中介板及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明提供一種中介板及其制法，尤指一種能防止翹曲的具有基板本體空穴或介電層開口的中介板及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于晶片功能日趨強(qiáng)大，造成導(dǎo)電凸塊日益密集與高密度布線，遂產(chǎn)生了各種中介板的技術(shù)。
[0003]請參照圖1，其為現(xiàn)有的中介板1的剖視圖，該中介板1包括基板本體10、第一介電層13、線路層14、絕緣保護(hù)層15、多個電性連接墊19及第二介電層18。例如為硅的基板本體10具有相對的第一表面10a及第二表面10b,且具有貫通該第一表面10a及第二表面10b的多個導(dǎo)電穿孔11，而該些導(dǎo)電穿孔11與該基板本體10之間形成有絕緣層12。
[0004]如上所述的第一介電層13形成于該第一表面10a上且露出該些導(dǎo)電穿孔11，而該線路層14形成于該第一表面10a及第一介電層13上且具有相連的線路141及電性接點(diǎn)142，該線路141電性連接該些導(dǎo)電穿孔11，且該第一介電層13及線路層14上形成有外露該電性接點(diǎn)142的絕緣保護(hù)層15，而該電性接點(diǎn)142上可形成例如為凸塊底下金屬層(under bump metallurgy,簡稱UBM)的金屬層16,該金屬層16上可形成有回焊處理過的導(dǎo)電凸塊17。
[0005]如上所述的可例如為凸塊底下金屬層的多個電性連接墊19形成于該第二表面10b上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔11。而如上所述的第二介電層18形成于該第二表面10b上且對應(yīng)外露出該些電性連接墊19，且該些電性連接墊19上可形成有回焊處理過的導(dǎo)電凸塊17。
[0006]在形成現(xiàn)有的中介板時，由于經(jīng)常使用高溫制程(如回焊)，且因中介板的各層材料的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of thermal expans1n, CTE)差異甚大(例如:基板本體的硅的CTE為2.6ppm/°C、絕緣層的二氧化硅的CTE為0.5ppm/°C、導(dǎo)電穿孔與線路層的銅的CTE為16.7ppm/°C及第一介電層與第二介電層的聚酰亞胺(polyimide,PI)或環(huán)苯丁烯(Bis-Benzo-Cyclo-Butene, BCB)的CTE分別為35及3ppm/°C ),故在高溫制程中及冷卻后，常因熱膨脹不均造成中介板翹曲的問題，從而使后續(xù)制程難以對位，而大大地降低中介板的生產(chǎn)良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的目的為提供一種中介板及其制法，大為降低中介板的翹曲現(xiàn)象。
[0008]本發(fā)明的中介板包括:具有相對的第一表面及第二表面且具有基板本體空穴及多個導(dǎo)電穿孔的基板本體，該基板本體空穴及導(dǎo)電穿孔貫通該第一表面及第二表面；形成于該第一表面上且外露出該些導(dǎo)電穿孔的第一介電層；形成于該第一介電層上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔的線路層；形成于該第二表面上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔的多個電性連接墊；以及形成于該第二表面上且對應(yīng)外露出該些電性連接墊的第二介電層。
[0009]本發(fā)明還提供一種中介板，包括:具有相對的第一表面及第二表面且具有貫通該第一表面及第二表面的多個導(dǎo)電穿孔的基板本體；形成于該第一表面上且外露出該些導(dǎo)電穿孔的第一介電層，該第一介電層具有貫穿的第一介電層開口 ；形成于該第一介電層上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔的線路層；形成于該第二表面上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔的多個電性連接墊；以及形成于該第二表面上且對應(yīng)外露出該些電性連接墊的第二介電層。
[0010]本發(fā)明又提供一種中介板，包括:具有相對的第一表面及第二表面且具有貫通該第一表面及第二表面的多個導(dǎo)電穿孔的基板本體；形成于該第一表面上且外露出該些導(dǎo)電穿孔的第一介電層；形成于該第一介電層上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔的線路層；形成于該第二表面上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔的多個電性連接墊；以及形成于該第二表面上且對應(yīng)外露出該些電性連接墊的第二介電層，該第二介電層并具有貫穿的第二介電層開口。
