233’、第一鰭230a’至第三鰭230c’以及第一導(dǎo)線(在下文中稱為“柵電極”)240a’。半導(dǎo)體裝置200B是在圖12和圖13中示出的半導(dǎo)體裝置200A的修改的示例實(shí)施例。因此，將主要地描述半導(dǎo)體裝置200B的與半導(dǎo)體裝置200A不同的特征和元件，將不再重復(fù)已經(jīng)參照圖12和圖13描述的特征和元件。
[0124]第一絕緣層215可設(shè)置在基板210’上。第二絕緣層233’可通過被設(shè)置在第一鰭230a’至第三鰭230c’與柵電極240a’之間而用作柵極絕緣層。第一鰭230a’至第三鰭230c’可包括半導(dǎo)體材料，例如硅和/或摻雜的硅。
[0125]柵電極240a’可設(shè)置在第二絕緣層233’上。因此，柵電極240a’可圍繞第一鰭230a’至第三鰭230c’以及第二絕緣層233’。換句話說，第一鰭230a’至第三鰭230c’可位于柵電極240a’的內(nèi)部。
[0126]圖16是示出沿圖10的線XV1-XVI’切割的具有圖10的布局的半導(dǎo)體裝置200a的剖視圖。
[0127]參照圖16，半導(dǎo)體裝置200A可包括第二鰭230b、第二導(dǎo)線240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260。雖然未示出，但提供例如電源電壓或地電壓的電壓端子可另外地設(shè)置在第二接觸件260上。
[0128]第二導(dǎo)線240b可設(shè)置在第二鰭230b上。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二導(dǎo)線240b可用作柵電極，柵極絕緣層可另外地設(shè)置在第二導(dǎo)線240b與第二鰭230b之間。
[0129]第一下接觸件250a和250b可設(shè)置在第二鰭230b上。因此，第一下接觸件250a和250b可將例如電源電壓或地電壓提供到第二鰭230b。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第一下接觸件250a和250b可分別設(shè)置在第二導(dǎo)線240b的兩側(cè)處。根據(jù)一些不例實(shí)施例，第一下接觸件250a和250b的上部可與第二導(dǎo)線240b的上部處在相同的水平面上。
[0130]第二接觸件260可設(shè)置在第二導(dǎo)線240b以及第一下接觸件250a和250b上并且電連接到第二導(dǎo)線240b以及第一下接觸件250a和250b。因此，第二導(dǎo)線240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260可形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。
[0131]圖17是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的1C 300的布局。
[0132]參照圖17，1C 300可包括通過用粗線繪制的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。具體地，圖17示出1C 300中的標(biāo)準(zhǔn)單元的示例。標(biāo)準(zhǔn)單元可包括第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b、第一鰭230a至第六鰭230f、第一導(dǎo)線240a至第三導(dǎo)線240c、第一接觸件250a至250d、第二接觸件260、切割區(qū)270以及第三接觸件380a至380c。IC 300是在圖10中示出的1C 200的修改的示例實(shí)施例。因此，圖10的描述也可應(yīng)用于1C 300，因此，將不再重復(fù)已經(jīng)參照圖10描述的特征和元件。
[0133]與圖10的1C 200相比，根據(jù)一些示例實(shí)施例的1C 300可另外包括第三接觸件380a至380c。第三接觸件中的第一個(gè)接觸件380a可設(shè)置在第一導(dǎo)線240a上并電連接到第一導(dǎo)線240a。第三接觸件中的第三個(gè)接觸件380c可設(shè)置在第三導(dǎo)線240c上并電連接到第三導(dǎo)線240c。
[0134]第三接觸件380c中的第二個(gè)接觸件380b可設(shè)置在第二導(dǎo)線240b上并電連接到第二導(dǎo)線240b。由于切割區(qū)270在第二導(dǎo)線240b的中間，所以第三接觸件380b僅電連接到在第二有源區(qū)220b上的第二導(dǎo)線240b，而不連接到第一有源區(qū)220a的第二導(dǎo)線240b。
[0135]根據(jù)一些示例實(shí)施例，可通過使在第一有源區(qū)220a上的第二導(dǎo)線240b、第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260電短路來形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。因此，在基于圖17中示出的布局制造的1C 300中，第二導(dǎo)線240b可在第一有源區(qū)220a中被跳過而在第二有源區(qū)220b中不被跳過，從而1C 300具有非對稱晶體管。因此，1C 300可包括在第一有源區(qū)220a中的兩個(gè)晶體管(例如兩個(gè)NM0S鰭式晶體管)和在第二有源區(qū)220b中的三個(gè)晶體管(例如三個(gè)PM0S鰭式晶體管)。
