第二屏蔽層，其形成于該第一屏蔽層上，且該第一與第二屏蔽層為不同材質(zhì)所形成。
[0008]本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括:提供一封裝體，該封裝體具有一承載件、設(shè)于該承載件上的至少一電子元件及包覆該電子元件的封裝層；形成一第一屏蔽層于該封裝層上；以及形成至少一第二屏蔽層于該第一屏蔽層上，且該第一屏蔽層與該第二屏蔽層為不同材質(zhì)所形成。
[0009]前述的制法中，當(dāng)該封裝體具有多個該電子元件時，該封裝體定義有多個封裝單元，且各該封裝單元具有至少一該電子元件。因此，還包括先形成多個溝道于各該封裝單元之間；再形成該第一屏蔽層于該封裝層上與各該溝道中；沿各該溝道進(jìn)行切單制程，以分離各該封裝單元，且該第一屏蔽層保留于各該封裝單元上；以及之后形成該第二屏蔽層于該第一屏蔽層上。
[0010]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該電子元件為射頻晶片。
[0011]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，形成該第一屏蔽層的材質(zhì)為絕緣材或?qū)щ姴模倚纬稍摰诙帘螌拥牟馁|(zhì)為導(dǎo)體材。
[0012]前述的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該溝道貫穿該封裝層、或該溝道延伸至該承載件內(nèi)，例如，該第一屏蔽層復(fù)沿該溝道的表面形成、或該第一屏蔽層填滿該溝道。因此，該第一屏蔽層復(fù)延伸至該承載件上，且該承載件的邊緣成為階梯部，而該第一屏蔽層復(fù)覆蓋該階梯部，使該第一屏蔽層對應(yīng)該階梯部之處呈現(xiàn)階梯狀、或該第一屏蔽層的側(cè)表面齊平該承載件的側(cè)表面。
[0013]由上可知，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，藉由該封裝層上形成第一與第二屏蔽層的多個屏蔽層，以提升屏蔽功效，所以可避免該電子元件受外部電磁波干擾的問題。
【附圖說明】
[0014]圖1A至圖1C為現(xiàn)有射頻模組的制法的剖面示意圖；
[0015]圖2A至圖2F為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第一實施例的剖面示意圖；其中，圖2D’為圖2D的另一實施例，圖2F’為圖2F的另一實施例；
[0016]圖3A至圖3B為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第二實施例的剖面示意圖；其中，圖3B’為圖3B的另一實施例；
[0017]圖4A至圖4B為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第三實施例的剖面示意圖；以及
[0018]圖5為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第四實施例的剖面示意圖。
[0019]符號說明
[0020]1射頻模組
[0021]10封裝基板
[0022]11非射頻式電子元件
[0023]11a, lib射頻晶片
[0024]13，23封裝層
[0025]14金屬薄膜
[0026]2，2’，3，3’，4，5 封裝結(jié)構(gòu)
[0027]2a, 4a封裝體
[0028]2b封裝單元
[0029]20, 40承載件
[0030]20a上表面
[0031]20b下表面
[0032]20c, 23c, 24a, 40c 側(cè)表面
[0033]200電性接觸墊
[0034]201絕緣保護(hù)層
[0035]21, 41, 51電子元件
[0036]210焊線
[0037]22，22’階梯部
[0038]23a第一表面
[0039]23b第二表面
[0040]24，24’第一屏蔽層
[0041]25, 55第二屏蔽層
[0042]230, 330 溝道
[0043]410焊球。
【具體實施方式】
[0044]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0045]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0046]圖2A至圖2F為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第一實施例的剖面示意圖。于本實施例中，所述的封裝結(jié)構(gòu)2可發(fā)出電磁波者，例如為射頻(Rad1 frequency, RF)模組。
[0047]如圖2A所示，提供一具有上表面20a及下表面20b的承載件20，再接置多個電子元件21于該承載件20的上表面20a上。
[0048]所述的承載件20的上表面20a具有線路層與絕緣保護(hù)層201，該線路層包含多個外露于該絕緣保護(hù)層201的電性接觸墊200。于本實施例中，該承載件20的種類繁多，例如，該承載件20的內(nèi)部可包含介電層(圖略)、接地部(圖略)與內(nèi)部線路(圖略)，且該內(nèi)部線路可選擇性地電性連接該電性接觸墊200，因而該承載件20的構(gòu)造并無特別限制。
[0049]所述的電子元件21為射頻晶片或其它半導(dǎo)體晶片，例如:藍(lán)芽晶片或W1-Fi (Wireless Fidelity)晶片。于本實施例中，該些電子元件21為藍(lán)芽晶片或Wi_Fi晶片，且也可于該承載件20的上表面20a上設(shè)置其它無影響電磁波干擾的電子元件(圖略)。
[0050]此外，該電子元件21為打線式晶片，即藉由多個焊線210對應(yīng)電性連接該承載件20的電性接觸墊200。
[0051]如圖2B所示，形成一封裝層23于該承載件20的上表面20a上，以包覆各該電子元件21，藉以形成一封裝體2a。
[0052]于本實施例中，該封裝層23例如為封裝膠體，其具有相對的第一表面23a及第二表面23b，且該封裝層23以其第二表面23b結(jié)合至該承載件20的上表面20a。
[0053]此外，各該電子兀件21并未外露于該封裝層23的第一表面23a。
[0054]又，該封裝體2a定義有多個封裝單元2b，且各該封裝單元2b具有至少一該電子元件21。
[0055]如圖2C所示，形成多個溝道230于各該封裝單元2b之間，以令該承載件20的部分上表面20a外露于該些溝道230。
[0056]于本實施例中，該溝道230貫穿該封裝層23而未延伸至該承載件20的內(nèi)部。
[0057]如圖2D所不，形成第一屏蔽層24于該封裝層23的第一表面23a上。
[0058]于本實施例中，該第一屏蔽層24還沿該溝道230內(nèi)的封裝層23的表面形成。
[0059]于其它實施例中，如圖2D’所示，該第一屏蔽層24’填滿該溝道230。
[0060]此外，形成該第一屏蔽層24的材質(zhì)為絕緣材或?qū)щ?