[0011]本發(fā)明又提供一種中介板的制法，包括:于具有相對的第一表面及第二表面的基板本體的該第一表面形成多個第一凹槽與第二凹槽，并于各該些第一凹槽中形成導(dǎo)電穿孔；于該基板本體的第一表面上形成線路層與第一介電層，該線路層形成于該第一表面上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔，該第一介電層形成于該第一表面上且外露出該線路層；從該基板本體的第二表面?zhèn)纫瞥摶灞倔w的部分厚度，以外露該些第二凹槽與導(dǎo)電穿孔的一端；以及于該第二表面上形成第二介電層與電性連接該些導(dǎo)電穿孔的多個電性連接墊，而該第二介電層對應(yīng)外露出該些電性連接墊，且該些第二凹槽構(gòu)成貫通該第一表面及第二表面的基板本體空穴。
[0012]本發(fā)明還提供一種中介板的制法，包括:于具有相對的第一表面及第二表面的基板本體的第一表面形成多個第一凹槽，并于各該些第一凹槽中形成導(dǎo)電穿孔；于該基板本體的第一表面上形成線路層與第一介電層，該線路層形成于該第一表面上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔，該第一介電層形成于該第一表面上且外露出該線路層，該第一介電層具有貫穿的第一介電層開口 ；從該基板本體的第二表面?zhèn)纫瞥摶灞倔w的部分厚度，以外露該導(dǎo)電穿孔的一端；以及于該第二表面上形成第二介電層與電性連接該些導(dǎo)電穿孔的多個電性連接墊，而該第二介電層對應(yīng)外露出該些電性連接墊。
[0013]本發(fā)明再提供一種中介板的制法，包括:于具有相對的第一表面及第二表面的基板本體的第一表面形成多個第一凹槽，并于各該第一凹槽中形成導(dǎo)電穿孔；于該基板本體的第一表面上形成線路層與第一介電層，該線路層形成于該第一表面上且電性連接該些導(dǎo)電穿孔，該第一介電層形成于該第一表面上且外露出該線路層；從該基板本體的第二表面?zhèn)纫瞥摶灞倔w的部分厚度，以外露該些導(dǎo)電穿孔的一端；以及于該第二表面上形成第二介電層與電性連接該些導(dǎo)電穿孔的多個電性連接墊，而該第二介電層對應(yīng)外露出該些電性連接墊，該第二介電層具有貫穿的第二介電層開口。
[0014]本發(fā)明的中介板及其制法藉由貫通基板本體的第一表面及第二表面的基板本體空穴、貫穿第一介電層的第一介電層開口、開口或貫穿第二介電層的第二介電層開口而避免現(xiàn)有技術(shù)的因各層材料的熱膨脹系數(shù)差異太大所導(dǎo)致的熱膨脹應(yīng)變及應(yīng)力問題，故本發(fā)明可大為降低中介板的翹曲現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有的中介板的剖視圖。
[0016]圖2A至圖2D為本發(fā)明的中介板的制法的一實(shí)施例的剖視圖，而圖2D’為圖2D的俯視圖，且圖2D-1至圖2D-4為圖2D的不同實(shí)施例。
[0017]圖3A至圖3D為本發(fā)明的中介板的制法的另一實(shí)施例的剖視圖，且圖3D-1至圖3D-3為圖3D的不同實(shí)施例。
[0018]符號說明
[0019]1、2中介板
[0020]10、20 基板本體[0021 ]10a、20a 第一表面
[0022]10b、20b 第二表面
[0023]11,21 導(dǎo)電穿孔
[0024]12、22 絕緣層
[0025]13,23 第一介電層
[0026]14、24 線路層
[0027]141、241 線路
[0028]142、242 電性接點(diǎn)
[0029]15、25 絕緣保護(hù)層
[0030]16、26 金屬層
[0031]17,27 導(dǎo)電凸塊
[0032]18,28 第二介電層
[0033]19、29 電性連接墊
[0034]201第一凹槽
[0035]202第二凹槽
[0036]204基板本體空穴
[0037]231第一介電層開口
[0038]232開口
[0039]251絕緣保護(hù)層開口
[0040]281第二介電層開口
[0041]AA’線。
【具體實(shí)施方式】
[0042]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。本發(fā)明也可藉由其它不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。
[0043]請參照圖2A至圖2D，其為本發(fā)明的中介板的制法的一實(shí)施例的剖視圖。
[0044]如圖2A所示，本發(fā)明的中介板的制法首先于具有相對的第一表面20a及第二表面20b的基板本體20的該第一表面20a形成多個第一凹槽201與第二凹槽202，并于各該第一凹槽201中形成導(dǎo)電穿孔21。
[0045]詳而言的但非限定而言，該基板本體20的材質(zhì)一般可為如硅的半導(dǎo)體，然而也可依設(shè)計需要而使用絕緣材料或介電材料制成，而本發(fā)明亦可在形成該些導(dǎo)電穿孔21之前，于該些第一凹槽201表面形成可為二氧化硅的絕緣層22，以令該絕緣層22位于該些導(dǎo)電穿孔21與該基板本體20之間，并且本發(fā)明也可在形成該絕緣層22之后還形成一例如為鈦/銅合金的導(dǎo)電層(未圖示)于該絕緣層22表面，以令該導(dǎo)電層位于該些導(dǎo)電穿孔21與該絕緣層22之間，另外，該些第二凹槽202可依設(shè)計需要而分布在該些第一凹槽201以外的該基板本體20中，以釋放該基板本體20的熱膨脹應(yīng)變及應(yīng)力，特定而言，該些第二凹槽202可分布在各該第一凹槽201之間的該基板本體20中，且該些第二凹槽2