[0136]雖然圖17示出了第二接觸件260設(shè)置在第一有源區(qū)220a上的示例實(shí)施例，但示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件260可設(shè)置在第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b兩者上。在這種情況下，相同數(shù)量的晶體管可設(shè)置在第一有源區(qū)220a和第二有源區(qū)220b上。根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件260可僅設(shè)置在第二有源區(qū)220b上。在這種情況下，與在第二有源區(qū)220b上相比，可在第一有源區(qū)220a上設(shè)置更多晶體管。
[0137]圖18是示出與圖17的示例實(shí)施例基本上相同的1C 300的一部分的布局。
[0138]參照圖18，1C 300’可包括第一導(dǎo)線240a至第三導(dǎo)線240c、第一接觸件250a至250d以及第三接觸件380a至380c。在第一有源區(qū)220a上的第一下接觸件250a和250b可連接到在第一下接觸件250a和250b上方的同一金屬線。根據(jù)其他示例實(shí)施例，1C 300’可僅包括第一下接觸件250a和250b中的一個(gè)。
[0139]包括在圖17中示出的布局中的第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260可形成Η形跨接線。因此，當(dāng)實(shí)際上制造1C 300時(shí)，1C 300可與對應(yīng)于圖18中示出的布局的IC 300’基本上相同。換句話說，如圖18中所示，由于在圖17中示出的布局中的Η形跨接線，在第一有源區(qū)220a中的第二導(dǎo)線240b可被跳過。因此，1C 300和1C 300’可包括在第一有源區(qū)220a中的兩個(gè)NMOS鰭式晶體管以及在第二有源區(qū)220b中的三個(gè)PMOS鰭式晶體管。
[0140]圖19是示出圖17的1C 300的電路圖。
[0141]參照圖17和圖19，1C 300可包括第一 PM0S鰭式晶體管PM1至第三PM0S鰭式晶體管PM3以及第一 NM0S鰭式晶體管NM1和第二 NM0S鰭式晶體管NM2。第一 PM0S鰭式晶體管PM1至第三PM0S鰭式晶體管PM3可形成在第二有源區(qū)220b上，第一 NM0S鰭式晶體管匪1和第二 NM0S鰭式晶體管匪2可形成在第一有源區(qū)220a上。
[0142]第一 PM0S鰭式晶體管PM1和第一 NM0S鰭式晶體管匪1的相應(yīng)的柵極均連接到可與第三接觸件380a中的第一個(gè)接觸件380a對應(yīng)的節(jié)點(diǎn)A。另外，第二 PM0S鰭式晶體管PM2的柵極可連接到可與第三接觸件380b中的第二個(gè)接觸件380b對應(yīng)的節(jié)點(diǎn)B。另外，第三PM0S鰭式晶體管PM3和第二 NM0S鰭式晶體管匪2的相應(yīng)的柵極可均連接到可與第三接觸件380b中的第三個(gè)接觸件380c對應(yīng)的節(jié)點(diǎn)C。
[0143]具體地，在一些示例實(shí)施例中，第一 PM0S鰭式晶體管PM1的柵極可連接到第三接觸件380a中的第一個(gè)接觸件380a，第一 PM0S鰭式晶體管PM1的漏極可連接第一節(jié)點(diǎn)區(qū)NA1，第一節(jié)點(diǎn)區(qū)NA1可與第一左上接觸件250c對應(yīng)。第二 PM0S鰭式晶體管PM2的柵極可連接到第三接觸件380a中的第二個(gè)接觸件380a，第二 PM0S鰭式晶體管PM2的漏極可連接到第二節(jié)點(diǎn)區(qū)NA2，第二節(jié)點(diǎn)區(qū)NA2可與第一右上接觸件250d對應(yīng)。第三PM0S鰭式晶體管PM3的柵極可連接到第三接觸件380c中的第三個(gè)接觸件380c。
[0144]第一 NM0S鰭式晶體管匪1的柵極可連接到第三接觸件380a中的第一個(gè)接觸件380a，第二 NM0S鰭式晶體管匪2的柵極可連接到第三接觸件380c中的第三個(gè)接觸件380c。第一 NM0S鰭式晶體管匪1和第二 NM0S鰭式晶體管匪2可連接到可與通過圖17的第一下接觸件250a和250b以及第二接觸件260形成的跨接線對應(yīng)的第三節(jié)點(diǎn)區(qū)NA3。
[0145]圖20是詳細(xì)示出圖19的第三節(jié)點(diǎn)區(qū)NA3的電路圖。
[0146]參照圖17、圖19和圖20，可通過連接在第二鰭230b與第一下左接觸件250a之間的第一節(jié)點(diǎn)ND1、在第二鰭230b與第一下右接觸件250b之間的第二節(jié)點(diǎn)ND2以及在第二接觸件260與第二導(dǎo)線240b之間的第三節(jié)點(diǎn)ND3來形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)區(qū)(即，第三節(jié)點(diǎn)區(qū)NA3)。
[0147]圖21是示出根據(jù)其他示例實(shí)施例的1C 400的布局。
[0148]參照圖21，1C 400可包括通過用粗線繪制的單元邊界限定的至少一個(gè)單元。具體地，圖21示出1C 400中的標(biāo)準(zhǔn)單元的示例。標(biāo)準(zhǔn)單元可包括第一鰭430a至第十鰭430j、多個(gè)柵電極440b、440c和440d、多個(gè)虛設(shè)柵電極440a和440e、多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b、第二接觸件460、切割區(qū)470、兩個(gè)輸入端子480、兩個(gè)輸入接觸件485以及輸出端子490。
[0149]根據(jù)示例實(shí)施例，第一鰭430a、第五鰭430e、第六鰭430f和第十鰭430 j可為虛設(shè)鰭，第二鰭430b至第四鰭430d以及第七鰭430g至第九鰭430i可為有源鰭。具體地，第二鰭430b至第四鰭430d可設(shè)置在第一有源區(qū)420a中，第七鰭430g至第九鰭430i可設(shè)置在第二有源區(qū)420b中。第一鰭430a可設(shè)置在第一裝置分離區(qū)425a中，第五鰭430e和第六鰭430f可設(shè)置在第二裝置分離區(qū)425b中，第十鰭430 j可設(shè)置在第三裝置分離區(qū)425c中。
[0150]首先，可通過執(zhí)行單個(gè)制造工藝而在半導(dǎo)體基板(未示出)上預(yù)先形成第一鰭430a至第十鰭430j。第二，可形成多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b以及包括多個(gè)柵電極440b、440c和440d和多個(gè)虛設(shè)柵電極440a和440e的柵電極。第三，可在柵電極440c和多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b上形成第二接觸件460。第四，可形成兩個(gè)輸入端子480和輸出端子490。
[0151]第一區(qū)R1與圖1中示出的布局相似，因此，上面參照圖1至圖9描述的示例實(shí)施例可應(yīng)用于第一區(qū)R1。第二區(qū)R2與圖10中示出的布局相似，因此，上面參照圖10至圖20描述的示例實(shí)施例可應(yīng)用于第二區(qū)R2。根據(jù)一些示例實(shí)施例，第二鰭430b至第四鰭430d可形成NM0S晶體管，第七鰭430g至第九鰭430i可形成PM0S晶體管。
[0152]雖然圖21示出了第二接觸件460設(shè)置在第一有源區(qū)420a上的示例實(shí)施例，但示例實(shí)施例不限于此。例如，根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件460可設(shè)置在第一有源區(qū)420a和第二有源區(qū)420b兩者上。在這種情況下，相同數(shù)量的晶體管可設(shè)置在第一有源區(qū)420a和第二有源區(qū)420b上。根據(jù)其他示例實(shí)施例，第二接觸件460可僅設(shè)置在第二有源區(qū)420b上。在這種情況下，與在第二有源區(qū)220b上相比，可在第一有源區(qū)220a上設(shè)置更多個(gè)晶體管。
[0153]圖22是示出與圖21的示例實(shí)施例基本上相同的1C的一部分的布局。
[0154]參照圖22，1C 400’可包括第一鰭430a至第十鰭430 j、多個(gè)柵電極440b、440c和440d、多個(gè)虛設(shè)柵電極440a和440e、多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b、第二接觸件460、兩個(gè)輸入端子480、兩個(gè)輸入接觸件485以及輸出端子490。在第一有源區(qū)420a上的多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b可連接到在多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b上方的同一金屬線。根據(jù)其他示例實(shí)施例，1C 400’可僅包括在第一有源區(qū)420a上的多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b中的一者。
[0155]包括在圖21中示出的布局中的多個(gè)源極接觸件450a和漏極接觸件450b以及第二接觸件460可形成Η形跨接線。因此，當(dāng)實(shí)際上制造1C 400時(shí)，IC400可與對應(yīng)于圖22中示出的布局的1C 400’基本上相同。換句話說，如圖22中所示，由于在圖21中示出的布局中的Η形跨接線，在圖22的第一有源區(qū)420a中的柵電極440c可被跳過。因此，1C 400和1C 400’中的每個(gè)可包括在第一有源區(qū)420a中的兩個(gè)NM0S鰭式晶體管和在第二有源區(qū)420b中的三個(gè)PM0S鰭式晶體管。
[0156]圖23是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)500的框圖。
[0157]參照圖23，計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)500可包括可通過計(jì)算機(jī)讀取的存儲介質(zhì)，從而例如將指令和/或數(shù)據(jù)提供到計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)500可為非暫時(shí)性的。例如，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)500可包括磁性存儲介質(zhì)(例如，磁盤或磁帶)和